CN102800768A - 具有电流阻挡层的半导体发光装置 - Google Patents

具有电流阻挡层的半导体发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种半导体发光装置，包括：半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；第一电极，具有形成在第一导电半导体层的上表面的一部分上的至少一个接合焊盘；第二电极，具有形成在第二导电半导体层上的欧姆接触层；和电流阻挡层，位于第二导电半导体层与欧姆接触层之间并具有多个图案，多个图案排列为使得邻近与接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。

Description

具有电流阻挡层的半导体发光装置
技术领域
本发明涉及一种半导体发光装置，更具体而言，涉及一种具有电流阻挡层的半导体发光装置。
背景技术
半导体发光装置作为光源在高输出、优异的光效率和其可靠性方面具有优势，因此，已经活跃地进行了对其研究和发展以允许其用作照明装置或显示装置中的背光中的高输出和高效率的光源。
通常，半导体发光装置包括位于p型半导体层和n型半导体层之间的能通过电子和空穴的复合而发光的有源层。这样的半导体发光装置可以根据电极相对于半导体层设置的位置来分类或者根据电流路径来分类，虽然没有特别的限定，但是其分类可以根据主要用于半导体发光装置的基板中是否存在导电性而确定。
例如，当使用具有电绝缘的基板时，会需要台面蚀刻以形成连接到第一导电半导体层的第一电极。也就是说，部分的有源层和第二导电半导体层可以被部分地移除以暴露第一导电半导体层的一部分，第一电极形成在第一导电半导体层的被暴露的顶表面上。
在上述电极结构中，发光区域可能在台面蚀刻工艺中减小并且可能形成在垂直于电流的方向，因此会难以在全部区域上引起均匀的电流分布，这会导致发光效率的降低。
同时，当使用导电基板时，该导电基板可以用作侧电极。在该半导体发光装置结构中，与前一结构相比，发光区域中很少有光损失，可以相对地确保其中的均匀电流，由此可以提高光发射效率。
然而，在此情形下，位于光发射表面上的电极（主要是n侧电极）也应该形成为具有减小的尺寸以顺利发光，但是在此情形下，驱动电压增加，而且电流扩散效应恶化，因此实际的有源层的很多区域实际上不能用作有效的光发射区域。
因此，为了提高发光二极管（LED）中的光发射效率，对于显著提高电流扩散效应的研究已经成为重要课题，并且在发光装置中急切地需要该研究以获得高的光输出，尤其是通过发光装置的大面积而实现的高的光输出。
发明内容
本发明的一个方面提供一种半导体发光装置，其具有改善了电流扩散效应以提高光发射效率的结构。
根据本发明的一个方面，提供一种半导体发光装置，包括：半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；第一电极，具有形成在第一导电半导体层的上表面的一部分上的至少一个接合焊盘；第二电极，具有形成在第二导电半导体层上的欧姆接触层；和电流阻挡层，位于第二导电半导体层与欧姆接触层之间并具有多个图案，多个图案排列为使得邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
第一电极可以形成在第一导电半导体层上并可以进一步包括从接合焊盘延伸的多个电极分支。
在此情形下，多个电极分支可以在多个图案排列的方向上平行排列。
多个图案之间的间隔可以在远离与接合焊盘交叠的区域的方向上更大。多个电极分支可以根据需要排列为其间具有预定间隔。与此不同，多个电极分支可以分别形成在与多个图案交叠的区域上。
至少一个接合焊盘可以是形成在第一导电半导体层的上表面的不同区域上的多个接合焊盘。
多个接合焊盘可以分别设置在相对的拐角上，多个图案之间的间隔可以朝与第一导电半导体层的中心交叠的区域变大。
在多个图案之中，邻近与接合焊盘交叠的区域的图案的宽度可以大于其他图案的宽度。在此情形下，多个图案的宽度可以随着远离与接合焊盘交叠的区域而更小。
电流阻挡层可以由电绝缘材料形成。与此不同，电流阻挡层可以由其中形成第二导电半导体层的被损伤的晶体的区域形成，从而与欧姆接触层形成肖特基结。
半导体发光装置可以还包括提供有第二电极的导电基板，以支撑半导体发光叠层。在此情形下，第二电极可以还包括设置在欧姆接触层与导电基板之间的阻隔层。
第一电极可以还包括形成在第一导电半导体层上的透明电极层，接合焊盘可以形成在透明电极层上。在此情形下，半导体发光装置可以还包括附加的电流阻挡层，附加的电流阻挡层位于第一导电半导体层与透明电极层之间，并具有多个附加的图案。多个附加的图案可以形成在不与所述多个图案交叠的位置上。
根据本发明的另一方面，提供一种半导体发光装置，包括：半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；第一电极，具有形成在第一导电半导体层的上表面上的透明电极层和形成在透明电极层的一部分上的至少一个接合焊盘；第二电极，具有形成在第二导电半导体层上的欧姆接触层；和电流阻挡层，形成在第一导电半导体层与透明电极层之间并具有多个图案，多个图案排列为使得邻近与接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
多个图案之间的间隔可以在远离与接合焊盘交叠的区域的方向上更大。
