CN102929112A - 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构 - Google Patents

一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构 Download PDF

Info

Publication number
CN102929112A
CN102929112A CN2012104582750A CN201210458275A CN102929112A CN 102929112 A CN102929112 A CN 102929112A CN 2012104582750 A CN2012104582750 A CN 2012104582750A CN 201210458275 A CN201210458275 A CN 201210458275A CN 102929112 A CN102929112 A CN 102929112A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment mark
mark structure
zero
layer alignment
medium substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012104582750A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102929112B (zh
Inventor
曹乾涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 41 Institute
Original Assignee
CETC 41 Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 41 Institute filed Critical CETC 41 Institute
Priority to CN201210458275.0A priority Critical patent/CN102929112B/zh
Publication of CN102929112A publication Critical patent/CN102929112A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102929112B publication Critical patent/CN102929112B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔。该介质基片零层对准标记结构可以为一个直角三角形、一个长方形、一个直角梯形，零层对准标记结构所在的介质基片材料包括：纯度99．6％以上的氧化铝陶瓷、蓝宝石，介质基片厚度为：0．1mm～0．65mm。采用本对准标记结构，不但可确保在含微小阵列金属化通孔的介质基片上光刻薄膜电阻和金属导带图形的对准精度，而且还能提高微波薄膜集成电路的成品率。

