CN102956255B - 闪存控制器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种闪存控制器，包含有记录媒体以及处理电路。当闪存模块中的数据量小于第一阀值时，处理电路会控制闪存模块的读写电路以第一电压范围内的编程临界电压来编程目标数据区块，以将数据写入目标数据区块。当闪存模块中的数据量高于第二阀值时，处理电路会控制读写电路以第二电压范围内的编程临界电压来编程目标数据区块，以将数据写入目标数据区块，其中第二阀值大于第一阀值，且第一电压范围的上限值小于第二电压范围的上限值80％。前述架构能降低将数据写入数据区块所需的耗电量，更有效改善闪存模块的耐耗损能力和数据可靠度。

Description

闪存控制器

技术领域

本发明是有关闪存的技术，尤指一种可提升闪存模块的耐耗损能力和数据可靠度的闪存控制器。

背景技术

闪存被广泛使用在很多应用中，例如固态硬盘(solid-statedisk，SSD)、存储卡、数字相机、数字摄影机、多媒体播放器、移动电话、计算机和许多其它电子装置。

闪存可用单阶储存单元(single-levelcells，SLC)、多阶储存单元(multi-levelcells，MLC)、三阶储存单元(triple-levelcells，TLC)或更高阶数的储存单元来实现。单阶储存单元在存取速度和数据可靠度方面的效能较高。多阶储存单元、三阶储存单元、和更高阶数的储存单元可用较低成本提供较高的储存容量，但耐用程度(endurance)和耐耗损能力(wearcapacity)则不如单阶储存单元来得好。

由于前述的特性，现有的闪存装置在追求低成本、高容量的目标时，很难同时兼顾耐耗损能力和数据可靠度方面的表现。

发明内容

有鉴于此，如何有效改善以多阶储存单元、三阶储存单元或更高阶数的储存单元来实现的闪存的耐耗损能力和提高数据可靠度，实为业界有待解决的问题。

本发明提供了一种闪存控制器之实施例，其包含有：一通信接口，用于接收一第一数据、一第二数据、以及一第三数据；一记录媒体，用于记录一闪存模块中储存的数据量，其中该闪存模块包含有一读写电路、一第一数据区块、一第二数据区块、与一第三数据区块；以及一处理电路，耦接于该通信接口、该记录媒体、以及该闪存模块，用于在该闪存模块中储存的数据量低于一第一阀值时，控制该读写电路将该第一数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第一电压范围内，以将该第一数据写入该第一数据区块中，而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时，该处理电路会控制该读写电路将该第三数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第二电压范围内，以将该第三数据写入该第三数据区块中；其中该第二阀值大于该第一阀值，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

另一种闪存控制器的实施例包含有：一记录媒体，用于记录一闪存模块中储存的数据量，其中该闪存模块包含有一读写电路和一目标数据区块；以及一处理电路，耦接于该记录媒体以及该闪存模块，用于在该闪存模块中储存的数据量小于一第一阀值时，控制该读写电路以一第一电压范围内的编程临界电压来编程该目标数据区块的储存单元，以将数据写入该目标数据区块中，而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时，该处理电路会控制该读写电路以一第二电压范围内的编程临界电压来编程该目标数据区块的储存单元，以将数据写入该目标数据区块中；其中该第二阀值大于该第一阀值，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

另一种闪存控制器的实施例包含有：一记录媒体，用于记录一闪存模块使用中的数据区块数量，其中该闪存模块包含有一读写电路和多个数据区块；以及一处理电路，耦接于该记录媒体以及该闪存模块，用于在该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值，或是空白数据区块数量低于一第四阀值时，控制该读写电路将多个候选数据区块中的有效数据写入一目标数据区块，并抹除该多个候选数据区块；其中该多个候选数据区块中的至少一储存单元在被抹除前的编程临界电压是设置于一第一电压范围内，而该目标数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压则是设置于一第二电压范围内，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

