CN102820309A - 用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 17
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 101100129500 Caenorhabditis elegans max-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100030393 G-patch domain and KOW motifs-containing protein Human genes 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 208000024754 bloodshot eye Diseases 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007600 charging Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000005111 ocular hyperemia Diseases 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000013138 pruning Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14616—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
本申请案涉及用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素。本发明的实施例描述通过将成像像素的浮动扩散节点耦合到多个金属氧化物半导体MOS电容区域来将高动态范围成像(HDRI或仅HDR)提供到所述成像像素。应理解，MOS电容区域仅在所述浮动扩散节点处的电压(或栅极节点与所述浮动扩散节点之间的电压差)大于其阈值电压时“接通”(即，改变所述浮动扩散节点的总电容)；在所述MOS电容区域“接通”前，其不对所述浮动扩散节点的所述总电容或转换增益有影响。所述MOS电容区域中的每一者将具有不同的阈值电压，借此在不同的照明条件下“接通”。此增大了所述成像像素的动态范围，借此提供用于主成像系统的HDR。
Description
技术领域
本发明的实施例大体涉及图像俘获装置，且更特定来说但并不排他地涉及增强图像俘获装置的动态范围。
背景技术
图像俘获装置包括图像传感器及成像透镜。成像透镜将光聚焦到图像传感器上以形成图像，且图像传感器将光转换成电信号。将电信号从图像俘获装置输出到主电子系统的其它组件。所述电子系统可为(例如)移动电话、计算机、数码相机或医疗装置。
随着像素单元变小，像素单元输出可易于通过下游信号处理解密的足够强度的信号变得更困难。此外，存在对图像传感器在从低光条件变化到亮光条件的大照明条件范围上执行的需求。此执行性能一般被称作具有高动态范围成像(HDRI或者仅HDR)。因此，用于减小像素单元的大小的现有技术解决方案限制了像素单元的动态范围。
图1为包括于图像传感器阵列内的现有技术四晶体管(4T)像素单元的图。像素单元100包括光感测元件(即，光电二极管)101、转移晶体管102、复位晶体管103、源极跟随器晶体管104及行选择晶体管105。
在操作期间，转移晶体管102接收转移信号TX，其将在光电二极管101中所累积的电荷转移到浮动扩散节点106。复位晶体管103耦合于电力轨VDD与浮动扩散节点106之间以在复位信号RST的控制下复位像素单元100(例如，将浮动扩散节点106及光电二极管101放电或充电到预设电压)。
浮动扩散节点106经耦合以控制源极跟随器晶体管104的栅极端子。源极跟随器晶体管104耦合于电力轨VDD与行选择晶体管105之间。行选择晶体管105在行选择信号RS的控制下将像素电路的输出选择性耦合到读出列190。
在正常操作中，通过临时断言复位信号RST及转移信号TX而复位光电二极管101及浮动扩散节点106。通过撤销断言转移信号TX且准许入射光对光电二极管101充电而开始累积窗(即，曝光周期)。随着光产生的电子累积于光电二极管101上，其电压降低(电子为负电荷载流子)。光电二极管101上的电压或电荷指示在曝光周期期间入射于光电二极管101上的光的强度。在曝光周期的末尾，复位信号RST经撤销断言以隔离浮动扩散节点106，且转移信号TX经断言以将光电二极管101耦合到浮动扩散节点106。电荷转移使浮动扩散节点106的电压按与在曝光周期期间累积于光电二极管101上的光产生的电子成比例的量下降。
浮动扩散节点106经设计得相对小，以便实现高转移或转换增益；然而，在高照明条件下，通过光电二极管101所产生的电荷(信号)的量可大于浮动扩散节点106的容量。这将导致浮动扩散节点的饱和，进而产生减小的动态范围以及减小的信噪比(SNR)。
发明内容
