CN103034644B - Gds文件的扩展方法 - Google Patents

Abstract

一种GDS文件的扩展方法，包括提供待扩展的GDS文件，所述GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元；将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签；将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。本技术方案提高了扩展GDS文件的处理效率。

Description

GDS文件的扩展方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种GDS文件的扩展方法。

背景技术

在集成电路工艺中，通常在完成集成电路的设计后，会产生GDS文件(Graphic Data Stream，图形数据流文件)，它是一个包括集成电路布局的二进制文件。GDS文件包含层级结构，层级结构包括由顶层单元以及非顶层单元，顶层单元和非顶层单元中还包括图形层和标签，其中图形层可以是半导体器件中的有源区、硅栅、金属层、通孔等，而标签是一种文本数据，通过标签来标识端口名称，一个端口就是一个单元用于和别的单元相连接的金属。

随着半导体工艺尺寸的逐渐减小，在做工艺尺寸更小(如0.162微米工艺)的芯片设计时，常常需要从工艺尺寸较大(如0.18微米工艺)的GDS文件中选用部分单元；而对于另外一部分比较敏感的电路，如一些模拟电路等，就不能直接使用0.18微米工艺的GDS文件中的设计，而是需要先将其放大(放大1.11倍)再使用。这样在芯片设计完成后，这个GDS文件中有些部分是和0.18微米工艺一样大的设计，而有些部分是经过放大后的设计。然后用这个GDS文件去生成掩膜版数据文件时，再统一缩小为原来的90％，这样原来和0.18微米工艺一样大的单元就变成0.162微米工艺，而原来放大过的单元在缩小时抵消了变化，使得这些单元内的图形层和原先0.18微米工艺时一样大。

现有的GDS文件的扩展方法中，待扩展的单元中的接触孔和通孔在放大后需要恢复原来的大小，其中所述接触孔图形层和通孔图形层都是确定大小的正方形。

例如，一个接触孔，在放大以前左下角坐标为(x1，y1)，右上角坐标为(x2，y2)，放大倍数是m，边长是d，其中x1、y1、x2、y2、d是整数，但m不是整数。放大以后，左下角坐标为((m*x1)取整，(m*y1)取整)，右上角坐标((m*x2)取整，(m*y2)取整)，为了使其大小恢复成原来的大小，每个边还需要往里面回缩((m-1)*d/2)取整。在上述计算过程中，有两步取整，而且每个点的坐标值分别计算，由于放大的倍数m不是整数，原本的坐标值乘以m后得到的不是整数，需要四舍五入取整，因此放大以后，可能因为一个坐标值取整时舍掉了尾数，而另一个坐标值进一位成为更大的数，使得两个点位置相差一个格点，而这样的接触孔是不符合尺寸要求的。因此为了避免接触孔/通孔尺寸发生一个格点的变化，必须经过额外的处理。

现有的处理方法是，假设接触孔边长是180纳米，通孔边长是260纳米，放大倍数是1.11。那么该接触孔放大后的边长以及回缩尺寸为：对于接触孔：180纳米*1.11＝199.8纳米，每条边长两端分别回缩的尺寸为(1.11-1)*180纳米/2＝9.9纳米。对于通孔：260纳米*1.11＝288.6纳米，每条边长两端分别回缩的尺寸为(1.11-1)*260纳米/2＝14.3纳米。

为了保证上述所有数值在全过程中都为准确值，没有舍入误差，该方法会首先对这个GDS文件进行处理，不使用1纳米作为格点，而是使用0.1纳米作为格点。放大的过程在这个新GDS文件上进行。上述放大和回缩计算结束以后，把这个GDS再进行一次处理，恢复使用1纳米作为格点。那么只要保证前面的步骤都是准确的，没有舍入误差，而只有最后恢复原始格点数值这一个步骤存在舍入误差，那么从数学上可以证明，这个通孔的尺寸就和放大之前的大小完全一样，不会有这一个格点的误差。

