CN102679187A - 用于照明的led光模组和led芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种LED光模组和LED芯片。LED晶片(1)设置在热扩散板(3)上，热扩散板(3)采用铜或铝、或铜铝复合材料，厚度大于0.35mm，面积是其上LED晶片面积之和的五倍以上，其目的和作用是降低热流密度。承担高压绝缘的高压绝缘片(2)，采用烧结成瓷的陶瓷片，比如氧化铝陶瓷片，设置在热扩散板(3)的另一面，与外层绝缘体(4)一起将热扩散板隔离绝缘。外层绝缘体采用注射或浇铸工艺，与热扩散板(3)和高压绝缘片(2)一起成型。这样的设计就可显著降低内导热热阻，提高电的绝缘强度，封装成本有效降低。

Description

用于照明的LED光模组和LED芯片
技术领域
本发明属于LED照明技术领域，特别涉及降低LED光模组或LED芯片内导热热阻，并且提高其内电的绝缘强度的封装结构。
技术背景
LED的一大应用是照明，LED照明被认为是人类下一代绿色环保照明技术。但当前LED照明产品造价高，阻碍着其应用普及，LED照明产品造价高的根本原因是LED散热造成。LED芯片中的LED晶片(也称裸片)的成本，当前只占15％，封装成本占65％之多，其原因就是散热问题所致。
照明灯具的用电安全是一必须满足的要求，必须达到安规要求，安全绝缘强度一般要达到1500V以上。绝缘与导热又是相互矛盾的，如果在LED光模组或芯片封装中，实现解决有效降低内封装热阻，又能达到安全绝缘要求，其意义非常之大，将大大地使整个LED灯具(包括电源)的造价降低。
现公开的LED芯片的内导热传热热阻占整个传热热阻非常大的比例，现产品热阻最低的也要达到6℃/W，如果再加上铝基板上的绝缘层热阻，最小也要达到10℃/W。这么高的内导热热阻，原因是为解决芯片内电的绝缘问题所致，即使是前述的那么高的内导热热阻，其电的绝缘强度也是不到2000V，要得到更高安全的用电绝缘强度，热阻还要增加。有提出采用高导热陶瓷片(如AIN陶瓷片)作LED芯片中的“热沉”，可以解决绝缘与传热之间的矛盾，但是AIN这类高导热陶瓷，成本造价高。
发明内容
本发明的目的是针对LED封装内部导热传热以及保证用电安全的绝缘(高电压绝缘)问题，依据传热学基本原理，提出一种新架构，不必选用昂贵的AIN之类的高导热陶瓷，就可以实现高电压绝缘，满足更高的用电安全要求，达到直接接用市电的安规要求，而内部导热阻更低，并且生产效率高，促使整个LED照明灯具的造价显著降低。
本发明的LED光模组的构成包括有：一颗或多颗LED晶片、热扩散板、外层绝缘体、高压绝缘片以及导热芯，导热芯采用金属材料，最好采用铜质或铝质材料。本发明的特征是：LED晶片设置在热扩散板的一面，该面称为热扩散板的A面，热扩散板采用了铜质或铝质材料、或铜铝复合材料，热扩散板的面积是其上的LED晶片面积之和的五倍以上，热扩散板的厚度大于0.35mm；高压绝缘片设置在热扩散板的另一面(该面称为B面)与导热芯的一面(也就是导热芯的热量导入面，称为吸热面)之间；高压绝缘片采用了烧结成瓷的陶瓷片，该陶瓷片的厚度不小于0.15mm；外层绝缘体采用了注射工艺或浇铸工艺，与导热芯和高压绝缘片、以及热扩散板一起注射或浇铸成型的结构；外层绝缘体围着热扩散板边缘侧壁，并与高压绝缘片相连接，构成热扩散板的B面和侧壁周圈被绝缘体包围。
