CN103018648A - 一种加速的pid测试方法 - Google Patents

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夏正月
许小明
张斌
邢国强
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Abstract

本发明提供了一种加速的PID测试方法，步骤为：（1）清洁组件表面；（2）在组件表面撒上少量的液体；（3）把导电薄膜覆盖在组件表面，保证导电薄膜与组件良好接触；（4）把组件放入环境实验箱内，将组件正负极短路，并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外，通过环境实验箱把组件温度升高到60℃以上；（5）将导电薄膜接地，在组件接线端加上负电压，电压大于-600V，然后进行PID测试。本发明通过改进测试条件，大大降低PID测试时间，从几天缩短到几个小时，缩短实验周期，提高实验效率。

Description

一种加速的PID测试方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池组件可靠性测试的方法。 
背景技术
在光伏系统中，出于安全考虑，组件的铝边框通常是接地的，这样，电池端就会处于一个负压的状态。在这个负压的驱动下，电流从接地端通过铝边框，玻璃和EVA流向电池，在这个过程中，大量的正电荷会积累在电池表面，导致电池失效，这就是组件在高压下的衰减（potential induced degradation），简称PID。随着光伏技术的发展，在大型光伏系统串联在一起的电池板数量越来越多，在工作状态下，部分组件就会处于高压状态，通常能到达600到1000V，这样，PID问题就变得越来越重要。对于电池板的PID测试，目前业界使用的方法通常在高湿度下进行，利用组件表面的水膜导电以在组件表面形成等电势面，但是由于水膜的导电性较差，测试需要较长的时间。这不利于缩短实验周期，提高实验效率；而且造成环境试验箱以及人力等资源的浪费。 
发明内容
发明目的：是针对现有技术存在的不足，提供一种加速的PID测试方法。 
技术方案：为实现上述目的，本发明提供了一种加速的PID测试方法，该方法的具体步骤如下： 
（1）把组件平放清洁组件表面，去掉组件表面的灰尘等颗粒；
（2）在组件表面撒上少量的液体，并用无尘布把液体擦拭均匀；
（3）把导电薄膜覆盖在组件表面，通过这种液体的吸附使导电薄膜与组件表面形成良好的接触，排除导电薄膜与组件之间的气泡，以保证导电薄膜与组件良好接触；
（4）把组件放入环境实验箱内，将组件正负极短路，并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外，通过环境实验箱把组件温度升高到60℃以上；
（5）将导电薄膜接地，在组件接线端加上负电压，电压大于-600V，然后进行PID测试。
由于组件PID与积累在电池表面的电荷量成正比，本发明所述方法中使用环境实验箱把组件的温度升高，由于玻璃和EVA的电导率随着温度升高而升高，使得在一定电压下从铝边框流向电池的电流大大增加；再则，使用导电薄膜覆盖组件表面取代传统测试中的水膜，由于导电薄膜的电导率远远大于水膜的电导率，这也使得在一定电压下从铝边框流向电池的电流大大增加，电池表面在短时间内积累大量电荷，进而已达到了加速PID测试的目的。 
本发明中为保证组件与导电薄膜的良好接触，所述导电薄膜厚度为5μm-200μm。本发明中导电薄膜优选采用铝箔。 
本发明中所述步骤（2）中液体优选为水。 
有益效果：本发明所述的一种加速的PID测试方法，与现有技术相比，具有以下优点： 
本发明通过改进测试条件，大大降低PID测试时间，从几天缩短到几个小时，缩短实验周期，提高实验效率。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。 
  实施例 
一种加速的PID测试方法，具体步骤如下：
（1）清洁组件表面，去掉组件表面的灰尘等颗粒；
（2）在组件表面撒上少量的水，并用无尘布把水擦拭均匀；
（3）用铝箔覆盖在组件表面，排除铝箔与组件之间的气泡，以保证铝箔与组件良好接触，为保证组件与铝箔的良好接触，铝箔厚度为150μm；
（4）把组件搬到环境实验箱内，把组件正负极短路，并从铝箔与组件接线端引出导线到环境实验箱外，通过环境实验箱把组件温度升高，为获得较大的漏电流，把组件温度升高到65℃；
（5）将铝箔接地，在组件接线端加上负电压，负电压为-400V，然后开始PID测试。
本实施例所述方法大大缩短了PID测试周期，由常规PID测试的48-168小时缩短到半小时，本实施例所述方法可以达到同等测试效果，提高了实验效率，降低测试中人力物力的消耗。 

Claims (4)

1.一种加速的PID测试方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：
（1）把组件平放清洁组件表面，去掉组件表面的灰尘等颗粒；
（2）在组件表面撒上少量的液体，并用无尘布把液体擦拭均匀；
（3）用导电薄膜覆盖在组件表面，通过这种液体的吸附使导电薄膜与组件表面形成良好的接触，排除导电薄膜与组件之间的气泡，以保证导电薄膜与组件良好接触；
（4）把组件放入环境实验箱内，将组件正负极短路，并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外，通过环境实验箱把组件温度升高到60℃以上；
（5）将导电薄膜接地，在组件接线端加上负电压，电压大于-600V，然后进行PID测试。
2.根据权利要求1所述的一种加速的PID测试方法，其特征在于：所述导电薄膜厚度为5μm-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种加速的PID测试方法，其特征在于：所述导电薄膜为铝箔。
4.根据权利要求1所述的一种加速的PID测试方法，其特征在于：所述步骤（2）中液体为水。
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