一种硫堇修饰三维石墨烯材料及其制备方法
技术领域
本发明属于功能化材料技术领域,尤其涉及一种硫堇修饰三维石墨烯材料及其制备方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料。2004年,英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫,成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯,证实它可以单独存在,两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”为由,共同获得2010年诺贝尔物理学奖。
石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料,它几乎是完全透明的,只吸收2.3%的光,导热系数高达5300W/m·K,高于碳纳米管和金刚石,常温下其电子迁移率超过15000cm2/V·s,比纳米碳管或硅晶体高,而电阻率只约10-6Ω·cm,比铜或银更低,为目前世上电阻率最小的材料。因此,石墨烯独具有优异的电学、力学、热学和光学等特性,是近年来研究的热点。
除了二维石墨烯材料外,在2004年,科学家采用兼具平面和曲面结构特点的泡沫金属作为生长基体,利用CVD方法制备出三维石墨烯材料。这种材料具有全连通的整体和石墨烯结构,具有优异的电荷传导能力、高的比表面积、大孔与介孔结构。这些优异的性质使得三维石墨烯材料在超级电容器、电池材料和分析传感中具有潜在的应用价值。尤为值得关注的是,三维石墨烯材料还可以作为无支载的电极使用。然而,石墨烯材料具有非常高的比表面积和强疏水性。因此如何改性或者修饰三维石墨烯材料使之能够应用于实际的生产研究成为今后三维石墨烯材料研究的主要课题。
石墨烯的改性修饰主要分为两种,一是共价键修饰,二是非共价改性。石墨烯的非共价改性由于操作简单而广受关注。石墨烯具有片层结构,每个碳原子最外层的三个电子和周围三个碳原子形成3个σ键,每个碳原子还有一个最外层电子就形成大π共轭结构。石墨烯的这种特殊结构使得通过π-π共轭或疏水性作用对其进行改性成为可能。
硫堇(Thionine)具有快速高效的电子转移特性,是广泛应用于生物传感器以及电化学传感器上小分子电子媒介体。通过非共价吸附作用,有效制备硫堇修饰三维石墨烯复合材料具有重要的意义。
发明内容
本发明提供了一种硫堇修饰三维石墨烯材料的制备方法,可有效制备性能良好的硫堇修饰三维石墨烯材料。
一种硫堇修饰三维石墨烯材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硫堇溶于pH6.5~8.5的缓冲液中制得硫堇溶液;
(2)将三维石墨烯浸没到硫堇溶液中对三维石墨烯修饰改性,制得硫堇修饰三维石墨烯材料。
所述硫堇的结构式如下所示:
本发明三维石墨烯非共价吸附具有π-π效应的硫堇,使硫堇固定在三维石墨烯的表面,实现对三维石墨烯的改性修饰。
影响硫堇吸附的主要因素是溶液的pH值,因此需将硫堇溶解到缓冲液中,以稳定体系的pH,所述缓冲溶液优选为磷酸缓冲液,浓度为0.02~0.2mol/L,磷酸缓冲液与体系不发生反应,pH可调范围大。作为进一步优选,所述磷酸缓冲液的浓度为0.05~0.1mol/L,pH为7.5~8。
硫堇的浓度影响其在石墨烯上的吸附量,要制得适合具体应用的石墨烯改性材料,浓度需在一定范围内,优选为0.01~2mg/mL,更优选为0.5~1mg/mL。
硫堇与三维石墨烯相互作用时,需要一定时间后才能够达到稳定状态,时间过短不利于材料的稳定,优选的,所述三维石墨烯浸没到硫堇溶液中的时间为05~72h,更优选为4~8h。
本发明还提供了一种所述制备方法制得的硫堇修饰三维石墨烯材料。
所述硫堇修饰三维石墨烯材料可作为无支载的基础电极,它以硫堇为电化学活性组分,在电化学传感检测等领域有潜在的应用价值。如硫堇可直接电催化还原过氧化氢,反应机理如下:
硫堇(还原态)+H2O2→硫堇(氧化态)+H2O
硫堇(氧化态)+2e+H+→硫堇(还原态)
即硫堇将过氧化氢还原为水,自身被氧化变成氧化态,随后氧化态的硫堇从电极中得到电子,变成还原态,所述硫堇修饰三维石墨烯材料可直接应用于无酶过氧化氢检测。
相对于现有技术,本发明的有益效果为:
(1)本发明制备的硫堇修饰三维石墨烯材料,富含大孔与介孔结构、导电性好,可直接作为无支载的基础电极使用。
(2)本发明通过简单的非共价吸附作用实现硫堇和三维石墨烯的复合,工艺简单。
(3)本发明制备的硫堇修饰三维石墨烯材料,可直接用于硫堇催化的电化学检测应用中。
附图说明
图1为本发明实施例1中的硫堇修饰所用三维石墨烯材料的扫描电镜图,a图放大倍数为65倍,b图放大倍数为3500倍。
图2为本发明实施例1的三维石墨烯或硫堇修饰三维石墨烯材料在不同电化学支持液中循环伏安图;(a)硫堇修饰三维石墨烯材料、0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);(b)三维石墨烯、0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);(c)三维石墨烯、0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+5mmol/L硫堇溶液;扫速为100mV/s;溶液经氮气饱和。
