CN102693996A - 图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器。本发明中，感光区域表面上方的介质层周围，采用包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用；另一方面，叠层的结构保障了后续化学机械抛光过程中的抛光效果，防止金属的脱落和剥离。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种带有光通路的图像传感器。
背景技术
众所周知，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件（Charge-Coupled Device，简称“CCD”）和互补金属氧化物半导体（Complementary Metal OxideSemiconductor，简称“CMOS”）图像传感器。
根据其读出方式，现有的CMOS图像传感器大致可以分为无源式像素传感器（Passive Pixel Sensor，简称“PPS”）、有源式像素传感器（ActivePixel Sensor，简称“APS”）和数字像素传感器（Digital Pixel Sensor，简称“DPS”）三种类型。
图1和图2分别为理想状况下和实际情况中图像传感器结构中的感光情况。
如图1所示，图像传感器，特别是在CMOS图像传感器中，由于将CMOS像素读出电路与感光器件集成在同一半导体衬底上，鉴于电路的金属互联需求，感光区域表面通常覆盖有一定厚度的介质层，并在介质层表面制备滤色器和微透镜，分别实现滤光和聚光，以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域。其中附图标记11、12和13表示的是半导体器件的金属互连层，金属互连层之间是层间介质层。
然而，在实际工作中，由于相对于需探测的外界环境而言，像素单元尺寸极小，微透镜的聚光作用有限，大量光线进入层间介质层后，不仅会入射到对应像素的感光区域，还会进入相邻像素，从而引起串扰，并降低感光区域的有效感光效率。
在现有技术中，有人曾提出，在感光区域上方的介质层周围，刻蚀形成空气孔，从而在感光区域上方形成类波导的光通路，将大部分入射光限制在该通路中传输，但该方法对光的限制有限，尤其是感光区域上方的介质层通常为低介电常数材料，折射率通常较低（一般为1.5左右）；此外，也有人曾提出，在感光区域上方的介质层周围，采用连续的金属层作为反射层，以防止入射光对相邻像素的影响，但金属对电磁波有一定的吸收作用，随着CMOS图像传感器尺寸的进一步缩小，对于某些极限波长的光，可以近似的视作电磁波，而对于金属的吸收作用则不可忽视。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式公开了一种图像传感器，包括多个像素区域，像素区域包括感光器件，感光器件表面覆盖有层间介质层，感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。
本发明实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：
感光区域表面的介质层周围，采用具有不同介电常数的第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。
进一步地，利用第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用；另一方面，第一介质层和第三介质层作为硬掩膜环绕第二介质层即金属层的叠层结构保障了后续化学机械抛光过程中的抛光效果，防止抛光过程中金属的脱落和剥离。
进一步地，层间介质层的存在，可以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域。
进一步地，层间介质层自上而下介电常数递增，即折射率递增，根据光在不同介质间的传输原理可知，该结构可以更好地起到聚光作用，降低入射光在光通路传输过程中到达侧墙反射层发生反射/透射的概率，进一步提高了入射光的吸收效率。
附图说明
图1是理想状况下图像传感器结构中的感光情况示意图；
图2是实际情况中图像传感器结构中的感光情况示意图；
图3是本发明第一实施方式中一种图像传感器的结构示意图；
图4是一种3T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的结构示意图；
图5是一种4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的结构示意图。
具体实施方式
在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明第一实施方式涉及一种图像传感器。图3是该图像传感器的结构示意图。
具体地说，如图3所示，该图像传感器包括多个像素区域，每个像素区域均包括感光器件，每个感光器件表面覆盖有层间介质层，感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。
在这里，表面上方指光入射的方向，周围指感光器件感光区域的四周。通孔结构为光通路。
该图像传感器包括：制备在半导体衬底上的感光器件和像素读出电路，半导体衬底为硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GOI衬底、SGOI衬底或sSOI衬底等。感光器件及像素读出电路表面具有金属互连及层间介质层，层间介质层为一层或多层。
该图像传感器中，第一介质层和第三介质层均为具有高介电常数的介质材料层，二者可以相同，也可以不同，第一介质层和第三介质层为Al2O3、ZrO2、La2O3、LaAlO3、LaErO3和HfO2中任意一种或任意几种的叠层结构。
在本实施方式中，优选地，第一介质层和第三介质层的介质材料相同，均为Al2O3。第二介质材料为金属材料，优选为Cu、Al或W等。
此外，可以理解，在本发明的其它某些实施方式中，第一介质层、第二介质层和第三介质层的介质材料也可以是其它的介质材料。
利用第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用。另一方面，第一介质层和第三介质层作为硬掩膜环绕第二介质层即金属层的叠层结构保障了后续化学机械抛光过程中的抛光效果，防止抛光过程中金属的脱落和剥离。
