CN102869806A - 用于接纳半导体材料层的碳带 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种碳带（16'），该碳带（16'）具有两个面（20，22）和两个纵向端部（34，36），所述带（16'）的至少一个面具有位于所述两个纵向端部（34，36）之间的中央部（20a，22a），所述中央部用于接纳半导体材料层（30，32）的沉积，所述带的特征在于，所述带还在其至少一个面（20，22）上包括至少一个位于其中一个所述端部（34，36）和所述中央部（20a，22a）之间的纵向凹槽（17），并且所述纵向凹槽（17）以这样的方式成形：当沉积所述半导体材料层时，填充所述凹槽（17）的半导体材料（30，32）形成邻近所述碳带的其中一个面（20，22）的其中一个纵向端部（34，36）的突起（31）。

Description

用于接纳半导体材料层的碳带

技术领域

本发明涉及用于在其至少一个面上接纳半导体材料层的碳带、形成所述碳带的方法以及在所述碳带的至少一个面上沉积半导体材料层的方法。

背景技术

光电池包括半导体材料的薄板，目前最普遍使用的材料为多晶硅。

本发明尤其适用于拉引用于制造光电池的硅带，因此以下描述涉及硅，应理解，本发明同样适用于其它半导体材料，例如锗和具有一致或准一致熔融的砷化镓族的III-V型半导体化合物。硅板优选是由通过拉引基底通过熔融硅浴来形成沉积在碳基底上的膜的硅层获得。该基底具有带的形式。

图1是示出了称为临时基底上的带（RTS）方法的现有技术方法的总图。装配有加热装置（未示出）的坩埚10容纳液态形式的熔融硅浴12。坩埚的底部具有狭槽14。利用拉引装置（未示出），沿箭头18的方向基本上竖直向上地以基本上恒定的速度拉动小厚度（约为200微米（μm）至350μm）的碳带16通过硅浴12。带的两个面20和22首先覆盖有热解碳24的薄层（厚度为约1μm至5μm）。熔融硅润湿带的两个面20和22，并且在带的每个面上形成液态硅的弯液面（ménisque）26，在带的中央部处，固液连接线28距浴表面约6.8毫米（mm）。然后在碳带的两个面20和22中的每个上形成硅薄层30、32。狭槽14的形状和尺寸首先适于允许碳带16穿入坩埚中，并且其次适于避免熔融硅经该狭槽流出。尽管同时获得两个硅膜30和32（带的每个面上具有一个膜）是有利的，但可以使用通过防止硅变成沉积在所述两个面中的其中一个上而仅获得一个膜的技术。

例如，专利FR 2 386 359和FR 2 561 139描述了RTS方法。

不过，该拉引方法所面临的问题是，液态硅弯液面在碳带16的各纵向端部34、36附近不稳定。已发现，在从各纵向端部约5mm的宽度上，固液连接线28在带的纵向端部处相对于硅浴的表面倾向于在高度上典型地从约6.8mm的高度降至在2mm至4mm的范围内的高度。结果，沉积在碳带的各个面上的硅层30或32的厚度朝纵向端部34和36下降至几乎为零的值。

图2是示出了在通过图1所示的现有技术方法获得的半导体层的纵向端部处逐渐变薄的图。以截面示出并且不带热解碳（或高温碳）层24的碳带16的剖面形状基本上为矩形。两个半导体层30和32同时分别沉积在带的两个面20和22上。在分别邻近碳带的两个纵向端部34和36的区域38、40和42、44中，各层的厚度在典型地为约5mm的距离上逐渐减小。因此，以这种方式制造的半导体膜在端部处特别脆。另外，发现小尺寸颗粒的成核作用在膜的侧部中蔓延，由此降低了硅膜的光伏性能。

专利FR 2 568 490和FR 2 550 965中提出了上述问题的解决方案。这些解决方案在于借助于靠近带的纵向端部放置的外部装置提高在碳带的纵向端部处的固液线的高度。因此，上述第一个专利利用通过毛细作用局部提高熔融硅浴的液位的板，并且上述第二个专利提出放置与硅带的各纵向端部对准的槽，同样为了局部提高熔融硅浴的液位。这些解决方案使制造拉引结构以及拉引操作本身变得复杂。

