CN102902122B - 阵列基板、显示装置及公共电极电压补偿方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板，包括数据线、栅线、薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极线，所述数据线包括用于提供数据电压信号的第一数据线，以及用于在所述第一数据线提供所述数据电压信号的同时，提供公共电极电压补偿信号的第二数据线，且所述第一数据线位于显示区域，第二数据线位于非显示区域；所述第二数据线上连接的TFT的漏极与所述公共电极线连接。本发明还提供了一种显示装置及公共电极电压补偿方法。本发明能够消除公共电极电压耦合现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及公共电极电压补偿方法。
背景技术
由于液晶面板尺寸越来越大，从而其四周的布线变长，阻抗变大，难以保证整个液晶面板上的公共电极电压（VCOM）都保持在同一电压水平（称为VCOM漂移或VCOM耦合），因此，出现了VCOM补偿技术。
现有的VCOM补偿技术是通过在液晶面板四周布线，将补偿信号输入到公共电极来实现，其特点是，补偿信号的输入经常与数据电压信号输入不同步，而且对整个液晶面板上所有位置处所提供的补偿信号都相同，这种技术虽然能够在一定程度上对VCOM耦合现象进行改善，但因在数据电压写入行的位置附近VCOM耦合程度较大，远离数据写入行位置的VCOM耦合程度较小，这种一致性的补偿技术会对正常显示区域的VCOM产生较大影响，从而会导致画面显示效果不佳，甚至发生残像、绿附、串扰等不良，不能满足大尺寸面板的需要，也不能从根本上解决VCOM耦合问题。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明首先要解决的技术问题是：如何消除公共电极电压耦合现象；进一步要解决的问题是：如何在消除公共电极电压耦合现象的前提下，不影响液晶面板正常显示区域的显示。
（二）技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括数据线、栅线、薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极线，所述数据线包括用于提供数据电压信号的第一数据线，以及用于在所述第一数据线提供所述数据电压信号的同时，提供公共电极电压补偿信号的第二数据线，且所述第一数据线位于显示区域，所述第二数据线位于非显示区域；所述第二数据线上连接的TFT的漏极与所述公共电极线连接。
优选地，所述第二数据线上连接的TFT的漏极通过过孔与所述公共电极线连接。
优选地，所述第一数据线上连接的TFT的漏极与所述像素电极连接。
优选地，所有TFT的栅极均连接在所述栅线上。
优选地，TFT的源极与所述第一数据线或第二数据线连接。
本发明还提供了一种包括上述阵列基板的显示装置。
本发明还提供了一种公共电极电压补偿方法，所述方法利用所述的阵列基板的结构提供公共电极电压补偿信号，从而进行公共电极电压补偿。
优选地，所述方法具体包括步骤S1：在第一数据线提供数据电压信号的同时，第二数据线提供公共电极电压补偿信号，从而进行公共电极电压补偿。
优选地，根据阵列基板上不同位置处的公共电极电压耦合程度产生所述公共电极电压补偿信号。
优选地，在步骤S1之前还包括步骤S0：从栅线输入栅极驱动电压，以打开所述栅线上连接的TFT。
优选地，所述公共电极电压耦合程度由公共电极上电压的变化来表征。
（三）有益效果
上述技术方案具有如下优点：通过在提供数据电压信号的同时提供公共电极电压补偿信号消除了公共电极电压耦合现象；进一步，根据不同位置处的公共电极电压耦合程度产生所述公共电极电压补偿信号，使得在耦合程度大的区域补偿程度大，在耦合程度小的区域补偿程度小，在正常显示区域不进行补偿，从而实现了在消除公共电极电压耦合现象的前提下，不影响液晶面板正常显示区域的显示。
附图说明
图1是本发明实施例一的局部电路原理示意图；
图2是本发明实施例二的方法流程图；
图3是本发明实施例二的实施方式的原理图。
其中，1数据线；1-1第一数据线；1-2第二数据线；2栅线；3-1、3-2TFT；4像素电极；5公共电极；6公共电极线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一
如图1所示，本发明实施例一提供一种阵列基板，包括数据线1、栅线2、薄膜晶体管TFT 3-1和3-2、像素电极4（材料例如为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO）和公共电极线6，所述数据线1包括用于提供数据电压信号的第一数据线1-1，以及用于在所述第一数据线提供所述数据电压信号的同时，提供公共电极电压补偿信号的第二数据线1-2。其中，第一数据线1-1位于显示区域，第二数据线1-2位于非显示区域，且第二数据线1-2上连接的TFT 3-2的漏极与公共电极线6连接，第二数据线1-2为伪像素所在像素单元中用于提高信号的数据线，伪像素是被黑矩阵所覆盖的像素，通常大尺寸液晶面板的周边即非显示区域都有伪像素设计，用于避免由于生产过程中面板周边工艺参数不均匀对显示效果所造成的影响。
