CN102842534B - 光器件晶片的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供光器件晶片的加工方法，能够不对光设备层施加损伤而去除与被覆在基板的背面上的金属膜的分割预定线对应的区域，该方法在基板表面上层叠光器件层，在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线和在与第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在基板的背面上被覆金属膜，包括：从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第1分割预定线去除金属膜，形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤；以及从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第2分割预定线去除金属膜，形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。
Description
技术领域
本发明涉及如下所述的光器件晶片的加工方法：在基板表面上层叠光器件层，在由在规定的方向延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线来划分的多个区域上形成光器件，在基板的背面被覆有金属膜。
背景技术
在光器件制造步骤中，在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅基板等基板的表面上被覆由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层，在由在规定的方向延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线来划分的多个区域上形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。并且，通过沿着第1分割预定线及第2分割预定线切断光器件晶片，分割形成有光器件的区域来制造各个光器件。
作为上述沿着第1分割预定线及第2分割预定线分割光器件晶片的分割方法，公开有如下所述的方法：沿着第1分割预定线及第2分割预定线照射相对于构成光器件晶片的基板具有吸收性的波长的脉冲激光光线来进行消融加工，从而形成作为断裂起点的激光加工槽，通过沿着形成有作为该断裂起点的激光加工槽的第1分割预定线及第2分割预定线施加外力来进行割断（例如，参照专利文献1）。
另外，作为沿着第1分割预定线及第2分割预定线分割光器件晶片的方法，公开有如下所述的方法：针对相对于构成光器件晶片的基板具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点对准到内部而沿着第1分割预定线及第2分割预定线进行照射，在基板的内部沿着第1分割预定线及第2分割预定线连续地形成作为断裂起点的改质层，沿着形成有作为该断裂起点的改质层的第1分割预定线及第2分割预定线施加外力，从而分割晶片（例如，参照专利文献2）。
近年来，为了提高光器件的亮度，实用化了在构成光器件晶片的基板的背面以1μm左右的厚度被覆了铝或金等金属的光器件晶片。如上所述，为了沿着第1分割预定线及第2分割预定线分割在基板的背面被覆了金属膜的光器件晶片，首先从被覆在基板背面上的金属膜侧向与第1分割预定线及第2分割预定线对应的区域照射激光光线，对应于第1分割预定线及第2分割预定线来去除金属膜。
【专利文献1】日本特开平10-305420号公报
【专利文献2】日本专利第3408805号公报
但是，存在如下所述的问题：在从被覆在基板背面的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线而对应于第1分割预定线来去除了金属膜之后，在对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线时，由于在与第1分割预定线对应的交叉区域中已经去除了金属膜，因此激光光线透过基板而照射到形成在基板表面的光器件层上，在光器件层上出现损伤、降低光器件的品质。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其主要目的在于，提供光器件晶片的加工方法，可在不对光器件层产生损伤的情况下去除被覆在基板背面的金属膜中的与分割预定线对应的区域。
为了实现上述主要的目的，根据本发明提供一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面上层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在该基板的背面被覆了金属膜，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：
第1金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第1分割预定线去除该金属膜，从而形成第1激光加工槽；以及
第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽，
在该第2金属膜去除步骤中，将与在该第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
另外，根据本发明提供一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面上层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在该基板的背面被覆了金属膜，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：
第1金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第1分割预定线去除该金属膜，从而形成第1激光加工槽；以及