文献FR 2 887 262提出了另一个解决方案，其未采用外部装置。该解决方案在于：以使得沉积在纵向端部上的半导体层的厚度增大的方式，改变用作用于半导体层的临时支承件的碳带的纵向端部的形状。通过利用机械装置连续镦粗这些端部以便形成边缘，对碳带的纵向端部成形。

一旦纵向端部已以这种方式形成，就采用传统方式将碳带卷绕到卷轴型支承件上，该卷轴型支承件适于易于在诸如沉积热解碳层或拉引所述带通过熔融半导体材料浴之类的后续步骤期间使用。

更具体地，该卷绕利用可回收的插入膜同时进行，所述插入膜对于避免在卷绕期间将所述边缘压平是很重要的。在碳带的展开期间，插入膜然后需要与碳带分离并回收以在将来使用。

例如，可观察到，需要为碳带和所述插入膜卷绕在一起做准备，以便使得带能够在卷轴上就位，以便在将热解碳沉积在碳带上的步骤之前回收插入膜以为在沉积热解碳的步骤之后将插入膜与带卷绕在一起做准备，以及以便在沉积半导体材料的步骤之前回收插入膜。

不过，这些存在插入膜的操作中的每个操作都使卷绕和展开碳带的次序执行起来更加复杂并且需要管理许多参数。

本发明的目的是，尤其通过提出一种碳带来减轻现有技术的缺陷，所述碳带使得能够制造在碳带的纵向端部上强度不降低的半导体材料层，同时有利于卷绕和展开碳带的操作。

发明内容

本发明提供一种具有两个（纵向）面和两个纵向端部的碳带，所述碳带的至少一个面具有位于所述两个纵向端部之间的中央部，所述中央部用于接纳半导体材料层的沉积，所述带的特征在于，所述带还在其至少一个面上包括至少一个位于其中一个所述端部和所述中央部之间的纵向凹槽，并且所述纵向凹槽以这样的方式成形：当沉积所述半导体材料层时，填充所述凹槽的半导体材料形成邻近所述碳带的其中一个面的其中一个纵向端部的突起。

因此，本发明的碳带的纵向凹槽有利地用于一旦凹槽填充有所述材料就改变熔融半导体材料的润湿表面的形状，由此增加半导体材料层在其端部处的厚度。结果，所述半导体材料层在其整个表面上具有基本上恒定的厚度，包括其端部处。

更具体地，所述纵向凹槽可有利地由形成所述凹槽的底部并位于两个相对于所述碳带的包括所述凹槽的面倾斜的基本上直线性（rectilignes）条带之间的条带构成。更具体地，形成所述凹槽的底部的条带可以是弯曲的或基本上直线性的。

在一个具体实施例中，碳带在其至少一个面中包括两个纵向凹槽，所述凹槽位于所述带的两个纵向端部之间。

在另一个具体实施例中，碳带在其每个面中包括至少一个纵向凹槽，每个凹槽都位于所述带的两个纵向端部之间。

在一个优选实施例中，碳带在其每个面中都包括两个纵向凹槽，所述凹槽位于所述带的两个纵向端部之间。

更具体地，碳带的每个面都在每个纵向端部处包括纵向部，该纵向部优选设计成不接纳半导体材料层的沉积。

更具体地，当碳带在其每个面中具有两个纵向凹槽时，碳带的纵向端部因此未设计成接纳半导体材料层的沉积。

在一个具体实施例中，在截面中，碳带的纵向端部处的厚度和其中央部的厚度大于所述或每个纵向凹槽处的厚度。

此外，碳带在其纵向端部处和其中央部的厚度基本上相同。因此，给定面上的至少一个纵向部和中央部位于同一平面内。

该特征使得可以从具有两个平的和连续表面的平碳带开始，对所述表面进行成型加工，以便在所述带的厚度中形成纵向凹槽。

这意味着，除在纵向凹槽处的厚度外，本发明的碳带的截面厚度在其整个长度上基本相同，尤其是在其纵向端部处和其中央部处。

本发明的碳带的至少一个面的中央部可优选为基本上平的，不具有纹理。

本发明的碳带可具有在200μm至350μm的范围内的给定厚度（e0），并且优选具有250μm的给定厚度。当然，该给定厚度（e0）大于碳带在所述或每个纵向凹槽处的厚度（e1）。