至少一个接合焊盘可以是形成在透明电极层的上表面的不同区域上的多个接合焊盘。在此情形下，多个接合焊盘可以分别设置在相对的拐角上，多个图案之间的间隔可以朝第一导电半导体层的中心变大。
在多个图案之中，邻近与接合焊盘交叠的区域的图案的宽度可以大于其他图案的宽度。在此情形下，多个图案的宽度可以随着远离与接合焊盘交叠的区域而更小。
半导体发光装置可以还包括提供有第二电极的导电基板以支撑半导体发光叠层。在此情形下，第二电极可以还包括设置在欧姆接触层与导电基板之间的阻隔层。
附图说明
从下列结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本发明的实施方式的半导体发光装置的示意性透视图；
图2是示出图1所示的半导体发光装置的电流阻挡层的图案的剖面透视图；
图3是根据本发明的另一实施方式的半导体发光装置的示意性透视图；
图4是根据本发明的另一实施方式的半导体发光装置的示意性透视图；
图5是图4所示的半导体发光装置的截面图；
图6是根据本发明的另一实施方式的半导体发光装置的截面图；
图7是根据本发明的另一实施方式的半导体发光装置的截面图。
具体实施方式
现在将参考附图详细地描述本发明的实施方式，使得本发明所属领域的普通技术人员能够容易地实施这里描述的实施方式。然而，应该注意，本发明的精神不限于这里阐述的实施方式，而且本领域技术人员和理解本发明的人员通过增加、改变和去除在相同精神内的部件能够容易地进行倒退发明（retrogressive inventions）或者包括在本发明的精神内的其他实施方式，这些倒退发明和其他实施方式应该被理解为包括在本发明的精神内。
此外，在所有附图中，相同或相似的附图标记指代执行相似功能和动作的部分。
图1是根据本发明的实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。
根据本发明的实施方式的半导体发光装置10可以包括半导体发光叠层15，其包括第一导电半导体层15a、第二导电半导体层15b和夹置于其间的有源层15c。此外，第一和第二电极17和12可以分别形成在第一和第二导电半导体层15a和15b上。
如图1所示，第一电极17可以包括形成在第一导电半导体层15a的一个拐角区域上的接合焊盘17a，第二电极12可以包括与第二导电半导体层15b形成欧姆接触的欧姆接触层。
根据本发明的实施方式的第一电极17还可以包括连接到接合焊盘的延伸电极17b。该延伸电极17b可以具有多个电极分支17b1至17b5平行排列的结构。在本实施方式中，多个电极分支17b1至17b5被示出为按照其排列方向具有五个电极分支且分支之间具有预定间隔，但是间隔情况和电极分支的数目不限于此。
根据本发明的该实施方式的半导体发光装置10可以包括形成在第二导电半导体层15b与欧姆接触层之间的电流阻挡层14。电流阻挡层14可以通过选择性地形成电绝缘材料诸如SiO2或SiNx而提供，但是也可以通过在第二导电半导体层上形成损伤晶体的区域而提供。该晶体损伤可以通过离子注入、等离子体处理等而进行。
电流阻挡层14可以具有形成为彼此间隔开的多个图案P1至P4。
根据本实施方式使用的各个图案P1至P4可以具有如图2所示的条形。图案P1至P4可以具有与电极分支17b1至17b5相关的形状，但是不限于此。此外，多个图案P1至P4可以排列为相应于电极分支17b1至17b5的排列方向。
考虑电极分支17b1至17b5引起的电流分布，通过图案P1至P4的形状和排列，可以促进相对有效的电流扩散。
为了提高电流扩散效应，本实施方式中采用的图案P1至P4可以排列为使得邻近与接合焊盘17a交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。即，如图2所示，最靠近接合焊盘17a的两个图案P1与P2之间的间隔L1可以被调整为小于其他相邻的图案P2与P3或P3与P4之间的间隔。
该图案间隔方案有利于大量集中在邻近接合焊盘17a的区域中的电流的有效分散，结果，电流扩散效应在全部区域上可以相对更均匀。
同时，与本实施方式不同，多个图案可以被排列使得其尺寸从与接合焊盘交叠的区域朝远离其的区域变大，考虑到电流集中程度随着接合焊盘一起逐渐减小的事实，可以预期相对均匀的电流扩散效应。
此外，第一电极结构可以被不同地改变，因此可以根据不同的实施方式而改变和实施。例如，可以采用多个接合焊盘而将这样的接合焊盘应用于第一电极结构，因此，电流阻挡层的图案也可以改变。此外，考虑电流扩散效应而提供的电极分支的排列也可以以不同的形式实施，所以图案位置也可以改变以改善电流扩散效应。
在本发明的各个实施方式中，一个实施方式在图3中示出。图3提供了根据本发明另一实施方式的电极分支和两个接合焊盘的新的排列。
图3所示的半导体发光装置30可以包括半导体发光叠层35，该半导体发光叠层35包括第一导电半导体层35a、第二导电半导体层35b和夹置于其间的有源层35c，半导体发光装置30还可以包括分别形成在第一和第二导电半导体层35a和35b上的第一和第二电极37和32。
在本实施方式中，第二电极32可以包括与第二导电半导体层35b形成欧姆接触的欧姆接触层32a，还包括阻隔层32b。欧姆接触层32a可以由高反射欧姆接触材料形成。欧姆接触层32a可以是由选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合物构成的组的材料形成的至少一层。阻隔层32b可以防止导电基板31的组成元素扩散到欧姆接触层并因此使欧姆特性恶化。阻隔层32b可以由选自Ti、Ni、Cr、Au、TiW、TiN及其组合物的材料形成。即，可以根据本发明的另一实施方式而有用地应用第二电极32。
