CN103036526A - Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片 - Google Patents

Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片 Download PDF

Info

Publication number
CN103036526A
CN103036526A CN2012105322661A CN201210532266A CN103036526A CN 103036526 A CN103036526 A CN 103036526A CN 2012105322661 A CN2012105322661 A CN 2012105322661A CN 201210532266 A CN201210532266 A CN 201210532266A CN 103036526 A CN103036526 A CN 103036526A
Authority
CN
China
Prior art keywords
client
chip
electrode
wafer
electrode leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012105322661A
Other languages
English (en)
Inventor
吴成秀
吴亚华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Original Assignee
Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd filed Critical Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Priority to CN2012105322661A priority Critical patent/CN103036526A/zh
Publication of CN103036526A publication Critical patent/CN103036526A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种HC-49S型石英晶体谐振器用晶片,晶片本体表面设有通过蒸镀工艺形成的镀银电极、电极引出端以及连接镀银电极与电极引出端的过渡带,所述电极引出端的中间设有开口于晶片侧端的非镀层区域,使得晶片本体在电极引出端中间及两侧区域形成导电胶覆盖区域。本发明优点在于导电胶有一部分直接与晶片本体接触,既不影响产品的导电性能,又加强了晶片与基座之间的粘接强度,从而提高晶体谐振器的可靠性。

Description

HC-49S型石英晶体谐振器用晶片
技术领域
本发明涉及一种石英晶体谐振器,具体地说是一种HC-49S型石英晶体谐振器用晶片。
背景技术
石英晶片是石英晶体谐振器的主体,在晶体谐振器制造中,需要在晶片部分表面镀上一层银层,以形成晶片的电极即通常所说的镀银电极,使晶体在电场的作用下形成逆压电效应,其电性能主要是由晶片及其搭配的电极共同决定。为了保护晶片,一般是将晶片放置在基座内,用导电胶将晶片固定在基座上,再将外壳与基座压封。其牢固程度直接影响了晶体谐振器的可靠性。
目前常用的HC-49S型石英晶体谐振器所用晶片,如图1所示,晶片本体1表面中间区域为镀银电极2,镀银电极2一侧设有过渡带3和电极引出端4。当用导电胶覆盖在电极引出端区域时,可将晶片固定在基座上。为了增加电极引出端与导电胶电连接的可靠性和导电性能,电极引出端4设有两侧凸起的凸出部41,以增加与导电胶的接触面积。这种设计虽然电极引出端与外电极电连接的可靠性和导电性能增强,然而,由于导电胶主要覆盖在晶片的电极引出端4、41(镀层区域)上,导电胶只能在电极引出端边缘区域11与晶体本体1接触,晶片与基座的粘结强度相对较差,在受到撞击后,容易引起电极引出端镀层与晶片分层、甚至脱落,从而引起晶片松动,造成石英晶体谐振器产品的可靠性下降。
发明内容
本发明的目的是提供一种HC-49S型石英晶体谐振器用晶片,可以提高晶片与基座间的粘接强度,可以提高石英晶体谐振器产品的可靠性。
本发明是这样实现的:晶片本体表面设有通过蒸镀工艺形成的镀银电极、电极引出端以及连接镀银电极与电极引出端的过渡带,所述电极引出端中间设有开口于晶片本体侧端的非镀层区域,使得晶片本体在电极引出端中间及两侧区域形成导电胶覆盖区域。
点胶后,导电胶不仅覆盖在电极引出端表面,同时也覆盖电极引出端两侧及中间非镀层区域,导电胶不仅与晶片本体直接接触,而且将电极引出端的两块金属镀层区域分别包夹在晶体本体上,极大的加强了晶片与基座的粘结强度。
由于电极引出端中间的非镀层区域面积较小,并且导电胶覆盖了周围和下表面的有镀层区域,不会对晶体谐振器的电性能造成影响。
所述电极引出端镀层区域呈U形。这种U形结构的电极引出端镀层区域对称性好,过电流均匀。
经跌落试验,使用本发明晶片的晶体谐振器产品在1m高度3次自由跌落在厚度为3cm的木地板上,频率变化在3ppm内,电阻变化在5Ω之内。而现有HC-49S型石英晶体谐振器频率变化一般在5ppm内。
振动试验中,在振动频率10~55Hz、振幅1.5mm、周期1.5分钟的条件下,循环在X、Y、Z轴方向各30分钟,放置1小时后测试变化值。频率变化在5ppm以内。而现有HC-49S型石英晶体谐振器频率变化一般在8ppm内。
上述实验表明其耐跌落和振动的频率变化范围均小于现有产品,其可靠性好于现有产品。
附图说明
图1为现有HC-49S型石英晶体谐振器用晶片结构示意图;
图2为本发明结构示意图。
具体实施方式
如图2所示,本发明晶片本体1表面设有通过蒸镀工艺形成的镀银电极2、电极引出端4以及连接镀银电极2与电极引出端4的过渡带3,所述电极引出端4的中间设有开口于晶片本体1侧端的非镀层区域14,电极引出端两侧镀层区域42、43平行,使得电极引出端4呈U形。使得晶片本体1在电极引出端中间14及两侧区域12、13形成导电胶覆盖区域。
图2中虚线5围成的区域表示点胶后导电胶覆盖区域。点胶后,导电胶不仅覆盖在电极引出端42、43表面,同时也覆盖电极引出端两侧12、13及中间非镀层区域14,导电胶不仅与晶片本体直接接触,而且将电极引出端的两块金属镀层区域42、43分别包夹在晶体本体上,极大的加强了晶片与基座的粘结强度。

