CN102977885A - 光致发光荧光材料及白光发光装置 - Google Patents

光致发光荧光材料及白光发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明是有关于一种光致发光荧光材料及白光发光装置，该光致发光荧光材料，包括一第一荧光物质与一第二荧光物质。该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及I n群组中的至少一个元素。本发明也提供一种白光发光装置。

Description

光致发光荧光材料及白光发光装置
技术领域
本发明是涉及一种光致发光荧光材料及一种白光发光装置，特别是涉及一种具有可被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光的一第一荧光物质，及可被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光且该荧光与该蓝光可混合成白光的一第二荧光物质的光致发光荧光材料。
背景技术
美国专利5,998,925公开一种使用蓝光发光二极管及铈启钇铝石榴石(blue LED-YAG:Ce)以产生白光的发光系统。该发光系统的荧光物质铈启钇铝石榴石可吸收蓝光(有效波长范围450-490nm)而被激发产生黄光，所产生的黄光与未被铈启钇铝石榴石吸收的蓝光混合而产生白光。
美国专利6，504，179公开一种混合蓝-黄-绿(BYG)三种颜色而产生白光的发光系统。该发光系统使用蓝光发光二极管及发黄色光荧光物质(Tb3Al5O12:Ce)与发绿光荧光物质(CaMg chlorosilicate:Eu)。
美国专利早期公开2006/0027781公开一种使用紫外光发光二极管及发蓝色光的硅酸盐或铝酸盐的荧光物质(Sr1-x-yMgxBaySiO4:EuF或SrMgAl10O17:Eu)与发黄光的磷酸盐或硅酸盐的荧光物质((Sr1-x-yMnxEuy)P2+zO7或Sr1-x-yBaxCaySiO4)以产生白光的发光系统。该发光系统虽可产生白光，但其演色性较上述蓝光发光二极管-钇铝石榴石的发光系统所产生的白光差。另外，上述发蓝色光的硅酸盐或铝酸盐的荧光物质的缺点还包括较不耐温及抗光衰，因此在使用一段时间后，亮度会渐减。
因此，研发一种可以将紫外光或紫光转换成蓝光进而与黄光混合产生高演色性与高辉度白光且具有耐温与抗光衰的荧光物质是目前此项技艺的重要课题。
发明内容
本发明的目的，在提供一种可以将紫外光或紫光转换成蓝光进而与黄光混合产生高演色性与高辉度白光的光致发光荧光材料及一种使用该光致发光荧光材料的白光发光装置。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光致发光荧光材料，包含：一第一荧光物质；及一第二荧光物质；该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地，前述的光致发光荧光材料，其中该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)yOw-3z/2Nz:M3，x＝1至5，y＝5至20，w＝10至33，z＝1至20，(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，M3代表选自Eu、Ce、Pr、Dy、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。
较佳地，前述的光致发光荧光材料，其中该结构式的x＝1至4，y＝6至16，w＝11至27，及z＝2。
较佳地，前述的光致发光荧光材料，其中该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.0003≤r≤0.08，0≤s≤1。
较佳地，前述的光致发光荧光材料，其中该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种白光发光装置，包含：一发光元件，发出一紫光或紫外光；以及一光致发光荧光材料，邻近该发光元件而设，该荧光材料包括一第一荧光物质与一第二荧光物质，该第一荧光物质被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光，该第二荧光物质被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光，且该荧光与该蓝光混合成白光；该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该结构式的x＝1至4，y＝6至16，w＝11至27，及z＝2。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.0003≤r≤0.08，0≤s≤1。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该发光元件具有一半导体发光层，该半导体发光层的材料为InGaN。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该光致发光荧光材料是设于该半导体发光层上，并包括一由该第一荧光物质所组成且设于该半导体发光层上的第一层，及一由该第二荧光物质所组成且形成于该第一层上的第二层。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该光致发光荧光材料是以蒸镀方式形成于该半导体发光层上。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该光致发光荧光材料还包括一由一第三荧光物质所组成且形成于该第二层上的第三层，该第三荧光物质为一受激发而发红光的含氮氧化金属的荧光体。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该半导体发光层发出波长介于320nm至410nm的光。
较佳地，前述的白光发光装置，其中该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。及及及及及及借由上述技术方案，本发明光致发光荧光材料及白光发光装置至少具有下列优点及有益效果：本发明使用具有耐温与抗光衰的氮氧化金属的荧光体及含金属氧化物的荧光体在白光发光装置中而可将紫外光或紫光转化成具有高辉度的白光。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是一示意图，说明本发明一第一较佳实施例的一种白光发光装置；
图2是一示意图，说明本发明一第二较佳实施例的一种白光发光装置；
图3是一分析图，说明本发明实施例7的白光发光装置的荧光物质的发光光谱；
图4是一分析图，说明本发明实施例7的白光发光装置的荧光物质的CIE色度坐标图；
