CN102903632B - 肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 - Google Patents
肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102903632B CN102903632B CN201210408488.2A CN201210408488A CN102903632B CN 102903632 B CN102903632 B CN 102903632B CN 201210408488 A CN201210408488 A CN 201210408488A CN 102903632 B CN102903632 B CN 102903632B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nicr
- alloy
- schottky diode
- manufacture method
- photoetching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法,所述制造方法的工艺流程为:场氧化、光刻P+、P+注入、P+推结、光刻引线孔、溅射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸发、金属光刻、金属腐蚀、背面减薄、背面蒸发,其特征在于:NiCr合金条件为150℃,30分钟,N2气氛围。该方法对NiCr合金条件进行了调整,克服了NiCr势垒合金参数难控的问题,从而更加准确的控制肖特基二极管的电参数,解决了肖特基二极管参数波动的问题。
Description
技术领域
本发明涉及肖特基(Schottky)势垒二极管的制造方法,特别提供了一种能够降低反向漏电流的肖特基(Schottky)NiCr势垒二极管低温合金制造方法。
背景技术
肖特基(Schottky)势垒二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件。是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
由于肖特基二极管与普通的P-N结构二极管相比,具有正向压降小,速度快等特点,在通常情况下,一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒,但是由于金属与半导体接触时,接触界面之间SiO2层的存在,使得接触电阻和表面态密度明显增大,致使器件的性能大大降低,为了解决这个问题,人们采用一项新工艺技术—金属硅化物-硅接触势垒工艺,形成了非常可靠且重复的肖特基势垒。肖特基二极管要求对电参数反向漏电流IR和正向导通电压VF进行精确控制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法,该方法对NiCr合金条件进行了调整,克服了NiCr势垒合金参数难控的问题,从而更加准确的控制肖特基二极管的电参数,解决了肖特基二极管参数波动的问题。
本发明所述方法针对势垒为溅射的NiCr材料的肖特基二极管,因为Ni属于中势垒材料,利于参数的控制。
本发明具体提供了肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法,所述制造方法的工艺流程为:场氧化——>光刻P+——>P+注入——>P+推结——>光刻引线孔——>溅射NiCr——>NiCr合金——>扒NiCr——>正面蒸发——>金属光刻——>金属腐蚀——>背面减薄——>背面蒸发,其特征在于:NiCr合金条件为150℃,30分钟,N2气氛围。
本发明采用不同于以往常规(420℃、30分钟、N2气氛)的合金条件,利用低温合金条件形成富硅的Ni—Si合金层,达到精确控制肖特基二极管参数的目的。如果需要更低的漏电流,可以在NiCr合金后进行二次合金,二次合金条件为360℃,20分钟,N2气氛围,配合相应的二次合金条件,能够精确控制漏电流IR。
随着二次合金温度的升高,漏电流IR变小,但选择条件时候要注意正向导通电压VF的大小。合金是制备肖特基二极管的关键工步,它的好坏直接决定肖特基二极管的电参数。肖特基二极管的两个重要参数IR和VF成反比例,降低VF,IR就会变大,在制备工艺中要匹配好IR和VF。故漏电流IR不能无限制的小,否则VF会变大超标。根据需求选择二次合金条件,能够达到漏电流的精确控制,满足不同参数产品的要求。
本发明的创新点在于:通过低温合金条件(150℃)制得的肖特基二极管,可以达到常规合金条件(420℃)所得产品的参数,并且可以更精确的控制肖特基二极管的漏电流IR。如果配合二次合金工艺,可以进一步降低漏电流,精确控制漏电流数值,做出最佳参数的产品。
附图说明
图1为肖特基二极管的剖面图(1、N+单晶硅衬底;2、N-外延层;3、二氧化硅层;4、P+环;5、NiSi势垒层;6、阳极金属Ti/Ni/Ag;7、阴极金属Ti/Ni/Ag)。
具体实施方式
实施例1
制备肖特基二极管的工艺步骤:
第一步,N+单晶硅衬底1,N-外延层2,常规RCA清洗,场氧化二氧化硅层3,场氧化厚度为850nm。
第二步,光刻P+环4,湿法腐蚀。
第三步,注入硼2E15。
第四步,P+推结1050℃,N2气氛围,100分钟形成P+环4。
第五步,二次势垒区光刻,湿法腐蚀。
第六步,溅射NiCr其方阻在5.2Ω/□。
第七步,NiCr合金,在150℃,30分钟N2气氛下合金,形成NiSi势垒层5。
第八步,用硝酸铈铵去掉多余的NiCr。然后进行参数的测试,用图示仪测试肖特基二极管的漏电流IR。
第九步,正面蒸发多层金属(阳极金属Ti/Ni/Ag 6)。
第十步,三次光刻金属,湿法腐蚀金属。
第十一步,背面减薄,硅片减薄到260微米。
第十二步,背面蒸发多层金属(阴极金属Ti/Ni/Ag 7)。
第十三步,参数测试。
以所得40mil、45V、2A的产品的SS240为例,测试结果为:
反向击穿电压VB≥47V;
反向漏电流IR≤15微安40V;
正向导通电压VF≤0.52V。完全达到同类产品的要求。
实施例2
采用如实施例1所示的工艺步骤制备肖特基二极管,不同之处在于在第七步的一次合金后,进行了二次合金,通过二次合金与低温合金(一次合金)的配合可以得到更精确的漏电流,二次合金条件为360℃,20分钟,N2气氛围。
以所得40mil、45V、2A的产品的SS240为例,测试结果为:
反向击穿电压VB≥47V;
反向漏电流IR≤8微安40V;
正向导通电压VF≤0.52V。
从漏电IR结果上看,该实施例的IR更小,利于产品参数的控制。
比较例
采用如实施例1所示的工艺步骤制备肖特基二极管,不同之处在于第七步的合金条件为:420℃、30分钟、N2气氛。
其测试结果如下:
反向击穿电压VB≥47V;
反向漏电流IR≤18微安40V;
正向导通电压VF≤0.52V。
