CN112688071A - 一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，具体涉及到天线技术领域。本发明包括如下：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；硅片表面沉积一层金属种子层；金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；金属种子层上电镀一层复合金属层；硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。本发明提出的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低。
Description
技术领域
本发明属于天线技术领域，具体涉及一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法。
背景技术
太赫兹频段一般意义上是指频率处于0.1-10THz范围内的电磁波。使用太赫兹频段进行无线传输,传输速率能够得到巨大提升。根据波段的不同，太赫兹天线分为圆锥喇叭天线、角锥喇叭天线、对角喇叭天线、高斯高增益天线、透镜喇叭天线、卡塞格林天线等，此类天线均为抛物面结构，存在馈源遮挡，导致信号损失，并且太赫兹电磁波受介质的阻挡，使传输天线损耗大，辐射较低。因此，现需一种能够解决上述问题的不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低。
本发明提供了如下的技术方案：
一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，包括如下：
S1：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；
S2：将S1中烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；
S3：向S2中的硅片表面沉积一层金属种子层；
S4：将S3中的金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；
S5：将S4中硅片的金属种子层上电镀一层复合金属层；
S6：将S5中硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；
S7：采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；
S8：将S7中制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。
优选的，S1中的硅片通过RCA标准法清洗。
优选的，S1中的硅片烘干温度为80℃，烘干时间为30min。
优选的，S2中的硅片通过LPCVD进行沉积。
优选的，S3中的硅片通过磁控溅射或者热蒸发进行沉积。
优选的，S3中的金属种子层为镍铜或铬铜。
优选的，S5中的复合金属层由镍和铜交替电镀，镍层和铜层的厚度为1～3:1。
优选的，S5中的复合金属层表面电镀一层金。
优选的，S5中的复合金属层上预留对准窗口。
本发明的有益的效果：
本发明具有结构剖面低，无馈源遮挡，能够有效的产生高增益波束，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低，天线结构可靠性高、耐候性强。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的俯视图；
图2是本发明的剖视图。
附图标记说明：
1、复合金属层；2、硅片；3、对准窗口。
具体实施方式
如图1和图2所示，一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，包括如下：
S1：通过RCA标准法清洗硅片2，然后通过氮气对硅片2进行烘干，烘干温度为80℃，烘干时间为30min；
S2：将S1中烘干的硅片2表面通过LPCVD沉积一层氮化硅；
S3：向S2中的硅片2表面通过磁控溅射或者热蒸发沉积一层金属种子层，金属种子层为镍铜或铬铜；
S4：将S3中的金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；
S5：将S4中硅片2的金属种子层上电镀一层复合金属层1，复合金属层1由镍和铜交替电镀，镍层和铜层的厚度为1～3:1，复合金属层1上预留对准窗口3；
S6：将S5中复合金属层1表面电镀一层金，防止复合金属层1氧化；
S7：将S6中硅片2的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口3；
S8：采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层1下方的硅片2；
S9：将S8中制得的四片硅片2通过胶键合的方式进行摞列。
本发明的工作方式：四片硅片2的上下表面依次通过胶水进行粘结，对准窗口3便于硅片2之间粘结位置准确，金可起到保护复合金属层1的作用，本发明具有结构剖面低，无馈源遮挡，能够有效的产生高增益波束，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低，天线结构可靠性高、耐候性强。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于，包括如下：
S1：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；
S2：将S1中烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；
S3：向S2中的硅片表面沉积一层金属种子层；
S4：将S3中的金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；
S5：将S4中硅片的金属种子层上电镀一层复合金属层；
S6：将S5中硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；
S7：采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；
S8：将S7中制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。
2.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S1中的硅片通过RCA标准法清洗。
3.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S1中的硅片烘干温度为80℃，烘干时间为30min。
4.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S2中的硅片通过LPCVD进行沉积。
5.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S3中的硅片通过磁控溅射或者热蒸发进行沉积。
6.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S3中的金属种子层为镍铜或铬铜。
7.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层由镍和铜交替电镀，镍层和铜层的厚度为1～3:1。
8.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层表面电镀一层金。
9.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层上预留对准窗口。
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