CN102738775A

CN102738775A - 电池保护电路和电池保护装置以及电池组

Info

Publication number: CN102738775A
Application number: CN2012100979959A
Authority: CN
Inventors: 木村大辅
Original assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Current assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date: 2011-04-04
Filing date: 2012-04-05
Publication date: 2012-10-17
Anticipated expiration: 2032-04-05
Also published as: JP5682423B2; JP2012222865A; CN102738775B; US20120249087A1; US8773073B2

Abstract

本发明提供电池保护电路和电池保护装置以及电池组，能够禁止过放电状态和过充电状态下的二次电池的充电，并且能够减小设备尺寸。保护具有多个单体(200H、200L)的二次电池的电池保护电路，具备：基准电源(41H、41L)，其输出根据各单体的单体电压针对每个单体电压而生成的基准电压(VREFH、VREFL)；逻辑和电路(44)，其在单体电压中的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号；非逻辑积电路(45)，其在基准电压(VREFH、VREFL)中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号；以及控制电路(46)，其根据逻辑和电路(44)的输出与非逻辑积电路(45)的输出的逻辑和来控制是否允许二次电池的充电。

Description

电池保护电路和电池保护装置以及电池组

技术领域

本发明涉及用于保护具有多个单体(cell)的二次电池的电池保护电路和电池保护装置。此外，还涉及内置有该电池保护装置的电池组(pack)。

背景技术

作为现有技术，已知有具备禁止二次电池充电的功能的电源装置(例如参照专利文献1)。图9是专利文献1的图10所示的电源装置的电路框图。该电源装置利用MOS晶体管的阈值电压来监视串联连接的二次电池101、105各自的电池电压。逻辑和产生电路120在二次电池101的电池电压为P沟道MOS晶体管116的阈值电压以下时或者在二次电池115的电池电压为N沟道MOS晶体管118的阈值电压以下时，判断二次电池101或者115为“过放电状态”，使P沟道MOS晶体管504截止(off)。由此，FET-B111截止，因此切断从充电器108向二次电池101、115的充电电流。

另一方面，充放电控制电路102监视二次电池101和105的串联电路的两端电压，在该两端电压为“过充电状态”时，使N沟道MOS晶体管505截止。由此，与上述一样FET-B111截止，因此切断从充电器108向二次电池101、115的充电电流。

专利文献1：日本特开平10-225007号公报

但是，在图9的电路中晶体管116、118的栅极与二次电池101、115的连接端子直接连接，所以耐静电较弱。因此，为了提高耐静电量不得不扩大栅极面积等增大设备尺寸。此外，用于禁止二次电池101、115的充电的输出级电路存在过放电状态时使用的晶体管504和过充电状态时使用的晶体管505两者，因此增大了设备尺寸。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种电池保护电路以及电池保护装置，能够禁止在过放电状态和过充电状态下的二次电池的充电，并且能够减小设备尺寸。此外，本发明的目的还在于提供一种内置有该电池保护装置的电池组。

为了实现上述目的，本发明涉及的电池保护电路是保护具有多个单体的二次电池的电池保护电路，其具备：基准电源，其输出根据所述多个单体的单体电压针对每个单体电压而生成的基准电压；第一判定电路，其在所述单体电压中的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号，在所述单体电压都没有超过所述第一预定值时输出允许充电的信号；第二判定电路，其在所述基准电压中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号，在所述基准电压都没有不足所述第二预定值时输出允许充电的信号；以及控制电路，其根据所述第一判定电路的输出与所述第二判定电路的输出的逻辑和，来控制是否允许所述二次电池的充电。

此外，为了实现上述目的，本发明涉及的电池保护装置是保护具有多个单体的二次电池的电池保护装置，其具备：基准电源，其输出根据所述多个单体的单体电压针对每个单体电压而生成的基准电压；第一判定电路，其在所述单体电压中的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号，在所述单体电压都没有超过所述第一预定值时输出允许充电的信号；第二判定电路，其在所述基准电压中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号，在所述基准电压都没有不足所述第二预定值时输出允许充电的信号；充电控制晶体管，其控制是否允许所述二次电池的充电；以及控制电路，其根据所述第一判定电路的输出与所述第二判定电路的输出的逻辑和，来控制所述充电控制晶体管。