从LED晶片到导热芯(散热片)导热热阻(LED封装内热阻)主要是由于LED晶片面积小，形成高热流密度所致。导热温差(即热阻)与热流密度和导热距离成正比，与材料导热系数成反比。绝缘材料导热系数低(除AIN之类的高导热陶瓷)，比铜和铝要小数十倍。1×1mm大小的晶片，1W发热功率，其热流密度就到106W/m2，现产品结构采用0.15mm厚氧化铝陶瓷(导热系数20W/m·h)作绝缘片，晶片直接设置在该陶瓷片上，绝缘强度可达1500V，但导热温差就要达到7.5℃。
本发明中，将晶片设置在铜或铝材的热扩散板上，承担保证用电安全的高电压绝缘的高压绝缘片则设置在热扩散板与导热芯之间。同样是1×1mm，1W发热功率的晶片，0.15mm厚氧化铝陶瓷作高压绝缘片，即同样的绝缘强度，但是高热流密度经热扩散板后，热流密度下降，若热流密度降低5倍，则高压绝缘片上的导热温差就可降低到1.5℃，热阻降低非常显著。本发明的设计思想是：先不考虑LED晶片与热扩散板之间的绝缘(高电压绝缘)，首先是降低热流密度，再实施高电压绝缘，就可有效降低内导热热阻。
本发明中的热扩散板，虽然与现产品的热沉的传热过程类似，但本发明首次明确强调其最重要作用——热扩散作用，因而称之为热扩散板，当今LED行业普通都不清楚热扩散的概念及其重要性。由于铜和铝的导热系数高，价格低，因而首选铜质材料或铝制材料、或铜铝复合材料制作热扩散板。
作为热扩散作用的热扩散板不仅要采用导热性高的材料，其面积和厚度也要足够大。热扩散板的面积应是其上的LED晶片面积之和的五倍以上，设计时最好选十倍以上；热扩散板的厚度应大于0.35mm。热扩散板厚度最好大于0.5mm，一是为了使热流密度扩散得更均匀，二是从强度方面考虑，保证热扩散板的平整度，有利于下端的接触传热。如果晶片为1X1mm，1W，热扩散板的厚度应达到1.0mm以上，其目的和作用就是使热量在热扩散板内有效扩散，降低热流密度。
LED晶片最好是直接焊接在热扩散板上，因为LED晶片与热扩散板结合处热流密度最高，结合面的材料(焊料或粘胶)的导热系数要尽可能高，金属材料的导热系数高，比如锡的导热系数为60W/m·K，数倍地高于导热粘胶(比如银胶)。
采用金属导电材料制成的热扩散板与晶片之间无绝缘或绝缘强度低，因而热扩散板的高电压绝缘就成了主要问题，承担此任务的是高压绝缘片和外层绝缘体，高压绝缘片还要承担导热任务，因而导热性要高。
烧结成瓷的陶瓷片，致密、绝缘强度高，导热系数高，烧结成瓷的氧化铝陶瓷，纯度96％(称96氧化铝瓷)，导热系数可达20W/m·K。而熔喷氧化铝膜，由于传热方向有空隙，则导热系数下降了一个数量级，阳极氧化成的氧化铝瓷膜，也有孔隙，也导致导热系数下降。因而本发明选用烧结成瓷的陶瓷片作为高压绝缘片。氧化铝陶瓷片，是电子元件中最常用的陶瓷基片，造价低，导热系数高，因而是首选的高压绝缘片材料。
本发明中提出高压绝缘片的陶瓷片的厚度不小于0.15mm，一是从制造工艺难度方面考虑，太薄的陶瓷片不容易生产，易破碎；二是从绝缘强度方面来考虑，希望有绝缘强度达到1500V以上。达到满足安规要求的绝缘强度，有利于减化驱动电源，比如采用非隔离式驱动电源，就可降低驱动电源的成本。高压绝缘片的厚度应取0.2～0.4mm之间，太厚了，热阻也就太高，0.3mm厚是比较好的值，此时的绝缘强度达到3000V，可满足各种安规要求，通过加大热扩散板的面积和厚度，将热流密度下降十倍，完全可得到高压绝缘片处的导热温差在2℃以下。