可以看到420℃、30分钟、N2气氛的合金导致所得二极管的漏电IR要偏大。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法,所述制造方法的工艺流程为:场氧化——>光刻P+——>P+注入——>P+推结——>光刻引线孔——>溅射NiCr——>NiCr合金——>扒NiCr——>正面蒸发——>金属光刻——>金属腐蚀——>背面减薄——>背面蒸发,NiCr合金条件为150℃,30分钟,N2气氛围,其特征在于:在NiCr合金后进行二次合金,二次合金条件为360℃,20分钟,N2气氛围。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210408488.2A CN102903632B (zh) | 2012-10-24 | 2012-10-24 | 肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210408488.2A CN102903632B (zh) | 2012-10-24 | 2012-10-24 | 肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102903632A CN102903632A (zh) | 2013-01-30 |
CN102903632B true CN102903632B (zh) | 2014-10-08 |
Family
ID=47575815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210408488.2A Expired - Fee Related CN102903632B (zh) | 2012-10-24 | 2012-10-24 | 肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102903632B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108321212A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-07-24 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 | SiC肖特基二极管的制备方法及其结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1052750A (zh) * | 1989-12-18 | 1991-07-03 | 北京大学 | 硅器件芯片背面银系溅射金属化 |
CN101552286A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-10-07 | 西安电子科技大学 | 金属-半导体场效应晶体管及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5045804B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2012-10-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法 |
-
2012
- 2012-10-24 CN CN201210408488.2A patent/CN102903632B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1052750A (zh) * | 1989-12-18 | 1991-07-03 | 北京大学 | 硅器件芯片背面银系溅射金属化 |
CN101552286A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-10-07 | 西安电子科技大学 | 金属-半导体场效应晶体管及其制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP特开2011-119234A 2011.06.16 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102903632A (zh) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107331616A (zh) | 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法 | |
CN103337553A (zh) | 一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺 | |
CN109713065A (zh) | 一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及其制备方法 | |
CN109301005A (zh) | 太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池 | |
CN107026209A (zh) | 基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法 | |
CN105789331B (zh) | 半导体整流器件及其制作方法 | |
CN103943688A (zh) | 一种肖特基势垒二极管器件结构及其制作方法 | |
US20140158192A1 (en) | Seed layer for solar cell conductive contact | |
CN107680962B (zh) | 一种低正向电压tvs器件及其制造方法 | |
CN104518006B (zh) | 一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法 | |
CN102903632B (zh) | 肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法 | |
WO2019007189A1 (zh) | 单面polo电池及其制备方法 | |
CN210866178U (zh) | 一种集成化单向低容gpp工艺的tvs器件 | |
CN206340551U (zh) | 一种瞬态抑制电压二极管器件 | |
CN104124283B (zh) | 一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法 | |
CN105826408B (zh) | 局部背表面场n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
CN104124151A (zh) | 一种沟槽结构肖特基势垒二极管及其制作方法 | |
CN102024869B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
CN104616986B (zh) | 一种快恢复二极管的制备方法 | |
CN103985767A (zh) | 一种肖特基势垒器件及其制作方法 | |
CN102683504B (zh) | 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 | |
CN105226103A (zh) | 含定向扩散结的肖特基器件及制造方法 | |
CN108091702A (zh) | Tmbs器件及其制造方法 | |
CN103050548B (zh) | 肖特基二极管及其制造方法 | |
CN207233740U (zh) | 一种具有沟道截止环的可控硅 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20141008 Termination date: 20191024 |