CN102931356A - 一种热转印结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种热转印结构，适用于有机发光器件的激光诱导热成像制程，该热转印结构包括：一转印层，包括一待转印的发光层以及一电子传输层位于该待转印的发光层的上方；以及一载子传输层，设置于转印层与一给体薄膜层之间，其中，该给体薄膜层为一电子注入层，位于热转印结构的最上方，并且该载子传输层的材质与电子传输层的材质相同。采用本发明，将至少一载子传输层设置于转印层与一给体薄膜层之间，且使该载子传输层的材质与电子传输层的材质或空穴传输层的材质相同，从而可成功地分离转印介面和异质介面，消除热转印结构的介面特性不良情形，提升组件的特性和效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光器件（Organic Light Emitting Device，OLED）显示器的激光诱导热成像（Laser Induced Thermal Imaging，LITI）制程领域，尤其涉及一种用于LITI制程的热转印结构。
背景技术
当前，一些电子器件包括有机层。例如，有机发光器件（OrganicLight Emitting Device，OLED）包括多个有机层，并且已经采用各种方法来形成这些有机层。一般来说，这些形成方法大致包括沉积法、喷墨法和激光诱导热成像法。
在LITI制程中，通常使用给体薄膜（donor film）装置来提供转印层。具体地，给体薄膜装置放置在部分制成的电子装置（半成品装置）上，从而转印层接触该半成品装置的表面（接收表面），转印层被转移到该半成品装置上。然后，激光束被施加到给体薄膜装置的被选择区域上，该激光束在给体薄膜装置的被选择区域中产生热量。该热量使转印层的目标部分实现分离。当给体薄膜装置移开时，转印层分离的部分留在半成品装置表面。
在上述热转印过程中，转印层尤其是其中的发光层，往往与其他层之间的接触面（如，转印面和接触面）产生缺陷，使得OLED特性由于其介面特性不佳而遭受影响。为了在这一问题上持续进行改良，传统的LITI制程的一种解决方案是在于，在转印层中的发光层的上方设置一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL），以便该发光层远离转印面；或者，在转印层中的发光层的下方设置一空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL），以便该发光层远离接触面；或者，在转印层中的发光层的上方和下方分别设置一电子传输层和一空穴传输层，使发光层同时远离转印面和接触面。但是，转印层上方的给体薄膜通常为电子注入层（Electron InjectionLayer，EIL），转印层下方的给体薄膜通常为空穴注入层（HoleInjection Layer，HIL），致使上述电子传输层与电子注入层之间的介面仍然为异质介面，且上述空穴传输层与空穴注入层之间的介面仍然为异质介面，所以，LITI制程的组件效率提高较为有限。
有鉴于此，如何设计一种新的热转印结构，在消除上述介面特性不良的同时，还可有效提升组件的效率，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的热转印结构在设计时所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的热转印结构。
依据本发明的一个方面，提供了一种热转印结构，适用于有机发光器件的激光诱导热成像制程，该热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；以及
一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL），位于所述待转印的发光层的上方；以及
一载子传输层，设置于所述转印层与一给体薄膜层之间，
其中，所述给体薄膜层为一电子注入层（Electron InjectionLayer，EIL），位于所述热转印结构的最上方，并且所述载子传输层的材质与所述电子传输层的材质相同。
优选地，载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层贴合热转印后制成。
优选地，载子传输层的厚度不小于2纳米。
依据本发明的另一个方面，提供了一种热转印结构，适用于有机发光器件的激光诱导热成像制程，该热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；以及
一空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL），位于所述待转印的发光层的下方；以及
一载子传输层，设置于所述转印层与一给体薄膜层之间，
其中，所述给体薄膜层为一空穴注入层（Hole Injection Layer，HIL），位于所述热转印结构的最下方，并且所述载子传输层的材质与所述空穴传输层的材质相同。
优选地，载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层贴合热转印前制成。
优选地，载子传输层的厚度不小于2纳米。
依据本发明的又一个方面，提供了一种热转印结构，适用于有机发光器件的激光诱导热成像制程，该热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；
一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL），位于所述待转印的发光层的上方；以及
一空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL），位于所述待转印的发光层的下方；
一第一给体薄膜层，位于所述热转印结构的最上方；
一第二给体薄膜层，位于所述热转印结构的最下方；
一第一载子传输层，设置于所述第一给体薄膜层与所述电子传输层之间；以及
一第二载子传输层，设置于所述第二给体薄膜层与所述空穴传输层之间，
其中，所述第一载子传输层的材质与所述电子传输层的材质相同，所述第二载子传输层的材质与所述空穴传输层的材质相同。
优选地，第一载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层进行贴合热转印之后制成，所述第二载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层进行贴合热转印之前制成。