外层绝缘体采用注射工艺或浇铸工艺，与导热芯和高压绝缘片、以及热扩散板一起注射或浇铸成型，可简单描述成：导热芯和高压绝缘片、以及热扩散板被放入外层绝缘体的模具型腔中，外层绝缘体的液态材料被注射或灌入型腔，一起固化成型。本发明提出采用上述工艺结构的目的有：一、生产效率高，特别是采用塑料注射成型，不仅省去上胶(涂胶)工序，还省去了胶的固化工序和时间，因而生产效率特别高；二、绝缘质量可靠性高，外层绝缘体与高压绝缘片之间的结合处是绝缘可靠性最低处，如果采用胶水绝缘密封，不易保证结合处的全部空隙都被胶水填充满，则绝缘质量可靠性低，采用本发明提出的工艺成型结构，就容易保证结合处没有空隙，并且粘接成一体，结构强度高。外层绝缘体的材料可选择：塑料类(热熔性塑料和热固性塑料)、环氧树脂类和硅胶类。
高压绝缘片可以设计成与导热芯焊接(或粘接)成一体的部件，也可以与热扩散板焊接(或粘接)成一体的部件。依据该第二种设计，本发明又提出一种LED芯片，包括有一颗或多颗LED晶片、热扩散板、外层绝缘体以及高压绝缘片。其特征是：LED晶片设置在热扩散板的A面，热扩散板采用了铜质或铝质材料、或铜铝复合材料，热扩散板的面积是其上的LED晶片面积之和的五倍以上，设计时最好大于十倍，热扩散板的厚度大于0.35mm，设计时最好大于0.5mm。高压绝缘片设置在热扩散板的B面；高压绝缘片采用了烧结成瓷的陶瓷片，该陶瓷片的厚度不小于0.15mm；外层绝缘体采用了注射工艺或浇铸工艺，与高压绝缘片和热扩散板，一起注射或浇铸成型的结构；外层绝缘体围着热扩散板边缘侧壁，并与高压绝缘片相连接，构成热扩散板的B面和侧壁周圈被绝缘体包围。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
图1是一种本发明LED光模组的特征剖面示意图，导热芯为板式结构，示出了本发明LED光模组的基本结构特征。
图2是一种本发明LED光模组的特征剖面示意图，导热芯为圆锥形结构。
图3是一种本发明LED光模组的特征剖面示意图，示出了一种强化提高高压绝缘片边缘处绝缘强度的结构特征，导热芯为锥形螺柱结构，并设置有灯芯罩。
图4是一种本发明LED芯片的特征剖面示意图，采用了高压绝缘片外边缘大于热扩散板结构，来强化提高高压绝缘片边缘处绝缘强度。
图5是一种本发明LED芯片的特征剖面示意图，设置有定位片，LED晶片镶嵌在定位片中，示出了一种强化提高高压绝缘片边缘处绝缘强度的结构特征。
图6是一种本发明LED芯片的特征剖面示意图，采用了热扩散板的B面凸起结构，来强化提高高压绝缘片边缘处绝缘强度。
图7是一种本发明LED芯片的特征剖面示意图，热扩散板的A面设置有低压绝缘层，配有灯芯罩。
图8a是一种本发明LED芯片的特征剖面示意图，是图8b中A-A处的剖面图。
图8b是图8a的俯视图。
图9是一种本发明LED光模组的特征剖面示意图，导热芯为圆锥形结构，配有球形灯芯罩。
图10是一种断路保护元件的电路原理图。
图中：1、晶片，2、高压绝缘片，3、热扩散板，4、外层绝缘体，5、导热芯，6、灯芯罩壳，7、透镜，8、定位片，9、导线，10、焊料或导电胶，11、低压绝缘层，12、电源引线，13、绝缘套，14、反光杯，15、端子，16、透明保护层，17、插头，18、钩扣，19、稳压二极管，20、可控硅。