在一个实施例中，纵向凹槽的两个基本上直线性倾斜条带通过弯曲区分别连接到其中一个纵向部和中央部。

在另一个实施例中，纵向凹槽的两个基本上直线性倾斜条带通过弯曲区连接到形成凹槽底部的条带。

这两个实施例可以结合。

优选地，形成凹槽底部的条带在它基本上为直线性的时可基本上平行于碳带的其中一个面。

下面限定角度，以便更具体地体现纵向凹槽及其基本上直线性条带的斜度，这些角度用于优化靠近设置有纵向凹槽的纵向端部处的半导体材料的润湿角度，以便增大半导体材料层的该端的厚度。

在第一实施例中，在截面中，纵向部与基本上直线性倾斜条带（相对于碳带的包括所述凹槽的面倾斜）中的更靠近纵向端部的那个倾斜条带之间形成的角度α1限定为使得90°＜α1＜180°并且优选120°＜α1＜160°。

角度α1有利地用于优化半导体材料层的厚度的增加。为此，该角度优选必须不等于90度，并且必须大于90°。

在第二实施例中，在截面中，带的中央部与基本上直线性倾斜条带（相对于碳带的包括所述凹槽的面倾斜）中的更靠近中央部的那个倾斜条带之间形成的角度β1限定为使得90°＜β1＜180°，优选120°＜β1＜160°。

角度β1必须优选不等于90°，而是大于90°，以便防止半导体材料在中央部与基本上直线性倾斜条带中的更靠近中央部的那个倾斜条带之间强度降低。

在第三实施例中，当形成凹槽底部的条带基本上为直线性的时，在截面中，基本上直线性倾斜条带（相对于碳带的包括所述凹槽的面倾斜）中的更靠近纵向端部的那个倾斜条带与形成凹槽底部的基本上直线性条带之间形成的角度α2限定为使得90°＜α2＜180°，优选120°＜α2＜160°。

在第四实施例中，当形成凹槽底部的条带基本上为直线性的时，在截面中，直线性倾斜条带（相对于碳带的包括所述凹槽的面倾斜）中的更靠近中央部的那个倾斜条带与形成凹槽底部的基本上直线性条带之间形成的角度β2限定为使得90°＜β2＜180°，优选120°＜β2＜160°。

当然，可以设想将上述四个实施例中的至少两个结合起来。

在特别优选的实施例中，α1和α2基本上相等并且/或者β1和β2基本上相等。

此外，纵向凹槽的宽度（l1）可不超过1mm，且优选为至少200μm。

宽度（l1）是两个基本上直线性倾斜条带的与碳带的面齐平的边缘之间的差值（距离）。

在纵向端部处的纵向部的宽度（l2）可为至少50μm。换言之，该宽度为纵向凹槽与纵向端部之间的差值（距离）。宽度（l2）优选为最大500μm，且优选最大200μm。

纵向凹槽的深度（p）可为至少50μm，并且优选最大70μm，但它当然取决于带的厚度。

深度（p）为纵向凹槽的最大深度。换言之，它对应于首先凹槽底部与其次更靠近凹槽的纵向部之间在纵向端部处的最大差值（距离），该差值垂直于碳带的对称纵向平面。

本发明还提供一种形成根据本发明的碳带的方法，所述方法包括在碳带的厚度中形成至少所述纵向凹槽的步骤，所述纵向凹槽因此形成在碳带的给定厚度（e0）中。因此，易于从由两个平的并且连续的表面构成的平碳带开始来实行所述成型步骤，在其一面或两个面上的所述端部处对所述两个表面进行成型加工，以便形成纵向凹槽。

举例而言，可通过选取具有给定厚度（e0）的碳带并对其进行滚轧或（经模具）挤出来形成纵向凹槽。

本发明还提供一种在本发明的碳带的（两个纵向）面中的至少一个上沉积半导体材料层的方法，所述方法的特征在于，它包括以下步骤：

i.优选基本上竖直向上沿长度方向逐渐拉引碳带通过熔融半导体材料浴的水平平衡表面（surface horizontale d'équilibre），随着碳带被拉引通过，所述材料通过润湿逐渐变成沉积在所述面上。

拉引本发明的碳带的速度也可对填充凹槽的半导体材料的润湿角度有影响。本领域技术人员可相对于碳带的给定拉引速度来优化纵向凹槽的形状，尤其是优化角度α1的值，尤其是通过考虑以下事实：拉引速度越快，半导体材料与碳带（或热解碳层）接触的时长就越短，润湿角度就越大，半导体材料层的端部处的厚度就越大。

