CN102992468A - 一种催化氧化处理含氯废水的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种催化氧化处理含氯废水的方法,该方法是通过添加氢氧化钡催化剂来分解氯碱工业废水中氯离子,同时对废水中少量其他污染物进行降解。本发明的一种催化氧化处理含氯废水的方法,其步骤是用泵把调节pH后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,出水即为脱氯的工业废水。本发明可提高废水的可生化性,且成本较低,具有良好的工业前景。
Description
技术领域
本发明公开了一种催化氧化处理含氯废水的方法,属于污水处理领域。
背景技术
在工业上,含氯矿石开采、金属冶炼、铝加工、炼焦、玻璃、电子、电镀、化肥、农药等行业排放的废水中常含有高浓度的氯化物。对于这些含氯废水,目前国内大多数生产厂尚无完善的处理设施,所排放的废水中氯含量超过国家排放标准,严重污染环境。按照国家污水综合排放标准,氯离子浓度应小于10mg/L;对于饮用水,氯离子浓度要求在1mg/L以下。目前国内外常用的含氯废水处理方法大致分为两类,即沉淀法和吸附法。化学沉淀法是通过投加钙盐等化学药品,形成氯化物沉淀或氯化物被吸附于所形成的沉淀物中而共同沉淀。该方法简单、处理方便,费用低,但石灰溶解度低,只能以乳状液投加,且产生的CaF2沉淀包裹在Ca(OH)2颗粒的表面,使之不能被充分利用,因而用量大。处理后的废水中氯含量一般只能下降到15mg/L,很难达到国标一级标准。而且存在泥渣沉降缓慢,脱水困难,处理大流量排放物周期长,不适应连续处理连续排放等缺点。吸附法是指含氯废水流经接触床,通过与床中固体介质进行离子交换或化学反应,去除氯化物。这种方法只适用于低浓度的含氯废水或经其他方法处理后氯化物浓度降至10~20mg/L的废水。而且接触床的再生及高浓度再生液的处理是整个运行过程中不可缺少的一部分,接触床频繁的再生使运行成本较高。此外,还有冷冻法、离子交换树脂除氯法、超滤除氯法、电渗析等,但因为处理成本高,除氯效率低,至今多停留在实验阶段,很少推广应用于工业含氯废水治理。
发明内容
本发明的目的是克服目前氯盐企业生产过程中产生的大量工业废水含氯超标的现状,提供一种催化氧化处理含氯废水的方法。
本发明采用的技术方案为:本方法是通过添加氢氧化钡催化剂来分解氯碱工业废水中过量cl-,同时对废水中少量其他污染物进行降解。
所述的氢氧化钡催化剂中金属氧化钡的质量占催化剂总质量的百分比为22-27%。
废水经过处理后,可生化性B/C比提高到0.3~0.4。
本发明的制备方法为:
(1)、用酸把含氯废水pH调至6.0~6.5;
(2)、用泵把调节后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,流速是10~15L/s;
(3)、从石塔底鼓入空气,空气流量为150~210L/s;
(4)、出水即为脱氯的工业废水。
本发明的优势特征在于:本发明可提高废水的可生化性,且成本较低,具有良好的工业前景。
具体实施方式
实施案列1:
(1)、用酸把含氯废水pH调至6.0;
(2)、用泵把调节后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,流速是10L/s;
(3)、从石塔底鼓入空气,空气流量为150L/s;
(4)、出水即为脱氯的工业废水;
(5)、处理过的水达到国家一级排放标准。
实施案列2:
(1)、用酸把含氯废水pH调至6.3;
(2)、用泵把调节后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,流速是13L/s;
(3)、从石塔底鼓入空气,空气流量为180L/s;
(4)、出水即为脱氯的工业废水;
(5)、处理过的水达到国家一级排放标准。
实施案列3:
(1)、用酸把含氯废水pH调至6.5;
(2)、用泵把调节后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,流速是15L/s;
(3)、从石塔底鼓入空气,空气流量为210L/s;
(4)、出水即为脱氯的工业废水;
(5)、处理过的水达到国家一级排放标准。
Claims (4)
1.一种催化氧化处理含氯废水的方法,其特征在于:所述方法是通过添加氢氧化钡催化剂来分解氯碱工业废水中过量cl-,同时对废水中少量其他污染物进行降解。
2.根据权利要求1所述的一种催化氧化处理含氯废水的方法,其特征在于具体步骤:
(1)、用酸把含氯废水pH调至6.0~6.5;
(2)用泵把调节后的含氯废水通过载有氢氧化钡催化剂的填料塔,流速是10~15L/s;
(3)、从石塔底鼓入空气,空气流量为150~210L/s;
(4)、出水即为脱氯的工业废水。
3.根据权利要求1所述的一种催化氧化处理含氯废水的方法,其特征在于:所述的氢氧化钡催化剂中金属氧化钡的质量占催化剂总质量的百分比为22-27%。
4.根据权利要求3所述的一种催化氧化处理含氯废水的方法,其特征在于:废水经过处理后,可生化性B/C比提高到0.3~0.4。
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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