CN103035769A - 具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法，是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成。首先在硅基板的受光侧表面形成数条沟槽，经过一次电性掺杂元素的掺杂后，再进行选择性的蚀刻，使非沟槽区域形成具有较低掺杂的浓度，而沟槽区域维持原有的较高掺杂浓度，以致形成选择性射极的结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法，尤指涉及一种硅基板（Silicon Wafer）经过蚀刻以形成数条沟槽、一次电性掺杂以形成P-N接面（P-N Junction），以及选择性蚀刻以形成选择性射极结构。
背景技术
目前一般量产的硅晶太阳能电池是使用P型太阳能等级（Solar Grade）硅基板经过磷扩散（Phosphorous Diffusion）程序形成P-N接面而制成，其硅基板阻值（Resistivity）落在约1至3Ωcm，接面形成后的表面片电阻（Sheet Resistance）大约在60Ω/sq.左右。此片电阻值大约系厂商调配出来较佳之值，如果磷扩散后的N型层浓度太高，将导致片电阻很小，虽然代表N型层的电导率很高，以及前电极（Front Contact）与半导体的接触电阻很低，然而却会造成表面处的载子复合率提升，致使开路电压与短路电流皆会下降；反之，如果片电阻很高，则电导率下降，亦会造成前电极与半导体的接触电阻提高，进而不利于填充因子（Fill Factor）的提升。
选择性射极（Selective Emitter）技术，是降低前电极与半导体的接触电阻，且非电极区的横向电导率系维持一个较佳的情况。这种选择性地在局部区域（即在前电极金属的下方区域）掺杂较高浓度而在其它区域掺杂较低浓度的电池结构，具有较低的电极-半导体接触电阻，以及较好的短波长光响应。
目前，在硅基板形成高浓度、低浓度掺杂扩散区以制作选择性射极太阳能电池的制程，主要大致有以下几种：
第一种是选用含磷的胶材用网印的方式在对应需形成前电极的区域印出具有预定图像的胶膜，之后，以该胶膜为扩散源辅以高温制程将其中的磷扩散进入硅基板内，且同时形成气相，让基材对应于印有胶膜处形成高浓度掺杂扩散区，其余区域为低浓度掺杂扩散区。然而，该制程虽然可用一次的高温扩散同时形成高、低浓度掺杂扩散区，惟其需要精准地掌握高温扩散的热温度条件，才能达到目标的掺杂浓度，所以较不符量产所需。
第二种是在硅基板受光侧表面进行全面性的高浓度掺杂形成高浓度掺杂扩散层，再以网印方式形成阻挡层配合回蚀方式（Etching-Back Process），蚀刻掉部分区域而得到高、低浓度掺杂扩散区。此制程的缺点是要大面积且均匀地回蚀，具有相当高的困难度，同样地不适合量产；此外回蚀的过程中也有可能伤害已形成的表面粗糙结构。另外，此种电池必须以精准度较高的对准装置进行在高浓度掺杂扩散区域印刷银浆。由于初始印刷的银浆经烧结后其厚度不够，所以需进行所谓的光致动电镀程序（Light-Induced Plating）来增加银电极线的厚度，以减小电极线的电阻，故此程序目前尚无法达到量产化目的。
第三种是在硅基板受光侧表面进行全面性的低浓度掺杂形成低浓度掺杂扩散层，再采用含磷的银胶以网版印出前电极，最后共烧（Co-Firing）形成前电极的同时，让磷扩散进入低浓度掺杂层预定区域而形成高、低浓度掺杂扩散区。此制程最大优势是只需要更替原制程中形成前电极的银胶，因此可完全兼容于现有的量产技术；然而，共烧时银的扩散速度高于磷，会造成漏电流恶化，反而让选择性射极的优点无法显现。