所述方法还可包括在所述碳带上沉积热解碳（或高温碳）层的步骤，该步骤在带拉引步骤i之前进行，或换言之，该步骤在将半导体材料沉积在碳带上之前进行。

当半导体材料为硅时，特别地，碳带可有利地覆盖有热解碳层，硅层沉积在所述热解碳层上，由此避免在硅与碳带之间形成碳化硅。

热解碳层的厚度通常在1μm至5μm的范围内。

为了获得至少一个半导体材料板，上述方法也可在步骤i之后包括以下的步骤：

ii.可选地优选通过激光在其/所述纵向端部处切掉半导体材料层的包括突起的端部；以及

iii.去掉碳带，优选通过将由碳带和半导体材料层构成的组件加热至高温而燃烧来去除碳带。

借助于本发明，半导体材料层不会在其纵向端部处断裂，这是因为其厚度在所述端部处未减小。

不过，为了保证在半导体材料层的整个表面上的均匀平整度，可有利地执行上述步骤ii：可通过在角度β1处沿纵向切割半导体材料层的纵向端部并优选同时还切穿碳带来执行所述切割步骤。

换言之，被去除的部分因此在截面中包括距离“l1+l2”：因此仅保留碳带的覆盖有半导体材料层的中央部。

去掉碳带的步骤iii用于在半导体材料层沉积在碳带的仅一面上的情况下获得单个半导体材料板，或优选用于在半导体材料层沉积在碳带的两个面上的情况下获得多个半导体材料板。

附图说明

根据参照注释图提供的对本发明的碳带的非限制性示例的描述，可清楚发现本发明的其它特征和优点。

图1是使得能够通过拉引碳带通过熔融半导体材料浴来获得一个或两个半导体材料膜的现有技术方法的图。

图2是示出了通过图1现有技术方法获得的半导体材料层的变薄的截面图。

图3a是两个面都覆盖有相应的半导体材料层的根据本发明的碳带的图解视图。

图3b是图3a碳带的截面图。

图3c是图3a碳带的其中一个端部的截面图。

图4a是示出了通过滚轧碳带的本发明的形成方法的图。

图4b是示出了通过经模具挤出碳带的本发明的形成方法的图。

为了清楚起见，同样的元件由相同的附图标记表示。类似地，仅示出对于理解本发明而言必不可少的那些元件并且概略地将它们示出而不一定成比例。

具体实施方式

在上文描述了图1和2，并且为了有利于理解，本发明与现有技术之间共同的元件被赋予相同的附图标记。

图3a是根据本发明的碳带16'的图解视图，其中，两个（纵向）面20和22覆盖有相应的半导体材料层30和32。碳带16'还具有未覆盖有任何半导体材料层的两个纵向端部34和36。

根据本发明，在定位在两个纵向端部34和36之间的各个面20和22上，设置有两个纵向凹槽17。

更精确地，图3b是图3a的碳带16'的截面图。

碳带的各个面20、22具有位于两个纵向端部34、36之间的中央部20a、22a，与所述未覆盖有半导体材料层的端部34、34不一样，每个中央部20a、22a都覆盖有相应的半导体材料层30、32。

各个面20、22还具有位于对应的中央部20a、22a与其中一个相应纵向端部34、36之间的两个纵向凹槽17。

更具体地，每个端部34、36都具有两个纵向部20b、22b和20c、22c，这些纵向部未覆盖有半导体材料层。

在各个面20或22上，中央部20a或22a与对应的纵向部20b、20c或22b、22c（在截面上）是对齐的。

更一般而言，面20的纵向部20b、20c（或面22的纵向部22b、22c）与中央部20a（或中央部22a）都位于同一平面内。

除凹槽17以外，整个碳带16'的厚度e0大于碳带在各纵向凹槽17处的厚度e1。换言之，纵向端部34或36的厚度e0（即，纵向部20b与纵向部22b之间的距离或纵向部20c与纵向部22c之间的距离）和各个面的中央部20a、22a之间的厚度e0大于碳带在各纵向凹槽17处的厚度e1。

图3示出半导体材料30、32填充各个面20、22中的凹槽17并由此形成邻近碳带的纵向端部34、36并且更具体地邻近最靠近所考虑的凹槽的纵向部20b、22b、20c、22c的相应突起31（即，突出部分）。