在一个方面中，本发明提供一种成像传感器像素，其包含：浮动扩散(FD)区域；光敏元件，其用以获取图像电荷；转移栅极，其将所述图像电荷从所述光敏元件选择性转移到所述FD区域；及多个金属氧化物半导体(MOS)电容区域，其耦合到所述FD区域以增大所述FD区域的电容，其中所述MOS电容区域中的每一者包括最小电容值及不同的阈值电压值，所述MOS电容区域中的每一者在转移到所述FD区域的所述图像电荷超过其阈值电压值时具有大于其最小电容值的电容值。
在另一方面中，本发明进一步提供一种系统，其包含：成像像素阵列，其中每一成像像素包括：浮动扩散(FD)区域，光敏元件，其用以获取图像电荷，转移栅极，其将所述图像电荷从所述光敏元件选择性转移到所述FD区域，及多个金属氧化物半导体(MOS)电容区域，其耦合到所述FD区域以增大所述FD区域的电容，其中所述MOS电容区域中的每一者包括最小电容值及不同的阈值电压值，所述MOS电容区域中的每一者在转移到所述FD区域的所述图像电荷超过其阈值电压值时具有大于其最小电容值的电容值；控制单元，其耦合到所述成像像素阵列以控制所述成像像素阵列的图像数据俘获；及读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从所述成像像素中的每一者读出所述图像数据。
附图说明
以下描述包括具有通过本发明的实施例的实施方案的实例所给出的说明的图的论述。所述图式应通过实例而非通过限制来理解。如本文中所使用，应将对一个或一个以上“实施例”的参考理解为描述包括于本发明的至少一个实施方案中的特定特征、结构或特性。因此，出现于本文中的例如“在一个实施例中”或“在一替代实施例中”的词组描述本发明的各种实施例及实施方案，且未必全部指代同一实施例。然而，其也未必相互排斥。
图1为现有技术四晶体管(4T)像素单元的图。
图2为说明根据本发明的一实施例的成像系统的框图。
图3为根据本发明的一实施例的4T像素单元的图。
图4为根据本发明的一实施例的对于MOS电容区域的电容对栅极电压曲线的曲线图。
图5A及5B为根据本发明的实施例的耦合到浮动扩散节点的多个MOS电容区域的说明。
图6为根据本发明的一实施例的利用具有多个掺杂剂区域的MOS电容器的像素单元的横截面图。
图7为展示在根据本发明的一实施例的像素单元的浮动扩散节点处的光强度与电容之间的关系的曲线图。
接下来为某些细节及实施方案的描述，包括可描绘下文所描述的实施例中的一些或全部的图的描述，以及论述本文中所呈现的发明性概念的其它可能实施例或实施方案。下文提供本发明的实施例的综述，随后是参看图式的更详细描述。
具体实施方式
本发明的实施例描述通过将成像像素的浮动扩散节点耦合到多个金属氧化物半导体(MOS)电容区域将高动态范围成像(HDRI或仅HDR)提供到成像像素。应理解，MOS电容区域仅在浮动扩散节点处的电压(或在栅极节点与浮动扩散节点之间的电压差)大于MOS电容区域的阈值电压时“接通”(即，改变浮动扩散节点的总电容)；在MOS电容区域“接通”前，其不对成像像素的总电容或转换增益有影响。
本发明的实施例所利用的多个MOS电容区域中的每一者可具有不同的阈值电压，借此在不同的照明条件下“接通”。此增大成像像素的动态范围，借此提供用于主成像系统的HDR，以及增大成像系统的信噪比(SNR)。
在以下描述中，阐述众多特定细节以提供对实施例的透彻理解。然而，所属领域的技术人员应认识到，可在无特定细节中的一者或一者以上的情况下或通过其它方法、组件、材料等来实践本文中所描述的技术。在其它例子中，并未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免使某些方面晦涩难懂。
图2为说明根据本发明的一实施例的成像系统的框图。所说明的实施例成像系统200包括像素阵列205、读出电路210、功能逻辑215及控制电路220。
像素阵列205为成像传感器单元或像素单元(例如，像素P1、P2、...、Pn)的二维(2D)阵列。在一个实施例中，每一像素单元为互补金属氧化物半导体(CMOS)成像像素。在另一实施例中，每一像素单元为电荷耦合装置(CCD)成像像素。像素阵列205可实施为前侧照明图像传感器或后侧照明图像传感器。如所说明，每一像素单元排列成行(例如，行R1到Ry)及列(例如，列C1到Cx)以获取人、地点或物体的图像数据，接着可使用所述图像数据来再现人、地点或物体的图像。
在每一像素已获取其图像数据或图像电荷之后，图像数据由读出电路210读出并转移到功能逻辑215。读出电路210可包括放大电路、模/数(ADC)转换电路或其它电路。功能逻辑215可仅存储图像数据，或甚至通过应用后期图像效果(例如，修剪、旋转、去红眼、调整亮度、调整对比度或其它操作)来操纵图像数据。在一个实施例中，读出电路210可沿读出列线(说明为一般位线)一次读出一行图像数据，或可使用多种其它技术(未说明)同时读出图像数据，例如串行读出、沿读出行线的列读出或所有像素的全并行读出。
控制电路220耦合到像素阵列205，且包括用于控制像素阵列205的操作特性的逻辑。举例来说，复位、行选择及转移信号可由控制电路220产生。控制电路220还可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实施例中，快门信号为用于同时使像素阵列205内的所有像素能够在单一获取窗期间同时俘获其相应图像数据的全局快门信号。在一替代实施例中，快门信号为借以在连续获取窗期间依次启用每一行、每一列或每一群组像素的滚动快门信号。
