CN103038907A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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王平
黄辉
冯小明
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括阳极基底层(110)、位于该阳极基底层(110)上的空穴注入层(120)、位于该空穴注入层(120)上的发光层(130)及位于该发光层(130)上的阴极电极层(140)，其中该空穴注入层(120)的材质为金属氧化物或噻吩类化合物。该空穴注入层(120)具有提高电子-空穴复合几率，且不易被氧化的特点，从而增强了有机电致发光器件的效率并延长了使用寿命。还涉及一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
1987 年，美国 Eastman Kodak 公司的 C.W.Tang 和 VanSlyke 报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用真空镀膜技术制备出了高亮度、高效率的双层小分子有机电致发光器件。 1990 年，英国剑桥大学的 R.H.Friend 小组制备了第一个高分子发光二极管。自此，有机发光二极管（ Organic Light-Emitting Diode ， OLED ）在短短的十几年内已发展到应用阶段。
但传统的有机电致发光器件的空穴注入层普遍采用有机小分子，易被氧化而不稳定，从而影响有机电致发光器件的使用寿命和效率。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种使用寿命较长，性能较好的有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件，包括阳极基底层、位于阳极基底层上的空穴注入层、位于空穴注入层上的发光层及位于发光层上的阴极电极层，其中，空穴注入层的材质为金属氧化物或噻吩类化合物。
优选的，金属氧化物为氧化锌、氧化镁和五氧化二钒中的至少一种；噻吩类化合物为聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩和聚 3- 十二烷基噻吩中的至少一种 。
优选的，还包括位于空穴注入层及发光层之间的空穴传输层、位于发光层及阴极电极层之间的电子传输层及位于电子传输层与阴极电极层之间的电子注入层中的至少一层。
金属氧化物或噻吩类化合物形成的空穴注入层具有提高电子-空穴的复合几率，且不易被氧化的特点，从而增强了有机电致发光器件的效率并延长了其使用寿命。
进一步，金属氧化物采用氧化锌、氧化镁、五氧化二钒等，噻吩类化合物采用聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩或聚 3- 十二烷基噻吩等，相比较传统使用的有机小分子，不易被氧化，能长期稳定存在且空穴注入能力较强。
金属氧化物材料在紫外光的范围内有较大的吸收，可以起到了屏蔽紫外线的作用，而紫外的照射对于器件的稳定性影响很大，选择金属氧化物材料能有效提高器件的稳定性和减缓器件老化程度。
聚烷基噻吩类聚合物的噻吩上具有一定长度的侧链基团，而这些烷基侧链会使链间距离增长，使空穴的传输限制在主链上，从而提高了电子-空穴复合的几率，能有效的增强器件的发光强度和发光亮度。
此外，还有必要提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件的制备方法。
一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1 、配置金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶；
S2 、提供阳极基底层，对阳极基底层表面进行预处理；
S3 、采用旋涂技术，将金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶涂覆在表面预处理后的阳极基底层上，形成一层空穴注入层；然后在空穴注入层上涂覆一层发光层，以及在发光层上涂覆一层阴极电极层，烘干，即得到有机电致发光器件。
优选的，步骤 S1 中，金属氧化物溶胶的配置包括如下步骤：将金属氧化物溶于溶剂中，配置成浓度为 10~35% 的金属氧化物溶胶。
优选的，金属氧化物为氧化锌或氧化镁，溶剂为体积百分比 1:2 的水和醋酸的混合溶液；或金属氧化物为五氧化二钒，溶剂为氨水。
优选的，当形成空穴注入层的原料为金属氧化物溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2000 转 / 分钟，旋涂时间为 30 秒；干燥过程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-60 分钟。
优选的，步骤 S1 中，噻吩类化合物溶胶的配置包括如下步骤：
将噻吩类化合物溶于有机溶剂中，配置成密度为 1 × 10-3-1 × 10-2g/L 的 噻吩类化合物溶胶。
优选的，噻吩类化合物为聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩或聚 3- 十二烷基噻吩；有机溶剂为氯苯、二甲苯、四氢呋喃、三氯甲烷或二氯甲烷中的至少一种。
优选的，当形成空穴注入层的原料为噻吩类化合物溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2500 转 / 分钟，旋涂时间为 30 秒；干燥过程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-100 分钟。
上述有机电致发光器件的制备方法，通过旋涂金属氧化物材料或噻吩类化合物材料来制备空穴注入层，工序简单，对设备条件要求不高，操作简易，可大大的降低器件的制作成本。
【附图说明】
图 1 为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图 2 为另一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图 3 为采用了实施例 2 、实施例 8 的空穴注入层的结构为 ITO （铟锡氧化物） / 空穴注入层 /NPB （ N ， N ' - （ 1- 萘基） - N ， N ' - 二苯基 -4,4'- 联苯二胺） / Alq3 （ 8- 羟基喹啉铝） /LiF/Al 膜层结构的有机电致发光器件以及实施例 10 没有采用空穴注入层的结构为 ITO/ NPB/ Alq3/LiF/Al 的的发光亮度（ Luminance ，单位 cd/m2 ）与电压（ Voltage ，单位 V ）的关系曲线图。
