CN103022172A - 利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池 - Google Patents

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陈政宏
刘幼海
刘吉人
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Abstract

本发明主要目的系一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，此技术方法于使用化学气相沉积法，并利用甲烷、二氧化碳、氢气制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射层，其目的在于能够使太阳能电池吸收大部分的入射光，避免过多入射光反射或散射，造成效率的损失，至少提升80%，并产生高效率薄膜太阳能电池。

Description

利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池
技术领域
本发明关于一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其目的在于大幅增加薄膜太阳能电池的短路电流，进而达到高效率之薄膜太阳能电池。 
背景技术
由于能源价格高涨，全球各地皆再寻求替代的绿色能源，薄膜太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源；目前，业界大多采用氧化锌当作硅薄膜太阳能电池的背反射层，但此方式仍有光捕捉效率低的缺点存在，其中造成太阳能电池未能有效充分利用太阳光，使太阳能电池效率降低且价格过高，无法有效普及化应用于生活中的一大因素。 
发明内容
本发明主要目的系一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，此技术方法于使用化学气相沉积法，并利用甲烷、二氧化碳、氢气制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射层，其目的在于能够使太阳能电池吸收大部分的入射光，避免过多入射光反射或散射，造成效率的损失，至少提升80%，并产生高效率薄膜太阳能电池。 
一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其特征在于，包含了： 
一透明玻璃基板；
一透明导电层，位于该透明玻璃基板上；
一P层薄膜半导体层，位于该透明导电层上；
一薄膜本质半导体层，位于该P层薄膜半导体层上；
一N层薄膜半导体层，位于该薄膜本质半导体层上；
一二氧化硅背反射层，位于该N层薄膜半导体层上；
一导电层，位于该二氧化硅背反射层上。
其中，该透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例； 
其中，该P层薄膜半导体层，使用PH3形成带电洞之半导体层；
其中，该薄膜本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升硅薄膜太阳能电池的效率；
其中，该N层薄膜半导体层，使用TMB及B2H6形成带电子之半导体层；
其中，该二氧化硅背反射层，使用化学气相沉积法，并利用甲烷、二氧化碳、氢气制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射层，其目的在于能够使太阳能电池吸收大部分的入射光。
与传统氧化锌薄膜技术作比较，本发明具有的有效效益为： 
本发明所使用的利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，包含了透明玻璃基板、透明导电层、P层薄膜半导体层、薄膜本质半导体层、N层薄膜半导体层、二氧化硅背反射层及导电层。利用新型二氧化硅制作的背反射层，有效提升太阳能电池对入射太阳光的捕捉效率，进而提高薄膜太阳能电池对太阳光的吸收效率，并获得高效率薄膜太阳能电池，及降低生产成本达到符合市场需求的目的。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：图1是本发明之利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池的新型结构图。 
主要组件符号说明：1 …透明玻璃基板2 …透明导电层3 …P层薄膜半导体层4 …薄膜本质半导体层5 …N层薄膜半导体层6 …二氧化硅背反射层7 …导电层。 
具体实施方式
兹将本发明配合附图,详细说明如下： 
参照图1，是本发明利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池的新型结构图，其中包含了透明玻璃基板1、透明导电层2、P层薄膜半导体层3、薄膜本质半导体层4、N层薄膜半导体层5、二氧化硅背反射层6及导电层7。
为了能够获得高短路电流的薄膜太阳能电池，其堆栈依序如下：透明导电层2、P层薄膜半导体层3、薄膜本质半导体层4、N层薄膜半导体层5及二氧化硅背反射层6。当太阳光照射在PN接面时，会有部分原子得到能量，进而形成自由电子，而失去电子的原子将会形成电洞，通过P型及N型半导体分别吸引电子与电洞，把正电及负电分离，因此在PN接面的两端形成一电位差，接着在导电层上接上电路，使电子可以通过并在PN接面的另一端再次结合电子与电洞对，即可利用导线将电能输出。 
因此，本发明所使用的新型二氧化硅背反射层，其目的在提高太阳能电池对入射太阳光的捕捉效率，进而提高薄膜太阳能电池对太阳光的吸收效率，并获得高效率薄膜太阳能电池，及降低生产成本达到符合市场需求的目的。 
以上说明,对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。 

Claims (6)

1.一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其目的在于大幅增加薄膜太阳能电池的短路电流，进而达到高效率之薄膜太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根据权利要求1所述的一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其中该P层薄膜半导体层，使用PH3形成带电洞之半导体层。
4.根据权利要求1所述的一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，该薄膜本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升硅薄膜太阳能电池的效率。
5.根据权利要求1所述的一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其中该N层薄膜半导体层，使用TMB及B2H6形成带电子之半导体层。
6.根据权利要求1所述的一种利用二氧化硅制作背反射层之高效率薄膜太阳能电池，其中该二氧化硅背反射层，使用化学气相沉积法，并利用甲烷、二氧化碳、氢气制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射层，其目的在于能够使太阳能电池吸收大部分的入射光。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101556971A (zh) * 2009-05-11 2009-10-14 南开大学 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法
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US20110180128A1 (en) * 2010-12-21 2011-07-28 Suntae Hwang Thin film solar cell

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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