图5是一分析图，说明现有比较例2的白光发光装置的荧光物质的发光光谱；及
图6是一分析图，说明现有比较例2的白光发光装置的荧光物质的CIE色度坐标图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
参阅图1，本发明的第一较佳实施例的一种白光发光装置包含：一发光元件，具有上电极21、下电极，22，一碳化硅基材3，及一可发出一紫光或紫外光的半导体发光层4；以及一光致发光荧光材料，邻近该发光元件而设，该荧光材料包括一第一荧光物质5与一第二荧光物质6，该第一荧光物质5可被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光(特别是具有一中心波长为450nm的蓝光)，该第二荧光物质6可吸收蓝光(有效吸收波长范围介于450-490nm)且被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光，且该荧光与该蓝光可混合成白光。该第一荧光物质5为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质6为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
该第一荧光物质5的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)yOw-3z/2Nz:M3，x＝1至5，y＝5至20，w＝10至33，z＝1至20，(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，(M2)代表选自A l、Ga及In群组中的至少一个元素，M3代表选自Eu、Ce、Pr、Dy、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。较佳下，结构式的x＝1至4，y＝6至16，w＝11至27，及z＝2。该第一荧光物质5的氮氧化金属具有耐高温与高散热的性质。
该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.0003≤r≤0.08，0≤s≤1。
该半导体发光层4的材料为InGaN且可发出波长介于320nm至410nm的光。该光致发光荧光材料为多层结构且设于该半导体发光层4上，并包括一由该第一荧光物质5所组成且设于该半导体发光层4上的第一层71，及一由该第二荧光物质6所组成且形成于该第一层71上的第二层72。该第一荧光物质5受紫外光或紫光激发可发出波长介于450nm至600nm的光。
参阅图2，本发明的第二较佳实施例的白光发光装置与第一较佳实施例不同处在于第二较佳实施例的光致发光荧光材料还包括一由一第三荧光物质8所组成且形成于该第二层72上的第三层73，该第三荧光物质8为一可受激发而发红光的含氮氧化金属的荧光体且其结构式为(M4)x(M2)yOw-3z/2Nz:Mn。该第三荧光物质8可增加白光的演色性(增加暖光)。M4可以是选自Y、Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素。
本发明的第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8可以利用传统半导体制程的蒸镀或溅镀方式(例如美国专利7,193,225及7,399,650中所公开的方法)依序形成于该半导体发光层4上。如此形成的第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8具有耐热及高散热的性质并可减少光损及增加发光效率。操作上，蒸镀温度为1800-2300℃，蒸镀的第一荧光物质与第二荧光物质(YAG:Ce)的膜厚为1000-5000埃。较佳下，每一第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8的质量厚度(mass thickness)是介于1～50mg/cm2的范围。
本发明的第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8也可以是以传统的涂布方式形成，其方式包括先将第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8混合一起形成一混合物，再涂布于该半导体发光层4上而形成一单层荧光结构，或是将第一荧光物质5，第二荧光物质6及第三荧光物质8分别涂布于该半导体发光层4上而形成三层荧光结构。
以下将以实施例及比较例来说明本发明各目的的实施方式与功效。须注意的是，该实施例仅为例示说明用，而不应被解释为本发明实施的限制。
<实施例1>
制备第一荧光物质Ba0.9MgAl10O14N2.Eu0.1
将17.76克BaCO3，4.03克MgO，40.78克Al2O3，8.2克AlN，1.76克Eu2O3相混合，再加入2.2克NaF，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Ba0.9MgAl10O14N2:Eu0.1的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为455nm的蓝光。
制备白光发光装置
将3wt％所得到的荧光物质原料、10wt％商业用钇铝石榴石(YAG:Ce)原料与87wt％的树脂混合均匀，再以涂布方式形成在一半导体InGaN发光层上。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表1所示随时间变化的CIE色度坐标及辉度(Mcd)。
表1
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  X   0.309   0.317   0.319   0.313   0.314   0.316   0.312   0.309
  Y   0.341   0.339   0.341   0.343   0.355   0.367   0.385   0.401
  Mcd(avg)   9932   9812   9702   9573   9488   9312   9289   9210
<实施例2>
制备第一荧光物质Ba0.85Mg2Al16O24N2:Eu0.15
将16.77克BaCO3，8.06克MgO，71.37克Al2O3，8.2克AlN，2.63克Eu2O3相混合，再加入3.1克NaF，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Ba0.85Mg2Al16O24N2:Eu0.15的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为460nm的蓝光。
制备白光发光装置