【具体实施方式】
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
如图 1 所示，一实施方式的有机电致发光器件依次包括阳极基底层 110 、空穴注入层 120 、发光层 130 及阴极电极层 140 。
阳极基底层110可以采用无机导电材料，如铟锡氧化物（ITO）、氧化锌或氧化锡等，或者有机导电聚合物，如聚苯胺等。
空穴注入层 120 采用金属氧化物或噻吩类化合物制备。其中，金属氧化物如氧化锌、氧化镁或五氧化二钒等；噻吩类化合物如聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧 基噻吩或聚 3- 十二烷基噻吩等。
发光层 130 可以采用四 - 叔丁基二萘嵌苯（ TBP ）、 4- （二腈甲基） -2- 丁基 -6- （ 1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基） -4H- 吡喃（ DCJTB ）、 9,10- 二 - β - 亚萘基蒽（ AND ）、二（ 2- 甲基 -8- 羟基喹啉） - （ 4- 联苯酚）铝（ BALQ ）、 4- （二腈甲烯基） -2- 异丙基 -6- （ 1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基） -4H- 吡喃（ DCJTI ）、二甲基喹吖啶酮（ DMQA ）或 8- 羟基喹啉铝（ Alq3 ）。此外，发光层 130 还可以采用聚合物聚对苯乙炔及其衍生物（ PPV ）。
阴极电极层 140 可以采用铝、金、镁银合金、铝镁合金、铝钙合金或铝锂合金等。
空穴注入层120采用金属氧化物或有机聚合物制备，抗氧化能力强，可以有效增强有机电致发光器件的稳定性和使用寿命，同时，金属氧化物或有机聚合物可以平衡空穴和电子的传输速率，提高空穴-电子的复合几率，能有效增强器件的发光强度和发光亮度。
此外，为进一步增强有机电致发光器件的空穴 - 电子的传输速率，有机电致发光器件还可以采用诸如阳极基底层 / 空穴注入层 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极电极层、阳极基底层 / 空穴注入层 / 发光层 / 电子传输层 / 阴极电极层、阳极基底层 / 空穴注入层 / 发光层 / 电子传输层 / 电子注入层 / 阴极电极层、阳极基底层 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极电极层、阳极基底层 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 电子传输层 / 阴极电极层、阳极基底层 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 电子传输层 / 电子注入层 / 阴极电极层等结构。图 2 所示为依次具有阳极基底层 210/ 空穴注入层 220/ 空穴传输层 230/ 发光层 240/ 电子传输层 250/ 电子注入层 260/ 阴极电极层 270 结构的有机电致发光器件的结构示意图。
其中， 空穴传输层可以采用 N ， N'- 二（ 3- 甲基苯基） - N ， N'- 二苯基 -4,4'- 联苯二胺（ TPD ）、聚对苯乙炔及其衍生物（ PPV ）、 N ， N'- （ 1- 萘基） - N ， N'- 二苯基 -4,4'- 联苯二胺（ NPB ）、 1 , 3 ,5- 三苯基苯（ TDAPB ）、聚乙烯基咔唑（ PVK ）、酞菁铜（ CuPc ）或 P 型掺杂无机半导体等材料制备。
电子传输层可以采用 2- （ 4- 联苯基） -5- （ 4- 叔丁基）苯基 -1,3,4- 恶二唑（ PBD ）、 8- 羟基喹啉铝（ Alq3 ）、 2,5- 二 (1- 萘基 )-1,3,4- 二唑（ BND ）、 1,2,4- 三唑衍生物（如 TAZ ）、 N- 芳基苯并咪唑（ TPBI ）、喹喔啉衍生物（ TPQ ）或 n 型掺杂无机半导体等材料制备。
电子注入层可以采用氟化锂（ LiF ）、氧化锂（ LiO2 ）、氧化铯（ Cs2O ）、三氧化二铝（ Al2O3 ）、氟化钠（ NaF ）、氟化铯（ CsF ）、氟化钙（ CaF2 ）、氟化镁（ MgF2 ）、氯化钠（ NaCl ）、氯化钾（ KCl ）、氯化铷（ RbCl ）、偏硼酸锂（ LiBO2 ）或硅酸钾（ K2SiO3 ）等材料制备。
上述具有阳极基底层 110/ 空穴注入层 120/ 发光层 130/ 阴极电极层 140 结构的有机电致发光器件的制备过程中，首先配置金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶；然后提供阳极基底层 110 ，并对阳极基底层 110 表面进行预处理；最后采用旋涂技术，将金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶涂覆在表面预处理后的阳极基底层 110 上，形成一层空穴注入层 120 ；再在空穴注入层 120 上涂覆一层发光层 130 ，以及在发光层 130 上涂覆一层阴极电极层 140 ，烘干，即得到有机电致发光器件。
其中，对阳极基底层 110 表面进行的预处理可以为氧等离子处理、紫外 - 臭氧处理 、过氧化氢浸泡清洗或酸浸泡清洗等。
空穴注入层 120 的原料具体是质量分数为 10-35% 的氧化锌或氧化镁的去离子水 / 醋酸溶胶，其中去离子水与醋酸的体积比为 1:2 ；或质量分数为 10-35% 的五氧化二钒的氨水溶胶；或密度为 1 × 10-3-1 × 10-2g/L 的 聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩或聚 3- 十二烷基噻吩的有机溶剂溶胶。
当空穴注入层 120 的原料为含氧化锌、氧化镁或五氧化二钒的溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2000 转 / 分钟，旋涂时间为 30 秒；干燥过程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-60 分钟。