第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽，
在该第1金属膜去除步骤中，将与对应于该第2分割预定线的区域之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
在实施了该第2金属膜去除步骤之后，实施改质层形成步骤，在该改质层形成步骤中，从基板的背面侧沿着第1激光加工槽及第2激光加工槽照射相对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着第1激光加工槽及第2激光加工槽形成改质层。
根据本发明，在第2金属膜去除步骤中，将与在第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线，因此在通过第1激光加工槽去除的交叉区域上不照射激光光线，从而激光光线不会照射到形成在基板表面的光器件层上，能够防止对光器件层带来损伤。
另外，根据本发明，在第1金属膜去除步骤中，将与对应于第2分割预定线的区域之间的交叉区域排除在外而照射激光光线，因此之后在第2金属膜去除步骤中在对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线时，与在第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域上存在金属膜，从而激光光线不会照射到形成在基板表面上的光器件层，能够防止对光器件层带来损伤。
附图说明
图1是通过本发明的光器件晶片的加工方法加工的光器件晶片的立体图及放大示出主要部分的剖视图。
图2是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的保护部件贴附步骤的说明图。
图3是用于实施本发明的光器件晶片的加工方法中的第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤的激光加工装置的主要部分立体图。
图4是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的第1实施方式的第1金属膜去除步骤的说明图。
图5是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的第1实施方式的第2金属膜去除步骤的说明图。
图6是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的第2实施方式的第1金属膜去除步骤的说明图。
图7是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的第2实施方式的第2金属膜去除步骤的说明图。
图8是用于实施本发明的光器件晶片的加工方法中的改质层形成步骤的激光加工装置的主要部分立体图。
图9是示出本发明的光器件晶片的加工方法中的改质层形成步骤的说明图。
符号说明
2：光器件晶片
20：蓝宝石基板
21：光器件层
221：第1分割预定线
222：第2分割预定线
23：光器件
24：金属膜
3：激光加工装置
30：激光加工装置
31：卡盘台
32：激光光线照射单元
322：聚光器
33：摄像单元
T：保护带
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选实施方式进行详细说明。
在图1的（a）及（b）中示出作为晶片的光器件晶片的立体图及放大示出主要部分的剖视图。在图1的（a）及（b）所示的光器件晶片2中，例如在厚度为100μm的蓝宝石基板20的表面20a上以例如10μm的厚度层叠了由n型氮化物半导体层211及p型氮化物半导体层212构成的光器件层（外延层）21。并且，在光器件层（外延层）21中，在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线221和在与该第1分割预定线221交叉的方向上形成的多个第2分割预定线222划分而成的多个区域形成有发光二极管、激光二极管等光器件23。另外，在蓝宝石基板20的背面20b上通过金属蒸镀而被覆形成有铝、金等金属膜24。该金属膜24的厚度，在图示的实施方式中被设定为1μm。另外，在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的外周上形成有表示晶体取向的凹槽201。以下，对沿着第1分割预定线221及第2分割预定线222加工该光器件晶片2的方法进行说明。
首先，为了保护形成在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的表面20a上的光器件23，实施在光器件晶片2的表面2a上贴附保护部件的保护部件贴附步骤。即、如图2所示，在光器件晶片2的表面2a上贴附由聚氯乙烯（PVC）等片材构成的作为保护部件的保护带T。
在实施了上述的保护部件贴附步骤之后，实施：通过从被覆在蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24侧向与第1分割预定线221对应的区域照射激光光线，沿着第1分割预定线221去除金属膜24，从而形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤；以及通过从被覆在蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24侧向与第2分割预定线222对应的区域照射激光光线，沿着第2分割预定线222去除金属膜24，从而形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。该第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤是使用图3所示的激光加工装置3来实施的。图3所示的激光加工装置3具有：保持被加工物的卡盘台31；对保持在该卡盘台31上的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元32；以及对保持在卡盘台31上的被加工物进行摄像的摄像单元33。卡盘台31以吸引保持被加工物的方式构成，在通过未图示的加工进给单元在图3中箭头X所示的加工进给方向移动的同时，通过未图示的分度进给单元在图3中箭头Y所示的分度进给方向移动。