将3wt％所得到的荧光物质原料、10wt％商业用钇铝石榴石(YAG:Ce)原料与87wt％的树脂混合均匀，再以涂布方式形成在一半导体InGaN发光层上。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表2所示随时间变化的CIE色度坐标及辉度。
表2
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  X   0.329   0.326   0.322   0.318   0.313   0.311   0.315   0.309
  Y   0.311   0.317   0.33   0.334   0.344   0.358   0.361   0.373
  Mcd(avg)   9769   9762   9529   9501   9410   9375   9333   9295
<实施例3>
制备第一荧光物质BaMg2Al16O24N2:Eu0.12
将37.1克BaCO3，8.06克MgO，61.18克Al2O3，8.2克AlN，2.1克Eu2O3相混合，再加入3.44克NaF，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为BaMg2Al16O24N2:Eu0.12的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为450nm的蓝光。
制备白光发光装置
将3wt％所得到的荧光物质原料、10wt％商业用钇铝石榴石(YAG:Ce)原料与87wt％的树脂混合均匀，再以涂布方式形成在一半导体InGaN发光层上。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表3所示随时间变化的CIE色度坐标及辉度。
表3
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  X   0.317   0.315   0.318   0.319   0.309   0.311   0.315   0.329
  Y   0.361   0.36   0.363   0.367   0.383   0.402   0.408   0.413
  Mcd(avg)   9528   9476   9443   9378   9335   9289   9266   9176
<实施例4>
制备第一荧光物质Sr1.955Al6O8N2:Eu0.045
将28.86克SrCO3，20.39克Al2O3，8.2克AlN，0.79克Eu2O3相混合，再加入1.7克NaF，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Sr1.955Al6O8N2:Eu0.045的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为450nm的蓝光。
制备白光发光装置
将3wt％所得到的荧光物质原料、10wt％商业用钇铝石榴石(YAG:Ce)原料与87wt％的树脂混合均匀，再以涂布方式形成在一半导体InGaN发光层上。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表4所示随时间变化的CIE色度坐标及辉度。
表4
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  X   0.319   0.329   0.324   0.323   0.317   0.319   0.314   0.318
  Y   0.305   0.322   0.337   0.352   0.355   0.367   0.377   0.394
  Mcd(avg)   9276   9177   9126   9120   9004   8978   8871   8750
<实施例5>
制备第一荧光物质Sr1.82MgAl10O15N2:Eu0.08
将26.87克SrCO3，4.03克MgO，40.78克Al2O3，8.2克AlN，1.4克Eu2O3相混合，再加入2.4克NaF，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Sr1.82MgAl10O15N2:Eu0.08的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为480nm的蓝光。
制备白光发光装置
将3wt％所得到的荧光物质原料、10wt％商业用钇铝石榴石(YAG:Ce)原料与87wt％的树脂混合均匀，再以涂布方式形成在一半导体InGaN发光层上。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表5所示随时间变化的CIE色度坐标及辉度。
表5
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  X   0.329   0.326   0.324   0.323   0.321   0.319   0.317   0.317
  Y   0.311   0.333   0.347   0.359   0.363   0.37   0.381   0.384
  Mcd(avg)   9599   9419   9354   9131   8898   8811   8721   8686
<实施例6>
制备第一荧光物质Ba0.9775Al8O10N2:Eu0.0225
将19.29克BaCO3，30.59克Al2O3，8.2克AlN，0.395克Eu2O3相混合，再加入2.34克BaF2，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Ba0.9775Al8O10N2:Eu0.0225的蓝色荧光物质。实验结果显示，该所得到的荧光物质以波长253-410nm的光激发可产生中心波长为445nm的蓝光。
<比较例1>
比较例1与实施例1不同处在于比较例1的白光发光装置没有使用第一荧光物质。实验结果显示，如此形成的白光发光装置具有如表6所示随时间变化的辉度。
表6
  时间(hr)   0   24   48   72   96   120   144   168
  Mcd(avg)   6455   6402   6305   6199   6013   5803   5725   5613
表1-6的结果显示，本发明利用紫外光或紫光做为荧光激发的光源及使用可被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光的第一荧光物质与可吸收蓝光而受激发而产生黄光的第二荧光物质可以得到比现有蓝光发光二极管及钇铝石榴石(blue LED-YAG:Ce)发光系统更高辉度的白光。
<实施例7>
制备第一荧光物质Sr0.85MgAl10O14N2:Eu0.15
