CN102953120B - 单晶生长炉压力释放装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种单晶生长炉压力释放装置，包括：密封底座；真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接。本发明单晶生长炉压力释放装置通过自动调节，使炉内压力稳定，从而防止因炉内压力过高而导致的不正常循环和爆炸等不稳定状态。并且此机械密封装置密封性好，磨损小，结构简单，可长期重复使用，并且整个过程无需人工操作，自动完成。

Description

单晶生长炉压力释放装置
技术领域
本发明涉及蓝宝石单晶生产领域，特别是一种单晶生长炉压力释放装置。
背景技术
蓝宝石是一种简单配位型氧化物晶体。具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，被广泛的应用于民用航天、半导体衬底、红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料等，同时晶体生长设备-单晶生长炉也随之得到了飞速的发展。
蓝宝石单晶生长炉属于高真空密封装置，对真空泄漏率的要求很高。由于其工作状态的特殊性，当炉内出现意外情况，例如漏水、误操作等，炉内气压瞬间成万倍数量级增长，严重时甚至会造成单晶炉体爆炸，危及生命财产安全。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种炉内压力稳定，从而防止因炉内压力过高而导致的不正常循环和爆炸等不稳定状态的单晶生长炉压力释放装置。
本发明单晶生长炉压力释放装置，包括：密封底座；真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接。
所述复位装置包括：导杆，所述导杆的一端设有支撑块，所述导杆的另一端与所述密封底座连接，在所述导杆与所述密封底座的连接端的外侧设有外螺纹；复位弹簧，所述复位弹簧套设在所述导杆外侧。
所述密封底座包括相互层叠的真空焊接法兰与泄压盲板，所述真空管道通过所述真空焊接法兰与所述密封底座连接，所述导杆通过所述泄压盲板所述密封底座连接。在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板之间设有O形密封圈。在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板上还进一步设有贯穿所述真空焊接法兰与所述泄压盲板的安装孔，在所述安装孔的内圆周上设有内螺纹。所述安装孔为均匀分布在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板圆周上。所述内螺纹与所述外螺纹契合，所述导杆及所述安装孔通过所述外螺纹与所述内螺纹连接。所述导杆的数量与所述安装孔的数量相同，所述安装孔及述导杆的数量为八个。所述各个导杆等高。所述真空管道与所述密封底座为垂直同轴安装。
本发明单晶生长炉压力释放装置通过自动调节，使炉内压力稳定，从而防止因炉内压力过高而导致的不正常循环和爆炸等不稳定状态。并且此机械密封装置密封性好，磨损小，结构简单，可长期重复使用，并且整个过程无需人工操作，自动完成。
附图说明
图1为本发明单晶生长炉压力释放装置侧视剖视图；
图2为本发明单晶生长炉压力释放装置结构俯视图；
图3为本发明单晶生长炉压力释放装置结构示意图；
本发明单晶生长炉压力释放装置附图中附图标记说明：
1-真空管道  2-真空焊接法兰  3-O形密封圈  4-导杆
5-复位弹簧  6-泄压盲板      7-安装孔     8-支撑块
具体实施方式
下面结合附图对本发明单晶生长炉压力释放装置作进一步详细说明。
如图1、图2、图3所示，本发明单晶生长炉压力释放装置，包括：泄压盲板6；真空管道1，真空管道1设置在泄压盲板6上；导杆4，导杆4的一端与泄压盲板6连接，导杆4的另一端设有支撑块8。真空管道1通过真空焊接法兰2与泄压盲板6连接。真空焊接法兰2与泄压盲板6之间还设有O形密封圈3。泄压盲板6上还设有安装孔7。导杆4通过安装孔7与泄压盲板6连接。安装孔7的数量为八个，安装孔7为均匀分布在泄压盲板6圆周上。在导杆4的外侧设有压缩弹簧5。真空管道1与泄压盲板6及真空焊接法兰2同轴连接。
工作时，真空管道1、真空焊接法兰2、O型密封圈3、泄压盲板6共同组成了真空腔体正常运行时的密封装置。根据泄压盲板6的重力及要求的开启压力，计算出压缩弹簧5的压缩量，通过导杆4的螺纹端面安装到位，控制密封接触面紧密结合，密封效果良好，无泄漏。当炉内压力过高，超过要求的开启压力时，压缩弹簧5被进一步压缩，泄压盲板6位置下移，与真空焊接法兰2产生间隙，炉内部分气体从空隙出排出，从而使炉内压力下降。压缩弹簧5由于受等高导杆4下端面限制，积蓄弹性势能，当炉内压力下降到低于开启压力时，密封接触面重新结合，恢复密封状态。装置继续运行。
本发明单晶生长炉压力释放装置通过自动调节，使炉内压力稳定，从而防止因炉内压力过高而导致的不正常循环和爆炸等不稳定状态。并且此机械密封装置密封性好，磨损小，结构简单，可长期重复使用，并且整个过程无需人工操作，自动完成。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (6)

1.单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，包括：
密封底座；
真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；
复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接；
所述复位装置包括：
导杆，所述导杆的一端设有支撑块，所述导杆的另一端与所述密封底座连接，在所述导杆与所述密封底座的连接端的外侧设有外螺纹；
复位弹簧，所述复位弹簧套设在所述导杆外侧；
所述密封底座包括相互层叠的真空焊接法兰与泄压盲板，所述真空管道通过所述真空焊接法兰与所述密封底座连接，所述导杆通过所述泄压盲板所述密封底座连接；
在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板上还进一步设有贯穿所述真空焊接法兰与所述泄压盲板的安装孔，在所述安装孔的内圆周上设有内螺纹；
所述内螺纹与所述外螺纹契合，所述导杆及所述安装孔通过所述外螺纹与所述内螺纹连接。
2.根据权利要求1所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板之间设有O形密封圈。
3.根据权利要求2所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述安装孔为均匀分布在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板圆周上。
4.根据权利要求3所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述导杆的数量与所述安装孔的数量相同，所述安装孔及述导杆的数量为八个。
5.根据权利要求4所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述导杆等高。
6.根据权利要求1所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述真空管道与所述密封底座为垂直同轴安装。
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