在本实施方式中，感光器件为光电二极管，例如可以是PN结感光二极管、PIN本征半导体二极管或金属-半导体接触光电二极管等。在本发明的其它某些实施方式中，感光器件也可以为光电门。光电门，又称光门（photogate）。
每个感光器件的表面上方覆盖有层间介质层，层间介质层为介电常数小于硅的介电常数的介质材料层。
本实施方式中，感光器件表面上方的层间介质层与半导体器件金属互连的层间介质结构同步制备，或侧墙反射层制备完成后单独制备。
层间介质层的存在，可以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域，直至到达感光器件表面。
该图像传感器中，层间介质层可以为一层或者多层。
层间介质层为多层时，各层间介质层的介质材料可以相同，也可以不同。
层间介质层为多层时，且各层材料不同时，自上而下不同层间介质层的介电常数递增，且最底层层间介质层的介电常数小于硅的介电常数。
该图像传感器中，层间介质层优选为低介电常数材料，常见介质材料为SiO2、Si3N4、SiC、含C的SiO2、TEOS或含F氧化硅玻璃等，层间介质层可以为上述任意材料的单层结构，也可以为上述任意几种介质材料组成的叠层结构。
在本具体实施方式中，优选地，层间介质层为多层，且各层材料不同，层间介质层自上而下介电常数递增，即折射率递增，根据光在不同介质间的传输原理可知，该结构可以更好地起到聚光作用，降低入射光在光通路传输过程中到达侧墙反射层发生反射/透射的概率，进一步提高了入射光的吸收效率。
感光区域表面的介质层周围，采用具有不同介电常数的第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。
该图像传感器中的像素读出电路为3T、4T或5T结构等。
根据一个像素读出电路所包含的晶体管的数目，现有的CMOS图像传感器分为3T型结构或4T型结构，还可以有5T型结构。
图4是一种3T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的等效电路结构图。具体地说，如图4所示，该电路中包括：一个光电二极管10，用于在曝光时进行光电转换，将接收到的光信号转换成电信号，所述光电二极管10包括P型区和N型区，所述P型区接地。
一个复位晶体管M1，用于在曝光前对所述光电二极管10进行复位，复位由复位信号Reset信号进行控制。在图4中，所述复位晶体管M1选用一个N型金属-氧化物-半导体（N Metal-Oxide-Semiconductor，简称“NMOS”）管，所述复位晶体管M1的源极和所述光电二极管10的N型区相连；所述复位晶体管M1的漏极接电源Vdd，所述电源Vdd为一正电源。当所述复位信号Reset为高电平时，所述复位晶体管M1导通并将所述光电二极管10的N型区连接到电源Vdd，在所述电源Vdd的作用下，使所述光电二极管10反偏并会清除所述光电二极管10的全部累积的电荷，实现复位。所述复位晶体管M1也可以由多个NMOS管串联形成，或由多个NMOS管并联形成，也可以用PMOS管代替所述NMOS管。
一个放大晶体管M2，也为一源极跟随器，用于将所述光电二极管10产生的电信号进行放大。在图4中，所述放大晶体管M2选用一NMOS管，所述放大晶体管M2的栅极接所述光电二极管10的N型区，所述放大晶体管M2的漏极接所述电源Vdd，所述放大晶体管M2的源极为放大信号的输出端。所述放大晶体管M2也可以由多个NMOS管串联形成或由多个NMOS管并联形成。
一个行选择晶体管M3，用于将所述放大晶体管M2的源极输出的放大信号输出。在图4中，所述行选择晶体管M3选用一NMOS管，所述行选择晶体管M3的栅极接行选择信号Rs，所述行选择晶体管M3的源极接所述放大晶体管M2的源极，所述行选择晶体管M3的漏极为输出端。
图5是一种4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的等效电路结构图。相比于3T型结构，现有4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路结构图增加了一个转移晶体管M4，所述转移晶体管M4用于将所述光电二极管10产生的电信号输入到所述感应节点N1。在图5中，所述转移晶体管M4选用一NMOS管，所述转移晶体管M4的栅极接转移信号TX，所述转移晶体管M4的源极接所述光电二极管10的N型区，所述转移晶体管M4的漏极接所述复位晶体管M 1的源极即所述感应节点N1。
虽然通过参照本发明的某些优选实施方式，已经对本发明进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素区域，所述像素区域包括感光器件，所述感光器件表面覆盖有层间介质层，所述感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层的介电常数大于层间介质层的介电常数，所述第二介质层的介电常数大于层间介质层的介电常数。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层为Al2O3、ZrO2、La2O3、LaAlO3、LaErO3和HfO2中任意一种或任意几种的叠层结构。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的介质材料相同。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的介质材料不同。
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二介质层的介质材料为金属材料。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二介质层的介质材料为Cu、Al或W。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层的介电常数小于硅的介电常数。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层为SiO2、Si3N4、SiC、含C的SiO2、TEOS和含F氧化硅玻璃中任意一种或任意几种的叠层结构。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层为多层，自上而下不同层间介质层的介电常数递增，且最底层层间介质层的介电常数小于硅的介电常数。
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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