上述闪存控制器的优点之一是，不仅能降低将数据写入数据区块时所需的耗电量，更能有效改善闪存模块的储存单元的耐耗损能力，进而提高闪存模块中所储存的数据的可靠度。

上述闪存控制器的另一优点是，在进行数据读取运作时，处理电路可直接指定读写电路所使用的读取临界电压，进而加快读取闪存模块的速度。

上述闪存控制器的另一优点是，不仅能用MLC芯片、TLC芯片、甚至是更高阶数的芯片来实现闪存模块，以满足低成本、高容量的目标，又能有效改善闪存模块的耐用程度、耐耗损能力、和数据可靠度。

附图说明

图1为本发明的数据储存系统的一实施例简化后的功能方块图。

图2为本发明的闪存写入方法的第一实施例简化后的流程图。

图3为图1中的数据区块中的储存单元的编程临界电压的一实施例简化后的示意图。

图4为本发明的闪存写入方法的第二实施例简化后的流程图。

图5为本发明的闪存写入方法的第三实施例简化后的流程图。

具体实施方式

以下将配合相关图式来说明本发明的实施例。在这些图式中，相同的标号表示相同或类似的组件或流程步骤。

在说明书及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有通常知识者应可理解，同样的组件可能会用不同的名词来称呼。本说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来做为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来做为区分的基准。在通篇说明书及后续的权利要求当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于…」。另外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接(包含透过电性连接或无线传输、光学传输等讯号连接方式)连接于该第二装置，或透过其它装置或连接手段间接地电性或讯号连接至该第二装置。

图1为本发明一实施例的数据储存系统100简化后的功能方块图。数据储存系统100包含主控装置110、闪存控制器120、和闪存模块130。主控装置110会透过闪存控制器120来存取闪存模块130。主控装置110可以是计算机、卡片阅读机、数字相机、数字摄影机、移动电话、GPS定位装置，或其它任何能把闪存模块130当作储存介质的电子装置。闪存控制器120包含有记录媒体(RecordingMedia)122、处理电路124、和通信接口126。通信接口126用以与主控装置110耦接，以使处理电路124和主控装置110能透过通信接口126进行数据传输。

闪存模块130包含有一读写电路132和多个数据区块134。在一实施例中，这些数据区块134是以一或多个三阶储存单元(TLC)芯片来实现，藉以提供较低成本的高储存容量。闪存控制器120和闪存模块130可一起整合成单一内存装置，例如固态硬盘(SSD)或存储卡等等。以下将搭配图2和图3来进一步说明本发明将数据写入闪存模块130的运作方式。

图2是本发明的闪存写入方法的第一实施例简化后的流程图200。图3是数据区块134中的储存单元的编程临界电压(programthresholdvoltage)的一实施例简化后的示意图300。

在流程210中，闪存控制器120会透过通信接口126接收主控装置110传来的待写入数据。

接着，闪存控制器120的处理电路124会依据闪存模块130当时已储存的数据量，来决定待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围。

例如，在图2的实施例中，处理电路124会进行流程220，判断闪存模块130中已储存的数据量是否高于一第一阀值TH1。若闪存模块130当时的数据量低于第一阀值TH1，则处理电路124会进行流程230；反之，则会进行流程240。

在流程240中，处理电路124会进一步判断闪存模块130当时已储存的数据量是否高于一第二阀值TH2，其中TH2大于TH1。若闪存模块130当时已储存的数据量介于第一阀值TH1与第二阀值TH2之间，则处理电路124会进行流程250。若闪存模块130当时已储存的数据量高于第二阀值TH2，则处理电路124会进行流程260。

实作上，前述的第一阀值TH1和第二阀值TH2可以用数据量大小的形式来表达，例如MB值或GB值。或者，也可以用百分比的形式来表达。例如，假设闪存模块130的名目储存容量为XGB，可将第一阀值TH1和第二阀值TH2分别设成0.3XGB和0.6XGB，或是将第一阀值TH1和第二阀值TH2分别设成闪存模块130的名目储存容量的30％和60％。