此外，为了实现上述目的，本发明涉及的电池组是内置有该电池保护装置和所述二次电池的电池组。

通过本发明，能够禁止在过放电状态和过充电状态下的二次电池的充电，并且能够减小设备尺寸。

附图说明

图1是作为本发明第一实施方式的保护IC90、保护模块电路80以及电池组100的结构图。

图2是保护IC90的详细的框图。

图3是H单体侧基准电源41H和L单体侧基准电源41L的电路图。

图4是H单体侧过充电检测电路42H和L单体侧过充电检测电路42L的电路图。

图5是H单体侧基准电源上升检测电路43H的电路图。

图6是L单体侧基准电源上升检测电路43L的电路图。

图7是偏置源电路52的电路图。

图8是电平移位电路48的电路图。

图9是专利文献1的图10所示的电源装置的电路框图。

符号说明

1充电控制用FET

1a寄生二极管

2放电控制用FET

2a寄生二极管

3正极侧端子

4负极侧端子

5正侧输入输出端子

6负侧输入输出端子

9a正侧电源路径

9b负侧电源路径

46控制电路

48电平移位电路

51CMOS反相器

52偏置源电路

53CMOS反相器

80保护模块电路

90保护IC

100电池组

200二次电池

200H、200L单体

300外部负载

400充电器

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本发明的实施方式进行说明。图1是作为本发明一个实施方式的保护IC90、保护模块电路80以及电池组100的结构图。电池组100内置有保护模块电路80和二次电池200，其中，保护模块电路80是用于保护锂离子电池、镍氢电池等二次电池200的电池保护装置。保护模块电路80具备FET1、2和用于控制FET1、2的切换动作的保护IC90，其中，FET1、2切换能够连接外部负载300和/或充电器400的输入输出端子5、6与能够连接二次电池200的两极的端子3、4之间的电源路径9(9a、9b)的导通/切断。输入输出端子5、6是用于从二次电池200向外部负载300供电的供电端子。二次电池200具有将两个单体200H和单体200L串联连接的结构。

电池组100内置于外部负载300中或者与外部负载300外接。外部负载300例如是可由人携带的电子设备或电气设备。作为其具体例子可以例举：音乐和视频等的播放器、耳机、便携电话等具备无线通信功能的通信终端装置、PDA或移动个人计算机等信息终端装置、照相机、游戏机等。

FET1、2是以能够切换二次电池200的负极侧端子4与负侧输入输出端子6之间的负侧电源路径9b的导通/切断的方式串联连接的开关元件。FET1是切断电源路径9的第一切断单元，FET2是切断电源路径9的第二切断单元。更详细地讲，FET1是能够切换在充电方向上流过电源路径9的二次电池200的充电电流的切断/导通的第一切换单元，FET2是能够切换在放电方向上流过充放电路径9的二次电池200的放电电流的切断/导通的第二切换单元。在充电控制用FET1导通状态下允许二次电池200的充电，在充电控制用FET1截止状态下禁止二次电池200的充电。此外，在放电控制用FET2导通状态下允许二次电池200的放电，在放电控制用FET2截止状态下禁止二次电池200的放电。

FET1、2例如是具有寄生二极管的MOSFET。FET1以其寄生二极管1a的顺方向为二次电池200的放电方向的朝向配置在负极侧端子4与负侧输入输出端子6之间，FET2以其寄生二极管2a的顺方向为二次电池200的充电方向的朝向配置在负极侧端子4与负侧输入输出端子6之间。此外，FET1、2也可以置换为在集电极发射极间在图示方向构成二极管的双极性晶体管，还可以置换为IGBT等半导体元件。