根据本实施方式的第一电极37可以包括形成在第一导电半导体层35a上的两个接合焊盘37a1和37a2，与上面描述的本发明的实施方式不同。两个接合焊盘37a1和37a2可以设置在两个相对的拐角上，从而在其全部区域上促进均匀的电流扩散。
第一电极37可以包括与其连接的延伸电极37b，如图3所示。延伸电极37b可以包括平行排列的多个电极分支37b1至37b6。然而，多个电极分支37b1至37b6可以排列为使得其间的间隔在远离各个接合焊盘37a1和37a2的方向上更大（d1<d2<d3）。即，中心电极分支37b3和37b4之间的间隔d3可以具有位于其间的最宽的间隔，如图3所示。
半导体发光装置30可以包括形成在第二导电半导体层35b与欧姆接触层32a之间的电流阻挡层34。电流阻挡层34可以具有形成为彼此间隔开的多个图案P1至P6。
根据本实施方式的各个图案P1至P6可以具有如图2所示的条形，并可以排列为相应于电极分支37b1至37b6的排列方向。
根据本实施方式，为了改善电流扩散效应，根据本实施方式采用的图案P1至P6也可以排列为使得邻近与接合焊盘37a1或37a2交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
具体地，如图3所示，最靠近每个接合焊盘37a1的图案P1与P2之间的间隔L1可以等于最靠近每个接合焊盘37a2的图案P5与P6之间的间隔L1，间隔L1可以设为小于其他相邻的图案P2与P3、P3与P4以及P4与P5之间的间隔L2和L3。
此外，在本实施方式中，多个图案P1至P6可以形成为使得它们分别位于与多个电极分支37b1至37b6交叠的区域上。通过逐一抑制各个电极分支37b1至37b6引起的电流集中现象，电流阻挡层34的图案排列可以获得相对有效的电流扩散效应。
上述实施方式描述了电流阻挡层设置在层的与光发射表面相反的一侧（即，层的设置导电基板的一侧）的情形，换言之，电流阻挡层位于欧姆接触层与第二导电半导体层之间，但是不限于此。即，根据本发明的另一实施方式，电流阻挡层可以以如下方式实施：提供在作为光发射表面而不是导电基板的区域中，即，提供在第一导电半导体层中。此实施方式参照图4至图7说明。
首先，将参照图4和图5描述电流阻挡层提供在光发射表面上的基础示例。
根据本实施方式的半导体发光装置40可以包括半导体发光叠层45，该半导体发光叠层45包括第一导电半导体层45a、第二导电半导体层45b和夹置在其间的有源层45c。此外，半导体发光装置40可以包括分别形成在第一和第二导电半导体层45a和45b上的第一和第二电极47和42。
在本实施方式中，第二电极42可以包括与第二导电半导体层45b形成欧姆接触的欧姆接触层42a，还包括阻隔层42b。欧姆接触层42a可以由高反射欧姆接触材料形成。欧姆接触层42a可以是由选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合物构成的组的材料形成的至少一层。阻隔层42b可以由选自Ti、Ni、Cr、Au、TiW、TiN及其组合物的材料形成。
此外，第一电极47可以包括形成在第一导电半导体层45a的上表面上的透明电极层47b，以及形成在第一导电半导体层45a的一个拐角上的接合焊盘47a。
具体地，本实施方式描述了透明电极层47b基本上形成在第一导电半导体层45a的上表面的全部区域上的情形，接合焊盘47a提供在透明电极层47b上，但是也可以直接形成在第一导电半导体层45a上。然而，更具体地，如图4所示，可以引入焊盘电流阻挡层46以防止电流集中在接合焊盘47a的直接下部区域中。
根据本发明的半导体发光装置40可以包括形成在第一导电半导体层45a与透明电极层47b之间的电流阻挡层44，如上所述。电流阻挡层44可以通过选择性地使用电绝缘材料诸如SiO2或SiNx而形成，但是可以以不同于上面描述的方式来实施，例如，形成高阻区的方案，在该高阻区中实施了在其中采用损伤晶体的肖特基结。
电流阻挡层44可以包括形成为彼此间隔开的多个图案P1至P4，多个图案P1至P4可以形成为具有弯曲的形状，具有与接合焊盘47a的预定距离。
在本实施方式中，多个图案P1至P4也可以排列为使得邻近接合焊盘47a的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
具体地，如图4和图5所示，多个图案P1至P4可以排列为使得其间的间隔在远离接合焊盘47a的方向更大。通过上述图案间隔方案，定义为透明电极层47b与第一导电半导体层45a之间的接触区域的敞开区域可以形成为具有随着远离接合焊盘47a而逐渐增大的面积（面积的比较：O1<O2<O3<O4）。
通过上述图案排列，可以预期如下效应：集中在邻近接合焊盘47a的区域上的相对大的电流可以分散到离接合焊盘47a相对远的区域。结果，可以在整个区域中获得均匀的电流扩散效应。
图6是根据本发明的另一实施方式的半导体发光装置的截面图，其中电流阻挡层设置在光发射区域上。
图6所示的半导体发光装置60可以包括半导体发光叠层65，该半导体发光叠层65包括第一导电半导体层65a、第二导电半导体层65b和夹置在其间的有源层65c。此外，半导体发光装置60可以包括分别形成在第一和第二导电半导体层65a和65b上的第一和第二电极67和62。