如图2所示，处理电路124在流程230中会选择一第一电压范围做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围，在流程250中会选择一第三电压范围做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围，而在流程260中则会选择一第二电压范围做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围。

前述的第一电压范围小于第二电压范围的50％，且第三电压范围小于第二电压范围的60％。对于第一电压范围而言，第一电压范围的上限值可低于第二电压范围的上限值的80％。例如，第一电压范围的上限值可低于第二电压范围的上限值的60％，甚至是30％。第一电压范围的上限值愈低，愈能降低写入数据到数据区块的储存单元(cell)时所需的耗电量。对于第三电压范围而言，第三电压范围的上限值可低于第二电压范围的上限值的80％，甚至是60％。同样地，第三电压范围的上限值愈低，愈能降低写入数据到储存单元时所需的耗电量。

在流程270中，处理电路124会控制读写电路132以选定的电压范围内的编程临界电压来编程(program)一目标数据区块134中的储存单元，以将数据写入目标数据区块134中。

在图3的实施例中，数据区块134的各储存单元会有一抹除临界电压区间(erasethresholdvoltageinterval)EV和多个编程临界电压区间(programthresholdvoltageinterval)V0～V7。实作上，处理电路124在流程230中可选择第一电压范围VR1做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围，在流程250中可选择第三电压范围VR3做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围，在流程260中则可选择第二电压范围VR2做为待写入数据的目标数据区块的编程临界电压的范围。在本实施例中，第一电压范围VR1的上限值低于第二电压范围VR2的上限值的30％，且包含第二电压范围VR2中最低的2个编程临界电压区间V0和V1。此外，第三电压范围VR3的上限值低于第二电压范围VR2的上限值的60％，且包含第二电压范围VR2中最低的4个编程临界电压区间V0、V1、V2和V3。

例如，若通信接口126接收到主控装置110传来的第一待写入数据D1时，闪存模块130当时已储存的数据量低于第一阀值TH1，则处理电路124可选择第一电压范围VR1做为一目标数据区块(例如第一数据区块134A)的编程临界电压的范围，并控制读写电路132以第一电压范围VR1内的编程临界电压来编程第一数据区块134A中的储存单元，以将第一数据D1以每储存单元一位(one-bit-per-cell)模式(简称1bpc模式)写入第一数据区块134A中。

若通信接口126之后接收到主控装置110传来的第二待写入数据D2时，闪存模块130当时已储存的数据量介于第一阀值TH1与第二阀值TH2之间，则处理电路124可选择第三电压范围VR3做为一目标数据区块(例如第二数据区块134G)的编程临界电压的范围，并控制读写电路132以第三电压范围VR3内的编程临界电压来编程第二数据区块134G中的储存单元，以将第二数据D2以每储存单元两位(two-bit-per-cell)模式(简称2bpc模式)写入第二数据区块134G中。

之后，若通信接口126接收到主控装置110传来的第三待写入数据D3时，闪存模块130当时已储存的数据量高于第二阀值TH2，则处理电路124可选择第二电压范围VR2做为一目标数据区块(例如第三数据区块134P)的编程临界电压的范围，并控制读写电路132以第二电压范围VR2内的编程临界电压来编程第三数据区块134P中的储存单元，以将第三数据D3以每储存单元三位(three-bit-per-cell)模式(简称3bpc模式)写入第三数据区块134P中。

换言之，在同一时间点，闪存模块130中的不同数据区块134的数据储存模式可能会有所不同。例如，在前述的实施例中，当读写电路132刚完成将第三数据D3写入第三数据区块134P的动作时，第三数据区块134P的数据储存模式是3bpc模式，而此时第一数据区块134A的数据储存模式是1bpc模式，第二数据区块134G的数据储存模式则是2bpc模式。

