CN102944532A - 一种测量光刻胶折射率的方法 - Google Patents

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王银萍
陶春先
赵曼彤
王�琦
倪争技
黄元申
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Abstract

本发明涉及一种测量光刻胶折射率的方法，在空白基底甩上一层厚的均匀的光刻胶并烘干，这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出先在相应的波长下进行曝光再测量。用分光光度计分别测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过率。将测量数据用Macleod软件用极值法进行分析计算，便可得到光刻胶曝光后的折射率。测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率，具有重要意义。可广泛应用于光学仪器、微机电系统、光电子器件及生物医学等领域。

Description

一种测量光刻胶折射率的方法
技术领域
本发明涉及一种测量方法，特别涉及一种测量光刻胶折射率的方法。
背景技术
光刻胶是一类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，由于具备比较小的表面张力的特性，使得光刻胶具有良好的流动性和均匀性。光刻胶的英文是Photo Resist，又称光致抗蚀剂，是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区域能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化，是转移紫外曝光或电子束曝光图案的媒介。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。精确获得光刻胶的折射率，对于器件的设计，结构优化等有着十分重要的参考意义。最常见的测量液体折射率的仪器是使用阿贝折射仪，但是阿贝折射仪的测量折射率的波段较短（DR-M2多波长阿贝折射仪，测量波段为450nm-1100nm）。
发明内容
本发明是针对现有的折射仪测量折射率的波段较短的问题，提出了一种测量光刻胶折射率的方法，提出根据光谱来获得光刻胶折射率不仅测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率。
本发明的技术方案为：一种测量光刻胶折射率的方法，包括如下具体步骤：
1）用匀胶机在空白基底层甩上一层厚度均匀的光刻胶层，并烘干，如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下进行曝光；
2）用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线；
3）用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，得到光刻胶折射率曲线。
所述步骤1）中光刻胶层厚度为6.4±0.2μm。
所述步骤1）中空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330。光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。
本发明的有益效果在于：本发明测量光刻胶折射率的方法，基于光谱法利用Macleod软件计算测量，测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率，具有重要意义。可广泛应用于光学仪器、微机电系统、光电子器件及生物医学等领域。
附图说明
图1为本发明镀有光刻胶样品的结构示意图；
图2为本发明用分光光度计所测得的样品透射光谱特性曲线图；
图3为本发明已曝光的光刻胶在900-1300nm波长范围内的折射率图；
图4为本发明已曝光的光刻胶在1300-1900nm波长范围内的折射率图；
图5为本发明未曝光的光刻胶在950-1350nm波长范围内的折射率图；
图6为本发明未曝光的光刻胶在1300-2000nm波长范围内的折射率图。
具体实施方式
一种测量光刻胶折射率的方法：空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330，该型号光刻胶在紫外可见波段都比较强的光灵敏度，实施例制备的光刻胶厚度为6.4±0.2μm，曝光的光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。
具体步骤如下：
1．如图1所示镀有光刻胶样品的结构示意图，用匀胶机在空白基底1层甩上一层厚度为6.4±0.2μm的均匀光刻胶2层，并烘干，这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下先进性曝光再测量。
2．用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线，如图2所示用分光光度计所测得的样品透射光谱特性曲线图。
3．用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，这样得到如图3～6所示的光刻胶折射率曲线。
图3～6是光刻胶样品在不同光波段下的折射率：图3为已曝光的光刻胶在900-1300nm波长范围内的折射率，图4为已曝光的光刻胶在1300-1900nm波长范围内的折射率，图5为未曝光的光刻胶在950-1350nm波长范围内的折射率，图6为未曝光的光刻胶在1300-2000nm波长范围内的折射率。本发明成功实现了利用光谱测量法测量出光刻胶的折射率。

Claims (4)

1.一种测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
1）用匀胶机在空白基底层甩上一层厚度均匀的光刻胶层，并烘干，如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下进行曝光；
2）用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线；
3）用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，得到光刻胶折射率曲线。
2.根据权利要求1所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤1）中光刻胶层厚度为6.4±0.2μm。
3.根据权利要求1所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤1）中空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330。
4.根据权利要求3所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤1）中光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。
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