CN102800760A - 一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，包括：提供一待处理硅片；在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。本发明所述技术方案在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法。
背景技术
太阳电池的主要载体是硅片，硅片经过表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极等工艺制备成太阳能电池片。其中，沉积减反膜是太阳能电池片制造过程中的一个重要工序。减反膜能够减少硅片表面对光的反射，增加对光的吸收效率。所以，减反膜能够增加太阳能电池的光电转换效率。
氮化硅减反膜以其化学性能稳定性好、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等优点被光伏应用于太阳能电池制造领域。氮化硅减反膜不但能够减少硅片表面光的反射，还可以起到钝化作用，降低硅片载流子复合中心，增加少子的寿命，进一步增加太阳能电池的转换效率。生产中还常用二氧化钛减反膜以及二氧化硅减反膜。但是，二氧化钛减反膜与硅片结合度不高，易剥落，且没有钝化作用；而二氧化硅减反膜的折射率较低，减反效果较差。
对于氮化硅减反膜，其厚度以及均匀性是恒量其性能的两个重要参数。但是，目前现有技术在进行太阳能电池生产时不能够精确控制氮化硅减反膜的厚度且氮化硅减反膜的均匀性较差，从而影响太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，采用所述方法能够精确控制氮化硅减反膜厚度且使得氮化硅减反膜的均匀性好，保证了太阳能电池的光电转换效率。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，该方法包括：
提供一待处理硅片；
在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；
其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。
优选的，上述方法中，在所述硅片受光面上依次沉积三层氮化硅减反膜，所述三层氮化硅减反膜的沉积过程为：
在所述硅片受光面上沉积第一层减反膜；
抽真空后，在所述第一层减反膜上沉积第二层减反膜；
抽真空后，在所述第二层减反膜上沉积第三层减反膜。
优选的，上述方法中，沉积第一层减反膜的过程为：
抽真空后，以3000sccm-4000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以600sccm-800sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积120s-180s，从而在所述硅片上形成第一层减反膜。
优选的，上述方法中，沉积第二层减反膜的过程为：
抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以500sccm-700sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积200s-400s，从而在所述第一层减反膜上形成第二层减反膜。
优选的，上述方法中，沉积第三层减反膜的过程为：
抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以450sccm-600sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积450s-600s，从而在所述第二层减反膜上形成第三层减反膜。
优选的，上述方法中，当沉积完第一层氮化硅减反膜后对所述硅片进行钝化处理，然后再沉积第二层氮化硅减反膜。
优选的，上述方法中，所述钝化处理为：
当所述与硅片直接接触的氮化硅减反膜沉积完成后对反应室进行抽真空处理；
以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反应室内持续通入氨气，并对氨气进行高频电离，使所述硅片钝化。
从上述技术方案可以看出，本发明所提供的多层氮化硅减反膜太阳能电池的制作方法包括：提供一待处理硅片；在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。
本申请所述技术方案在太阳能电池受光面形成多层减反膜，在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。因此，本申请所述技术方案能够精确控制氮化硅减反膜厚度且使得氮化硅减反膜的均匀性好，保证了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种双层氮化硅减反膜太阳能电池的制作方法流程示意图；
图2为本发明所提供的一种三层氮化硅减反膜太阳能电池的制作方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图1，图1为一种双层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法的流程示意图，一般采用管式PECVD装置在硅片表面形成双层减反膜结构，包括：
步骤S11：提供一待处理硅片。
将所述待处理硅片向放置在反应室内后，向反应室内通入氮气，以排除设备内杂质气体；同时，通过通入氮气对设备进行安全检查。
步骤S12：在所述硅片的受光面沉积第一层减反膜。
以3000sccm-4000sccm的速度向反应室内持续通入氨气；同时，以600sccm-800sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体。对反应室内的氨气与硅烷气体进行持续的高频电离使其等离子化，沉积120s-180s，从而在所述硅片的受光面上形成第一层减反膜。
步骤S13：在所述第一层减反膜上形成第二层减反膜。
改变硅烷的流量，以450sccm-600sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体，沉积450s-600s，在所述第一层减反膜上形成第二层减反膜。
之后，停止氨气与硅烷供给以及高频电离，进行抽真空处理，去除反应室内的硅烷以及氨气后，通入氮气使反应室内压强恢复至常压冷却后取出硅片。
上述方法制备的具有双层氮化硅减反膜的太阳能电池相比于单层减反膜的太阳能电池具有更好的减反效果。但是上述方法沉积减反膜时通入工艺气体后直接进行减反膜沉积，且其采用连续沉积的方式，在沉积完第一层减反膜后，改变硅烷的流量直接沉积第二层减反膜，不能够精确控制减反膜厚度且其均匀性较差。
为了解决上述问题，本申请提供了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，采用该方法能够精确控制太阳能电池各层减反膜的厚度且各层减反膜的均匀性较好。所述方法包括：
提供一待处理硅片；
在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；
其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。
上述技术方案在太阳能电池受光面形成多层减反膜（至少两层氮化硅减反膜），在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。因此，本申请所述技术方案能够精确控制各层氮化硅减反膜厚度且使得各层氮化硅减反膜的均匀性好，保证了太阳能电池的光电转换效率。
以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
基于上述思想，本申请实施例提供了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，参考图2，所述方法在硅片上形成三层氮化硅减反膜，所述氮化硅减反膜的厚度可以精确控制，且均匀性较好。该方法包括：
步骤S21：提供一待处理硅片。
所述硅片为经过制绒、PN结扩散、边缘刻蚀以及去磷硅玻璃等工艺处理的单晶硅或多晶硅片。
步骤S22：在所述硅片的受光面上沉积第一层减反膜。
对装置系统进行检测后，将所述硅片放置到反应室内，抽真空，开始沉积第一层减反膜，具体包括：以3000sccm-4000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以600sccm-800sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；对反应室内气体进行高频电离，沉积120s-180s，从而在所述硅片的受光面上形成第一层减反膜。
步骤S23：在所述第一层减反膜上沉积第二层减反膜。
当沉积完第一层减反膜后对反应室进行抽真空处理，抽除上次沉积过程中反应室内的反应残留气体，然后开始沉积第二层减反膜。具体包括：抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以500sccm-700sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积200s-400s，从而在所述第一层减反膜上形成第二层减反膜。
步骤S24：在所述第二层减反膜上沉积第三层减反膜。
当沉积完第二层减反膜后对反应室进行抽真空处理，抽除上次沉积过程中反应室内的反应残留气体，然后开始沉积第三层减反膜。具体包括：抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以450sccm-600sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；对反应室内气体进行高频电离，沉积450s-600s，从而在所述第二层减反膜上形成第三层减反膜。