但是这个方法需要两次改变格点的大小，每次改变格点大小，整个GDS文件所有的坐标值都需要重新计算，绝不限于接触孔和通孔。而且每个接触孔和通孔都是四个顶点分别独立进行全部计算，其中有大量的乘法计算是重复的，这就给计算速度带来巨大影响。

另一方面，由于在所述待扩展单元进行放大之前需要将所述待扩展单元的层级结构打平，即所有隶属于所述待扩展单元的子单元都不存在。那么原本隶属于所述子单元的标签将上升到所述待扩展单元这一级，使得所述待扩展单元中不仅包括原有的标签，还包括了原本隶属于子单元的标签。在进行后续版图与电路的物理验证(LVS，layout vs schematic)时，这些原本属于所述待扩展单元的子单元的标签将无法通过验证，因此为了使打平了层级结构的待扩展单元通过LVS验证，需要在被打平了的待扩展单元里只保留原来就隶属于所述待扩展单元的标签，而去除所有来自于其子单元的标签。

现有的方法是利用EDA(Electronic Design Automation，电子设计自动化)工具的功能，通过各种操作组合来实现上述目的。例如，在把所述待扩展单元打平以后，先删除所有标签，无论该标签原来就隶属于所述待扩展单元还是来自于其子单元，全部删除以后，再把原本就隶属于所述待扩展单元的标签复制过来。这样的方法需要大量人工操作，效率较低，而且发生错误的几率很高。

更多关于GDS文件的描述可以参考公开号为US6237133B1的美国专利申请文件：Mask pattern data creation method and system that are not subject to datastream data format limitations(不受数据流的数据格式限制的掩模图形数据创建方法和系统)。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种简单方便且处理效率高的GDS文件的扩展方法。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种GDS文件的扩展方法，包括提供待扩展的GDS文件，所述待扩展的GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元；将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签；将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。

可选地，所述仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签是通过包括下述步骤的方法实现的：

当扫描到标签，判断所述标签是否直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元；其中，所述待扩展层级采用预设运行参数予以指示；

将直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签复制到所述中间GDS文件中。

可选地，待扩展层级的所述待扩展单元是所述顶层待扩展单元。

可选地，所述将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；包括：确定所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值；

以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准，转换所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值，以确定所述图形层在所述顶层待扩展单元的坐标系中的坐标值。

可选地，所述图形层包括通孔图形层或者接触孔图形层，所述通孔图形层或者接触孔图形层呈正方形；所述变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件包括：

将所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的任意一个顶点的坐标值乘以所述放大参数；

基于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长以及所述放大参数确定辅助参数；

根据已乘以所述放大参数后的顶点的坐标值加上所述辅助参数确定所述顶点的新坐标值；

基于所述顶点的新坐标值以及所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长确定除所述顶点外的其他顶点的新坐标值，以形成目标GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层。

可选地，所述图形层还包括其他图形层，所述其他图形层为非通孔图形层和非接触孔图形层；所述变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件包括：

将所述顶层待扩展单元中的图形层的各个顶点的坐标值分别乘以所述放大参数，得到各个顶点的新坐标值；

基于所述新坐标值确定的图形层以形成目标GDS文件。

可选地，所述放大参数根据所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸以及所述目标GDS文件适用的工艺尺寸之间的比例确定。

可选地，所述目标GDS文件适用的工艺尺寸小于所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下有益效果：通过仅复制直接隶属于顶层待扩展单元的标签到中间GDS文件，提高了待扩展单元中删除标签的处理效率，同时也降低了发生错误的几率。

进一步地，再将所有处于层级结构中非顶层的待扩展单元变更为顶层待扩展单元，变更层级后，根据预设的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中图形层，以形成目标GDS文件。本技术方案不需要改变GDS文件的格点的大小，减少了重新计算坐标值的过程，提高了处理效率。

附图说明

图1是本发明的一种GDS文件的扩展方法的具体实施方式的流程示意图；

图2是本发明的一种GDS文件的扩展方法中所述GDS文件的层级结构示意图。

具体实施方式

针对现有技术中的问题，发明人经过研究，提供了一种GDS文件的扩展方法，如图1所示的是本发明的一种GDS文件的扩展方法的具体实施方式的流程示意图，参考图1，所述扩展方法包括：