优选地，第一给体薄膜层为一电子注入层（Electron InjectionLayer，EIL），所述第二给体薄膜层为一空穴注入层（Hole InjectionLayer，HIL）。
优选地，该第一载子传输层和该第二载子传输层的厚度均不小于2纳米。
采用本发明的热转印结构，将至少一载子传输层设置于转印层与一给体薄膜层之间，且使该载子传输层的材质与电子传输层的材质或空穴传输层的材质相同，从而可成功地分离转印介面和异质介面，消除热转印结构的介面特性不良情形，提升组件的特性和效率。
附图说明
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
图1示出现有技术中的热转印结构的组成框图；
图2示出依据本发明的一具体实施例的热转印结构的组成框图；
图3示出依据本发明的另一具体实施例的热转印结构的组成框图；以及
图4示出依据本发明的又一具体实施例的热转印结构的组成框图。
具体实施方式
为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
下面参照附图，对本发明各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。
图1示出现有技术中的热转印结构的组成框图。参照图1，该热转印结构包括一转印层（transfer layer）、一第一给体薄膜层（donor film）10、一第二给体薄膜层30、一阴极和一阳极。其中，该第一给体薄膜层为一电子注入层（Electron Injection Layer，EIL），该阴极位于该电子注入层10的上方。该第二给体薄膜层为一空穴注入层（Hole Injection Layer，HIL），该阳极位于该空穴注入层30的下方。
转印层包括一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL）201、一发光层（Emitting Layer，EL）203和一空穴传输层（Hole TransportLayer，HTL）205。其中，电子传输层201位于发光层203的上方，空穴传输层205位于发光层203的下方，发光层203位于电子传输层201和空穴传输层205二者之间，从而使得发光层203既可远离转印介面S1，又可远离转印介面S2。在此，术语“转印介面”是指转印层与第一给体薄膜层或第二给体薄膜层之间的接触面，例如，转印层与电子注入层10之间对应于转印介面S1，转印层与空穴注入层30之间对应于转印介面S2。
然而，由于电子注入层10与转印层中的电子传输层201属于不同性质的半导体层，因而该转印介面S1也是异质介面。类似地，由于空穴注入层30与转印层中的空穴传输层205属于不同性质的半导体层，该转印介面S2也是异质介面。如前所述，在现有的热转印结构中，正是由于异质介面S1和S2的存在，或者说，异质介面与转印介面相重合，才导致LITI制程的组件效率仍然较低。
为了有效地解决上述缺陷或困扰，本发明提供了一种新颖的热转印结构。图2示出依据本发明的一具体实施例的热转印结构的组成框图。
参照图2，在有机发光器件（Organic Light Emitting Device，OLED）的激光诱导热成像（Laser Induced Thermal Imaging，LITI）制程中，本发明的热转印结构包括一转印层、一第一给体薄膜层（donor film）10、一第二给体薄膜层30、一阴极和一阳极。第一给体薄膜层10位于转印层的上方，第二给体薄膜层30位于转印层的下方。在图2中，第一给体薄膜层10为电子注入层，第二给体薄膜层30为空穴注入层。
具体地，该转印层采用多个半导体层叠而成，自上而下依次为电子传输层201和发光层203。为了改善LITI制程的组件效率，该热转印结构还包括一载子传输层40。该载子传输层40设置于转印层中的电子传输层201与电子注入层10之间，并且该载子传输层40的材质与电子传输层201的材质相同，亦即，载子传输层40也为电子传输层。
由此可知，在图2的热转印结构中，转印层的电子传输层201与电子传输层40之间的转印介面S1不同于电子传输层40与电子注入层10之间的异质介面S3。相比于现有技术，采用本发明的热转印结构，可实现转印介面S1与异质介面S3二者的分离，进而消除热转印结构的介面特性不良情形，提升组件的特性和效率。
在一具体实施例中，该载子传输层40在进行贴合热转印之后以涂布或蒸镀方式制作而成。
在一具体实施例中，该载子传输层的厚度不小于2纳米。
图3示出依据本发明的另一具体实施例的热转印结构的组成框图。
参照图3，在该实施例中，热转印结构包括一转印层、一第一给体薄膜层10、一第二给体薄膜层30、一阴极和一阳极。第一给体薄膜层10位于转印层的上方，第二给体薄膜层30位于转印层的下方。在图3中，第一给体薄膜层10为电子注入层，第二给体薄膜层30为空穴注入层。
具体地，该转印层采用多个半导体层叠而成，自上而下依次为发光层203和空穴传输层205。为了改善LITI制程的组件效率，该热转印结构还包括一载子传输层50。该载子传输层50设置于转印层中的空穴传输层205与空穴注入层30之间，并且该载子传输层50的材质与空穴传输层205的材质相同，亦即，载子传输层50也为空穴传输层。
类似于图2，在图3的热转印结构中，转印层的空穴传输层205与空穴传输层50之间的转印介面S2不同于空穴传输层50与空穴注入层30之间的异质介面S4，因而可实现转印介面S2与异质介面S4二者的分离，消除热转印结构的介面特性不良情形，提升组件的特性和效率。
在一具体实施例中，该载子传输层50在进行贴合热转印之前以涂布或蒸镀方式制作而成。
在一具体实施例中，该载子传输层50的厚度不小于2纳米。
图4示出依据本发明的又一具体实施例的热转印结构的组成框图。
不同于图2和图3，在图4的实施例中，该转印层采用多个半导体层叠而成，自上而下依次为电子传输层201、发光层203和空穴传输层205。对应地，该热转印结构同时包括一第一载子传输层40和一第二载子传输层50。该第一载子传输层40设置于第一给体薄膜层10与转印层的电子传输层201之间，该第二载子传输层50设置于第二给体薄膜层30与转印层的空穴传输层205之间。需要指出的是，第一载子传输层40的材质与电子传输层201的材质相同，第二载子传输层50的材质与空穴传输层205的材质相同。亦即，第一载子传输层40为一电子传输层，第二载子传输层50为一空穴传输层。