这意味着，除纵向凹槽外，本发明的碳带的厚度在其整个长度上、尤其在其纵向端部处和其中央部处的厚度基本上相同。

由于与易于形成碳带相关的原因，在截面中，碳带的一个面20中的两个凹槽17与碳带的另一个面22中的两个凹槽17关于平行于碳带16'的两个面的纵向轴线A（在碳带的宽度中）（纵向轴线A也可称为碳带的纵向对称平面）对称。

类似地，在截面中，各个面20、22中的靠近其中一个纵向端部34的凹槽17与各个面20、22的靠近另一个纵向端部36的凹槽17关于穿过碳带中间并垂直于轴线A的中间轴线A'对称。

图3c是图3a的碳带16'的左端部34的截面图。

在图3c中描述的用于面20中的凹槽17的特征同样适用于碳带16'中的所有其它凹槽。

该纵向凹槽17由形成凹槽17底部的基本上矩形的条带171制成。该基本上直线性条带171连接到两个基本上直线性倾斜条带172和173并由它们限定，倾斜条带172和173形成相应的边缘。

基本上直线性倾斜条带172直接连接到纵向部20b而形成边缘，并且基本上直线性倾斜条带173直接连接到中央部20a而形成边缘。

纵向部20b与基本上直线性倾斜条带172之间的连接区、基本上直线性倾斜条带172与形成凹槽底部的基本上直线性条带171之间的连接区、形成凹槽底部的基本上直线性条带171与基本上直线性倾斜条带173之间的连接区以及基本上直线性倾斜条带173与中央部之间的连接区同样也可以是弯曲区（图中未示出）。

在图3c中，形成凹槽17底部的基本上直线性条带171基本上平行于碳带16'的面20。

纵向部20b与基本上直线性倾斜条带172（最靠近纵向端部20b的条带）之间形成的角度α1为约135°。

中央部20a与基本上直线性倾斜条带173（更靠近中央部20a的倾斜条带）之间形成的角度β1为约150°。

更靠近纵向端部20b的基本上直线性倾斜条带172与形成凹槽底部的直线性条带171之间形成的角度α2为约135°。

更靠近中央部20b的基本上直线性倾斜条带173与形成凹槽底部的直线性条带171之间形成的角度β2为约150°。

此外，纵向凹槽的宽度l1可为约200μm。该宽度l1为两个基本上直线性倾斜条带172和173之间平行于轴线A的最大距离。

纵向部20b的宽度l2可为约100μm。该宽度l2为纵向凹槽与纵向端部之间的距离。

在截面中，在靠近一端处，在两个凹槽17关于对称轴线A彼此面对的情况下，碳带的剩余厚度e1必须足以确保所述带保持机械上完整无损。用于确保足够的机械强度的最小厚度e1优选不小于100μm。

举例而言，碳带16'的厚度e0等于250μm，两个凹槽17之间在端部34处的厚度e1为150μm，各凹槽的深度p因此为50μm。

此外，为了保证用于制造光电池的半导体材料30、32是平的，如图3c以截面图示出的部分“l1+l2”可通过激光切割去掉。在半导体材料层30、32的整个厚度与碳带16'的厚度上在角度β1处切掉部分“l1+l2”。因此，仅保留覆盖有半导体材料的碳带的中央部20a和22a。

一旦已从半导体材料层的纵向端部切掉部分“l1+l2”，就可通过烧掉来去除碳带。

图4a是示出了用于通过滚轧形成碳带的本发明的方法的图。

本发明的碳带16'可从两个面是基本上平的并且平行的碳带16获得，通过在两个辊子41和42之间滚轧碳带16（实施该方法的方向由箭头19的方向限定）而成形，辊子41和42具有包括适合于通过压紧碳带来成形凹槽17的浮凸部分的表面，以这种方式形成的凹槽的形状与浮凸部分的形状互补。

在用于在碳带16的仅一个面中形成一个或两个凹槽的具体应用（未示出）中，第一辊子可具有一个或两个如上所述的浮凸部分，以便形成一个或两个本发明的凹槽，而第二辊子不具有浮凸部分。

图4b是示出了通过经模具挤出来形成碳带的本发明的方法的图。

本发明的碳带16'也可从两个面是基本上平的并且平行的碳带16获得，通过挤出碳带16而成形（实施该方法的方向由箭头19的方向限定），通过经过用于通过压紧碳带而形成凹槽17的模具43来进行所述挤出。

