CN102780467A

CN102780467A - 高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板

Info

Publication number: CN102780467A
Application number: CN2012102732768A
Authority: CN
Inventors: 李坡; 李冬强; 高志祥; 袁波; 谢科伟
Original assignee: NANJING CHINA ELECTRONICS PANDA CRYSTAL TECHNOLOGY Corp
Current assignee: NANJING CHINA ELECTRONICS PANDA CRYSTAL TECHNOLOGY Corp
Priority date: 2012-08-03
Filing date: 2012-08-03
Publication date: 2012-11-14

Abstract

本发明是一种用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InverMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成晶片初镀的第二次镀膜过程。优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。

Description

高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板

技术领域

本发明涉及的是一种应用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，属于石英电子元器件制作的生产技术领域。

背景技术

随着电子信息技术的飞速发展，频率元件的要求而今变得越来越高。作为频率元件的一种，石英晶体振荡器也面临更高的稳定性、更宽的上拉范围、更低的噪声和更短的开关时间等要求。在振荡器生产过程中，通过稳定刻蚀的方法在石英表面进行局部处理，可以获得超高基频的水晶片，通过这一技术生产的高基频InvertMesa晶片，制作成晶体振荡器产品后，相比于利用水晶片倍频技术，或IC倍频技术生产的产品，有更好的相位噪声，更小的抖动值等。对于常用频率，如155.52MHz、166.6285MHz及125MHz等，采用高基频InvertMesa晶片制成的晶体振荡器可以达到这样的参数指标：相位噪声≤-135dB1KHz、Rms Jitter≤1 Ps，可广泛应用于数据传输、以太网通讯等。由此可见高基频MESA晶片性能的优越性。

InvertMesa晶片镀膜过程需要分几步完成，在初镀时需要把晶片的四周全部镀上金属保护层（一般为金），同时晶片中心的InvertMesa区域（孤岛）需暴露在晶片表面，以便于后续局部腐蚀，因此设计初镀夹具的时候就遇到了一个问题：必须在晶片的中心设计一个“孤岛”型的掩膜区域。目前其他厂家的常规设计为在镀膜过程中用小磁片来遮挡“孤岛”区域，晶片先后进行两次镀膜，分别对晶片上下两表面进行镀膜处理，这样经常会出现晶片两表面“孤岛”区域的中心不同心、偏差大等问题，从而导致晶体的相位噪声变大，频率稳定性变差和短稳特性变差等问题的出现。而且这种方式仅适用于圆形InvertMesa晶片，因其中心的InvertMesa区域同样为圆形，磁片摆放容易，而条形晶片的InvertMesa区域不对称，若采用小磁片遮挡将难以控制两次镀膜“孤岛”中心的一致性。

发明内容

本发明提出的是一种用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其目的在于避免高基频InvertMesa晶片初镀过程出现晶片两面InvertMesa“孤岛”中心不一致的缺陷而提供的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀过程保持晶片两面“孤岛”中心一致性的镀膜用掩膜板。

本发明的技术解决方案：其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。

本发明的优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。

附图说明

图1是A版掩膜板电极上盖板示意图，表明上盖板电极的分布及形状；

图3是A版掩膜板电极下盖板示意图，表明下盖板电极的分布及形状；

图2、4是高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜后晶片的外观图，分别表征晶片的两面，阴影部分表示该部分被保护金属覆盖；

图5是A版掩膜板定位板示意图，表明定位板上限位槽的分布及形状；

图6是A版掩膜板限位槽放大图，表明定位板上限位槽的具体外形；

图7是B版掩膜板电极上盖板示意图，表明上盖板电极的分布及形状；

图9是B版掩膜板电极下盖板示意图，表明下盖板电极的分布及形状；

图8、10是高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜后晶片的外观图，分别表征晶片的两面，阴影部分表示该部分被保护金属覆盖；

图11是B版掩膜板定位板示意图，表明定位板上限位槽的分布及形状；

图12是B版掩膜板限位槽放大图，说明定位板上限位槽的具体外形；

上述图2、4、8、10中三个阴影部分共同夹出的不规则多边形区域称为“孤岛”；十字形表征高基频InvertMesa晶片“孤岛”的中心。

具体实施方式

对照附图，其结构是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。

所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在镀膜过程中放置并稳定晶片；一镀膜电极下底板具有与晶片定位板上限位槽对应的镂空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以为晶片下表面提供镀膜电极；一镀膜电极上盖板具有与晶片定位板限位槽和电极下底板上镂空电极对应的镂空及掩膜部分，以固定晶片并为晶片上表面提供镀膜电极。

所述的B版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板；其作用与A版掩膜板作用相同，对应组件由A版掩膜板组件镜像对称得到。

所述的A版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜夹具，完成晶片在A版电极上盖板和下底板镂空部分镀上保护金属的过程；所述的B版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第二次镀膜夹具，完成晶片在B版电极上盖板和电极下底板镂空部分镀上保护金属的过程；两次镀膜完成后晶片除“孤岛”区域外均被保护金属覆盖。

两次镀膜后，高基频InvertMesa晶片除“孤岛”区域外均被保护金属覆盖，两次镀膜过程晶片两面“孤岛”区域中心保持同心等高。

对于高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜，在掩膜板最底层放置对照附图3的被银下底板，在其上放置对照附图5中所示的晶片定位板，将晶片放置在晶片定位板的限位槽中，限位槽外形结构对照图6，而后将对照附图一的电极上盖板盖在晶片定位板上，安放完毕后放入镀膜机内镀膜，完成对如附图二和附图四所示的镂空区域的镀膜。

对于高基频InvertMesa晶片初镀过程中第二次镀膜，在掩膜板最底层放置对照附图9的被银下底板，在其上放置对照附图11中所示的晶片定位板，将晶片放置在晶片定位板的限位槽中，限位槽外形结构对照图12，而后将对照附图7的电极上盖板盖在晶片定位板上，安放完毕后放入镀膜机内镀膜。

Claims

1.一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版镀膜MASK完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。

2.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在镀膜过程中放置并稳定晶片；一镀膜电极下底板具有与晶片定位板上限位槽对应的镂空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以为晶片下表面提供镀膜电极；一镀膜电极上盖板具有与晶片定位板限位槽和电极下底板上镂空电极对应的镂空及掩膜部分，以固定晶片并为晶片上表面提供镀膜电极。

3.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：B版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板；其作用与A版镀膜MASK作用相同，对应组件由A版掩膜板组件镜像对称得到。

4.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：所述的A版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜夹具，完成晶片在A版电极上盖板和下底板镂空部分镀上保护金属的过程；所述的B版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第二次镀膜夹具，完成晶片在B版电极上盖板和电极下底板镂空部分镀上保护金属的过程；两次镀膜完成后晶片除“孤岛”区域外均被保护金属覆盖。

5.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：高基频InvertMesa晶片两面“孤岛”区域两次镀膜中心保持同心等高。