CN103065912A - 一种等离子显示屏封接排气方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种等离子显示屏封接排气方法，旨在提供一种能够更加有效排除屏内杂质气体的封排工艺。本发明公开的等离子显示屏封接排气方法主要包括：升温阶段，在此期间对未封接的等离子显示屏进行升温；在所述升温阶段内还包括封接段排气阶段，以排出屏内的杂质气体；封接阶段，将等离子显示屏进行封接；第一次降温阶段，对封接后的等离子显示屏进行降温到排气温度；排气阶段，对降温后的等离子显示屏进行排气，以排出屏内的杂质气体；第二次降温阶段，将排气后的等离子显示屏温度降到室温。
Description
技术领域
本发明涉及等离子显示屏的制作工艺，尤其是等离子显示屏封接过程中的排气方法。
背景技术
等离子显示屏（PDP）具有颜色逼真、色彩效果好、视角宽、长寿命等优点，同时其响应速度快、无拖尾、无有害辐射，更加有利于眼健康，是目前主流的平板显示技术之一。
等离子显示屏是由前后基板对合而成，前板上制作了电极层、介质层、MgO层，后板上制作了电极层、介质层、障壁层、荧光粉层，然后将前后板对合后进行封排（封接和排气）工艺，通过封排工艺将前后板之间的空气抽走，再注入放电气体，通过放电气体激发等离子体，等离子体辐射出光子，光子激发荧光粉发光。因此等离子显示屏（以下简称为屏）对屏内残留的空气及其所含的杂质气体（这里所述的杂质气体主要是指能与屏内物质，例如MgO，反应的，降低屏性能的气体。）非常敏感，杂质气体的浓度严重影响等离子显示屏的各项光电性能及寿命。
具体来说，由于前板的MgO层与后板的荧光粉层孔隙较大，非常容易吸附H2O、CO2等杂质气体，且会发生如下反应：
MgO+CO2→MgCO3及
MgO+H2O→Mg(OH)2。
因此，需在高温环境中使其吸附的杂质气体分解出来，并排除，从而有效改善等离子显示屏的性能。
现有的封排工艺是先完成屏前板与后板的封接，再降低温度进行排气，也就是说现有的封排工艺中排气阶段屏的温度比封接阶段屏的温度低。图1显示的是现有阶段的一个完整的封排工艺流程，其横轴代表时间，纵轴代表等离子显示屏的温度，整个封排过程包含：升温阶段，将前后板对合而未封接的屏进行升温，当温度达300-380℃左右时，工艺进入封接阶段，将屏的前板及后板进行封接，之后进入第一次降温阶段，使屏的温度降低一定程度，例如降到350℃左右时，进入排气阶段，利用封接排气小车将屏内的空气抽出，完成排气后的等离子显示屏进行第二次降温，使其温度降到室温。经过了封排工艺后的等离子显示屏再充入放电气体。
现有的封排工艺具有如下缺陷：在升温到封接温度时，屏内的树脂材料制成的部件会释放大量的杂质气体，例如CO2，这些杂质气体在封接的高温下会烧结在屏后板的荧光粉层上，当降低温度到排气温度进行排气时，由于排气温度较封接温度低，无法有效的排出烧结在荧光粉体上的杂质气体，杂质气体释放的效率低，这样将会直接影响等离子显示屏的性能。
发明内容
本发明的目的是针对现有的封排工艺的缺陷，提供一种能够更加有效排除屏内杂质气体的封排工艺。
本发明公开的等离子显示屏封接排气方法，包括：
升温阶段，在此期间对未封接的等离子显示屏进行升温；在所述升温阶段内还包括封接段排气阶段，以排出屏内的杂质气体；
封接阶段，将等离子显示屏进行封接；
第一次降温阶段，对封接后的等离子显示屏进行降温到排气温度；
排气阶段，对降温后的等离子显示屏进行排气，以排出屏内的杂质气体；
第二次降温阶段，将排气后的等离子显示屏温度降到室温。
优选地，所述封接温度为450-480℃。
优选地，在所述升温阶段，当未封接的等离子显示屏的温度至少被升高到300-380℃时开始所述的封接段排气阶段。
优选地，所述排气温度为350-380℃。
优选地，在所述升温阶段，包含至少两个封接段排气阶段。
优选地，所述封接段排气阶段包括：首先对未封接的等离子显示屏进行排气，然后再向所述未封接的等离子屏充入平衡保护气体。
优选地，所述平衡保护气体为N2。
优选地，充入的平衡保护气体量为540~940乇。其中，乇，Torr，为压强单位。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
在升温到封接温度的升温过程中即进行第一阶段排气，防止这些杂质气体在封接阶段的高温下烧结在荧光粉层上，将升温过程中释放的杂质气体有效的排出，封接阶段之后的排气阶段可以再次将残存的杂质气体排出，进一步提高杂质气体的排出效率。
另一方面，在封接段排气阶段中还包括向屏充入N2等平衡保护气体，以及进行多次封接段排气阶段，能进一步提高杂质气体排出效率。
采用了本发明中的工艺，屏内的杂质气体被有效排除，屏的亮度及色温（色温是表示光源光色的尺度，单位为K（开尔文））提高5%~15%，同时屏表面的亮度均一性大大改善，可有效消除斑纹等不良现象。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是现有的封排工艺流程图。
图2是本发明中的封排工艺流程图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
如图2，本发明中的封排工艺包括：
升温阶段，在此期间将等离子显示屏的前板与后板对接放于封接排气小车上，然后对该未封接的等离子显示屏从室温（25~30℃）升温到封接温度，如450-480℃；作为本发明的改进之处，在所述升温阶段内还包括封接段排气阶段（exhaust in sealing，简称为EIS），以排出屏内的杂质气体；EIS段的持续时间需要比升温阶段的持续时间短。
封接阶段，将等离子显示屏进行封接；
第一次降温阶段，对封接后的等离子显示屏进行降温到排气温度，如350-380℃；
排气阶段，对降温后的等离子显示屏进行排气，以排出屏内的杂质气体；