Description

一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构
技术领域
本发明涉及一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，尤其涉及一种与微波薄膜混合集成电路或其它微型器件制造领域内的光刻装置有关的对准标记。
背景技术
在微波频段，较多的电路需要直接接地，微小通孔金属化是良好的接地方法。其目的是减少接地电感和缩短传热通道，对微波和毫米波的器件及电路设计尤为重要。因此，微小金属化通孔成为了微波毫米波集成电路的一种常用无源元件，通孔形状通常为圆形。
微波薄膜混合集成电路对表面涂覆层金属材料的选择要求包括以下五个方面：(1)高电导率；(2)低电阻温度系数；(3)对基片附着性能好；(4)好的刻蚀性和可焊性；(5)易于沉积和电镀。到目前为止，还没有一种金属材料能够全面完美地满足涂覆层要求，因此，只能够利用各种不同材料各自的优点设计成多层薄膜结构，一般由电阻层、粘附层和导电层构成，主要有TaN/TiW/Au、TaN/Cr/Au、TaN/Ti/Au、TaN/TiW/Pd/Au、TaN/TiW/Ni/Au、Ta/Cr/Au、Ta/Ti/Au、Ta/NiCr/Au等结构形式，其中TaN和Ta用作薄膜电阻。
采用半导体集成电路的大基片、多单元方式加工微波薄膜混合集成电路，生产效率高，产品一致性和重复性好。在介质基片上制作含微小阵列金属化通孔的微波薄膜混合集成电路工艺流程如图1所示。
从图1可见，微小通孔的激光加工发生在介质基片真空沉积电阻薄膜和多层金属薄膜、光刻、刻蚀等工序之前，微小通孔作为电路图形结构的重要组成部分已经在介质基片上实现了阵列有序定位，并通过沉积多层金属薄膜实现了通孔内壁和边缘的金属化种子层制备。
现有光刻对准标记为介质基片上阵列圆形通孔最外围的任意一个或多个通孔组合，在真空沉积电阻薄膜和多层金属薄膜后，该对准标记形貌依然清晰完好。
使用现有光刻对准标记存在以下不足：
(1)该对准标记为圆形通孔，通过X、Y方向手轮运动不方便对准；
(2)光刻对准时，由于该对准标记的位置不特殊，搜索对准标记困难，影响工作效率；
(3)该对准标记和其它阵列通孔的结构相同，容易混淆，一旦混淆，轻者返工，重者影响成品率；
(4)该对准标记还是一个或多个阵列电路图形的组成部分，为了提高成品率，无论采用正胶光刻工艺还是负胶光刻工艺，刻蚀电阻薄膜和多层金属薄膜形成电路图形前，防止该对准标记的内壁和边缘沉积的多层薄膜材料被刻蚀，还需对其进行手动补胶保护，这样就增加了额外工序。
发明内容
针对上述缺点，本发明设计一种不占阵列图形空间、容易搜索、形貌受工艺过程影响小的对准标记结构并且能提供良好的对准对比度。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔。
在上述的零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个直角三角形。
在上述的零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个长方形。
在上述的零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个直角梯形。
可选的，上述的零层对准标记结构所在的介质基片材料包括：纯度99．6％以上的氧化铝陶瓷、蓝宝石。
可选的，上述的零层对准标记结构所在的介质基片厚度为：O．1mm～O．65mm。
本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构为直角型纵向通孔，通过X、Y方向手轮运动方便对准；该对准标记结构位置处在介质基片边缘，容易搜索；该对准标记结构不占用任何一个阵列有序的通孔，可以与阵列有序的微小通孔一起加工完成，无需增加额外工序；通孔的加工形状是由微处理机进行程序控制，将高效能激光器与高精度的机床及控制系统配合来完成，直角形通孔与圆形通孔相比未增加加工难度；该对准标记结构的形貌受工艺过程影响小，可确保在含微小阵列金属化通孔的介质基片上光刻薄膜电阻和金属导带图形的对准精度和提高微波薄膜混合集成电路的成品率。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施例作进一步详细的说明。
图1含微小阵列通孔的微波薄膜混合集成电路工艺流程图：
图2本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构第一实施例的示意图(含俯视图和主视图，下同。)；
图3本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构第二实施例的示意图；
图4本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构第三实施例的示意图。
其中：6为介质基片；7为阵列通孔；8、9、10为零层对准标记结构；H1、H2、H3为厚度。
具体实施方式
以下将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述；应当理解，优选实施例仅为了说明本发明，而不是为了限制本发明的保护范围。
本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，为设置在介质基片6边缘的直角型纵向通孔。
实施例1
参见图2，所述零层对准标记结构8为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个直角三角形。本实施例中零层对准标记结构8所在的介质基片6，材料为纯度99.6％以上的氧化铝陶瓷，平面尺寸为50.8mm x 50.8mm，厚度H1为0.635mm。
实施例2
参见图3，所述零层对准标记结构9为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个长方形。本实施例中零层对准标记结构9所在的介质基片6，材料为纯度99.6％以上的氧化铝陶瓷，平面尺寸为50.8mm×50.8mm，厚度H2为0.254mm。
实施例3
参见图4，所述零层对准标记结构10为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个直角梯形。本实施例中零层对准标记结构10所在的介质基片6，材料为蓝宝石，平面尺寸为50.8mm×50.8mm，厚度H3为0.508mm。
在微波薄膜混合集成电路制作过程中，使用图2至图4中所述的零层对准标记结构8、9、10可以确保介质基片上微波薄膜混合集成电路制造在其预设位置。
综上所述，本发明所述的一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔，可确保在含微小阵列金属化通孔的介质基片上光刻薄膜电阻和金属导带图形的对准精度，而且还能提高微波薄膜混合集成电路的成品率。

Claims (5)

1.一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，其特征在于，该零层对准标记结构为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔，用于水平和垂直方向对准。
2.如权利要求1所述的零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个直角三角形。
3.如权利要求1所述的零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个长方形。
4.如权利要求1所述的零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个直角梯形。
5.如权利要求1所述的零层对准标记结构，所在的介质基片为纯度99．6％以上的氧化铝基片或蓝宝石基片，基片的厚度范围为：0．1mm～0．65mm。
CN201210458275.0A 2012-06-27 2012-11-15 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构 Expired - Fee Related CN102929112B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210458275.0A CN102929112B (zh) 2012-06-27 2012-11-15 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210222386.1 2012-06-27
CN2012102223861A CN102749817A (zh) 2012-06-27 2012-06-27 一种介质基片零层对准标记结构
CN201210458275.0A CN102929112B (zh) 2012-06-27 2012-11-15 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102929112A true CN102929112A (zh) 2013-02-13
CN102929112B CN102929112B (zh) 2015-11-25