图3为本发明实施例1的硫堇修饰三维石墨烯材料在不同扫速下循环伏安图;电化学支持液为0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);扫速分别为40、60、80、100、120、140、160、180、200mV/s;内插图为峰电流与扫速的线性关系;溶液经氮气饱和。
图4为本发明实施例1的硫堇修饰三维石墨烯材料在不同pH值的磷酸缓冲液(0.05mol/L)中的循环伏安图;磷酸缓冲液的pH值分别为6.2、6.7、7.2、8.0;扫速为100mV/s;溶液经氮气饱和。
图5为本发明实施例1的硫堇修饰三维石墨烯材料进行16段扫描的循环伏安图;电化学支持液为0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);扫速为100mV/s;溶液经氮气饱和。
图6为本发明实施例1的硫堇修饰三维石墨烯材料不同电化学支持液中的循环伏安图;(a)0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);(b)0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+50mmol/L过氧化氢;(c)0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+100mmol/L过氧化氢;扫速为100mV/s;溶液经氮气饱和。
具体实施方式
实施例1
下面结合具体实施例对本发明作进一步阐释:
(1)将硫堇溶于磷酸缓冲液制得硫堇溶液。
(2)将三维石墨烯浸没到硫堇溶液中,制得硫堇修饰三维石墨烯材料。
其中,磷酸缓冲液的浓度为0.05mol/L、pH为7.5;硫堇溶液浓度为1mg/mL;三维石墨烯与硫堇溶液的作用时间为4h。
制备完成后,对经步骤(1)~(2)制备的硫堇修饰三维石墨烯材料进行电化学测试、扫描电镜等表征,得到的测试分析结果如图1~6所示。
如图1所示,硫堇修饰三维石墨烯的扫描电镜图表明三维石墨烯为一个全连通的整体,富含大孔与介孔结构,
图2中,a为硫堇修饰三维石墨烯材料在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)中的循环伏安图;b为三维石墨烯材料在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)中的循环伏安图;c为三维石墨烯材料0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+5mmol/L硫堇溶液中的循环伏安图;扫速为100mV/s,溶液经氮气饱和。
如图2所示,三维石墨烯在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)中没有氧化还原峰,但硫堇修饰三维石墨烯材料显示出很好的氧化还原峰,这对氧化还原峰与硫堇溶液的氧化还原峰一致,但可逆性强于硫堇溶液所得结果。这一结果证明了硫堇修饰三维石墨烯材料的有效制备,且由于三维石墨烯具有良好的导电性,硫堇修饰三维石墨烯材料具有比硫堇溶液更好的电化学活性。
图3为硫堇修饰三维石墨烯材料在不同扫数下循环伏安图,曲线对应的扫速由下向上依次分别为40、60、80、100、120、140、160、180、200mV/s,内插图为峰电流与扫数的线性关系;电化学支持液为0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0),溶液经氮气饱和。由图3可知,硫堇修饰三维石墨烯材料在不同扫数下的循环伏安图,峰电流与扫速具有线性关系,证明了硫堇在三维石墨烯上的修饰。
图4中a~d为硫堇修饰三维石墨烯材料在磷酸缓冲液的pH值分别为6.2(a)、6.7(b)、7.2(c)、8.0(d)的循环伏安图;扫数为100mV/s,溶液经氮气饱和。由于硫堇的电化学氧化还原过程中有质子参加,由图4可知,溶液pH值对硫堇修饰三维石墨烯材料的电化学性质有影响。
图5为硫堇修饰三维石墨烯材料进行16段扫描的循环伏安图,电化学支持液为0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0);扫数为100mV/s,溶液经氮气饱和。该图证明了硫堇修饰三维石墨烯材料的稳定性,说明尽管通过简单的非共价吸附,硫堇仍能与三维石墨烯材料具有较强的作用,硫堇修饰三维石墨烯材料可稳定存在。
图6中,a为硫堇修饰三维石墨烯材料在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)中的循环伏安图,b为硫堇修饰三维石墨烯材料在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+50mmol/L过氧化氢的循环伏安图,c为硫堇修饰三维石墨烯材料在0.05mol/L磷酸缓冲液(pH为6.0)+100mmol/L过氧化氢中的循环伏安图;扫速为100mV/s,溶液经氮气饱和。由图6可以看到加入过氧化氢后,还原峰增大,氧化峰减小,有效证明了硫堇催化的电化学过程。
以上结果证明,通过简单的非共价吸附,硫堇与三维石墨烯材料具有强的作用,硫堇修饰三维石墨烯材料可稳定存在并具有良好的电化学性能和电催化性能。
实施例2
(1)将硫堇溶于磷酸缓冲液制得硫堇溶液。
(2)将三维石墨烯浸没到硫堇溶液中,制得硫堇修饰三维石墨烯材料。
其中,磷酸缓冲液的浓度为0.1mol/L、pH为8;硫堇溶液浓度为0.5mg/mL;三维石墨烯与硫堇溶液的作用时间为8h。
经测试证明,制备的硫堇修饰三维石墨烯材料具备良好的电化学活性、电催化性能。