第二次降温阶段，将排气后的等离子显示屏温度降到室温。
在此工艺中，除了封接段排气阶段，其余工艺步骤均与现有技术相同，在此不再赘述其具体实现过程及工艺参数。
在本发明的一个实施例中，在所述升温阶段中，封接段排气阶段的开始温度为300-380℃，也就是说当未封接的等离子显示屏的温度至少被升高到300-380℃时开始所述的封接段排气阶段。具体的，对于屏为含铅的低玻框，至少升温到300-350℃时开始EIS阶段；对于屏为不含铅的低玻框（低玻框有玻璃粉制得，用于将屏的前、后基板粘结在一起形成密闭空间），至少需要升温到350-380℃时开始EIS阶段。
为了增强气体排出的效果，在本发明的另一个实施例中，所述封接段排气阶段包括：首先对未封接的等离子显示屏进行排气，然后再向所述未封接的等离子屏充入平衡保护气体。所述升温阶段可以包含两个或以上的封接段排气阶段。在升温阶段反复进行多次的排气、放气，有助于尽可能提高排出杂质气体的效果。
进一步所述平衡保护气体可以为N2。充入的平衡保护气体量为540~940托。其中，托，又为torr，为压强单位。1 torr≈133.322 Pa=1.333mbar（毫巴）=0.001315789473atm。
下面以含铅的低玻框屏为例，进一步阐述本发明实施步骤：
对屏进行升温，对于含铅的低玻框，由于其软化点在350℃左右，根据其热特性，选择EIS区的温度区间在360℃~370℃之间，通过修改封接排气小车的PLC程序，使封接排气小车在屏的温度到达该温度区间时，对放置在该小车上的屏进行排气，排气时间设定为3分钟，排气完成后，充入N2直到屏内的气体压强为740torr，作为平衡保护气体。（一般说来，EIS段的持续时间不能长于升温阶段持续时间，即EIS段不能超过升温阶段，若升温阶段持续时间为10分钟，EIS段持续时间可以为7~8分钟；若升温阶段持续时间为5分钟，EIS段持续时间可以为2~3分钟。）待屏的温度升高到450℃后，按照传统的工艺流程，进入封接阶段，然后再依次完成第一次降温、排气、第二次降温工作。
通过对比点灯检查结果，可以得出使用本实施例方法进行封排的屏的亮度相对于普通屏提高了2%~10%，色温提高了5%~15%，屏的斑纹不良下降60%以上，有效改善了屏的性能。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
Claims (8)
1.一种等离子显示屏封接排气方法，包括：
升温阶段，在此期间对未封接的等离子显示屏进行升温直到温度达到封接温度；
封接阶段，将等离子显示屏进行封接；
第一次降温阶段，对封接后的等离子显示屏进行降温到排气温度；
排气阶段，对降温后的等离子显示屏进行排气，以排出屏内的杂质气体；
第二次降温阶段，将排气后的等离子显示屏温度降到室温；
其特征在于，在所述升温阶段内还包括封接段排气阶段，以排出屏内的杂质气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封接温度为450-480℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述升温阶段，当未封接的等离子显示屏的温度至少被升高到300-380℃时开始所述的封接段排气阶段。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述排气温度为350-380℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封接段排气阶段包括：首先对未封接的等离子显示屏进行排气，然后再向所述未封接的等离子屏充入平衡保护气体。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述升温阶段，包含至少两个封接段排气阶段。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述平衡保护气体为N2。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，充入的平衡保护气体量为540~940托。
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| CN2012105875867A CN103065912A (zh) | 2012-12-29 | 2012-12-29 | 一种等离子显示屏封接排气方法 |
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Citations (3)
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| EP1182683A1 (en) * | 1998-06-25 | 2002-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel manufacturing method for achieving luminescence characteristics |
| CN101599402A (zh) * | 2008-06-02 | 2009-12-09 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子体显示面板及其封排方法 |
| CN102436994A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-02 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的封接方法 |
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