当空穴注入层 120 的原料为聚 3- 己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩或聚 3- 十二烷基噻吩的有机溶剂溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2500 转 / 分钟，旋涂时间为 30 秒；干燥过程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-100 分钟。其中，有机溶剂为氯苯、二甲苯、四氢呋喃、三氯甲烷或二氯甲烷中的至少一种。
此外，为进一步增强有机电致发光器件的空穴-电子的传输速率，上述制备过程还包括采用旋涂、蒸镀、溅射、喷镀或化学蒸发沉积方式在空穴注入层及发光层之间沉积空穴传输层的步骤，或者采用旋涂、蒸镀、溅射、喷镀或化学蒸发沉积方式在发光层上沉积电子传输层及在电子传输层与阴极电极层之间沉积电子注入层等步骤。
通过旋涂金属氧化物材料或有机聚合物材料来制备空穴注入层，工序简单，对设备条件要求不高，操作简易，可大大的降低器件的制作成本。
以下为具体实施例部分：
实施例1 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其使用氧等离子进行表面处理，氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W ，其主要作用是减小阳极基底层表面的粗糙度和接触角，以利于改善阳极基底层表面的湿润性和吸附性，而且通过表面处理后能够进一步去除阳极基底层表面的有机污染物，增强其与有机层的结合，使阳极基底层表面功函数增加，从而提高空穴注入能力。将氧化锌（ ZnO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 10% 的溶液，将所配溶液滴在匀胶机上以 500-2000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 150℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例2 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。将氧化锌（ ZnO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 25% 的溶液，将所配溶液滴在匀胶机上以 500-2000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 150℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层和发光层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。制备得到有机电致发光器件的发光亮度与电压的关系曲线如图 3 所示。
实施例3 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行 紫外 - 臭氧处理 ，处理时间为 15-30 分钟，功率为 10-30W 。将氧化锌（ ZnO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 35% 的溶液，将所配溶液滴在匀胶机上以 500-2000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 150℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例4 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行 紫外 - 臭氧处理 ，处理时间为 15-30 分钟，功率为 10-30W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成氧化镁（ MgO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 10% 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-5000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 450℃ 的马弗炉中煅烧 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例5 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，其中氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成氧化镁（ MgO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 30% 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-5000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 450℃ 的马弗炉中煅烧 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例6 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，其中氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成氧化镁（ MgO ）与去离子水 / 醋酸比例为 1:2 的混合溶液配置成质量分数为 20% 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-5000 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 450℃ 的马弗炉中煅烧 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例7 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，其中氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成聚 