步骤S1：提供待扩展的GDS文件，所述待扩展的GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元。

具体地，所述GDS文件是以层级结构形式存储多个待扩展单元的，结合参考图2所示的GDS文件的层级结构示意图，所述待扩展单元包括顶层单元(如顶层单元1)、非顶层单元(如第一级子单元11、第一级子单元11’)。其中，所述顶层单元就是没有其他单元把它作为子单元调用，非顶层单元就是被其他单元(可以是顶层单元、也可以是其他非顶层单元)调用的子单元(如第二级子单元111’被第一级子单元11’调用)。

进一步地，所述顶层单元和非顶层单元中包括图形层(如隶属于顶层单元1的图形层12、图形层12’；隶属于第一级子单元的图形层112’)和标签(如隶属于顶层单元1的标签Jia、Yi、Bing、Ding；隶属于第一级子单元的标签Port1)，其中所述图形层可以是有源区、硅栅、金属层或者通孔；所述标签是一种文本数据，一个标签只有一个坐标点，作为它的位置。通过标签来标识端口名称，而一个端口就是一个单元用于和别的单元相连接的金属。

本实施例中，在使用所述GDS文件，所述待扩展单元包括至少一个顶层待扩展单元。在其他实施例中，所述待扩展单元还可以是隶属于顶层单元的一个或者多个子单元。

步骤S2：将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签。

具体地，其中将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中的过程包括：在所述待扩展的GDS文件中，至少包括待扩展单元，则将所述待扩展单元复制到中间GDS文件中，在后续步骤S4中将对所述待扩展单元进行扩展；若是不需要扩展的单元(或者说非待扩展单元)则直接将该单元复制到中间GDS文件，在后续步骤中就不需要再对其进行扩展。

对于标签仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签，具体包括：

1)当扫描到标签，判断所述标签是否直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元；其中，所述待扩展层级采用预设运行参数予以指示。

具体地，在本实施例中，通过预设运行参数指示待扩展层级的待扩展单元。例如，在GDS文件中可以为层级结构中的每一层设置标识号，进而为每一层中的每个单元设置标识号，那么就可以将这些标识号作为所述运行参数，从而通过所述运行参数指示待扩展层级的待扩展单元。

进一步地，在扫描所述GDS文件的整个层级结构过程中，当扫描到一个标签时，则根据预设运行参数判断该标签是否直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元；依此类推，直到扫描完所有的标签为止。

2)将直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签复制到所述中间GDS文件中。

具体地，根据上述步骤1)的判断结果，将直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签复制到所述中间GDS文件中。其中所述待扩展层级的待扩展单元是顶层待扩展单元或者隶属于所述顶层待扩展单元的下一级单元。相应地，对于那些不直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签则不再复制到所述中间GDS文件中。这样得到的所述中间GDS文件与所述待扩展的GDS文件相比，所有位于所述待扩展单元的下一级子单元中标签都被删除了。

与现有技术相比，本技术方案无须逐一打开每一个待扩展单元，只要在扫描GDS文件时，运行包含预设运行参数的指令就可以把不直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签删除，而且运行这些指令也不启动任何图形界面，所以运行速度也很快。

需要说明的是，在实际应用中，通常本步骤在仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签时，还将生成用于执行后续步骤的小程序脚本，其具体生成过程并不影响本发明的实质，在此不作赘述。

步骤S3：将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元。

具体地，本步骤包括：

1)确定所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值。

所述GDS文件中的每个单元都有自己的坐标系，隶属于这个单元内的所有图形层都有坐标值。需要说明的是，通常GDS文件中的坐标值都是以整数形式存储的，相应地，所述GDS文件中将定义这个文件的格点(grid)数据，例如是1纳米，那么所述GDS文件中所有的坐标值都是1纳米的整数倍。

2)以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准，转换所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值，以确定所述图形层在所述顶层待扩展单元的坐标系中的坐标值。