第四种是在硅基板受光侧表面进行全面性的低浓度掺杂成低浓度掺杂扩散层，再用激光在预定形成前电极的区域上蚀刻出沟槽，并进行高浓度掺杂成重掺杂（Heavily-Doped）扩散区，随后以电镀法（Plating）填充沟槽形成前电极。该沟槽亦可具有一定深度，使形成埋入式电极结构，进而结合选择性射极与埋入式电极之制作。例如图3所示已知的太阳能电池侧剖面示意图，即为一种埋入式电极结构，其制造方式是首先在具有粗纹表面（前表面）32的P型硅基板30的受光侧表面形成较低掺杂浓度的N型层36、以及抗反射层33，然后以激光雕蚀数条沟槽作为布置前电极的区域，并于沟槽区进行较高浓度掺杂使形成重掺杂层34，亦即N+型层，接着以电镀法将金属填充于沟槽形成埋入式电极38。此种太阳能电池亦通常以网版印刷（Screen Printing）方式于背面涂布铝浆，于烧结后形成背电极39以及背表面场（Back Surface Field）37。然而，其缺点也在于因为需要额外的激光蚀刻与掺杂设备，以及电镀设备，不仅不兼容于现有的量产技术，且激光蚀刻的制造成本高，因而不利于量产。
由上述可知，制造具有选择性射极结构抑或兼具埋入式电极结构的硅晶太阳能电池，目前大多数使用的技术需要额外的制程设备，或者需要较繁复的制程而降低产出速率。故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对上述现有技术的不足，提供一种制造具有选择性射极结构的太阳能电池的方法，以及使用该法所制造的太阳能电池。
为了解决上述技术问题，本发明是一种具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法，揭露制造一种具有选择性射极抑或兼具埋入式电极结构的硅晶太阳能电池，且本发明所揭露的技术为使用较为简易的方法，首先在具电性掺杂的硅基板的受光侧表面，亦即前表面，以化学湿式蚀刻方式蚀刻出数条沟槽。于此过程中使用一种耐化学蚀刻液的阻挡层材料（Barrier），以网版印刷方式涂布于硅基板，形成硅基板一部分的表面区域受该阻挡层材料覆盖，而另一部分表面区域未受该阻挡层材料覆盖。接着使用化学湿式蚀刻方式，使硅基板表面未受阻挡层材料覆盖的区域遭受蚀刻而形成沟槽。其中，该沟槽区域系在稍后制程中涂布前电极的区域。
本发明所采用的技术方案具体为：一种具有选择性射极结构的太阳能电池，是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成，其特点是：
该硅基板受光侧具有数条沟槽，且各沟槽的深度在0.5μm至100μm之间，并且该硅基板受光侧表面含有第一表面区域与第二表面区域，其皆含有异于该硅基板电性掺杂之外的电性掺杂，其中该第一表面区域包括该数条沟槽区的表面含有第一掺杂层，而该第二表面区域包括该硅基板受光侧的非沟槽区的表面含有第二掺杂层；
上述该硅基板受光侧表面的第一掺杂层与第二掺杂层，是于形成有数条沟槽的硅基板受光侧表面经过高浓度的电性掺杂扩散后，经由涂布一阻挡层于该些沟槽区，并以化学湿式蚀刻蚀去非沟槽区表面的一部分厚度，使该区域形成具有较低掺杂浓度的第二掺杂层，而沟槽区表面则维持原始高浓度的电性掺杂而形成该第一掺杂层。
本发明所揭露的技术，是在前述沟槽形成后，将硅基板做粗纹化（Texture）处理，使在硅基板表面，包括沟槽区与非沟槽区，产生类似金字塔突出的微结构，以作为局限光线（Light Trapping）用途。本发明所揭露的技术亦包含前述沟槽的形成是在硅基板粗纹化处理之后，亦即硅基板经过粗纹化处理之后，再进行阻挡层材料的印刷与化学湿式蚀刻，使产生数条沟槽于硅基板的前表面。
本发明所揭露的技术，是在前述粗纹与沟槽完成后，进行掺杂扩散，使硅基板的前表面形成一层与硅基板电性相反的高浓度掺杂层。经过表面清洗除去表面因掺杂扩散的衍生物质后，又选择性地将非沟槽区的硅基板表面以化学蚀刻液蚀去一部分厚度，使该非沟槽区形成具有较低浓度的掺杂层；而因为硅基板表面的沟槽区于浸泡化学蚀刻液时不受侵蚀，致使沟槽区表面的掺杂浓度仍保留为原始的高浓度。其中，本发明所揭露的技术是以网版印刷方式将一种耐化学蚀刻液的阻挡层材料仅涂布于前述沟槽区，使沟槽区的硅基板表面不受化学蚀刻液侵蚀；而该硅基板表面的非沟槽区则因未涂布前述阻挡层材料，致使遭受化学蚀刻液侵蚀而蚀去一部分厚度。
依据上述本发明所揭露的技术，硅基板的前表面具有数条沟槽，系预留作为后续涂布前电极的区域，且沟槽区的硅基板表面形成重掺杂（Heavily-Doped）区域，而非沟槽区的硅基板表面形成轻掺杂（Lightly-Doped）区域。在前电极涂布于该数条沟槽之后，因前电极与硅接触的硅基板表面处为重掺杂区域，以致形成较小的接触电阻，将有利于填充因子之提升；另一方面，在硅基板非沟槽区的表面，因具有轻掺杂的表面特性，电子与电洞复合率较低，将有助于载子收集率，因而增加开路电压值与短路电流值。