上述激光光线照射单元32包括实质上水平配置的圆筒形状的壳体321。在壳体321内配设有脉冲激光光线振荡单元，该脉冲激光光线振荡单元具有未图示的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定单元。在上述壳体321的前端部安装有用于对从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线进行会聚的聚光器322。另外，激光光线照射单元32具有聚光点位置调整单元（未图示），该聚光点位置调整单元用于调整通过聚光器322会聚的脉冲激光光线的聚光点位置。
在构成上述激光光线照射单元32的壳体321的前端部上安装的摄像单元33，除了在图示的实施方式中通过可见光线进行摄像的通常的摄像元件（CCD）以外，还由对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕捉通过该红外线照明单元照射的红外线的光学系统、输出与通过该光学系统捕捉的红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等构成，将所摄像的图像信号送到未图示的控制单元。另外，在未图示的控制单元的存储器中，以凹槽201为基准存储有设置在光器件层（外延层）21上的多个第1分割预定线221及多个第2分割预定线222的坐标值（设计值），其中，该光器件层（外延层）21形成在构成上述图1所示的光器件晶片2的蓝宝石基板20的表面20a上。
在使用上述的激光加工装置3来实施上述第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤时，如图3所示，在卡盘台31上载置保护带T侧，该保护带T贴附在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的表面20a上。并且，通过使未图示的吸引单元工作，使光器件晶片2通过保护带T保持在卡盘台31上（晶片保持步骤）。因此，在保持在卡盘台31上的光器件晶片2中，被覆在蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24成为上侧。
在实施了上述的晶片保持步骤之后，吸引保持了光器件晶片2的卡盘台31通过未图示的加工进给单元而定位在摄像单元33的正下方。当卡盘台31定位在摄像单元33的正下方时，通过摄像单元33及未图示的控制单元执行光器件晶片2是否被定位在规定的坐标值上的对准作业。即、摄像单元33对形成在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的外周上的凹槽201进行摄像，将该图像信号送到未图示的控制单元。并且，未图示的控制单元根据从摄像单元33送来的图像信号来判断凹槽201是否位于规定的坐标值处，在凹槽201不位于规定的坐标值处时，转动卡盘台31将凹槽201调整到定位在规定的坐标值处，根据设计值检测第1分割预定线221、第2分割预定线222（对准步骤）。
当如上所述实施了对准步骤时，实施上述第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤。参照图4及图5对该第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤的第1实施方式进行说明。
即、如图4的（a）所示，将卡盘台31移动到激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域上，将与第1分割预定线221的规定的一端（在图4的（a）中左端）对应的坐标值定位在激光光线照射单元32的聚光器322的正下方。接着，在从激光光线照射单元32的聚光器322照射激光光线的同时，使卡盘台31以规定的加工进给速度在图4的（a）中的箭头XI所示的方向移动。并且，如图4的（b）所示，当第1分割预定线221的另一端（在图4的（b）中右端）到达聚光器322的正下方位置，在停止脉冲激光光线的照射的同时停止卡盘台31的移动。在该第1金属膜去除步骤中，如图4的（a）所示，将脉冲激光光线的聚光点P对齐到被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24的上表面附近。其结果，如图4的（b）所示，被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24，被去除与第1分割预定线221对应的区域而形成第1激光加工槽241（第1金属膜去除步骤）。
另外，上述第1金属膜去除步骤的加工条件是例如以如下的方式来设定的。
激光光线的波长：355nm
重复频率：40kHz
平均输出：0.5~2W（根据金属膜24的金属而不同）
聚光点直径：50μm
加工进给速度：300mm/秒
由此，如果沿着在光器件晶片2上形成的所有第1分割预定线221实施了上述第1金属膜去除步骤，则使卡盘台31转动90度。并且，实施第2金属膜去除步骤，即，通过在与第2分割预定线222对应的区域上照射激光光线，沿着第2分割预定线222去除金属膜24，从而形成第2激光加工槽。