在本实施方式中，第二电极62可以包括欧姆接触层。此外，第一电极67可以包括形成在第一导电半导体层65a的上表面上的透明电极层67b和形成在第一导电半导体层65a的一个拐角上的接合焊盘67a。此外，为了防止电流集中在接合焊盘67a的直接下部区域中，可以形成焊盘电流阻挡层66。焊盘电流阻挡层66可以通过与另一电流阻挡层64的图案形成工艺相同的工艺形成。
根据本实施方式的半导体发光装置60可以包括形成在第一导电半导体层65a与透明电极层67b之间的电流阻挡层64。构成电流阻挡层64的图案P1至P4可以排列为使得其间的间隔在远离接合焊盘67a的方向更大，类似于上述实施方式（L1<L2<L3<L4）。
通过该图案间隔方案，定义为透明电极层67b与第一导电半导体层65a之间的接触区域的敞开区域O1至O4可以形成为具有在远离接合焊盘67a的方向增大的面积。
此外，在本实施方式中，电流阻挡层64的图案宽度W1至W4可以朝邻近接合焊盘67a的区域变大，使得电流集中现象减少。即，如图6所示，各个图案的宽度可以设计为随着远离接合焊盘67a而变小（W1>W2>W3>W4），由此可以改善电流扩散效应。
如上所述，本发明的本实施方式中使用的电流阻挡层主要提供为两种形式。即，根据电流阻挡层位于其中的区域，本发明的本实施方式描述了电流阻挡层设置在与光发射表面相反的区域（即，导电基板）上的情形，以及电流阻挡层形成在光发射表面（即，第一导电半导体层）上的情形；但是这些情形可以彼此结合而实施，如图7所示。
图7所示的半导体发光装置70可以半导体发光叠层75，该半导体发光叠层75包括第一导电半导体层75a、第二导电半导体层75b和夹置在其间的有源层75c。此外，半导体发光装置70可以包括分别形成在第一和第二导电半导体层75a和75b上的第一和第二电极77和72。
在本实施方式中，第二电极72可以包括欧姆接触层。此外，第一电极77可以包括形成在第一导电半导体层75a的上表面上的透明电极层77b和形成在第一导电半导体层75a的一个拐角上的接合焊盘77a。
本实施方式中采用的电流阻挡层可以包括设置在第二电极72与第二导电半导体层75b之间的多个第二图案P1’至P4’，以及设置在透明电极层77b与第一导电半导体层75a之间的多个第一图案P1至P4，其方式类似于图5所示的实施方式。
多个第一图案P1至P4可以排列为使得其间的间隔在远离接合焊盘77a的方向更大（L1<L2<L3<L4）。通过该图案间隔方案，通过该图案间隔接触的敞开区域可以具有随着远离接合焊盘77a而增加的面积（面积的比较：O1<O2<O3<O4）。以类似的方式，多个第二图案P1’至P4’也可以排列为使得其间的间隔在远离与接合焊盘77a交叠的区域的方向上更大（L1’<L2’<L3’）。通过该图案排列方案，电流扩散效应可以在整个区域上得到改善。
此外，如图7所示，多个第一图案P1至P4可以设置在沿竖直方向（即，其中具有相对短的距离的厚度方向）不与多个第二图案P1’至P4’交叠的位置，由此电流可以流动以在横向方向分散，导致增加的电流扩散效应。
如上面所阐述的，根据本发明的实施方式，通过形成根据每个位置预期的电流密度而具有不同间隔的电流阻挡层图案，可以显著增加电流扩散效应，所以通过其获得的发光效率可以得到很大改善。例如，电流阻挡层图案可以形成为具有从具有有限面积的接合焊盘下方的区域到远离该接合焊盘的区域而增加的面积，由此可以改善电流扩散效应。
虽然已经结合实施方式示出并描述了本发明，对本领域技术人员来说明显的是，可以进行变型和改变而不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围。
本申请要求于2011年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2011-0050520号的优先权，其公开通过引用结合在此。

Claims (27)

1.一种半导体发光装置，包括：
半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；
第一电极，具有形成在所述第一导电半导体层的上表面的一部分上的至少一个接合焊盘；
第二电极，具有形成在所述第二导电半导体层上的欧姆接触层；和
电流阻挡层，位于所述第二导电半导体层与所述欧姆接触层之间并具有多个图案，所述多个图案排列为使得邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第一电极形成在所述第一导电半导体层上并进一步包括从所述接合焊盘延伸的多个电极分支。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中所述多个电极分支在所述多个图案排列的方向上平行排列。
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中所述多个图案之间的间隔在远离与所述接合焊盘交叠的区域的方向上更大。
5.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中所述多个电极分支排列为其间具有预定间隔。
6.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中所述多个图案形成为设置在与所述多个电极分支交叠的区域上。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述至少一个接合焊盘是形成在所述第一导电半导体层的上表面的不同区域上的多个接合焊盘。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中所述多个接合焊盘分别设置在相对的拐角上，所述多个图案之间的间隔朝与所述第一导电半导体层的中心交叠的区域变大。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中在所述多个图案之中，邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案的宽度大于其他图案的宽度。