本发明所揭露的技术，对于将非沟槽区的硅基板表面选择性地蚀去一部分厚度的作法具有两种方式：其一为直接将硅基板浸泡于化学蚀刻液中以蚀去硅基板表面的非沟槽区一部分的厚度，因此造成非沟槽区的硅基板表面形成轻掺杂电性层。另外一种方式，则是将硅基板浸泡于一种化学溶液中，致使硅基板表面的非沟槽区产生氧化硅薄层，然后以另一种化学溶液蚀去该氧化硅薄层，达到蚀去非沟槽区硅基板表面一部分厚度的目的。产生前述氧化硅薄层所使用的化学溶液是至少含有硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水或磷酸之一，而用来蚀去该氧化硅薄层的化学溶液至少含有氢氟酸成分，抑或是仅含有碱性溶液（Alkaline Solution）。
在上述第二种选择性蚀去硅基板表面一部份厚度的方式中，氧化硅生长于硅基板表面内部的厚度仅在数奈米（nm）以内。纵使稍后蚀去之，也仅是最多刮除数奈米之高浓度掺杂表面区域，未必使该区域变成所需要的低浓度掺杂区域。因此，可以将「生长－蚀去」过程循环数次，以确实蚀去硅基板非沟槽区表面适当的厚度，进而达到适当的低浓度掺杂。
在上述轻、重掺杂区形成且清洗硅基板后，进行抗反射镀膜（ARC Coating）、电极印刷与烧结，便完成一个具有选择性射极，抑或兼具埋入式电极的太阳能电池组件。其中背电极的涂布是以已知的网版印刷方式达成，而前电极的涂布则以对准方式精准地使用网版将前电极金属材料印刷于硅基板前表面的数条沟槽中。经过前、背电极的烧结后，前电极与硅基板具有良好电性接触，而背电极金属的一部分则形成背表面场区域。
原则上，前述沟槽的深度达一定深度以上，例如30 μm以上时，则具有埋入式电极结构与功能；若其深度较浅，则较不具埋入式电极结构与功能，此时，仅具有选择性射极的结构与功能。
藉此，本发明是在硅基板的受光侧表面形成数条沟槽，经过一次电性掺杂元素的掺杂后，再进行选择性的蚀刻，使非沟槽区域形成具有较低掺杂的浓度，而沟槽区域维持原有的较高掺杂浓度，以致形成选择性射极的结构，且若前述沟槽的深度达一定深度以上时，则能兼具有埋入式电极结构与功能。本发明无需额外的制程设备，亦无需要较繁复的制程即可量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，不仅具有制程容易、设备成本低，且更能制作具有较高性能的具有选择性射极，抑或兼具埋入式电极的太阳能电池组件。
附图说明
图1是本发明具有选择性射极结构的太阳能电池于一较佳实施例的制作程序示意图。
图2是本发明在前表面沟槽中涂布阻挡层材料并经化学湿式蚀刻后的硅基板剖面结构示意图。
图3是已知的太阳能电池侧剖面结构示意图。
标号说明：
硅基板10 沟槽11、17
粗纹表面（前表面）12、22 粗纹表面（背表面）13、23
重掺杂层14、24 阻挡层材料15、25
轻掺杂电性层16、26 P型硅基板20
P型硅基板30 粗纹表面（前表面）32
抗反射层33 重掺杂层34
N型层36 背表面场37
埋入式电极38 背电极39。
具体实施方式
本发明所揭露的具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法，在一个较佳实施例中，是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板（Silicon Wafer）制造而成，其首先在具有电性掺杂的硅基板前表面产生数条深度介于0.5微米（μm）至100μm之间的沟槽，然后进行粗纹化处理与表面电性掺杂扩散。该表面电性掺杂扩散是在该硅基板的前表面，包括沟槽区与非沟槽区形成与该硅基板电性相反的重掺杂（Heavily-Doped）扩散层。接着，选择性地蚀去非沟槽区的硅基板表面的一部分厚度以使该表面变成轻掺杂（Lightly-Doped）扩散层，符合选择性射极的轻、重掺杂扩散浓度的条件，亦即在沟槽区的硅基板表面具重掺杂扩散层，且非沟槽区的硅基板表面具有适当的轻掺杂扩散层。