碳带16'中的凹槽的数量和本发明的所述或每个凹槽的形状并不限于图3a、3b、3c、4a和4d中的详细示出的示例。根据本发明，碳带16'具有至少一个凹槽，并且优选在其一个面中刚好具有两个凹槽，并且以特别优选的方式在其两个面中的每个面中刚好具有两个凹槽。

本发明为在通过拉引碳带而获得的半导体层的纵向端部处厚度减小的问题提供了技术上简单并且不昂贵的解决方案。这提高了利用带表面和半导体表面的效率。

Claims (18)

1.一种碳带（16'），该碳带（16'）具有两个面（20，22）和两个纵向端部（34，36），所述带（16'）的至少一个面具有位于所述两个纵向端部（34，36）之间的中央部（20a，22a），所述中央部用于接纳半导体材料层（30，32）的沉积，所述带的特征在于，所述带还在其至少一个面（20，22）上包括至少一个位于其中一个所述端部（34，36）和所述中央部（20a，22a）之间的纵向凹槽（17），并且所述纵向凹槽（17）以这样的方式成形：当沉积所述半导体材料层时，填充所述凹槽（17）的半导体材料（30，32）形成邻近所述碳带的其中一个面（20，22）的其中一个纵向端部（34，36）的突起（31）。

2.根据权利要求1所述的碳带，其特征在于，所述纵向凹槽由形成所述凹槽的底部并位于两个相对于所述碳带的包括所述凹槽的面（20，22）倾斜的基本上直线性条带（172，173）之间的条带（171）构成。

3.根据权利要求1或2所述的碳带，其特征在于，所述碳带在其至少一个面（20，22）中包括两个纵向凹槽（17），所述凹槽位于所述带的所述两个纵向端部（34，36）之间。

4.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述碳带在其每个面（20，22）中包括两个纵向凹槽（17），所述凹槽位于所述带的所述两个纵向端部（34，36）之间。

5.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述碳带的每个面（20，22）都在每个纵向端部（34，36）处包括纵向部（20b，20c，22b，22c），所述纵向部设计成不接纳半导体材料层的沉积。

6.根据权利要求5所述的碳带，其特征在于，所述纵向凹槽的所述两个直线性倾斜条带（172，173）通过弯曲区分别连接到其中一个所述纵向部（20b，20c，22b，22c）和所述中央部（20a，22a）。

7.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述纵向凹槽的所述两个直线性倾斜条带（172，173）通过弯曲区连接到形成所述凹槽的底部的所述直线性条带（171）。

8.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，形成所述凹槽的底部的直线性条带（171）基本上平行于所述碳带的其中一个面（20，22）。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的碳带，其特征在于，在截面中，所述纵向部（20b，20c；22b，22c）与所述基本上直线性倾斜条带（172）中的更靠近所述纵向端部（34，36）的那个倾斜条带之间的角度α1限定为使得90°<α1<180°并且优选120°<α1<160°。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的碳带，其特征在于，在截面中，所述带的所述中央部（20a，22a）与所述基本上直线性倾斜条带（173）中的更靠近所述中央部（20a，22a）的那个倾斜条带之间的角度β1限定为使得90°<β1<180°，优选120°<β1<160°。

11.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述凹槽（17）的宽度（l1）不超过1mm。

12.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述纵向端部的所述纵向部（20b，20c，22b，22c）的宽度（l2）为至少50μm。

13.根据任一前述权利要求所述的碳带，其特征在于，所述纵向凹槽的深度（p）为至少50μm。

14.一种形成如权利要求1至13所述的碳带的方法，所述方法包括在所述碳带的厚度中形成至少所述纵向凹槽的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述凹槽通过滚轧或通过挤出而形成。

16.一种在如权利要求1至13所述的碳带的至少一个面上沉积半导体材料层的方法，所述方法的特征在于包括以下步骤：

i.沿长度方向逐渐拉引所述碳带（16'）通过熔融半导体材料浴（12）的水平平衡表面，随着所述碳带（16'）被拉引通过，所述材料通过润湿逐渐变成沉积在所述面上。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述带（16'）上沉积热解碳层的步骤，该步骤在拉引所述带的步骤i之前进行。

18.根据权利要求16或17所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤i之后还包括以下步骤：

ii.可选地在其/所述纵向端部处切掉所述半导体材料层的包括突起的端部；以及

iii.去掉所述碳带（16'）。

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