保护IC90是从二次电池200供电并保护二次电池200的集成电路。保护IC90例如进行如下动作：保护二次电池200避免过充电的动作(过充电保护动作)、保护二次电池200避免过放电的保护动作(过放电保护动作)、防止二次电池200在充电方向上流过过电流的充电过电流保护动作、防止二次电池200在放电方向上流过过电流的放电过电流保护动作。在各保护动作的规定工作条件成立时进行这些保护动作。

例如在二次电池200的过充电保护动作的工作条件成立时，保护IC90使FET1截止。由此，能够与FET2的导通截止状态无关地防止二次电池200的过充电。

保护IC90的检测器21例如通过检测保护IC90的VDD端子与VBL端子之间的电压，来监视构成二次电池200的上侧的单体200H的电池电压(单体电压)，通过检测保护IC90的VBL端子与VSS端子之间的电压，来监视构成二次电池200的下侧的单体200L的电池电压(单体电压)。VDD端子经由连接在正侧电源路径9a的电阻R1与连接在负侧电源路径9b的电容器C1的连接点，连接到正侧输入输出端子5与二次电池200的单体200H的正极侧端子3之间的正侧电源路径9a。VBL端子连接到单体200H的负极与单体200L的正极之间的连接点。VSS端子连接到负侧电源路径9b。

单体200H的单体电压相当于以VBL端子为基准检测出的正极侧端子3的端子电压(换言之，以VBL端子为基准检测出的VDD端子的端子电压)。此外，单体200L的单体电压相当于以负极侧端子4为基准检测出的VBL端子的端子电压(换言之，以VSS端子为基准检测出的VBL端子的端子电压)。

检测器21通过对单体200H和200L中至少一方检测到超过预定的过充电检测电压(阈值电压)的单体电压，若检测出二次电池200的单体200H和200L中至少一方的过充电，则输出过充电检测信号。检测到过充电检测信号的充电控制用逻辑电路25等待经过预定的延迟时间，从保护IC90的COUT端子输出“L”电平(低电平)的信号，由此使充电控制用FET1截止。由此，能够防止二次电池200的单体200H、200L过充电。此外，预定的延迟时间是从通过检测器21检测出超过预定的过充电检测电压的单体电压开始的时间。

此外，保护IC90例如在二次电池200的过放电保护动作的工作条件成立时使FET2截止。由此，能够与FET1的导通截止状态无关地防止二次电池200的过放电。

例如，检测器21通过对单体200H和200L中至少一方检测到不足预定的过放电检测电压(阈值电压)的单体电压，若检测出二次电池200的单体200H和200L中至少一方的过放电，则输出过放电检测信号。检测到过放电检测信号的放电控制用逻辑电路24等待经过预定的延迟时间，从保护IC90的DOUT端子输出“L”电平的信号，由此使放电控制用FET2截止。由此，能够防止二次电池200的单体200H、200L过放电。此外，预定的延迟时间是从通过检测器21检测出不足预定的过放电检测电压的单体电压开始的时间。

此外，保护IC90例如在二次电池200的充电过电流保护动作的工作条件成立时使FET1截止。由此，能够与FET2的导通截止状态无关地防止流过对二次电池200进行充电的方向的过电流(充电过电流)。

例如，检测器21通过检测保护IC90的V-端子与VSS端子之间的电压，来监视在负侧输入输出端子6与负极侧端子4之间的电压、即负侧端子间电压P-。V-端子在充电控制用FET1与负侧输入输出端子6之间的负侧电源路径9b中与负侧输入输出端子6连接。此外，负侧端子间电压P-相当于负侧输入输出端子6相对于负极侧端子4的端子电压。