具体实施方式
图1所示的本发明LED光模组，导热芯5为平板式结构，并且设置有安装固定孔，图中示出两颗LED晶片1。带有多颗LED晶片时，设计应注意，LED晶片在热扩散板上分布应呈辐射形分散分布，单颗LED晶片功率不要太大，最好不要超过2瓦。外层绝缘体4围着热扩散板3的边缘侧壁，外层绝缘体4延伸到高压绝缘片2，和高压绝缘片一起将热扩散板与导热芯(以及附近的导体)绝缘隔开，起到高压绝缘作用，外层绝缘体的绝缘强度应高于高压绝缘片。
图2所示的本发明LED光模组，与图1所示的显著区别，是导热芯5结构不一样，图2中的导热芯5采用圆锥形结构，导热芯5的向外传热(向散热片传热)的接触传热面是圆锥柱面，其优点有：一、加大接触传热面的接触压力，只需小的轴向作用力，就可得被放大数倍(数十倍)的柱面的接触压力，有效解决导热芯向外(散热片)的传热(接触传热)热阻，二、降低机加工精度，减小加工成本，散热片上的锥孔孔径和导热芯的外圆直径，如有制造误差，可以通过轴向位移来补偿，有效保证接触传热。导热芯还可采用螺柱形结构，因为接触传热面积增加，比如，60°三角形螺纹的表面是光柱面面积的两倍，这有利降低接触传热热阻。
图3所示本发明LED光模组，设置有灯芯罩，图中所示的灯芯罩包括灯芯罩壳6和透镜7，并利用灯芯罩壳6作为外层绝缘体，即灯芯罩部分与外层绝缘体为一体结构。当然灯芯罩全部也可与外层绝缘体为一体结构，比如去掉透镜7。图3中的导热芯5采用了锥形螺柱结构，锥形螺柱结构的导热芯综合了圆锥形结构和螺柱形结构的优点：接触压力和接触面积大。
高压绝缘片与外层绝缘体是两个部件，两种材料，高压绝缘片厚度薄(一般不超过0.5mm)，图1、2中所示结构，高压绝缘片2与外层绝缘体4结合处，绝缘强度低，很容易出现击穿现象。为加强高压绝缘片与外层绝缘体结合处(也就是高压绝缘片的边缘处)的绝缘强度，图3所示的本发明光模组示出了一种结构：导热芯5的吸热面设计成凸起，凸起边缘小于高压绝缘片的边缘，这样就留有间隙，该间隙处被灯芯罩壳6的本体材料填充，如图3中4a所示，采用注射或浇铸工艺就容易实现该结构，就可强化提高高压绝缘片2边缘处的绝缘强度。图3中的导热芯5上开有凹槽或孔，灯芯罩壳6(外层绝缘体)的本体材料嵌入该凹槽或孔中，如图3中4b所示，这样结构是为了提高灯芯罩壳6与导热芯5之间的结合强度。
图4所示的本发明LED灯芯，和图1所示的光模组区别有：LED灯芯没有导热芯；为强化提高高压绝缘片2边缘处的绝缘强度，图4所示的LED灯芯中，高压绝缘片2的边缘大于热扩散板3的边缘，这样就可以加大热扩散板边缘与散热片(导热芯)等外设导体的爬电距离，自然就增加了绝缘强度。设计时，高压绝缘片的边缘应大于热扩散板的边缘0.5mm以上，以保证足够、可靠的绝缘强度。
图5所示的本发明LED灯芯，设置有定位片8，定位片8上开有晶片嵌口，LED晶片1镶嵌在晶片嵌口中，并一起贴附在热扩散板3的A面，LED晶片与热扩散板的A面之间应该采用焊接或粘接连接，最好是焊接，以降低LED晶片与热扩散板之间的热阻；定位片采用了绝缘片制成，定位片上设置有电路和引线焊盘，引线焊盘靠近LED晶片上的电极焊盘，两焊盘之间的导通连接可采用导线焊接连接，比如超声波金线球焊，还可以采用焊料焊接连接、导电胶粘接连接。图5中所示的定位片上的引线焊盘与LED晶片上的电极焊盘之间的导通连接是通过导线9连通，即采用导线焊接连接。定位片表面应镀有反光膜，最好是铝膜，以提高出光率。