10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中所述多个图案的宽度随着远离与所述接合焊盘交叠的区域而更小。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述电流阻挡层由电绝缘材料形成。
12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述电流阻挡层由其中形成第二导电半导体层的被损伤的晶体的区域形成，从而与所述欧姆接触层具有肖特基结。
13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括提供有所述第二电极的导电基板，以支撑所述半导体发光叠层。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中所述第二电极还包括设置在所述欧姆接触层与所述导电基板之间的阻隔层。
15.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第一电极还包括形成在所述第一导电半导体层上的透明电极层，所述接合焊盘形成在所述透明电极层上。
16.根据权利要求15所述的半导体发光装置，还包括附加的电流阻挡层，所述附加的电流阻挡层具有形成在所述第一导电半导体层与所述透明电极层之间的多个附加的图案。
17.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中所述多个附加的图案排列为使得邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
18.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其中所述多个附加的图案形成在不与所述多个图案交叠的位置上。
19.一种半导体发光装置，包括：
半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；
第一电极，具有形成在所述第一导电半导体层的上表面上的透明电极层和形成在所述透明电极层的一部分上的至少一个接合焊盘；
第二电极，具有形成在所述第二导电半导体层上的欧姆接触层；和
电流阻挡层，形成在所述第一导电半导体层与所述透明电极层之间并具有多个图案，所述多个图案排列为使得邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。
20.根据权利要求19所述的半导体发光装置，其中所述多个图案之间的间隔在远离与所述接合焊盘交叠的区域的方向上更大。
21.根据权利要求20所述的半导体发光装置，其中所述至少一个接合焊盘是形成在所述透明电极层的上表面的不同区域上的多个接合焊盘。
22.根据权利要求21所述的半导体发光装置，其中所述多个接合焊盘分别设置在相对的拐角上，所述多个图案之间的间隔朝所述第一导电半导体层的中心变大。
23.根据权利要求19所述的半导体发光装置，其中在所述多个图案之中，邻近与所述接合焊盘交叠的区域的图案的宽度大于其他图案的宽度。
24.根据权利要求23所述的半导体发光装置，其中所述多个图案的宽度随着远离与所述接合焊盘交叠的区域而更小。
25.根据权利要求19所述的半导体发光装置，其中所述电流阻挡层由电绝缘材料形成。
26.根据权利要求19所述的半导体发光装置，还包括提供有所述第二电极的导电基板以支撑所述半导体发光叠层。
27.根据权利要求26所述的半导体发光装置，其中所述第二电极还包括设置在所述欧姆接触层与所述导电基板之间的阻隔层。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465920A (zh) * 2013-09-17 2015-03-25 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光器件
CN106159045A (zh) * 2015-04-13 2016-11-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 倒装led芯片及其制造方法
WO2017092451A1 (zh) * 2015-12-04 2017-06-08 天津三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
CN107171180A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN111276586A (zh) * 2015-12-22 2020-06-12 晶元光电股份有限公司 发光组件
CN113036009A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 深圳第三代半导体研究院 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102217128B1 (ko) * 2014-06-26 2021-02-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