检测器21通过检测到预定的充电过电流检测电压(阈值电压)以下的负侧端子间电压P-，若作为在负侧输入输出端子6中流过的异常电流检测出充电过电流，则输出充电过电流检测信号。检测到充电过电流检测信号的充电控制用逻辑电路25等待经过预定的延迟时间，从保护IC90的COUT端子输出“L”电平的信号，使充电控制用FET1截止。由此，保护IC90的动作模式作为防止在电源路径9中流过异常电流的异常电流防止模式而转移到充电控制用FET1被截止的状态的充电过电流防止模式，能够防止在二次电池200中流过充电过电流。此外，预定的延迟时间是从通过检测器21检测出预定的充电过电流检测电压以下的负侧端子间电压P-开始的时间。

这里，在至少充电控制用FET1为导通的状态下，通过流过对二次电池200充电的充电电流而使得负侧端子间电压P-降低，是由于充电控制用FET1的导通电阻导致产生电压下降。此外，如果放电控制用FET2导通，则包含放电控制用FET2的导通电阻导致的电压下降部分从而负侧端子间电压P-降低，如果放电控制用FET2截止，则包含放电控制用FET2的寄生二极管2a导致的电压下降部分从而负侧端子间电压P-降低。

此外，保护IC90例如在二次电池200的放电过电流保护动作的工作条件成立时使FET2截止。由此，能够与FET1的导通截止状态无关地防止流过对二次电池200进行放电的方向的过电流(放电过电流)。

例如，检测器21通过检测到预定的放电过电流检测电压(阈值电压)以上的负侧端子间电压P-，若作为在负侧输入输出端子6中流过的异常电流检测出放电过电流，则输出放电过电流检测信号。检测到放电过电流检测信号的放电控制用逻辑电路24等待经过预定的延迟时间，从保护IC90的DOUT端子输出“L”电平的信号，由此使放电控制用FET2截止。由此，保护IC90的动作模式作为防止在电源路径9中流过异常电流的异常电流防止模式而转移到放电控制用FET2被截止的状态的放电过电流防止模式，能够防止在二次电池200中流过放电过电流。此外，预定的延迟时间是从通过检测器21检测出预定的放电过电流检测电压以上的负侧端子间电压P-开始的时间。

这里，在至少放电控制用FET2为导通的状态下，通过流过对二次电池200放电的放电电流而使得负侧端子间电压P-上升，是由于放电控制用FET2的导通电阻导致产生电压上升。此外，如果充电控制用FET1导通，则包含充电控制用FET1的导通电阻导致的电压上升部分从而负侧端子间电压P-上升，如果充电控制用FET1截止，则包含充电控制用FET1的寄生二极管1a导致的电压上升部分从而负侧端子间电压P-上升。

接着，对保护IC90内的检测器21、放电控制用逻辑电路24以及充电控制用逻辑电路25进行详细说明。图2是保护IC90的详细框图。

保护IC90具备基准电源电路，该基准电源电路输出根据多个单体的单体电压针对每个单体电压而生成的基准电压。图2中作为该基准电源电路的构成要素，示例了H单体侧基准电源41H和L单体侧基准电源41L。

H单体侧基准电源41H根据单体200H的单体电压生成一定的基准电压VREFH并将其输出。L单体侧基准电源41L根据单体200L的单体电压生成一定的基准电压VREFL并将其输出。H单体侧基准电源41H和L单体侧基准电源41L对单体电压进行降压来生成一定的基准电压。例如，通过将晶体管进行二级管连接而得的电路，能够生成对单体电压降压后的一定的基准电压。

此外，保护IC90还具备第一判定电路，该第一判定电路在多个单体中的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号，在多个单体中的所有单体电压都没有超过第一预定值时输出允许充电的信号。图2中作为该第一判定电路的构成要素，示例了电阻R3～R6、H单体侧过充电检测电路42H、L单体侧过充电检测电路42L、逻辑和电路44(或电路)。第一判定电路将二次电池200的电池电压(VDD-VSS)作为电源电压来工作。