在第2金属膜去除步骤中，如图5的（a）所示，将卡盘台31移动到激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域上，将与第2分割预定线222的规定的一端（在图5的（a）中左端）对应的坐标值定位在激光光线照射单元32的聚光器322的正下方。接着，在从激光光线照射单元32的聚光器322照射激光光线的同时使卡盘台31以规定的加工进给速度在图5的（a）中的箭头X1所示的方向移动。并且，当与在上述第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽241之间的交叉区域到达聚光器322的正下方时停止脉冲激光光线的照射，当与第1激光加工槽241之间的交叉区域越过聚光器322的正下方时再次照射脉冲激光光线。由此，重复进行脉冲激光光线的照射和停止，如图5的（b）所示，当在第2分割预定线222的另一端（在图5的（b）中右端）到达聚光器322的正下方位置时，在停止脉冲激光光线的照射的同时停止卡盘台31的移动。在该第2金属膜去除步骤中，如图5的（a）所示，将脉冲激光光线的聚光点P对齐到被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20上的金属膜24的上表面附近。其结果，如图5的（c）所示，被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24，将与在第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽241之间的交叉区域排除在外而去除与第2分割预定线222对应的区域，形成第2激光加工槽242（第2金属膜去除步骤）。另外，通过第2金属膜去除步骤形成的第2激光加工槽242，可以如图5的（d）所示与第1激光加工槽241略微重合，或者也可以如图5的（e）所示与第1激光加工槽241略微分开。
由此，沿着在光器件晶片2上形成的所有的第2分割预定线222来实施上述第2金属膜去除步骤。另外，第2金属膜去除步骤的加工条件可以与上述第1金属膜去除步骤的加工条件相同。
如上所述，在第1实施方式中的第2金属膜去除步骤中，由于将与在第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽241之间的交叉区域排除在外而照射激光光线，因此在通过第1激光加工槽241去除的交叉区域上不照射激光光线，从而脉冲激光光线不会透过蓝宝石基板20而照射到形成在表面20a上的光器件层21，能够防止对光器件层21施加损伤。
接着，对第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤的第2实施方式进行说明。
在该第2实施方式中，第1金属膜去除步骤将与对应于第2分割预定线222的区域之间的交叉区域排除在外地照射激光光线。在第2实施方式中的第1金属膜去除步骤中，如图6的（a）所示，将卡盘台31移动到激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域上，将与第1分割预定线221的规定的一端（在图6的（a）中左端）对应的坐标值定位在激光光线照射单元32的聚光器322的正下方。接着，在从激光光线照射单元32的聚光器322照射激光光线的同时使卡盘台31以规定的加工进给速度在图6的（a）中的箭头X1所示的方向移动。并且，当与对应于上述第2分割预定线222的区域之间的交叉区域到达聚光器322的正下方时停止脉冲激光光线的照射，当与对应于第2分割预定线222的区域之间的交叉区域越过聚光器322的正下方时再次照射脉冲激光光线。由此，重复进行脉冲激光光线的照射和停止，如图6的（b）所示，当第2分割预定线222的另一端（在图6的（b）中右端）到达聚光器322的正下方位置时，在停止脉冲激光光线的照射的同时停止卡盘台31的移动。在该第1金属膜去除步骤中，如图6的（a）所示，将脉冲激光光线的聚光点P对齐到被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24的上表面附近。其结果，如图6的（b）所示，被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24，将与对应于第2分割预定线222的区域之间的交叉区域排除在外而去除与第1分割预定线221对应的区域，形成第1激光加工槽241（第1金属膜去除步骤）。
由此，在沿着在光器件晶片2上形成的所有的第1分割预定线221实施了上述第1金属膜去除步骤之后，使卡盘台31转动90度。并且，实施第2金属膜去除步骤，即，通过对与第2分割预定线222对应的区域照射激光光线，沿着第2分割预定线222去除金属膜24，形成第2激光加工槽。
在第2实施方式中的第2金属膜去除步骤中，如图7的（a）所示，将卡盘台31移动到激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域上，将与第2分割预定线222的规定的一端（在图7的（a）中左端）对应的坐标值定位在激光光线照射单元32的聚光器322的正下方。接着，在从激光光线照射单元32的聚光器322照射激光光线的同时使卡盘台31以规定的加工进给速度在图7的（a）中的箭头X1所示的方向移动。并且，如图7的（b）所示，当第2分割预定线222的另一端（在图7的（b）中右端）到达聚光器322的正下方位置时，在停止脉冲激光光线的照射的同时停止卡盘台31的移动。在该第1金属膜去除步骤中，如图7的（a）所示，将脉冲激光光线的聚光点P对齐到被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24的上表面附近。其结果，如图7的（b）所示，被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24，被去除与第2分割预定线222对应的区域而形成第2激光加工槽242（第2金属膜去除步骤）。由此，沿着在光器件晶片2上形成的所有的第2分割预定线222来实施上述第2金属膜去除步骤。
如上所述，在第2实施方式中的第1金属膜去除步骤中，由于将与对应于第2分割预定线222的区域之间的交叉区域排除在外地照射脉冲激光光线，因此之后在第2金属膜去除步骤中对与第2分割预定线222对应的区域照射脉冲激光光线时，在与在第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽241之间的交叉区域上存在金属膜，因此脉冲激光光线不会照射到形成在蓝宝石基板20的表面20a上的光器件层21，能够防止对光器件层21施加损伤。