此外，处理电路124在决定目标数据区块的编程临界电压的范围时，亦可将待写入数据的属性纳入考虑。例如，图4绘示了本发明的数据写入方法的第二实施例简化后的流程图400，而图5则绘示了本发明的数据写入方法的第三实施例简化后的流程图500。

在图4的实施例中，当通信接口126接收到主控装置110传来的第四待写入数据D4时，处理电路124会先进行流程415，判断第四数据D4是否属于较不会被经常存取的数据(以下称之为冷数据)。处理电路124可依据第四数据D4的文件类型、扩展名、逻辑地址或其它方式来判断其是否为冷数据。若处理电路124将第四数据D4判断为冷数据，则会直接跳到流程260；反之，则会进入流程220。

在图5的实施例中，当通信接口126接收到主控装置110传来的第五待写入数据D5时，处理电路124会先进行流程515，判断第五数据D5是否属于可能会被经常存取的数据(以下称之为热数据)。处理电路124可依据第五数据D5的文件类型、扩展名、逻辑地址或其它方式来判断其是否为热数据。若处理电路124将第五数据D5判断为热数据，则会直接跳到流程230；反之，则会进入流程220。

在另一实施例中，处理电路124会先判断第五数据D5是否属于热数据或冷数据。若处理电路124将第五数据D5判断为热数据，则会直接跳到流程230；若处理电路124将第五数据D5判断为冷数据，则会直接跳到流程260；若处理电路124判断第五数据D5既非热数据也非冷数据，则会进入流程220。

在运作时，处理电路124亦可将各数据区块134以1bpc模式写入的次数、以2bpc模式写入的次数、及/或以3bpc模式写入的次数，记录在记录媒体122中。为便于记录，处理电路124可记录数据区块134在特定模式(例如1bpc模式、2bpc模式、3bpc模式)下的被抹除次数，来当作数据区块134以特定模式写入的次数。在前述的流程270中，处理电路124可依据记录媒体122中所记录的内容，来选出适当的数据区块134做为目标数据区块，以使各数据区块以特定模式写入的次数能较为平均，避免过度使用特定的数据区块。

另外，处理电路124可将闪存模块130的数据区块134的使用状况，记录在记录媒体122中，并据以决定是否将部分数据区块的储存内容合并到有足够容量的一数据区块中，以释出较多的可用数据区块供储存后续的数据。

例如，处理电路124可将闪存模块130使用中的数据区块的数量记录在记录媒体122中，并于该数量高于一第三阀值TH3时，将部分数据区块的储存内容合并到有足够容量的一目标数据区块。或者，处理电路124也可将闪存模块130中的空白数据区块的数量记录在记录媒体122中，并于该数量低于一第四阀值TH4时，将部分数据区块的储存内容合并到有足够容量的一目标数据区块中。

在合并数据区块的内容时，处理电路124可控制读写电路132将一或多个以1bpc模式储存数据的候选数据区块(例如数据区块134A和134B)中的有效数据，改用2bpc模式或3bpc模式写入到一目标数据区块(例如数据区块134H或134Q)，并抹除该等候选数据区块。处理电路124也可控制读写电路132将一或多个2bpc模式储存数据的候选数据区块(例如数据区块134G和134H)中的有效数据，以3bpc模式写入一目标数据区块(例如数据区块134P或134Q)，并抹除该等候选数据区块。或者，处理电路124可控制读写电路132将以1bpc模式储存数据的一第一候选数据区块(例如数据区块134A或134B)中的有效数据，以3bpc模式写入一目标数据区块(例如数据区块134P或134Q)，将以2bpc模式储存数据的一第二候选数据区块(例如数据区块134G或134H)中的有效数据，以3bpc模式写入该目标数据区块(例如数据区块134P或134Q)，并抹除该第一和第二候选数据区块。

