CN102816982A - 一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺 - Google Patents
一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺 Download PDFInfo
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Abstract
一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺，属于记忆合金技术领域。其特征在于：将TiNiV记忆合金分别经过400℃、430℃、460℃、490℃、520℃的中温处理，保温时间为5分钟－25分钟。
Description
技术领域
本发明属于记忆合金技术领域，特指一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺。
背景技术
TiNiV记忆合金在生产过程中要经过中温处理，从而保证该合金具有形状记忆效应，然而，TiNiV记忆合金经过中温处理后，记忆合金的相变温度会改变，这就造成TiNiV记忆合金在应用过程中相变温度不稳定，因此找出中温处理与相变温度的关系至关重要。
本发明针对这一问题，开发出一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺。经过查询，未见有相关专利发表。
发明内容
本发明开发出一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺。其特征在于：将TiNiV记忆合金分别经过400℃、430℃、460℃、490℃、520℃的中温处理，保温时间为5分钟－25分钟。
上述中温处理温度为430℃，处理时间为15分钟，TiNiV记忆合金相变温度与原始相变温度相差最小。
附图说明
图1 中温处理温度和TiNiV记忆合金相变温度的关系。
具体实施方式
对比例：
TiNiV记忆合金没有进行中温处理时，TiNiV记忆合金原始相变温度见表1。
实施例1：
TiNiV记忆合金进行中温处理温度为400℃时，TiNiV记忆合金相变温度随中温处理温度的升高，相变温度与原始相变温度相差增大，见表1。
实施例2：
TiNiV记忆合金进行中温处理温度为430℃时，TiNiV记忆合金相变温度与原始相变温度相差最小，见表1。
实施例3：
TiNiV记忆合金进行中温处理温度为460℃时，TiNiV记忆合金相变温度与原始相变温度相差又开始增大，见表1。
实施例4：
TiNiV记忆合金进行中温处理温度为520℃时，TiNiV记忆合金相变温度与原始相变温度相差同样增大，见表1。
表1 TiNiV记忆合金经过不同中温处理后相变温度
| 中温处理（℃） | As（℃） | Af（℃） | Ms（℃） | Mf（℃） |
| 未处理 | -1.0 | 4.3 | -9.0 | -10.2 |
| 400 | -2.0 | 2.1 | -7.1 | -11.8 |
| 430 | -0.9 | 4.5 | -9.1 | -10.0 |
| 460 | 1.8 | 5.0 | -6.2 | -8.8 |
| 490 | -2.7 | 1.8 | -6.0 | -9.5 |
| 520 | -3.3 | 2.5 | -5.8 | -10.8 |
Claims (2)
1.一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺，其特征在于：将TiNiV记忆合金分别经过400℃、430℃、460℃、490℃、520℃的中温处理，保温时间为5分钟－25分钟。
2.根据权利要求1所述一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺，中温处理温度为430℃，处理时间为15分钟，TiNiV记忆合金相变温度与原始相变温度相差最小。
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| CN2012103047570A CN102816982A (zh) | 2012-08-25 | 2012-08-25 | 一种控制TiNiV记忆合金相变温度的中温处理工艺 |
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Publications (1)
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101649429A (zh) * | 2009-06-30 | 2010-02-17 | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 | 一种NiTiV形状记忆合金丝材的加工方法 |
| CN101671802A (zh) * | 2009-10-12 | 2010-03-17 | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 | 一种控制TiNi基记忆合金相变温度的中温热处理方法 |
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2012
- 2012-08-25 CN CN2012103047570A patent/CN102816982A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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Application publication date: 20121212 |