FR3012934B1 (fr) * 2013-11-04 2017-02-24 Trixell Detecteur numerique possedant un generateur de lumiere permettant un effacement optique
TWI559574B (zh) * 2014-08-29 2016-11-21 聯勝光電股份有限公司 半導體發光元件及其製造方法
KR20160086559A (ko) 2015-01-12 2016-07-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102501181B1 (ko) * 2016-06-14 2023-02-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
KR102156977B1 (ko) * 2018-11-05 2020-09-16 한국과학기술원 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 led 소자 및 이의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3270374B2 (ja) * 1997-11-07 2002-04-02 日本電気株式会社 半導体レーザの製造方法
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP2001274456A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Sharp Corp 発光ダイオード
KR20060038756A (ko) 2004-11-01 2006-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
TWI331816B (en) * 2007-04-03 2010-10-11 Advanced Optoelectronic Tech Semiconductor light-emitting device
JP4770785B2 (ja) * 2007-04-25 2011-09-14 日立電線株式会社 発光ダイオード
KR20090027329A (ko) 2007-09-12 2009-03-17 삼성전기주식회사 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP5024247B2 (ja) * 2008-09-12 2012-09-12 日立電線株式会社 発光素子
KR101047634B1 (ko) * 2008-11-24 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101039937B1 (ko) 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465920A (zh) * 2013-09-17 2015-03-25 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光器件
CN106159045A (zh) * 2015-04-13 2016-11-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 倒装led芯片及其制造方法
WO2017092451A1 (zh) * 2015-12-04 2017-06-08 天津三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
US10340469B2 (en) 2015-12-04 2019-07-02 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode chip and fabrication method
CN111276586A (zh) * 2015-12-22 2020-06-12 晶元光电股份有限公司 发光组件
CN111276586B (zh) * 2015-12-22 2021-08-24 晶元光电股份有限公司 发光组件
CN107171180A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN113036009A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 深圳第三代半导体研究院 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片
CN113036009B (zh) * 2019-12-25 2022-07-05 深圳第三代半导体研究院 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片

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PB01 Publication
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