Family

ID=47030116

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012102223861A Pending CN102749817A (zh) 2012-06-27 2012-06-27 一种介质基片零层对准标记结构
CN201210458275.0A Expired - Fee Related CN102929112B (zh) 2012-06-27 2012-11-15 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012102223861A Pending CN102749817A (zh) 2012-06-27 2012-06-27 一种介质基片零层对准标记结构

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN102749817A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112688071A (zh) * 2020-12-28 2021-04-20 苏州芯镁信电子科技有限公司 一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109122A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc アライメントマークの形成方法、およびデバイスが構成される基板
CN101097302A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 柔性显示器及形成该柔性显示器的对准标记的方法
CN101226891A (zh) * 2008-02-01 2008-07-23 中国电子科技集团公司第五十五研究所 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
CN101266409A (zh) * 2007-03-14 2008-09-17 日立比亚机械股份有限公司 激光加工装置
CN101359188A (zh) * 2007-08-02 2009-02-04 优志旺电机株式会社 带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法
CN101436581A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 泉州波园射频新技术研究中心 微波低波段超微型混合集成电路及其制备工艺
US20110115057A1 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Design structure for integrated circuit alignment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109122A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc アライメントマークの形成方法、およびデバイスが構成される基板
CN101097302A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 柔性显示器及形成该柔性显示器的对准标记的方法
CN101266409A (zh) * 2007-03-14 2008-09-17 日立比亚机械股份有限公司 激光加工装置
CN101359188A (zh) * 2007-08-02 2009-02-04 优志旺电机株式会社 带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法
CN101436581A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 泉州波园射频新技术研究中心 微波低波段超微型混合集成电路及其制备工艺
CN101226891A (zh) * 2008-02-01 2008-07-23 中国电子科技集团公司第五十五研究所 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
US20110115057A1 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Design structure for integrated circuit alignment

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王斌等: "多层结构微波毫米波薄膜电路制作工艺研究", 《电子工艺技术》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102749817A (zh) 2012-10-24
CN102929112B (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014535176A (ja) 高インピーダンス表面
KR20210013337A (ko) 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 증착 마스크의 제조 방법 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
CN106610742B (zh) 触控面板及其制造方法
WO2011091334A2 (en) Thermal management
US8253025B2 (en) Printed circuit board having electromagnetic bandgap structure
EP3378288A1 (en) Circuit card assembly and method of providing same
CN102929112B (zh) 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构
JP6028882B2 (ja) 電子デバイス
KR20190013683A (ko) 액추에이터 코일 구조체
US20130126222A1 (en) Method for producing an electrical multi-layer component and electrical multi-layer component
US7879438B2 (en) Substrate warpage-reducing structure
CN110729200A (zh) 一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法
WO2010111832A1 (en) Substrate warpage-reducing structure
US7019307B1 (en) Delay line anodes
US20170243833A1 (en) Package module and method of manufacturing the same
JP6314403B2 (ja) 導電性メッシュシートの製造方法及びフォトマスク
CN112951528B (zh) 电阻器元件
US10490550B1 (en) Larger-area integrated electrical metallization dielectric structures with stress-managed unit cells for more capable extreme environment semiconductor electronics
TWI513183B (zh) 被動元件單元及相關的製造方法
JP6314404B2 (ja) 導電性メッシュシートの製造方法及びフォトマスク
CN113130155B (zh) 电阻器组件
Wang et al. Optimization of NiCr thin film resistor on semi-insulating-GaAs substrate in advanced integrated passive device process
CN107887081A (zh) 一种提高微带金属化通孔膜层附着力的方法
US20060021869A1 (en) System for and method of ensuring accurate shadow mask-to-substrate registration in a deposition process
JP2019087813A (ja) Ｌｃ共振アンテナ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: No. 726 Changzheng Road, Bengbu, Anhui Province

Patentee after: The 41st Institute of CETC

Address before: 266000 Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong Xiangjiang Road, No. 98

Patentee before: The 41st Institute of CETC

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20151125

Termination date: 20191115