在一个实施例中，成像系统200为包括于电子系统中的子系统。所述电子系统可为移动电话、计算机、数码相机或医疗装置，且可进一步包括操作单元，所述操作单元包含与电子系统有关的计算或处理单元。举例来说，所述电子系统可为移动电话，且所述操作单元可为负责系统的电话操作的电话单元。
图3为根据本发明的一实施例的四晶体管(4T)像素单元的图。像素单元300包括于像素单元阵列中，如上文所述且在图2的像素阵列205中所说明。像素单元300包括光电二极管301、转移晶体管302、复位晶体管303、源极跟随器晶体管304及行选择晶体管305。这些元件类似于图1的4T像素单元发挥功能。
在此实施例中，像素单元300还包括可变电容元件307，可变电容元件307包括多个MOS电容区域。如下文所述，多个MOS电容区域的存在允许浮动扩散节点306的电容在某些照明条件下变化——即，当栅极端子308与浮动扩散节点306之间的电压差大于MOS电容区域中的一者的阈值电压值时。
图4为根据本发明的一实施例的MOS电容区域的电容值对栅极电压曲线的曲线图。曲线图400展示曲线410，曲线410说明用于具有p+栅极及n-主体的MOS电容区域的电容值。应理解，对于包含位于p-主体上的n+栅极的MOS电容区域，曲线410将为镜面式(即，‘翻转’)。
当施加到MOS电容区域的电压(即，栅极电压)小于阈值电压VT时，高频率电容CHF值处于CMIN，而准静态电容CQS处于CMax。对于本发明的实施例的使用，将仅考虑CHF，且CQS将不对包括所述MOS电容区域的像素单元的总电容有影响。
当施加到电容器的电压处于阈值电压VT与平带电压VFB之间时，MOS电容区域的电容值为所施加电压的函数——即，所施加电压超过阈值电压VT越大，则MOS电容区域的电容值越高。当施加到MOS电容区域的电压超过平带电压VFB时，MOS电容区域的电容值达到最大值CMAX。
当MOS电容区域操作性耦合到4T像素单元的浮动扩散节点(例如，图3的浮动扩散节点306)时，则在高照明光条件下，MOS电容区域可具有在读出操作期间超过其CMIN值的电容值。此实际上增大浮动扩散节点的电容；然而，在低光条件下，MOS电容区域可具有处于其CMIN值的电容值；在本发明的一些实施例中，所述CMIN值为零或接近零，使得浮动扩散节点的电容值将仅包括其本征电容(如上文所述，对于小的浮动扩散节点，其为相对小的电容值)。
图5A及5B为根据本发明的实施例的耦合到浮动扩散节点的多个MOS电容区域的说明。在图5A中，多个MOS电容器(即，电容器510、511、...、51n)经并联耦合且耦合到浮动扩散节点500。应理解，在其它实施例中，元件510-51n可为多个MOS晶体管以提供可变电容。
尽管未展示，但应理解，浮动扩散节点500包括于图像像素单元中，其类似于图3的像素单元300中的浮动扩散节点306。
在此实施例中，电容器510-51n中的每一者将具有不同的阈值电压VT值，借此对在不同的电压电平下的浮动扩散节点500的总电容有影响。在一个实施例中，电容器510的平带电压VFB值可为与511的阈值电压VT值相同的值，电容器511的平带电压VFB值可为与电容器512(未图示)的阈值电压VT相同的值，对于所有电容器511-51n，情况均如此(但在其它实施例中，可存在电容器的VT-VFB范围的某一重叠)。此外，电容器中的每一者可具有接近零的最小电容值CMIN。因此，对于电容器510的VT到电容器51n的VFB的电压范围，在浮动扩散节点500处的总电容将为在浮动扩散节点处所接收的电压(即，在相应图像传感器处所接收的光的强度)的函数，但对于低于电容器510的VT的电压，浮动扩散节点的电容将不大于其本征电容。
图5B说明多个电容区域的一替代实施例。在此实施例中，并不利用如在图5A中所展示的多个不同的电容器，而利用包括多个相异的掺杂剂区域的单一MOS电容器。MOS电容器550包括接触件590及595、“金属”层580、氧化物层570及掺杂剂区域560、561、...、56n。掺杂剂区域560-56n中的每一者将具有不同的掺杂程度以影响每一区域的阈值电压VT及平带电压VFB值。因此，应理解，电容器550为图5A的多个电容器510-51n的更简单且有效的功能等效物。
图6为根据本发明的一实施例的利用具有多个掺杂剂区域的MOS电容器的像素单元的横截面图。在此实施例中，4T像素单元600包括形成于衬底610的前侧上的光电二极管680。在此实施例中，光电二极管680包含p型钝化或钉扎层670及n型光敏区域675。p型扩散阱620形成于衬底610内。浮动扩散件660、MOS电容器690、复位晶体管、源极跟随器晶体管及行选择晶体管(未图示)也可形成于p型扩散阱620或类似建构的扩散阱内。在像素600的操作期间，转移晶体管605接收转移信号以将在光电二极管680中所累积的电荷转移到浮动扩散件660。浅沟槽隔离(STI)区域630将像素600与相应像素阵列内的其它像素单元分开。
在此实施例中，在亮光条件下，MOS电容器690增大浮动扩散节点660的电容。如上文所述，使MOS电容器690所提供的电容变化的一种方式是使多个所包括的电容区域的阈值电压变化。在此实施例中，通过使在MOS电容器690的栅极640下的区域650的掺杂程度变化而实现所述可变电容(例如，区域650可包含硅且栅极640可包含多晶硅)。