由于在GDS文件中，所述层级结构中的每个单元都有自己的坐标系，因此在将非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元过程中，由于需要去除所述顶层待扩展单元的层级结构，那么需要将原本非顶层的所述待扩展单元内的图形层的坐标值变换成以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准的坐标值，从而确定所述图形层在所述顶层待扩展单元的坐标系中的坐标值。换句话说，就是使隶属于所述顶层待扩展单元下的所有非顶层的所述待扩展单元(顶层待扩展单元的所有子单元)内的图形层都使其直接隶属于所述顶层待扩展单元，

通常可以先确定所述非顶层的所述待扩展单元的坐标系的坐标原点在所述顶层待扩展单元的坐标系内的坐标值，以确定两个坐标系的坐标值的线性变化关系，然后再根据所述线性变化关系将所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值转换成以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准的坐标值。但在实际应用中，并不限于上述方法。

步骤S4：变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。

具体地，在本发明实施例中，所述图形层通常包括通孔图形层或者接触孔图形层以及其他图形层，其中所述其他图形层为非通孔图形层和非接触孔图形层，例如金属层、硅栅、有源区等。

进一步地，所述接触孔图形层是指半导体工艺中连接第一金属层和多晶硅(或者有源区)的孔，所述通孔层是指半导体工艺中连接不同金属层的孔，例如连接第一金属层和第二金属层的孔或者连接第二金属层和第三金属层的孔等。根据GDS文件进行扩展的设计规则，接触孔图形层和通孔图形层都必须是确定大小的正方形，同时所有顶层待扩展单元中的接触孔图形层和通孔图形层都必须在放大以后恢复成原来的大小。

因此，本步骤将根据所述图形层是通孔图形层或者接触孔图形层还是其他图形层分别实现：

第一实施例：若所述图形层包括通孔图形层或者接触孔图形层，本步骤包括：

1)将所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的任意一个顶点的坐标值乘以所述放大参数。

在本发明实施例中，所述放大参数根据所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸以及所述目标GDS文件适用的工艺尺寸之间的比例确定。而且，随着半导体工艺尺寸逐渐变小，因此通常所述目标GDS文件适用的工艺尺寸小于所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸。例如，所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸是65纳米，所述目标GDS文件适用的工艺尺寸是55纳米，那么所述放大参数为65/55＝13/11。

例如，设所述任意一个顶点的坐标值为A(x1、y1)，放大参数为m。那么根据所述放大参数对坐标值作放大计算后，A’＝m*A＝(m*x1、m*y1)。

2)基于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长以及所述放大参数确定辅助参数。

由于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层在放大以后还需要恢复到原来的大小，因此，根据步骤1)将任意一个顶点的坐标值乘以所述放大参数后还需要作向内回缩的计算。其中所述辅助参数即为所述向内回缩的回缩量，发明人经过研究得出，所述辅助参数可以基于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长(设为d)以及上述放大参数(设为m)所确定，那么辅助参数为(m-1)*d/2。

3)根据已乘以所述放大参数后的顶点的坐标值加上所述辅助参数确定所述顶点的新坐标值。

根据步骤1)和2)的计算结果，可以确定所述顶点的新坐标值为m*A+(m-1)*d/2。

4)基于所述顶点的新坐标值以及所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长确定除所述顶点外的其他顶点的新坐标值，以形成目标GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层。

根据上述步骤1)至3)确定了所述通孔图形层或者接触孔图形层中一个顶点的新坐标值，那么由于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层是正方形，因此只需要在所述新坐标值的基础上加减边长即可确定除所述已确定的顶点以外的其他顶点的新坐标值，从而形成目标GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层。

可以看出，经过上述步骤1)至4)后所形成的目标GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层的大小和原来待扩展的GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层一样。但是由于经过放大计算，所述通孔图形层或者接触孔图形层的中心点位置将发生变化，而所述中心点位置与目标GDS文件所设定要求相符。