将6.47克SrCO3，2.02克MgO，20.39克Al2O3，4.1克AlN，1.32克Eu2O3相混合，再加入1.38克BaF2，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，洗除NaF，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Sr0.85MgAl10O14N2:Eu0.15的蓝色荧光物质。图3与图4分别为所得到的荧光物质以400nm的光激发所产生的发光光谱与CIE色度坐标图(图4中标示“□”记号为其坐标)。实验结果显示实施例7的荧光物质的演色性为90与色温为2705K。
<比较例2>
制备现有荧光物质Sr0.85MgAl10O17:Eu0.15
将12.94克SrCO3，4.04克MgO，50.98克Al2O3，2.64克Eu2O3相混合，及2.85克BaF2，均匀混合，在1650℃下，将混合物煅烧24小时后研磨，再以150℃烘干。在1400℃及一含85％氮与15％氢的混合气体下，还原12小时后冷却，研磨及筛选(400目)得到结构为Sr0.85MgAl10O17:Eu0.15的荧光物质。图5与图6分别为所得到的荧光物质以400nm的光激发所产生的发光光谱与CIE色度坐标图(图6中标示“□”记号为其坐标)。实验结果显示比较例2的荧光物质的演色性为90与色温为1630K。
从实施例7与比较例2的发光光谱(图3与图5的比较)的实验结果比较，实施例7的荧光物质被激发可产生较高的蓝光(中心波长为450nm)的发光强度，代表本发明的Sr0.85MgA110O14N2:Eu0.15的蓝色荧光物质因含有氮成份而可以加强将紫光或紫外光转换成蓝光，并因此而可以加强产生白光的强度。
从以上的实施例与比较例可以证实本发明的结合具有耐温与抗光衰的氮氧化金属的荧光体及含金属氧化物的荧光体于白光发光装置中可将紫外光或紫光转化成具有高辉度及高演色性的白光。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1.一种光致发光荧光材料，其特征在于包含：
一第一荧光物质；及
一第二荧光物质；
该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
2.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料，其特征在于：该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)y0w-3z/2Nz:M3，x＝1至5，y＝5至20，w＝10至33，z＝1至20，(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，M3代表选自Eu、Ce、Pr、Dy、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。
3.根据权利要求2所述的光致发光荧光材料，其特征在于：该结构式的x＝1至4，y＝6至16，w＝11至27，及z＝2。
4.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料，其特征在于：该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.0003≤r≤0.08，0≤s≤1。
5.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料，其特征在于：该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。
6.一种白光发光装置，其特征在于包含：
一发光元件，发出一紫光或紫外光；以及
一光致发光荧光材料，邻近该发光元件而设，该荧光材料包括一第一荧光物质与一第二荧光物质，该第一荧光物质被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光，该第二荧光物质被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光，且该荧光与该蓝光混合成白光；
该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体，该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体，该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素，以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
7.根据权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)yOw-3z/2Nz:M3，x＝1至5，y＝5至20，w＝10至33，z＝1至20，(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素，(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素，M3代表选自Eu、Ce、Pr、D y、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。
8.根据权利要求7所述的白光发光装置，其特征在于：该结构式的x＝1至4，y＝6至16，w＝11至27，及z＝2。
9.根据权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.0003≤r≤0.08，0≤s≤1。
10.根据权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：该发光元件具有一半导体发光层，该半导体发光层的材料为InGaN。
11.根据权利要求10所述的白光发光装置，其特征在于：该光致发光荧光材料是设于该半导体发光层上，并包括一由该第一荧光物质所组成且设于该半导体发光层上的第一层，及一由该第二荧光物质所组成且形成于该第一层上的第二层。
12.根据权利要求11所述的白光发光装置，其特征在于：该光致发光荧光材料是以蒸镀方式形成于该半导体发光层上。
13.根据权利要求12所述的白光发光装置，其特征在于：该光致发光荧光材料还包括一由一第三荧光物质所组成且形成于该第二层上的第三层，该第三荧光物质为一受激发而发红光的含氮氧化金属的荧光体。
14.根据权利要求10所述的白光发光装置，其特征在于：该半导体发光层发出波长介于320nm至410nm的光。
15.根据权利要求6所述的白光发光装置，其特征在于：该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。
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