3- 己基噻吩与氯苯配置成密度为 1×10-3g/L 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-2500 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 200℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例8 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，其中氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成聚 3- 己基噻吩与氯苯配置成密度为 5×10-3g/L 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-2500 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 200℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层和发光层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。制备得到有机电致发光器件的发光亮度与电压的关系曲线如图 3 所示。
实施例9 ：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行 紫外 - 臭氧处理 ，处理时间为 15-30 分钟，功率为 10-30W 。将实施例 1 的氧化锌（ ZnO ）换成聚 3- 己基噻吩与氯苯配置成密度为 1×10-2g/L 的溶液，将所配溶液在匀胶机上以 500-2500 转 / 分钟的旋涂速度旋涂在阳极基底层上，旋涂时间为 30 秒，然后在 200℃ 烘箱中烘烤 30 分钟，干燥后得到空穴注入层。然后热蒸镀制备空穴传输层、发光层和电子传输层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
实施例10 ：不采用空穴注入层的对比器件：将铟锡氧化物玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声 15 分钟，清洗干净后对其进行氧等离子处理，其中氧等离子处理时间为 5-15 分钟，功率为 10-50W 。没有加入空穴注入层。直接热蒸镀制备空穴传输层和发光层，接着再蒸镀电子注入层和阴极电极层。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

  1. 一种有机电致发光器件，包括阳极基底层、位于所述阳极基底层上的空穴注入层、位于所述空穴注入层上的发光层及位于所述发光层上的阴极电极层，其特征在于，所述空穴注入层的材质为金属氧化物或噻吩类化合物。
  2. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为氧化锌、氧化镁和五氧化二钒中的至少一种；所述噻吩类化合物为聚 3-己基噻吩、聚 3- 甲基噻吩、聚 3- 辛氧基噻吩和聚 3- 十二烷基噻吩中的至少一种。
  3. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括位于所述空穴注入层及所述发光层之间的空穴传输层、位于所述发光层及所述阴极电极层之间的电子传输层及位于所述电子传输层与所述阴极电极层之间的电子注入层中的至少一层。
  4. 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
    S1 、配置金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶；
    S2 、提供阳极基底层，对所述阳极基底层表面进行预处理；
    S3 、采用旋涂技术，将所述金属氧化物溶胶或噻吩类化合物溶胶涂覆在表面预处理后的所述阳极基底层上，形成一层空穴注入层；然后在所述空穴注入层上涂覆一层发光层，以及在所述发光层上涂覆一层阴极电极层，烘干，即得到所述有机电致发光器件。
  5. 如权利要求 4 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤 S1 中，金属氧化物溶胶的配置包括如下步骤：
    将金属氧化物溶于溶剂中，配置成浓度为 10~35% 的金属氧化物溶胶。
  6. 如权利要求 5 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化锌或氧化镁，所述溶剂为体积百分比 1:2 的水和醋酸的混合溶液；或所述金属氧化物为五氧化二钒，所述溶剂为氨水。
  7. 如权利要求 4 或 6 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，当形成所述空穴注入层的原料为金属氧化物溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2000 转 / 分钟，旋涂时间为 30 秒；干燥程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-60 分钟。
  8. 如权利要求 4 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤 S1 中，噻吩类化合物溶胶的配置包括如下步骤：
    将噻吩类化合物溶于有机溶剂中，配置成密度为1 × 10-3-1 × 10-2g/L 的 噻吩类化合物溶胶。
  9. 如权利要求8 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述噻吩类化合物为聚 3-己基噻吩、聚 3-甲基噻吩、聚 3-辛氧基噻吩或聚 3-十二烷基噻吩；所述有机溶剂为氯苯、二甲苯、四氢呋喃、三氯甲烷或二氯甲烷中的至少一种。
  10. 如权利要求 4 或 9 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，当形成所述空穴注入层的原料为噻吩类化合物溶胶时，旋涂过程中转速为 500-2500转 / 分钟，旋涂时间为 30秒；干燥过程中温度为 50-200℃，干燥时间为15-100分钟。
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