在一具体实施例中，第一载子传输层40和第二载子传输层50以涂布或蒸镀方式制成。更具体地，第一载子传输层40在转印层进行贴合热转印之后制成，而第二载子传输层50在转印层进行贴合热转印之前制成。此外，第一载子传输层40和第二载子传输层50的厚度均不小于2纳米。
采用本发明的热转印结构，将至少一载子传输层设置于转印层与一给体薄膜层之间，且使该载子传输层的材质与电子传输层的材质或空穴传输层的材质相同，从而可成功地分离转印介面和异质介面，消除热转印结构的介面特性不良情形，提升组件的特性和效率。
上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种热转印结构，适用于有机发光器件（Organic LightEmitting Device，OLED）的激光诱导热成像（Laser Induced ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；以及
一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL），位于所述待转印的发光层的上方；以及
一载子传输层，设置于所述转印层与一给体薄膜层之间，
其中，所述给体薄膜层为一电子注入层（Electron InjectionLayer，EIL），位于所述热转印结构的最上方，并且所述载子传输层的材质与所述电子传输层的材质相同。
2.根据权利要求1所述的热转印结构，其特征在于，所述载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层贴合热转印后制成。
3.根据权利要求1所述的热转印结构，其特征在于，所述载子传输层的厚度不小于2纳米。
4.一种热转印结构，适用于有机发光器件（Organic LightEmitting Device，OLED）的激光诱导热成像（Laser Induced ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；以及
一空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL），位于所述待转印的发光层的下方；以及
一载子传输层，设置于所述转印层与一给体薄膜层之间，
其中，所述给体薄膜层为一空穴注入层（Hole Injection Layer，HIL），位于所述热转印结构的最下方，并且所述载子传输层的材质与所述空穴传输层的材质相同。
5.根据权利要求4所述的热转印结构，其特征在于，所述载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层贴合热转印前制成。
6.根据权利要求4所述的热转印结构，其特征在于，所述载子传输层的厚度不小于2纳米。
7.一种热转印结构，适用于有机发光器件（Organic LightEmitting Device，OLED）的激光诱导热成像（Laser Induced ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述热转印结构包括：
一转印层，包括：
一待转印的发光层；
一电子传输层（Electron Transport Layer，ETL），位于所述待转印的发光层的上方；以及
一空穴传输层（Hole Transport Layer，HTL），位于所述待转印的发光层的下方；
一第一给体薄膜层，位于所述热转印结构的最上方；
一第二给体薄膜层，位于所述热转印结构的最下方；
一第一载子传输层，设置于所述第一给体薄膜层与所述电子传输层之间；以及
一第二载子传输层，设置于所述第二给体薄膜层与所述空穴传输层之间，
其中，所述第一载子传输层的材质与所述电子传输层的材质相同，所述第二载子传输层的材质与所述空穴传输层的材质相同。
8.根据权利要求7所述的热转印结构，其特征在于，所述第一载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层进行贴合热转印之后制成，所述第二载子传输层以涂布或蒸镀方式在所述转印层进行贴合热转印之前制成。
9.根据权利要求7所述的热转印结构，其特征在于，所述第一给体薄膜层为一电子注入层（Electron Injection Layer，EIL），所述第二给体薄膜层为一空穴注入层（Hole Injection Layer，HIL）。
10.根据权利要求7所述的热转印结构，其特征在于，所述第一载子传输层和所述第二载子传输层的厚度均不小于2纳米。
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| CN 201210447457 CN102931356A (zh) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 一种热转印结构 |
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| CN 201210447457 CN102931356A (zh) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 一种热转印结构 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105655369A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-06-08 | 汤宝林 | 串行热转印电致发光显示器 |
| CN114055970A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 湖南鼎一致远科技发展有限公司 | 可热转印的器件层结构和色带结构及其制备方法 |
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2012
- 2012-11-09 CN CN 201210447457 patent/CN102931356A/zh active Pending
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| CN114055970A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 湖南鼎一致远科技发展有限公司 | 可热转印的器件层结构和色带结构及其制备方法 |
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