在此实施例中，栅极640下的区域650包含掺杂剂区域651、652、653及654。因此，MOS电容器690可被看作将四个可变电容提供到浮动扩散节点660。当施加到MOS电容器690的栅极640的电压克服掺杂剂区域651所产生的阈值电压时，将可变电容CMOS1施加到浮动扩散节点660。当施加到栅极640的电压克服掺杂剂区域652所产生的阈值电压(在此实施例中，其“高”于掺杂剂区域651的阈值电压)时，将可变电容CMOS2(除了CMOS1外)施加到浮动扩散节点660，对于可分别将可变电容CMOS3及CMOS4提供到浮动扩散件660的掺杂剂区域653及654，情况均如此。在其它实施例中，区域650可包含大于两个的任何量的掺杂剂区域。
在此实施例中，区域650具有一掺杂剂分布，其中掺杂剂浓度从最接近浮动扩散节点660的掺杂剂区域651增大到最接近STI 630的掺杂剂区域654。通过掺杂剂浓度从浮动扩散节点660增大到STI 630的掺杂剂分布，由MOS电容器690提供到浮动扩散件660的电容可随着施加到栅极端子640的增大(或减小)的电压而增大(或减小)。具有多个掺杂剂区域651-654的MOS电容器690由此将变化的电容提供到浮动扩散件660。应理解，利用本发明的上述实施例的像素及成像阵列将具有增大的动态范围，借此实现用于成像阵列的HDR。
在此实施例中，掺杂剂区域651-654为p型，如扩散阱620。在其它实施例中，掺杂剂区域651-654为n型。在其它实施例中，掺杂剂区域651-654可能并不全为相同类型(例如，掺杂剂区域651及652可为n型，而掺杂剂区域653及654为p型，等等)。
在所说明的实施例中，光电二极管680及像素单元600的其它元件形成于衬底600中。在其它实施例中，像素单元600可形成于安置于衬底上的外延层中。在其它实施例中，像素单元600可在栅极640与STI 630之间具有扩散区域(图6中未展示)。
在所说明的实施例中，栅极640可经n掺杂或未掺杂。在本发明的其它实施例中，栅极640可经p掺杂，此可降低MOS电容器690的阈值电压。栅极640可经n掺杂以增大MOS电容器690的阈值电压。
在所说明的实施例中，掺杂剂区域651、652、653及654形成于栅极640下的区域中以将可变电容提供到MOS电容器690。在本发明的其它实施例中，掺杂剂区域651、652、653及654可形成于栅极640中。换句话说，栅极640的掺杂剂浓度可变化以将可变电容提供到MOS电容器690。
电容区域651-654可具有邻接(或几乎邻接)的非重叠阈值电压——平带电压值范围，借此产生电容范围，其中在浮动扩散节点660处的电容为如下文所述在电压处于电容区域651的阈值电压与电容区域654的平带电压之间时的所述电压的函数。
图7为展示在根据本发明的一实施例的像素单元的浮动扩散节点处的光强度与电容之间的关系的曲线图。曲线图700包括曲线710，曲线710基于光电二极管680所接收的光强度来表示图6的浮动扩散节点660的电容(应理解，像素单元600的动态范围对应于在浮动扩散节点处的电容，且由此也由曲线710表示)。
光强度值721处的电容表示浮动扩散节点660的本征电容。在此实施例中，当光强度超过值721时，超过掺杂剂区域651的阈值电压的电压将被施加到栅极640，借此提供展示为区段731的可变电容。在此实施例中，当光强度接近值722时，掺杂剂区域651已达到其平带电压(即，达到其展示为CMax_1的最大电容)；然而，当光强度值超过值722时，超过掺杂剂区域652的阈值电压的电压将被施加到栅极640，借此提供展示为区段732的可变电容(其中所述可变电容包括CMax_1，这是因为掺杂剂区域651已达到其平带电压)。
类似地，随着光强度值超过值723及724，分别超过掺杂剂区域653及654的阈值电压的电压将被施加到栅极640，借此分别提供展示为区段733及734的可变电容。
在此实施例中，为了实现相对平滑的电容/动态范围曲线(如在曲线710中所展示)，掺杂剂区域651-654可按面积及/或按掺杂剂分布变化以便实现不同的CMax值。因此，掺杂剂区域654的CMax_4小于掺杂剂区域653的CMax_3，掺杂剂区域653的CMax_3小于掺杂剂区域652的CMax_2，掺杂剂区域652的CMax_2小于掺杂剂区域651的CMax_1。此外，在此实施例中，掺杂剂区域651的平带电压值为或接近掺杂剂区域652的阈值电压值，掺杂剂区域652的平带电压值为或接近掺杂剂区域653的阈值电压值，等等。
可通过任何数目种常规方式监视由光电二极管(及图像传感器)接收的光强度级。可对来自图像传感器的输出的亮度级进行检验。如所属领域的技术人员可了解，几乎每一图像传感器都具有用于自动增益控制及曝光控制的电路。通过确定从像素输出的信号的强度，可确定环境光级。在图像传感器的成像区外部的专用光敏装置可用以监视由图像传感器接收的光强度级。通过将光强度级与一个(或一个以上)阈值(例如，图4B的阈值485、486及487)比较，可确定施加到栅极640的电压电平。