上述三次沉积过程完成之后，对反应室进行抽真空处理抽搐其中的工艺气体硅烷以及氨气，然后通入氮气恢复常压，当硅片冷却后打开反应室，取出所述硅片完成整个减反膜的沉积工序。
通过上述描述可知，本申请所述技术方案在太阳能电池受光面形成3层减反膜，相比于单层或是双层减反膜，减反效果更好，对太阳光的利用率更高，太阳能电池光电转换效率高；在沉积减反膜时，本申请所述技术方案使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。因此，本申请所述技术方案能够精确控制太阳能电池的减反膜厚度且使得减反膜的均匀性好，使得所述太阳能电池具有光电转换效率。
为了提高太阳能表面钝化效果，当沉积完第一层减反膜（即直接与硅片接触的减反膜）后，对所述硅片进行钝化处理，然后再沉积第二层减反膜。所述钝化处理为：沉积完第一层减反膜后对反应室进行抽真空处理；以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反应室内持续通入氨气，并对氨气进行高频电离，使所述硅片钝化。
由于直接沉积在硅片表面的氮化硅减反膜具有一定的钝化效果，减反膜中的硅原子能够与硅片表面的硅悬挂键结合，减少硅片表面的复合中心，从而增加少子的寿命，提供太阳能电池的转换效果。故一般在沉积完氮化硅减反膜后不会在进行相应的钝化处理。硅片因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的硅原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，称为悬挂键。所述悬挂键能够复合电子，减少电子的寿命，降低太阳能电池的转换效率
但是，发明人研究发现，氮化硅减反膜并不能十分有效的对硅片表面进行钝化，从而使得太阳能电池的转化效率较低。因此，当沉积完第一层减反膜后，对反应室进行抽真空处理，并以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反应室内持续通入氨气，并对氨气进行高频电离，此时将会产生大量的氢离子，氢离子很容易与具有悬挂键结合形成很稳定的硅氢键，从而大大减少了硅片表面悬挂键，即减少了载流子的复合中心，有效提高了电子的存在寿命，从而提高太阳能电池的转换效率。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
提供一待处理硅片；
在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；
其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅片受光面上依次沉积三层氮化硅减反膜，所述三层氮化硅减反膜的沉积过程为：
在所述硅片受光面上沉积第一层减反膜；
抽真空后，在所述第一层减反膜上沉积第二层减反膜；
抽真空后，在所述第二层减反膜上沉积第三层减反膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沉积第一层减反膜的过程为：
抽真空后，以3000sccm-4000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以600sccm-800sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积120s-180s，从而在所述硅片上形成第一层减反膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，沉积第二层减反膜的过程为：
抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以500sccm-700sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积200s-400s，从而在所述第一层减反膜上形成第二层减反膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，沉积第三层减反膜的过程为：
抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反应室内持续通入氨气，同时，以450sccm-600sccm的速度向反应室内持续通入硅烷气体；
经过60s-90s预混合，使反应室内氨气与硅烷混合均匀；
对反应室内气体进行高频电离，沉积450s-600s，从而在所述第二层减反膜上形成第三层减反膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当沉积完第一层氮化硅减反膜后对所述硅片进行钝化处理，然后再沉积第二层氮化硅减反膜。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钝化处理为：
当所述与硅片直接接触的氮化硅减反膜沉积完成后对反应室进行抽真空处理；
以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反应室内持续通入氨气，并对氨气进行高频电离，使所述硅片钝化。
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|---|---|
| CN (1) | CN102800760A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103199154A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-10 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN111146077A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-12 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 一种改善薄膜缺陷的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070175508A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-08-02 | Lg Chem, Ltd. | Solar cell of high efficiency and process for preparation of the same |
| CN101783374A (zh) * | 2010-01-25 | 2010-07-21 | 宁波太阳能电源有限公司 | 一种硅太阳能电池的制备方法 |
| CN102260857A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-11-30 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅表面镀膜及其制备方法 |
| CN102339872A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-01 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
-
2012
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070175508A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-08-02 | Lg Chem, Ltd. | Solar cell of high efficiency and process for preparation of the same |
| CN101783374A (zh) * | 2010-01-25 | 2010-07-21 | 宁波太阳能电源有限公司 | 一种硅太阳能电池的制备方法 |
| CN102260857A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-11-30 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅表面镀膜及其制备方法 |
| CN102339872A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-01 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103199154A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-10 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103199154B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-06-01 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN111146077A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-12 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 一种改善薄膜缺陷的方法 |
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