H单体侧过充电检测电路42H在单体200H的单体电压的由电阻R3、R4导致的分压电压VBH超过基准电压VREFH时，输出禁止充电的信号(检测信号OVCH为高电平)，在分压电压VBH没有超过基准电压VREFH时，输出允许充电的信号(检测信号OVCH为低电平)。L单体侧过充电检测电路42L在单体200L的单体电压的由电阻R5、R6导致的分压电压VBL超过基准电压VREFL时，输出禁止充电的信号(检测信号OVCL为高电平)，在分压电压VBL没有超过基准电压VREFL时，输出允许充电的信号(检测信号OVCL为低电平)。逻辑和电路44输出H单体侧过充电检测电路42H的输出信号与L单体侧过充电检测电路42L的输出信号的逻辑和。

通过这样的电路结构，逻辑和电路44能够在单体200H、200L的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号，能够在单体200H、200L都没有超过第一预定值时输出允许充电的信号。

此外，保护IC90具备第二判定电路，该第二判定电路在通过上述基准电源电路对每个单体电压生成并输出的多个基准电压中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号，在这些多个基准电压都没有不足第二预定值时输出允许充电的信号。图2中作为该第二判定电路的构成要素，示例了H单体侧基准电源上升检测电路43H、L单体侧基准电源上升检测电路43L、非逻辑积电路45(与非电路)。第二判定电路将二次电池200的电池电压(VDD-VSS)作为电源电压来工作。

H单体侧基准电源上升检测电路43H在基准电压VREFH不足第二预定值时输出禁止充电的信号(逻辑信号SH为低电平)，在基准电压VREFH没有不足第二预定值时输出允许充电的信号(逻辑信号SH为高电平)。L单体侧基准电源上升检测电路43L在基准电压VREFL不足第二预定值时输出禁止充电的信号(逻辑信号SL为低电平)，在基准电压VREFL没有不足第二预定值时输出允许充电的信号(逻辑信号SL为高电平)。非逻辑积电路45输出H单体侧基准电源上升检测电路43H的输出信号与L单体侧基准电源上升检测电路43L的输出信号的非逻辑积(non-conjunction)。

通过这样的电路结构，非逻辑积电路45能够在基准电压VREFH、VREFL中的某个不足第二预定值时输出禁止充电的信号，能够在基准电压VREFH、VREFL都没有不足第二预定值时输出允许充电的信号。

此外，保护IC90还具备控制电路，该控制电路根据上述的第一判定电路的输出与第二判定电路的输出的逻辑和来控制是否允许二次电池的充电。图2中作为该控制电路示例了控制电路46。控制电路46具备逻辑和电路47，该逻辑和电路47输出逻辑和信号COUTL作为逻辑和电路44的输出信号与非逻辑积电路45的输出信号的逻辑和。

因此，根据具备上述的基准电源电路、第一判定电路、第二判定电路、控制电路的保护IC90，能够在过放电状态和过充电状态下禁止二次电池的充电，并且能够减小保护IC的设备尺寸。例如，由于不是在连接单体200H、200L的电极的VDD、VBL、VSS的各端子上直接连接晶体管的栅极这样的构造，因此抗静电强，从而不需要为了提高耐静电量而增大栅极尺寸等尺寸。此外，由于根据上述的第一判定电路的输出与第二判定电路的输出的“逻辑和”来控制是否允许二次电池的充电，所以能够汇总在过放电状态时和过充电状态时的充电禁止电路，因此，能够减小设备尺寸。例如，至少不需要图9所示的P沟道MOS晶体管504。此外，基准电源电路能够再次利用原本在保护IC中就存在的资源，因此不需要设置新的电路，面积缩小效果很显著。

此外，控制电路46具备驱动电路，该驱动电路根据从逻辑和电路47输出的逻辑和信号COUTL来驱动与COUT端子外部连接的充电控制用FET1(参照图1)。图2中作为该驱动电路的构成要素示例了电平移位电路48和CMOS反相器51。