在上文中被称作本文中所描述的过程、服务器或工具的各种组件可为用于执行所描述的功能的构件。本文中所描述的每一组件包括软件或硬件，或这些的组合。每一及所有组件可实施为软件模块、硬件模块、专用硬件(例如，专用硬件、ASIC、DSP等)、嵌入式控制器、固线式电路、硬件逻辑等。可经由包括非暂时性有形计算机或机器可读存储媒体的制品提供软件内容(例如，数据、指令、配置)，所述制品提供表示可执行的指令的内容。所述内容可引起计算机执行本文中所描述的各种功能/操作。
本发明的所说明实施例的以上描述(包括在摘要中所描述的内容)并不既定为详尽的或将本发明限于所揭示的精确形式。如所属领域的技术人员将认识到，尽管在本文中出于说明性目的而描述本发明的特定实施例及实例，但各种修改在本发明的范围内是可能的。
可按照以上详细描述对本发明进行这些修改。在所附权利要求书中所使用的术语不应被解释为将本发明限于本说明书中所揭示的特定实施例。实情为，本发明的范围应完全由所附权利要求书确定，应根据权利要求书解译的所建立的准则来解释所附权利要求书。
Claims (20)
1.一种成像传感器像素，其包含：
浮动扩散FD区域；光敏元件，其用以获取图像电荷；
转移栅极，其将所述图像电荷从所述光敏元件选择性转移到所述FD区域；及多个金属氧化物半导体MOS电容区域，其耦合到所述FD区域以增大所述FD区域的电容，其中所述MOS电容区域中的每一者包括最小电容值及不同的阈值电压值，所述MOS电容区域中的每一者在转移到所述FD区域的所述图像电荷超过其阈值电压值时具有大于其最小电容值的电容值。
2.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述多个MOS电容区域包括于MOS电容器中，且每一MOS电容区域包含不同的掺杂剂水平。
3.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其进一步包含耦合到所述FD区域的多个MOS电容器，其中所述多个MOS电容区域中的每一者包括于所述多个MOS电容器中的一者中，所述多个MOS电容器经并联耦合。
4.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述多个MOS电容区域中的一者的平带电压等于所述多个MOS电容区域中的另一者的阈值电压。
5.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述多个MOS电容区域中的每一者包含不同的最大电容值。
6.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述多个MOS电容区域中的每一者的最小电容值为零。
7.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述光敏元件安置于半导体裸片内，用于响应于入射于所述成像传感器像素的后侧上的光而累积图像电荷。
8.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述光敏元件安置于半导体裸片内，用于响应于入射于所述成像传感器像素的前侧上的光而累积图像电荷。
9.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述成像传感器像素包含互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。
10.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述成像传感器像素包含电荷耦合装置CCD图像传感器。
11.一种系统，其包含：
成像像素阵列，其中每一成像像素包括：
浮动扩散FD区域，
光敏元件，其用以获取图像电荷，
转移栅极，其将所述图像电荷从所述光敏元件选择性转移到所述FD区域，及多个金属氧化物半导体MOS电容区域，其耦合到所述FD区域以增大所述FD区域的电容，其中所述MOS电容区域中的每一者包括最小电容值及不同的阈值电压值，所述MOS电容区域中的每一者在转移到所述FD区域的所述图像电荷超过其阈值电压值时具有大于其最小电容值的电容值；
控制单元，其耦合到所述成像像素阵列以控制所述成像像素阵列的图像数据俘获；及
读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从所述成像像素中的每一者读出所述图像数据。
12.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述多个MOS电容区域包括于MOS电容器中，且每一MOS电容区域包含不同的掺杂剂水平。
13.根据权利要求11所述的系统，其中所述成像像素阵列的每一成像像素进一步包含耦合到所述FD区域的多个MOS电容器，其中所述多个MOS电容区域中的每一者包括于所述多个MOS电容器中的一者中，所述多个MOS电容器经并联耦合。
14.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述多个MOS电容区域中的一者的平带电压等于所述多个MOS电容区域中的另一者的阈值电压。