请参阅图1所示，是本发明具有选择性射极结构的太阳能电池于一较佳实施例的制作程序示意图。如图所示：本发明的一较佳实施例可由图中（a）至（f）依序说明。
首先，选择电性掺杂为P型（P-type）或N型（N-type）的硅基板10，并于其前表面产生有数条沟槽11，形成如图1中（a）所示的硅基板侧剖面结构。其中，该数条沟槽11的产生是使用一种耐化学蚀刻液的阻挡层材料（Barrier）以网版印刷方式涂布于该硅基板10，形成该硅基板10前表面一部份的区域受该阻挡层材料覆盖，另一部分前表面区域未受该阻挡层材料覆盖，而该硅基板10的背表面则局部或全面涂布该阻挡层材料，抑或全面不涂布该阻挡层材料；之后使用化学湿蚀刻方式，使该硅基板10的前表面受该阻挡层材料覆盖的区域不受蚀刻，而该硅基板10的前表面未受该阻挡层材料覆盖的区域遭受蚀刻以形成数条沟槽11，至于该硅基板10的背表面，当有涂布该阻挡层材料时，则因受该阻挡层材料全面保护而大致或完全不受蚀刻。但是如前述，当该硅基板10的背表面未涂布该阻挡层材料时，则在形成数条沟槽11时亦遭受蚀刻，此一情况系发生在蚀刻该硅基板10的前表面形成数条沟槽11的深度仅在数微米(μm)时，此时蚀刻该硅基板10的背表面一部分深度，亦大致不影响组件性能。
然后，清洗该硅基板10，除去该阻挡层材料，并对该硅基板10作粗纹化处理，产生如同图1中（b）所示的侧剖面结构，亦即使该硅基板10的前、背表面各形成粗纹表面（Textured Surface）12、13，其中该粗纹表面（前表面）12是类似金字塔突出的微结构，具有局限光线（Light Trapping）的功能，且此时各沟槽11亦形成内部具有粗纹结构的沟槽17。在某些情况下，背表面不形成具有良好局限光线功能的粗纹表面。又，在另一较佳实施例中，前述硅基板前表面的沟槽，其内部亦不形成具有良好局限光线功能的粗纹结构。
接着，对该硅基板10进行电性掺杂扩散，使该硅基板10的前表面形成与该硅基板10电性相反的高浓度电性掺杂层，如同图1中（c）所示的结构，是在前表面的粗纹表面12之下具有高浓度的重掺杂层14。经过清洗且去除掺杂扩散的衍生物质后，再又以网印对准方式将一种耐化学蚀刻液的阻挡层材料于前表面仅涂布于沟槽17的区域，形成覆盖各沟槽17的阻挡层材料15，如图1中（d）所示情形。
再接着，将该硅基板10浸泡于化学蚀刻液中，以蚀去该硅基板10表面的非沟槽区一部份的厚度，使该非沟槽区表面原始掺杂的高浓度扩散层厚度变小，亦即蚀去了高浓度掺杂扩散区域，造成该硅基板10的非沟槽区的表面形成轻掺杂电性层16，如图1中（e）所示情形；此时，在该硅基板10的沟槽区的表面仍保留有重掺杂层14。由于上述化学湿式蚀刻仅蚀去非沟槽区一小部分的厚度，原始的粗纹表面12仍大致维持其原有形貌；并且，由于浸泡化学蚀刻液缘故，该硅基板10的背表面一小部分的厚度亦遭蚀去，然而原背表面的粗纹表面13仍大致维持其原有形貌。于另一较佳实施例中，该硅基板10的背表面亦可使用阻挡层材料覆盖保护而不受侵蚀。
最后，将该覆盖沟槽的阻挡层材料15清洗除去，形成图1中（f）所示的结构，乃是在该硅基板10的前表面产生数条沟槽17，形成在该硅基板10的沟槽17的表面具有重掺杂层14，以及在该硅基板10的非沟槽区的表面具有轻掺杂电性层16。
请参阅图2所示，是本发明在前表面沟槽中涂布阻挡层材料经化学湿式蚀刻后的硅基板剖面结构示意图。如图所示：本发明是以P型硅基板20为例，说明在涂布耐化学蚀刻液的阻挡层材料25于前表面沟槽中，并经上述化学湿式蚀刻后的硅基板20的剖面结构。该硅基板20保有形貌大致不变的前表面的粗纹表面22，以及背表面的粗纹表面23，且于前表面的非沟槽区表面具有较低掺杂浓度的N型层，亦即轻掺杂电性层26，以及于前表面的沟槽区表面具有原始较高掺杂浓度的N+型（N+-type）层，亦即重掺杂层24。其轻、重掺杂的结构，如同前述图1中（f）所示的结构，并于完成后，进行抗反射层（ARC Coating）镀膜，或者首先进行钝化层（Passivating Layer）的成长，然后再进行抗反射层镀膜，且该抗反射层的材料系至少含有氮化硅、氧化锌、氧化锡、氧化锡铟或二氧化硅之一。