电平移位电路48将使VSS端子电压为低电平使VDD端子电压为高电平的逻辑和信号COUTL，不使逻辑翻转地电压变换成使V-端子电压为低电平使VDD端子电压为高电平的逻辑信号COUTLL。当逻辑信号COUTLL为低电平时P沟道MOS晶体管49导通，所以充电控制用FET1导通(允许充电)。当逻辑信号COUTLL为高电平时N沟道MOS晶体管50导通，所以充电控制用FET1截止(禁止充电)。

图3～图8是图2中示例的电路结构的具体例子。对于晶体管等各电路要素间的连接关系的说明由于可从图中明确所以予以省略或简略。此外，在各图的晶体管标号中，栅极线为1根的晶体管表示增强型(enhancement)，栅极线为2根的晶体管表示耗尽型(depletion)。

图3是H单体侧基准电源41H和L单体侧基准电源41L的电路图。H单体侧基准电源41H具备耗尽型N沟道MOS晶体管M1和增强型N沟道MOS晶体管M2，晶体管M1的栅极和源极与晶体管M2的栅极和漏极共同连接。晶体管M1的漏极与VDD端子连接，晶体管M2的源极与VBL端子连接。通过图3的结构从晶体管M1的源极与晶体管M2的漏极的连接点输出根据单体200H的单体电压而生成的一定的基准电压VREFH。

对于L单体侧基准电源41L也是与H单体侧基准电源41H相同的结构。因此，通过图3的结构，从耗尽型N沟道MOS晶体管M3的源极与增强型N沟道MOS晶体管M4的漏极的连接点输出根据单体200L的单体电压而生成的一定的基准电压VREFL。

图4是H单体侧过充电检测电路42H和L单体侧过充电检测电路42L的电路图。过充电检测电路42H、42L是通过VSS端子与VDD端子之间的电位差即电源电压VDD而工作的比较器。在同相输入端子输入分压电压VBH、VBL，在反相输入端子输入基准电压VREFH、VREFL。因此，通过图4的结构，过充电检测电路42H在分压电压VBH超过基准电压VREFH时输出禁止充电的信号(信号OVCH为高电平)，在分压电压VBH没有超过基准电压VREFH时输出允许充电的信号(信号OVCH为低电平)。对于过充电检测电路42L也是一样。

图5是H单体侧基准电源上升检测电路43H的电路图。上升检测电路43H具备：在栅极输入基准电压VREFH的P沟道MOS晶体管M5、以及输入由偏置源电路(bias source circuit)52所生成的偏置电压信号NBI(参照图7)的N沟道MOS晶体管M6。

图7是偏置源电路52的电路图。当在二次电池200的单体200H的正极与单体200L的负极之间的两端电压(电源电压VDD)超过P沟道MOS晶体管M12的阈值电压时，晶体管M12导通。通过晶体管M12的导通，电流反射镜(M16、M17)工作，因此在二极管连接成的晶体管M18中产生一定的顺方向电压作为偏置电压NBI。当电源电压VDD进一步增大时，通过电阻R7的两端电压超过晶体管M14的阈值电压，电流限制电路(R7、M14)工作，因此晶体管M15截止。由此，电流反射镜(M16、M17)的工作停止。由此，偏置电压NBI变为0V。

因此，在图5中，当单体200H的单体电压为过放电状态的低电压时，通过偏置电压NBI晶体管M6导通，因此逻辑信号SH变为低电平(输出禁止充电的信号)。另一方面，当单体200H的单体电压为比过放电状态时高的正常电压时，基准电压VREFH上升到所期望的一定的目标值，另一方面由于偏置电压NBI为0V，所以逻辑信号SH变为高电平(输出允许充电的信号)。此外，基准电压VREFH的目标值是比从电源电压VDD减去晶体管M5的阈值电压而得的电压低的值。

