CN103081710B - 烤烟半膜覆盖栽培方法 - Google Patents

烤烟半膜覆盖栽培方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种烤烟半膜覆盖栽培方法，该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄的肩部地膜边缘开种植孔进行烟苗栽培。本发明的优点是：（1）烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质。（2）烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。（3）地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。（4）因地膜边缘与烟株茎基部相邻，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。

Description

烤烟半膜覆盖栽培方法
技术领域
本发明涉及烤烟大田半膜覆盖栽培方法，属于作物覆盖栽培技术领域。
背景技术
垄作是作物栽培中一种较为普遍的方式，在烤烟生产中广泛使用。它对增加土层厚度，保墒防旱，通风防病，增加土体表面积，扩大受光面，提高地温，进而促进作物根系发育有积极作用。
在我国贵州高原烟区，土层和耕层薄，土壤肥力低，保肥保水能力差。虽然全省年均降雨量在1000mm以上，理论上完全能够满足烤烟生产的需要，但是受季节性干旱、降雨分布不均匀，过度降雨地表径流损失等影响，在烤烟移栽时常常受干旱影响推迟移栽时间；烤烟旺长期常出现旱灾和涝灾，成熟期又受伏旱胁迫，限制了本区烤烟产量稳定与烟叶质量提升。
该区受高原气候的影响，烤烟生长季节气温较低，地膜使用极为普遍，导致“白色污染”日趋严重。同时现有地膜种植的常规模式为全膜覆盖，作物栽种在地膜全覆盖区域，为达到较好的保温效果，作物的根系均被包覆在地膜下方。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种优化烤烟生长环境，方便地膜回收，减少“白色污染”的烤烟半膜覆盖栽培方法，可以克服现有技术的不足。
本发明的技术方案：烤烟半膜覆盖栽培方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。
所述的种植孔为井窖式移栽孔。
地膜的宽度90-100cm，厚度0.008cm。
在地垄上地膜的边沿处开设施肥沟，在施肥沟内施底肥，后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。
在烤烟采收结束后，揭开地膜，进行回收。
施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15-20cm。
种植孔位于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，种植孔的孔口直径8cm，种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm。
垄底宽度为210cm，土烟垄高20±3cm，田烟垄高25±3cm。
与现有技术比较，本发明将地膜覆盖于地垄的顶部，烟苗移栽于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，这样本发明的优点是：（1）烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质，同时有利于农事操作。（2）烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。（3）地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。（4）因地膜边沿与烟株茎基部相邻，且地膜较厚，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。（5）半膜覆盖减少了地膜用量，减少种植投入。（6）打破了现有地膜种植的惯有思维。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的另一种结构示意图。
具体实施方式
实施例1：如图1所示，本发明的具体实施步骤为
（1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；
（2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；
（3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；
（4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；
（5） 覆膜：用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；
（6） 栽烟：在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；
（7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用；
（8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例2：如图2所示，本发明的具体实施步骤为
（1） 选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；
（2） 整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；
（3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；
（4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；
（5）覆膜：用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；
（6）栽烟：在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；
（7） 揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用；
（8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例3：如图2所示，本发明的具体实施步骤为
（1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；
（2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；
（3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；
（4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；
（5）覆膜：用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；
（6）栽烟：在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；
（7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用；
（8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例4：如图2所示，本发明的具体实施步骤为
（1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；
（2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；
（3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；
（4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；
（5）覆膜：用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；
（6）栽烟：在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；
（7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用；
（8）其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。

Claims (1)

1.一种烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于：该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜两边沿的外侧开种植孔进行烟苗栽培；所述的种植孔为井窖式移栽孔；地膜的宽度90-100cm，厚度0.008cm；在地垄上地膜的两边沿处开设施肥沟，在施肥沟内施底肥，后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿；在烤烟采收结束后，揭开地膜，进行回收；施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15-20cm；种植孔的孔口直径8cm，种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm；垄底宽度为210cm，土烟垄高20±3cm，田烟垄高25±3cm。
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