继之，进行前、背电极的涂布，其前电极涂布是以含有金属的浆料（Paste）填入前述硅基板前表面的沟槽中；而其背电极亦是以含有金属的浆料涂布于背表面。接着，进行前、背电极的烧结，使电极的金属与硅基板具良好电性接触，且于背电极烧结后，于硅基板背表面形成背表面场（Back Surface Field）。该背表面场的形成，在另一较佳实施例中是以具有电性掺杂的掺杂层镀膜达成，且该掺杂层至少含有非晶硅、结晶硅、非晶硅锗化合物或结晶硅锗化合物之一。又，在另一较佳实施例中，前述硅基板背表面的背表面场亦可使用掺杂元素以高温扩散方式形成。端视该硅基板的掺杂电性，此掺杂元素系为含有周期表中III A族或V A族元素之一；具体而言，该硅基板若为P型，则此掺杂元素系为含有周期表中III A族元素之一；该硅基板若为N型，则此掺杂元素系为含有周期表中V A族元素之一。
上述前、背电极的烧结可以共烧（Co-Firing）完成，亦可以分开依次进行，于另一较佳实施例中是先进行前电极烧结，然后再涂布背电极与进行背电极烧结。
本发明亦揭露一种稍不同于前述选择性射极制作程序的方法，亦即首先在具有粗纹化表面且具有电性掺杂的硅基板前表面产生数条沟槽。其制作程序相同于前述沟槽的制作，亦即是使用一种耐化学蚀刻液的阻挡层材料以网版印刷方式涂布于硅基板前表面以形成具有开口的图样（Pattern），且亦可涂布于该硅基板背表面的区域。然后，以化学湿式蚀刻方式，在该硅基板的前表面对应于上述开口位置之处形成数条沟槽。后续有关轻、重掺杂层的形成与前、背电极的制作均相同于前述实施例所揭露的。
本发明亦揭露一种在具有电性掺杂的硅基板前表面完成前述数条沟槽后进行电性掺杂扩散，使该硅基板的前表面形成与该硅基板电性相同的高浓度电性掺杂层，且其电性掺杂的浓度大于该硅基板的电性掺杂浓度，其使用相同于前述形成轻、重掺杂于该硅基板前表面的方法，亦即于该硅基板前表面的沟槽区涂布阻挡层材料，然后将该硅基板前表面的非沟槽区表面以化学湿式蚀刻法蚀去浅薄的一部分厚度，以形成轻掺杂电性层，进而形成具有与硅基板电性相同但掺杂浓度大于该硅基板的掺杂电性层。而沟槽区表面因受阻挡层材料保护而维持原掺杂扩散浓度，亦即形成重掺杂层的表面。该硅基板前表面形成该轻、重掺杂区域后，系进行抗反射层的镀膜，甚至额外增加形成钝化层，以及前电极的涂布，并且于硅基板背表面形成背电极与背表面场。
本发明所揭露的硅晶太阳能电池，包括硅基板背表面具有钝化层者与没有钝化层者两种。就没有钝化层的情况而言，该硅晶太阳能电池的制造是依照前述所揭露的技术；背表面具有钝化层的硅晶太阳能电池的制造是在硅基板前表面轻、重掺杂层形成后，于硅基板背表面形成钝化层，且该钝化层材料至少含有二氧化硅（Silicon Dioxide）、氮化硅（Silicon Nitride）、硅氮氧化物（Silicon Oxynitride）、氧化铝（Aluminum Oxide）、硝酸铝（Aluminum Nitride）或非晶硅（Amorphous Silicon）之一。
藉此，本发明是在硅基板的受光侧表面形成数条沟槽，经过一次电性掺杂元素的掺杂后，再进行选择性的蚀刻，使非沟槽区域形成具有较低掺杂的浓度，而沟槽区域维持原有的较高掺杂浓度，以致形成选择性射极的结构，并且，若前述沟槽的深度达一定深度以上，例如30 μm以上时，则兼具有埋入式电极结构与功能。因此，本发明无需额外的制程设备，亦无需要较繁复的制程即可量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，不仅具有制程容易、设备成本低，且更能制作具有较高性能的具有选择性射极，抑或兼具埋入式电极的太阳能电池组件。
综上所述，本发明是一种具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法，可有效改善现有技术的种种缺点，是在硅基板的受光侧表面形成数条沟槽，经过一次电性掺杂元素的掺杂后，再进行选择性的蚀刻，使非沟槽区域形成具有较低掺杂的浓度，而沟槽区域维持原有的较高掺杂浓度，以致形成选择性射极的结构，且若前述沟槽的深度达一定深度以上时，则能兼具有埋入式电极结构与功能，进而使本发明的产生能更进步、更实用、更符合使用者所须，确已符合发明专利申请的要件，依法提出专利申请。