如上所述，在实施了第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤实施之后，实施改质层形成步骤，即，从蓝宝石基板20的背面20b侧沿着第1激光加工槽241及第2激光加工槽242照射相对于蓝宝石基板20具有透过性的波长的激光光线，在蓝宝石基板20的内部沿着第1激光加工槽241及第2激光加工槽242形成改质层。该改质层形成步骤是使用图8所示的激光加工装置30来实施的。由于图8所示的激光加工装置30除了照射的脉冲激光光线以外，具有与上述图3所示的激光加工装置3实质上相同的结构，因此对相同部件附上相同符号，省略其说明。
在使用上述的激光加工装置30实施改质层形成步骤时，首先在图8所示的激光加工装置30的卡盘台31上载置贴附在蓝宝石基板20的表面20a上的保护带T侧，其中，该蓝宝石基板20构成实施了上述第1金属膜去除步骤及第2金属膜去除步骤的光器件晶片2。并且，通过使未图示的吸引单元工作，将光器件晶片2通过保护带T保持在卡盘台31上（晶片保持步骤）。因此，在保持在卡盘台31上的光器件晶片2中，被覆在蓝宝石基板20的背面20b上的金属膜24成为上侧。
实施了上述的晶片保持步骤后，吸引保持了光器件晶片2的卡盘台31通过未图示的加工进给单元而定位在摄像单元33的正下方。当卡盘台31定位在摄像单元33的正下方时，通过摄像单元33及未图示的控制单元执行光器件晶片2是否定位在规定的坐标值处的对准作业。即、摄像单元33及未图示的控制单元执行用于进行形成在金属膜24上的第1激光加工槽241与沿着该第1激光加工槽241照射激光光线的激光光线照射单元32的聚光器322的对齐的图案匹配等图像処理，依次执行激光光线照射位置的对准（对准步骤），其中，该金属膜24通过上述第1金属膜去除步骤而被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上。另外，对于形成在金属膜24上第2激光加工槽242，也同样进行激光光线照射位置的对准，其中，该金属膜24通过上述第2金属膜去除步骤而被覆在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b上。
由此，检测形成在金属膜24上的第1激光加工槽241及第2激光加工槽242，其中，该金属膜24被覆在构成保持在卡盘台31上的光器件晶片2的蓝宝石基板20的背面20b，进行了激光光线照射位置的对准后，如图9的（a）所示，将卡盘台31移动到激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域上，将第1激光加工槽241的规定的一端（在图9的（a）中左端）定位在激光光线照射单元32的聚光器322的正下方。并且，将脉冲激光光线的聚光点P对齐到蓝宝石基板20的厚度方向中央部。接着，在从聚光器322照射相对于蓝宝石基板20具有透过性的波长的脉冲激光光线的同时使卡盘台31以规定的加工进给速度在图9的（a）中的箭头XI所示的方向移动。并且，如图9的（b）所示，当第1激光加工槽241的另一端（在图9的（b）中右端）到达激光光线照射单元32的聚光器322的照射位置上时，在停止脉冲激光光线的照射的同时停止卡盘台31的移动。其结果，在构成光器件晶片2的蓝宝石基板20的内部，如图9的（b）所示，沿着第1激光加工槽241形成有改质层243。该改质层243形成为熔融再固化层。
上述改质层243形成步骤的加工条件例如以如下所述的方式设定。
脉冲激光光线的波长：1045nm
重复频率：100kHz
平均输出：0.3W
聚光点直径：1~2μm
加工进给速度：400mm/秒
由此，沿着形成在光器件晶片2上的所有的第1分割预定线221执行上述改质层形成步骤后，使卡盘台31转动90度。并且，沿着形成在光器件晶片2上的所有的第2分割预定线222来执行上述改质层形成步骤。
实施了上述的改质层形成步骤的光器件晶片2，通过施加外力，沿着形成有作为断裂起点的改质层243的第1分割预定线221及第2分割预定线222断裂，转移到分割成各个光器件的晶片分割步骤中。
Claims (3)
1.一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，为了提高光器件的亮度，在该基板的背面被覆了金属膜，由此形成该光器件晶片，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：
第1金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第1分割预定线去除该金属膜，从而形成第1激光加工槽；以及
第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽，
在该第2金属膜去除步骤中，将与在该第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
2.一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，为了提高光器件的亮度，在该基板的背面被覆了金属膜，由此形成该光器件晶片，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：
第1金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第1分割预定线去除该金属膜，从而形成第1激光加工槽；以及
第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽，
在该第1金属膜去除步骤中，将与对应于该第2分割预定线的区域之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
3.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的加工方法，其中，
在实施了该第2金属膜去除步骤之后，实施改质层形成步骤，在该改质层形成步骤中，从该基板的背面侧沿着该第1激光加工槽及该第2激光加工槽照射相对于该基板具有透过性的波长的激光光线，在该基板的内部沿着该第1激光加工槽及该第2激光加工槽形成改质层。
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