由于处理电路124会依据闪存模块130中已储存的数据量，来动态调整要写入数据的目标数据区块134的编程临界电压的范围。因此，同一数据区块134的编程临界电压的范围，在不同时间点可能会有所不同。例如，当闪存模块130中储存的数据量低于第一阀值TH1时，若数据区块134Q被选为目标数据区块，则处理电路124可控制读写电路132以前述第一电压范围VR1内的编程临界电压来编程目标数据区块134Q的储存单元，将数据以1bpc模式写入目标数据区块134Q中。

之后，数据区块134Q可能会因各种运作上的原因而被抹除。当闪存模块130中储存的数据量增加到介于第一阀值TH1与第二阀值TH2之间时，若数据区块134Q又被选为目标数据区块，则处理电路124可控制读写电路132以前述第三电压范围VR3内的编程临界电压来编程目标数据区块134Q的储存单元，将新数据以2bpc模式写入目标数据区块134Q中。

同样地，数据区块134Q在此之后又可能因各种运作上的原因而被抹除。当闪存模块130中储存的数据量增加到高于第二阀值TH2时，若数据区块134Q又再次被选为目标数据区块，则处理电路124可控制读写电路132以前述第二电压范围VR2内的编程临界电压来编程目标数据区块134Q的储存单元，将新数据以3bpc模式写入目标数据区块134Q中。

由前述说明可知，处理电路124会依据闪存模块130当时已储存的数据量，动态调整要写入数据的目标数据区块134的编程临界电压的范围，甚至可直接指定读写电路132对目标数据区块134写入数据时所使用的编程临界电压。当闪存模块130储存的数据量较低时，处理电路124会控制闪存模块130的读写电路132以较低的编程临界电压(例如图3的电压区间V0内的临界电压或电压区间V1内的临界电压)来编程数据区块134。这种作法不仅能降低将数据写入数据区块时所需的耗电量，更能有效改善闪存模块130的储存单元的耐耗损能力，进而提高闪存模块130中所储存的数据的可靠度。

此外，由于数据区块134的编程临界电压可由处理电路124指定，故在进行数据读取运作时，处理电路124亦可直接指定读写电路132对目标数据区块134进行读取时所使用的读取临界电压(readthresholdvoltage)，进而加快读取闪存模块130的速度。

因此，搭配前述闪存控制器120的控制方式，不仅能用MLC芯片、TLC芯片、甚至是更高阶数的芯片来实现闪存模块130，以满足低成本、高容量的目标，又能有效改善闪存模块130的耐用程度、耐耗损能力、和数据可靠度。这样的架构对于满足节能减碳的产品规格要求有很大帮助，更有助于促进固态硬盘的普及和应用。

以上所述仅为本发明之较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰，皆应属本发明之涵盖范围。

Claims (25)

1.一种闪存控制器，其包含有：

一通信接口，用于接收一第一数据、一第二数据、以及一第三数据；

一记录媒体，用于记录一闪存模块中储存的数据量，其中该闪存模块包含有一读写电路、一第一数据区块、一第二数据区块、与一第三数据区块；以及

一处理电路，耦接于该通信接口、该记录媒体、以及该闪存模块，用于在该闪存模块中储存的数据量低于一第一阀值时，控制该读写电路将该第一数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第一电压范围内，以将该第一数据写入该第一数据区块中，而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时，该处理电路会控制该读写电路将该第三数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第二电压范围内，以将该第三数据写入该第三数据区块中；

其中该第二阀值大于该第一阀值，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

2.如权利要求1所述的闪存控制器，其中该第一电压范围小于该第二电压范围的50％。

3.如权利要求2所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60％。

4.如权利要求2所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的30％。

5.如权利要求1所述的闪存控制器，其中该通信接口还会接收一第四数据，若该第四数据不是冷数据，则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量，来决定要用来储存该第四数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。

6.如权利要求5所述的闪存控制器，其中该通信接口还会接收一第五数据，若该第五数据不是热数据，则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量，来决定要用来储存该第五数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。

7.如权利要求1所述的闪存控制器，其中该通信接口还会接收一第五数据，若该第五数据不是热数据，则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量，来决定要用来储存该第五数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。