惟以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围；故，凡依本发明申请专利范围及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
Claims (13)
1.一种具有选择性射极结构的太阳能电池，是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成，其特征在于：
该硅基板受光侧具有数条沟槽，且各沟槽的深度在0.5μm至100μm之间，并且该硅基板受光侧表面含有第一表面区域与第二表面区域，其皆含有异于该硅基板电性掺杂之外的电性掺杂，其中该第一表面区域包括该数条沟槽区的表面含有第一掺杂层，而该第二表面区域包括该硅基板受光侧的非沟槽区的表面含有第二掺杂层；
上述该硅基板受光侧表面的第一掺杂层与第二掺杂层，是于形成有数条沟槽的硅基板受光侧表面经过高浓度的电性掺杂扩散后，经由涂布一阻挡层于该些沟槽区，并以化学湿式蚀刻蚀去非沟槽区表面的一部分厚度，使该区域形成具有较低掺杂浓度的第二掺杂层，而沟槽区表面则维持原始高浓度的电性掺杂而形成该第一掺杂层。
2.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面的数条沟槽内含有一前电极。
3.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面具有一抗反射层，且该抗反射层的材料至少含有氮化硅、氧化锌、氧化锡、氧化锡铟或二氧化硅之一。
4.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面具有一钝化层，且该钝化层的材料至少含有二氧化硅、氮化硅、硅氮氧化物、氧化铝、硝酸铝或非晶硅之一。
5.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧第一表面区域与第二表面区域皆具有局限光线的粗纹结构。
6.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧第二表面区域具有局限光线的粗纹结构，而其第一表面区域则不具有局限光线的粗纹结构。
7.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与该第二掺杂层的电性皆与该硅基板电性掺杂相反。
8.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与该第二掺杂层的电性皆与该硅基板电性掺杂相同，且其掺杂浓度皆大于该硅基板的掺杂浓度。
9.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有一背表面场以及一背电极。
10.如权利要求9所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述背表面场是以具有电性掺杂的掺杂层镀膜于该硅基板背表面形成。
11.如权利要求10所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有电性掺杂的掺杂层，且该掺杂层至少含有非晶硅、结晶硅、非晶硅锗化合物或结晶硅锗化合物之一。
12.如权利要求9所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述背表面场是使用掺杂元素以高温扩散方式形成，而该掺杂元素至少为含有周期表中III A族或V A族元素之一。
13.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有一钝化层，且该钝化层的材料至少含有二氧化硅、氮化硅、硅氮氧化物、氧化铝、硝酸铝或非晶硅之一。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130410 |