第一数据线1-1上连接的TFT 3-1的源极与第一数据线1-1连接，第二数据线1-2上连接的TFT 3-2的源极与第二数据线1-2连接。
在非显示区域，第二数据线1-2上连接的TFT 3-2的漏极通过过孔（为现有技术，未示出）与所述公共电极线6连接，而不与像素电极4连接。
在显示区域，第一数据线1-1上连接的TFT 3-1的漏极与像素电极4连接，公共电极5与公共电极线6相连，并且像素电极4和公共电极5相对设置。
本实施例中，包括TFT 3-1和TFT 3-2在内的所有TFT的栅极均连接在所述栅线2上。
实施例二
本发明实施例二提供了一种公共电极电压补偿方法，该方法利用实施例一所述的阵列基板的结构提供公共电极电压补偿信号，从而实现公共电极电压补偿。
如图2所示，本实施例的方法具体包括步骤S1：
在第一数据线提供数据电压信号的同时，第二数据线提供公共电极电压补偿信号，从而进行公共电极电压补偿。
本实施例中，根据阵列基板上不同位置处的公共电极电压耦合程度产生所述公共电极电压补偿信号。
所述公共电极电压耦合程度由公共电极上电压的变化来表征。具体地，可以通过公共电极线作为反馈回路，得到所述电压的变化值，进一步地，还可以建立液晶面板上不同位置处的公共电极上电压的变化数据库（在产品开发阶段测试并创建），数据库中的变量为第一数据线的编号N以及某一条第一数据线上导致漂移的综合电压V，设公共电极电压的漂移为y，y由N和V决定，即y=f（N，V），补偿电压Y可以通过y计算得到。例如，若某一位置处公共电极电压减小了3V（即公共电极电压的漂移），则所述公共电极电压补偿信号为+3V的电压信号，若某一位置处公共电极电压增大了3V，则所述公共电极电压补偿信号为-3V的电压信号。
进一步地，如图2所示，在步骤S1之前还包括步骤S0：
从栅线输入栅极驱动电压，以打开所述栅线上连接的TFT。
实施例三
本发明实施例三提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由以上实施例可以看出，本发明通过在提供数据电压信号的同时提供公共电极电压补偿信号消除了公共电极电压耦合现象，能从根本上解决VCOM耦合问题；进一步，根据液晶面板上不同位置处的公共电极电压耦合程度产生所述公共电极电压补偿信号，使得在耦合程度大的区域补偿程度大，在耦合程度小的区域补偿程度小，在正常显示区域不进行补偿，从而实现了在消除公共电极电压耦合现象的前提下，不影响液晶面板正常显示区域的显示，避免了残像、绿附、串扰等不良现象的发生，能满足大尺寸面板的需要。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括数据线、栅线、薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极线，所述数据线包括用于提供数据电压信号的第一数据线,所述第一数据线位于显示区域，其特征在于，所述数据线还包括用于在所述第一数据线提供所述数据电压信号的同时，提供公共电极电压补偿信号的第二数据线，且所述第二数据线位于非显示区域；所述第二数据线上连接的薄膜晶体管TFT的漏极与所述公共电极线连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二数据线上连接的薄膜晶体管TFT的漏极通过过孔与所述公共电极线连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一数据线上连接的薄膜晶体管TFT的漏极与所述像素电极连接。
4.如权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管TFT的源极与所述第一数据线或第二数据线连接。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板。
6.一种公共电极电压补偿方法，其特征在于，所述方法利用权利要求1～4中任一项所述的阵列基板的结构提供公共电极电压补偿信号，从而进行公共电极电压补偿。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括步骤S1：在第一数据线提供数据电压信号的同时，第二数据线提供公共电极电压补偿信号，从而进行公共电极电压补偿。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，根据阵列基板上不同位置处的公共电极电压耦合程度产生所述公共电极电压补偿信号。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括步骤S0：从栅线输入栅极驱动电压，以打开所述栅线上连接的薄膜晶体管TFT。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述公共电极电压耦合程度由公共电极上电压的变化来表征。
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