8.如权利要求2所述的闪存控制器，其中当该通信接口接收到该第二数据时，若该闪存模块中储存的数据量介于该第一阀值与该第二阀值之间，则该处理电路会控制该读写电路将该第二数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第三电压范围内，以将该第二数据写入该第二数据区块中，且该第三电压范围小于该第二电压范围的60％。

9.如权利要求8所述的闪存控制器，其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的80％。

10.如权利要求8所述的闪存控制器，其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60％。

11.如权利要求8所述的闪存控制器，其中该处理电路会控制该读写电路将该第一数据以每储存单元一位模式写入该第一数据区块中，将该第二数据以每储存单元两位模式写入该第二数据区块中，并将该第三数据以每储存单元三位模式写入该第三数据区块中。

12.如权利要求11所述的闪存控制器，其中该处理电路会依据各数据区块以每储存单元一位模式写入的次数、以每储存单元两位模式写入的次数、及/或以每储存单元三位模式写入的次数，从该闪存模块中选出该第一、第二、和第三数据区块。

13.如权利要求11所述的闪存控制器，其中当该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值，或是空白数据区块数量低于一第四阀值时，该处理电路会控制该读写电路将一或多个以每储存单元一位模式写入数据的候选数据区块中的有效数据，以每储存单元两位模式或每储存单元三位模式写入一目标数据区块，并抹除该候选数据区块。

14.如权利要求11所述的闪存控制器，其中当该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值，或是空白数据区块数量低于一第四阀值时，该处理电路会控制该读写电路将一或多个以每储存单元两位模式写入数据的候选数据区块中的有效数据，以每储存单元三位模式写入一目标数据区块，并抹除该候选数据区块。

15.一种闪存控制器，其包含有：

一记录媒体，用于记录一闪存模块中储存的数据量，其中该闪存模块包含有一读写电路和一目标数据区块；以及

一处理电路，耦接于该记录媒体以及该闪存模块，用于在该闪存模块中储存的数据量小于一第一阀值时，控制该读写电路以一第一电压范围内的编程临界电压来编程该目标数据区块的储存单元，以将数据写入该目标数据区块中，而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时，该处理电路会控制该读写电路以一第二电压范围内的编程临界电压来编程该目标数据区块的储存单元，以将数据写入该目标数据区块中；

其中该第二阀值大于该第一阀值，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

16.如权利要求15所述的闪存控制器，其中该第一电压范围小于该第二电压范围的50％。

17.如权利要求16所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60％。

18.如权利要求16所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的30％。

19.如权利要求16所述的闪存控制器，其中当该闪存模块中储存的数据量介于该第一阀值与该第二阀值之间时，该处理电路会控制该读写电路以一第三电压范围内的编程临界电压来编程该目标数据区块的储存单元，以将数据写入该目标数据区块中，且该第三电压范围小于该第二电压范围的60％。

20.如权利要求19所述的闪存控制器，其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的80％。

21.如权利要求19所述的闪存控制器，其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60％。

22.一种闪存控制器，其包含有：

一记录媒体，用于记录一闪存模块使用中的数据区块数量，其中该闪存模块包含有一读写电路和多个数据区块；以及

一处理电路，耦接于该记录媒体以及该闪存模块，用于在该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值，或是空白数据区块数量低于一第四阀值时，控制该读写电路将多个候选数据区块中的有效数据写入一目标数据区块，并抹除该多个候选数据区块；

其中该多个候选数据区块中的至少一储存单元在被抹除前的编程临界电压是设置于一第一电压范围内，而该目标数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压则是设置于一第二电压范围内，且该第一电压范围的上限值小于该第二电压范围的上限值的80％。

23.如权利要求22所述的闪存控制器，其中该第一电压范围小于该第二电压范围的50％。

24.如权利要求23所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60％。

25.如权利要求23所述的闪存控制器，其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的30％。