图5中示出了另一种强化提高高压绝缘片边缘处绝缘强度结构，热扩散板3的B面边缘采用了倒角结构，高压绝缘片2的边缘大于热扩散板3倒角的内侧边缘，如图中所示，高压绝缘片与热扩散板尺寸一致，由于有倒角，自然形成三角缺口，图中还示出，在该三角缺口中被外层绝缘体的本体材料填充，如图4a所示，这样就提高了热扩散板在高压绝缘片边缘处的绝缘强度。
在图6所示的本发明LED芯片中，强化提高高压绝缘片边缘处的绝缘强度，采用了与图3类似的结构，在热扩散板3的B面采用了凸起结构，与高压绝缘片2紧贴的面(承担传热的面)凸起，凸起的边缘小于高压绝缘片2的边缘，因而在热扩散板3边缘处与高压绝缘片2边缘处形成间隙，图中示出，该间隙被外层绝缘体的本体材料填充，这样就可强化提高高压绝缘片边缘处的绝缘强度。图6所示的LED芯片，也采用了定位片8，定位片8上的引线焊盘与晶片上的电极焊盘之间的导通连接通过焊料(或导电胶)10导通连接，即焊料焊接导通连接、导电胶粘接导通连接，
LED晶片可分为两类：一是衬底为导电体，比如碳化硅衬底的LED晶片；另一是衬底为绝缘体，比如蓝宝石衬底的LED晶片。如果LED晶片之间采用了串联结构，LED晶片又是直接接触到热扩散板上的金属(铜或铝)，只能选用绝缘衬底的LED晶片，并且应采用正装结构，图1至图6所示的结构便可以选用。如果采用导电体衬底、或绝缘体衬底，倒装式(也称履晶式)结构，LED晶片之间还是采用串联式结构，则就应在热扩散板3的A面设置有绝缘层，因为考虑到LED晶片与热扩散板的A面之间的热流密度高，为降低该处的导热热阻，该处的绝缘层厚度应该薄，该处的绝缘强度低，则就称此为低压绝缘层。
采用气相沉积工艺生成的陶瓷膜，比如金刚石、SiC、AlN、BN、BeO、Al2O3等陶瓷膜，致密、绝缘性好、导热性高，可用于本发明中的热扩散片A面上的低压绝缘层。
气相沉积工艺虽然生成的陶瓷膜，致密、导热性高，但陶瓷膜的厚度薄(几微米)，成本高，特别是要得到耐压上百伏的陶瓷膜(膜厚度要达到10μm以上)，成本就更高。采用阳极氧化工艺，直接从热扩散板表面上的金属铝生长出氧化铝膜，作为低压绝缘层，虽然生成的氧化铝膜的导热性不如气相沉积工艺制造的高，但成本低，容易得到较厚的膜，绝缘强度达到100V以上。设计时，低压绝缘层的氧化铝膜厚度应小于50μm，控制该处的导热热阻。
虽然铜比铝贵，更不容易加工成型，但由于热扩散板材料用量非常少，外形简单(片状)，制造容易，更重要的是LED晶片的热流密度高，则高导热性材料更重要，因而热扩散板应首先选用铜。要想在铜热扩散片表面生成阳极氧化的氧化铝绝缘层，就应采用铜铝复合材料，在铜板表面覆有一层铝。热扩散片A面上的铝层厚度要薄，其厚度只要够用于阳极氧化所需的铝厚即可。
图7所示的本发明LED芯片，在热扩散板3的A面设有低压绝缘层11，可采用气相沉积工艺生成的陶瓷膜、或采用阳极氧化直接从热扩散板表面上的金属铝生长出的氧化铝膜。