图6是L单体侧基准电源上升检测电路43L的电路图。当单体200L的单体电压是过放电状态的低电压时，通过偏置电压NBI晶体管M11导通，并且通过偏置电压PBI晶体管M7、M10导通，因此逻辑信号SL变为低电平(输出禁止充电的信号)。另一方面，在单体200L的单体电压为比过放电状态时高的正常电压时，基准电压VREFL上升到所期望的一定的目标值，另一方面由于偏置电压NBI不足晶体管M11的阈值电压，电位差(VDD-PBL)不足晶体管M7的阈值电压。由此，晶体管M8、M9导通，晶体管M7、M10、M11截止，所以逻辑信号SL变为高电平(输出允许充电的信号)。

图8是电平移位电路48的电路图。电平移位电路48具备增强型P沟道MOS晶体管M19、耗尽型N沟道MOS晶体管M20、电阻R8、反相电路53。当逻辑和信号COUTL为低电平时，逻辑信号COUTLL为低电平(允许充电)，当逻辑和信号COUTL为高电平时，逻辑信号COUTLL为高电平(禁止充电)。当二次电池电压(VDD-VSS)不足由MOS晶体管的阈值电压决定的工作下限电压时，由二次电池200驱动的电路(逻辑和电路44、47、非逻辑积电路45等)不能工作，因此COUTL的输出逻辑相对于(VDD-VSS)为不定值。但是，在通过充电器400(参照图1)的电压(VDD-VSS)工作的电平移位电路48中COUTL的不定值被识别为高电平，因此电平移位电路48输出高电平的逻辑信号COUTLL。由此，能够使充电控制用FET1截止。这样，即使二次电池电压(VDD-VSS)不足工作下限电压，也能继续充电禁止状态。

以上对本发明的优选实施例进行了详细说明，但本发明并不局限于上述的实施例，在不脱离本发明的范围内可以对上述的实施例施加各种变形、改良以及置换。

例如，示例了构成二次电池200的单体串联数为两个的情况，但能够想到三个以上的情况也是相同的。此外，例如充电控制用FET1和放电控制用FET2也可以相互置换图示的配置位置。

Claims

1.一种电池保护电路，其保护具有多个单体的二次电池，其特征在于，具备：

基准电源，其输出根据所述多个单体的单体电压针对每个单体电压而生成的基准电压；

第一判定电路，其在所述单体电压中的某个单体电压超过第一预定值时输出禁止充电的信号，在所述单体电压都没有超过所述第一预定值时输出允许充电的信号；

第二判定电路，其在所述基准电压中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号，在所述基准电压都没有不足所述第二预定值时输出允许充电的信号；以及

控制电路，其根据所述第一判定电路的输出与所述第二判定电路的输出的逻辑和，来控制是否允许所述二次电池的充电。

2.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

所述控制电路包括：

逻辑和电路，其输出所述逻辑和；以及

驱动电路，其根据所述逻辑和，来驱动用于控制是否允许所述二次电池的充电的充电控制晶体管。

3.根据权利要求2所述的电池保护电路，其特征在于，

所述驱动电路包括：电平移位电路，其对所述逻辑和进行电平移位，

所述电平移位电路在所述第一判定电路和所述第二判定电路以及所述逻辑和电路的电源电压不足预定的下限电压时，输出使所述充电控制晶体管截止的逻辑。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电池保护电路，其特征在于，

所述基准电源包括耗尽型N沟道MOSFET和增强型N沟道MOSFET。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电池保护电路，其特征在于，

所述第一判定电路根据所述基准电压来判定所述单体电压是否超过所述第一预定值。

6.一种电池保护装置，其保护具有多个单体的二次电池，其特征在于，具备：

第二判定电路，其在所述基准电压中的某个基准电压不足第二预定值时输出禁止充电的信号，在所述基准电压都没有不足所述第二预定值时输出允许充电的信号；

充电控制晶体管，其控制是否允许所述二次电池的充电；以及

控制电路，其根据所述第一判定电路的输出与所述第二判定电路的输出的逻辑和，来控制所述充电控制晶体管。

7.一种电池组，其内置有权利要求6所述的电池保护装置和所述二次电池。