第二实施例：若所述图形层还包括其他图形层，所述其他图形层为非通孔图形层和非接触孔图形层，那么对于其他图形层，本步骤包括：

1)将所述顶层待扩展单元中的图形层的各个顶点的坐标值分别乘以所述放大参数，得到各个顶点的新坐标值。

2)基于所述新坐标值确定的图形层以形成目标GDS文件。

可以看出，对于不是通孔图形层或者接触孔图形层的其他图形层而言，其计算过程更为简单，只需要将其他图形层中的各个顶点的坐标值分别乘以所述放大参数即可得到各个顶点的新坐标值。其中，所述放大参数同样是根据所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸以及所述目标GDS文件适用的工艺尺寸之间的比例确定。进一步地，通常所述目标GDS文件适用的工艺尺寸小于所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸。

与现有技术相比，本技术方案无须改变GDS文件中的格点大小，仍能保证通孔和/或接触孔的尺寸是准确的，而且也不需要逐个单元分别打开，在中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层复制到目标GDS文件过程中，只要将图形层的坐标值根据上述实施例进行计算即可，从而节省了大量重复的计算。此外，在实际应用中，上述计算过程可以通过命令行执行，不需要启动任何图形界面，所以也进一步提高了运行速度。

本技术方案在将待扩展的GDS文件形成目标GDS文件的过程中，通过仅复制直接隶属于顶层待扩展单元的标签到中间GDS文件，提高了待扩展单元中删除标签的处理效率，同时也降低了发生错误的几率。进一步地，再将所有处于层级结构中非顶层的待扩展单元变更为顶层待扩展单元，变更层级后，根据预设的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中图形层，以形成目标GDS文件。本技术方案不需要改变GDS文件的格点的大小，减少了重新计算坐标值的过程，提高了处理效率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (8)

1.一种GDS文件的扩展方法，其特征在于，包括：

提供待扩展的GDS文件，所述待扩展的GDS文件包括以层级结构形式存储的多个待扩展单元，所述待扩展单元中至少一个为顶层待扩展单元；

将所述待扩展的GDS文件复制到中间GDS文件中；其中，对于标签，仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签；

将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；

变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件。

2.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述仅复制直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元的标签是通过包括下述步骤的方法实现的：

当扫描到标签，判断所述标签是否直接隶属于待扩展层级的所述待扩展单元；其中，所述待扩展层级采用预设运行参数予以指示；

将直接隶属于所述待扩展层级的待扩展单元的标签复制到所述中间GDS文件中。

3.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，待扩展层级的所述待扩展单元是所述顶层待扩展单元。

4.根据权利要求1所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述将所有处于前述层级结构中非顶层的所述待扩展单元变更为顶层待扩展单元；包括：

确定所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值；

以所述顶层待扩展单元的坐标系为基准，转换所述非顶层的所述待扩展单元中的图形层的坐标值，以确定所述图形层在所述顶层待扩展单元的坐标系中的坐标值。

5.根据权利要求4所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述图形层包括通孔图形层或者接触孔图形层，所述通孔图形层或者接触孔图形层呈正方形；所述变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件包括：

将所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的任意一个顶点的坐标值乘以所述放大参数；

基于所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长以及所述放大参数确定辅助参数；

根据已乘以所述放大参数后的顶点的坐标值加上所述辅助参数确定所述顶点的新坐标值；

基于所述顶点的新坐标值以及所述通孔图形层或者所述接触孔图形层的边长确定除所述顶点外的其他顶点的新坐标值，以形成目标GDS文件中的通孔图形层或者接触孔图形层。

6.根据权利要求5所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述图形层还包括其他图形层，所述其他图形层为非通孔图形层和非接触孔图形层；所述变更层级后，依照设定的放大参数扩展中间GDS文件中所有顶层待扩展单元中的图形层，以形成目标GDS文件包括：

将所述顶层待扩展单元中的图形层的各个顶点的坐标值分别乘以所述放大参数，得到各个顶点的新坐标值；

基于所述新坐标值确定的图形层以形成目标GDS文件。

7.根据权利要求5或6所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述放大参数根据所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸以及所述目标GDS文件适用的工艺尺寸之间的比例确定。

8.根据权利要求7所述的GDS文件的扩展方法，其特征在于，所述目标GDS文件适用的工艺尺寸小于所述待扩展的GDS文件适用的工艺尺寸。