图7中还示出，LED灯芯设有灯芯罩，利用灯芯罩壳6作为外层绝缘体，内设置有聚光型反光杯14，并采用了热扩散板3的B面边缘倒角结构，以及高压绝缘片2的边缘大于热扩散板3的边缘结构，来强化提高高压绝缘片边缘处的绝缘强度。图中示出，LED晶片的电源引线12，穿过高压绝缘片2，热扩散板3以及定位片8，电源引线12与定位片8上的电路相连接(焊接)，并采用了绝缘套13。在热扩散板3上，电源引线12的穿孔处采用了倒角结构，形成三角口，被绝缘体材料填充，强化该处的绝缘强度。
图8a、8b所示的本发明LED灯芯，外层绝缘体4延展伸出两安装孔，还设有两电源输入端子15，端子15穿过外层绝缘体4，一端与定位片8上的印刷电路连通，LED晶片1前是一层透明保护层16。图8a、8b中还示出了一特别的特征：LED晶片1是组成组设置，每组晶片有三颗晶片，也采用了定位片8，红蓝双色白光芯片可采用该设计，采用三基色产生白光的芯片也可采用这样的设计。
图9所示的本发明LED光模组，导热芯5采用了圆锥形结构，灯芯罩为球形，导热芯5的下端设置有钩扣18，通过旋转LED光模组，使钩扣18被钩卡在散热片上。可采用螺钉或铆接将钩扣18固定在导热芯5上。图中示出，采用了同轴式插头17，通过电源引线12与定位片上的印刷电路连通。
当采用倒装式结构，又采用了定位片，引线焊盘在定位片的表面时，LED晶片上的电极焊盘就应设置在LED晶片的侧壁上，采用焊料焊接，或导电胶粘接，实现定位片上的引线焊盘与LED晶片上的电极焊盘之间的导通连接。图7中示出，一侧的LED晶片1上的电极焊盘设有LED晶片的侧壁上，适用于晶片衬底为导电体的LED晶片。
本发明的LED光模组或LED芯片中，设置有数多颗LED晶片，又采用串联连接，如果某一颗LED晶片失效、断路，则会影响该光模组或芯片的工作，因而可以在每颗，或多颗LED晶片上并联有断路保护元件。图10示出了一种LED晶片断路保护元件的电路原理图，当与之并联的LED晶片失效，并且断路时，由于电压升高，超过图8中的稳压二极管19的稳定电压(该电压可设定为LED正常工作电压的电压1.5倍，或更高点)，稳压二极管19导通，触发可控硅20导通，因而电流就绕过失效、断路的LED晶片，保证其他正常的LED晶片工作。
断路保护元件可以设置在定位片的表面上，也可以采用类似于图5、6、7中LED晶片镶嵌于定位片中的镶嵌结构，镶嵌在定位片中。在定位片上还可以设置有或镶嵌有温度感应元件，用于保护LED晶片不超温。比如采用PTC元件，当感应温度超过规定值时，关闭电流，又比如温度感应元件为热电偶，热电阻或热敏电阻，探测到温度信号送到驱动电源中，调节驱动电流。定位片上还可以设置有或镶嵌有其它保护元件(比如防静电元件)。

Claims (10)

1.一种用于照明的LED光模组，包括有一颗或多颗LED晶片(1)、热扩散板(3)、外层绝缘体(4)、高压绝缘片(2)以及导热芯(5)，其特征在于：热扩散板(3)采用了铜质或铝质材料、或铜铝复合材料；LED晶片(1)设置在热扩散板(3)的A面；热扩散板的面积是其上的LED晶片面积之和的五倍以上，热扩散板的厚度大于0.35mm；高压绝缘片(2)设置在热扩散板(3)的B面与导热芯(5)的吸热面之间，高压绝缘片(2)采用了烧结成瓷的陶瓷片，该陶瓷片的厚度不小于0.15mm；外层绝缘体(4)采用了注射工艺或浇铸工艺，与导热芯(5)和高压绝缘片(2)、以及热扩散板(3)一起注射成型或浇铸成型的结构；外层绝缘体(4)围着热扩散板(3)边缘侧壁，并与高压绝缘片(2)相连接，构成热扩散板(3)的B面和侧壁周圈被绝缘体包围。