Claims (2)

1.HC-49S型石英晶体谐振器用晶片,晶片本体(1)表面设有通过蒸镀工艺形成的镀银电极(2)、电极引出端(4)以及连接镀银电极(1)与电极引出端(4)的过渡带(3),其特征在于:所述电极引出端(4)的中间设有开口于晶片本体(1)侧端的非镀层区域(14),使得晶片本体(1)在电极引出端中间及两侧区域形成导电胶覆盖区域。
2.根据权利要求1所述的HC-49S型石英晶体谐振器用晶片,其特征在于:所述电极引出端(4)镀层区域呈U形。
CN2012105322661A 2012-12-11 2012-12-11 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片 Pending CN103036526A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105322661A CN103036526A (zh) 2012-12-11 2012-12-11 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105322661A CN103036526A (zh) 2012-12-11 2012-12-11 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103036526A true CN103036526A (zh) 2013-04-10

Family

ID=48023078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012105322661A Pending CN103036526A (zh) 2012-12-11 2012-12-11 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103036526A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000165993A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Kyocera Corp 圧電発音体素子
CN1832340A (zh) * 2006-04-17 2006-09-13 南京华联兴电子有限公司 水晶片副电极的“缺口”设计方法
CN201345640Y (zh) * 2008-11-20 2009-11-11 浙江东晶电子股份有限公司 一种宽温smd石英晶体谐振器
CN202949397U (zh) * 2012-12-11 2013-05-22 安徽铜峰电子股份有限公司 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000165993A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Kyocera Corp 圧電発音体素子
CN1832340A (zh) * 2006-04-17 2006-09-13 南京华联兴电子有限公司 水晶片副电极的“缺口”设计方法
CN201345640Y (zh) * 2008-11-20 2009-11-11 浙江东晶电子股份有限公司 一种宽温smd石英晶体谐振器
CN202949397U (zh) * 2012-12-11 2013-05-22 安徽铜峰电子股份有限公司 Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9162869B1 (en) MEMS microphone package structure having non-planar substrate and method of manufacturing same
CN202772854U (zh) 芯片级封装声表面波器件
CN104105332B (zh) 电子元件内置基板
CN106233459B (zh) 半导体器件
CN204377135U (zh) 微机电麦克风的封装结构
JP2005252261A5 (zh)
CN202949397U (zh) Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片
JP5924451B2 (ja) 水晶振動装置及びその製造方法
CN106357234A (zh) 一种石英晶体谐振器及其加工工艺
US20170345995A1 (en) Piezoelectric vibration component and application method
CN103036526A (zh) Hc-49s型石英晶体谐振器用晶片
KR20020070392A (ko) 전기이중층 캐패시터 및 그 제조 방법
JP2002290199A (ja) 弾性表面波装置
CN109427437A (zh) 一种铜铝复合低感母排及其制造方法
CN209199782U (zh) 一种用parylene作为介电质层的积层式电容器
CN201887728U (zh) Smd2520型晶体谐振器用晶片
CN101977028A (zh) 提高高精度微小型smd晶体谐振器可靠性的方法
CN206658186U (zh) 一种采用平板陶瓷基座封装的石英晶体谐振器
CN208094523U (zh) 一种高可靠性smd晶体谐振器
CN205452272U (zh) 一种引线框架
CN111224632A (zh) 一种石英晶体谐振器的谐振片固定结构
CN115940872B (zh) 一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器
CN104011890B (zh) 电子部件的制造方法
CN206611393U (zh) 一种超低频石英晶体谐振器
JP2017220654A (ja) 電磁シールドを備えた半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130410