15.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述多个MOS电容区域中的每一者包含不同的最大电容值。
16.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述多个MOS电容区域中的每一者的最小电容值为零。
17.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述光敏元件安置于半导体裸片内，用于响应于入射于所述成像像素的后侧上的光而累积图像电荷。
18.根据权利要求11所述的系统，其中对于所述成像像素阵列的每一成像像素，所述光敏元件安置于半导体裸片内，用于响应于入射于所述成像像素的前侧上的光而累积图像电荷。
19.根据权利要求11所述的系统，其中所述成像像素中的每一者包含互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。
20.根据权利要求11所述的系统，其中所述成像像素中的每一者包含电荷耦合装置CCD图像传感器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/155,969 | 2011-06-08 | ||
| US13/155,969 US8643132B2 (en) | 2011-06-08 | 2011-06-08 | In-pixel high dynamic range imaging |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102820309A true CN102820309A (zh) | 2012-12-12 |
| CN102820309B CN102820309B (zh) | 2015-06-10 |
Family
ID=47292445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201210171149.7A Active CN102820309B (zh) | 2011-06-08 | 2012-05-29 | 用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US8643132B2 (zh) |
| CN (1) | CN102820309B (zh) |
| HK (1) | HK1178689A1 (zh) |
| TW (1) | TWI504258B (zh) |
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| US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
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| CN110233979A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-13 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 图像传感器及其读出电路、像素结构 |
| CN110233979B (zh) * | 2019-06-06 | 2021-11-19 | 锐芯微电子股份有限公司 | 图像传感器及其读出电路、像素结构 |
| US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
| CN114641981A (zh) * | 2020-12-15 | 2022-06-17 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 图像传感器及其控制方法、图像处理器、成像装置 |
| US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK1178689A1 (zh) | 2013-09-13 |
| CN102820309B (zh) | 2015-06-10 |
| TW201251454A (en) | 2012-12-16 |
| US8643132B2 (en) | 2014-02-04 |
| TWI504258B (zh) | 2015-10-11 |
| US20120313197A1 (en) | 2012-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1178689 Country of ref document: HK |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| REG | Reference to a national code |
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|
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