2.根据权利要求1所述的LED光模组，其特征在于：导热芯(5)向外传热的接触传热面采用了圆锥形结构、或螺柱结构或锥形螺柱结构。
3.根据权利要求1或2所述的LED光模组，其特征在于：导热芯(5)上开有凹槽或孔，外层绝缘体(4)的本体材料嵌入该凹槽或孔中。
4.根据权利要求1所述的LED光模组，其特征在于：高压绝缘片(2)边缘处的绝缘强化提高结构采用了，
导热芯(5)的吸热面凸起结构，该凸起边缘小于高压绝缘片(2)的边缘、
或高压绝缘片(2)的边缘大于热扩散板(3)的边缘结构、
或热扩散板(3)的B面边缘采用了倒角结构、
或热扩散板(3)的B面采用了凸起结构，该凸起的边缘小于高压绝缘片(2)的边缘。
5.一种用于照明的LED芯片，包括有一颗或多颗LED晶片(1)、热扩散板(3)、外层绝缘体(4)以及高压绝缘片(2)，其特征在于：热扩散板(3)采用了铜质或铝质材料、或铜铝复合材料；LED晶片(1)设置在热扩散板(3)的A面；热扩散板的面积是其上的LED晶片面积之和的五倍以上，热扩散板的厚度大于0.35mm；高压绝缘片(2)设置在热扩散板(3)的B面，高压绝缘片(2)采用了烧结成瓷的陶瓷片，该陶瓷片的厚度不小于0.15mm；外层绝缘体(4)采用了注射工艺或浇铸工艺，与热扩散板(3)和高压绝缘片(2)一起注射成型或浇铸成型的结构；外层绝缘体(4)围着热扩散板(3)边缘侧壁，并与高压绝缘片(2)相连接，构成热扩散板(3)的B面和侧壁周圈被绝缘体包围。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：高压绝缘片(2)边缘处的绝缘强化提高结构采用了，
高压绝缘片(2)的边缘大于热扩散板(3)的边缘结构、
或热扩散板(3)的B面边缘采用了倒角结构、
或热扩散板(3)的B面采用了凸起结构，该凸起的边缘小于高压绝缘片(2)的边缘。
7.根据权利要求1所述的LED光模组或权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：热扩散板的厚度大于0.5mm。
8.根据权利要求1所述的LED光模组或权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：高压绝缘片(2)所采用的陶瓷片是氧化铝陶瓷片。
9.根据权利要求1所述的LED光模组或权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：采用了定位片(8)，定位片(8)上开有晶片嵌口，LED晶片(1)镶嵌在晶片嵌口中，并一起贴附在热扩散板的A面，LED晶片(1)与热扩散板(3)的A面之间的连接采用了焊接或粘接连接；定位片(8)采用了绝缘片制成，定位片(8)上设置有电路和引线焊盘，引线焊盘和LED晶片上的电极焊盘之间的导通连接采用了导线焊接连接、焊料焊接连接、导电胶粘结连接。
10.根据权利要求1所述的LED光模组或权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：设有灯芯罩，灯芯罩全部或部分与外层绝缘体(4)为一体结构。
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