CN102654670A - 液晶面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种液晶面板及其制作方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1、制备彩膜基板；步骤S2、制备阵列基板；步骤S3、将液晶和UV光活性聚合物混合成混合材料；步骤S4、采用封框胶将彩膜基板和阵列基板对盒成液晶面板，并在其中注入步骤S3制备的混合材料；步骤S5、对步骤S4得到的液晶面板进行取向处理，所述UV光活性聚合物形成取向层。本发明通过采用液晶分子和UV光活性聚合物材料来形成取向层，提高了液晶面板的透过率，且减少了液晶盒厚。

Description

液晶面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种液晶面板及其制作方法。

背景技术

近年来随着科学技术的不断进步，液晶显示(Liquid CrystalDisplay，LCD)技术的不断完善，液晶显示产品逐渐遍布我们生活的每个角落。它以能耗低，易于平板化，环保等优势，在显示领域占据着非常重要的地位。

如图1所示，为现有技术中液晶面板的结构示意图，该液晶面板由彩膜基板和薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板对盒而成。

其中彩膜基板包括透明基板1，形成于透明基板1上的黑矩阵7和像素区域，形成于像素区域的具有红、绿、蓝三原色透光性的彩色滤光层9(包括红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层)，红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层的位置与薄膜晶体管上的每一个像素的位置精确对应，彩色滤光膜层上覆盖有平坦保护层(over coat)8，平坦保护层8上具有隔垫物10以形成盒内支撑，隔垫物10上涂敷有PI胶制成的取向层6。

阵列基板包括透明基板1’，形成于透明基板1’上的公共电极2，形成于透明基板1’和公共电极2上的绝缘层3，形成于绝缘层3上的像素电极4，像素电极4上涂敷有PI胶制成的取向层6’。

现有技术中彩膜基板和阵列基板上的取向层都是通过印刷的方式涂到彩膜基板和阵列基板上的，由于PI胶制作的取向层的透过率并不理想，因此会降低液晶盒的透过率，而且涂敷两层取向层会增加液晶盒厚。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何增加液晶面板的透光率，降低液晶面板的盒厚。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种液晶面板的制作方法包括以下步骤：

步骤S1、制备彩膜基板；

步骤S2、制备阵列基板；

步骤S3、将液晶和UV光活性聚合物混合成混合材料；

步骤S4、采用封框胶将彩膜基板和阵列基板对盒成液晶面板，并在其中注入步骤S3制备的混合材料；

步骤S5、对步骤S4得到的液晶面板进行取向处理，所述UV光活性聚合物形成取向层。

其中，所述步骤S3中液晶和UV光活性聚合物按照质量百分浓度为99.5％∶0.5％～90％∶10％的比例范围进行混合。

进一步地，所述步骤S3中液晶和UV光活性聚合物按照质量百分浓度为95％∶5％。

进一步地，所述步骤S5具体包括：

在所述液晶面板上方盖上网状遮光板，然后对所述液晶面板施加一个方波电场；当所述液晶和UV光活性聚合物分离后，对所述液晶面板进行UV光照射。

进一步地，所述方波电场的电场强度为1V/um-5V/um，波电场的变化周期为0.5KHz-1.5KHz。

进一步地，所述方波电场的电场强度为3V/um，波电场的变化周期为1KHz。

进一步地，所述UV光的波长为313nm或365nm。

进一步地，所述取向层为网格状，每个网格对应一个或多个像素，所述取向层的厚度与液晶面板的盒厚相同。

进一步地，所述彩膜基板包括透明基板，形成于所述透明基板上的黑矩阵和像素区域，在所述像素区域形成的彩色滤光层，在所述彩色滤光层上形成的平坦保护层，在所述平坦保护层上形成的隔垫物。

进一步地，所述阵列基板包括透明基板，在所述透明基板上形成的公共电极，在所述透明基板和公共电极上形成的绝缘层，在所述绝缘层上形成像素电极。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种液晶面板，包括：对盒的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板和彩膜基板之间具有取向层，所述取向层由UV光活性聚合物制成。

进一步地，所述取向层为网格状结构，每个网格对应一个或多个像素，所述取向层的厚度与液晶面板的盒厚相同。

(三)有益效果

上述技术方案具有如下有益效果：通过采用液晶分子和UV光活性聚合物材料同时注入的方式，最终形成由UV光活性聚合物材料制成的取向层，代替了由PI胶采用涂覆方式制作的影响透过率的取向层，也就提高了液晶面板的透过率。而且该UV光活性聚合物材料制成的取向层形成于彩膜基板和阵列基板之间，不会增加盒厚，与现有技术相比也就减少了液晶盒厚。

附图说明

图1是现有技术液晶面板的结构示意图；

图2是本发明实施例的液晶面板的制作方法流程图；

图3是本发明实施例的液晶面板的结构示意图；

其中，1、1’：透明基板；2：公共电极；3：绝缘层；4：像素电极；5：液晶；6、6’：取向层；7：黑矩阵；8：平坦保护层；9：彩色滤光层；10：隔垫物；11：取向层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

如图2所示，为本发明实施例的液晶面板的制作方法流程图，该方法包括以下步骤：

步骤S1、彩膜基板的制备：

在透明基板1上形成黑矩阵7和像素区域，在像素区域上形成彩色滤光层9，在彩色滤光层9上形成平坦保护层8，在平坦保护层8上形成隔垫物10；

步骤S2、阵列基板的制备：

在另一透明基板1’上形成公共电极2，在该透明基板1’和公共电极2上形成绝缘层3，在绝缘层3上形成像素电极4；

步骤S3、液晶材料的准备：

将液晶5和UV光活性聚合物11按照质量百分浓度为(99.5％∶0.5％)～(90％∶10％)的比例范围进行混合，优选地，该比例为92.5％∶7.5％，以这个比例混合制作，液晶5和UV光活性聚合物11之间的作用力更好，制作的液晶材料的锚定力最好；可以采用Merck生产的液晶和Nissan Chemical生产的UV光活性聚合物；

步骤S4、液晶面板的制备：

将步骤S2制备的阵列基板上涂上含有Si球的封框(seal)胶，在步骤S1制备的彩膜基板上滴上步骤S3制备的混合材料，然后将两个基板对盒，维持盒厚为4.0um；

步骤S5、垂直液晶取向层的形成：

首先，在液晶面板上方盖上网状遮光板，然后对液晶面板施加一个方波电场。该方波电场的电场强度为1-5V/um，波电场的变化周期为0.5-1.5KHz。优选地，在电场强度为1.5V/um，波电场的变化周期为1KHz时，液晶分子和UV光活性聚合物分子会更好更快更彻底的分离。

施加方波电场的主要目的是使液晶分子与UV光活性聚合物分子分离，液晶分子在方波电场的作用下有规律的分布到强电场区，UV光活性聚合物分子在方波电场的作用下分布到弱电场区，即在像素边缘形成垂直于彩膜基板和阵列基板的液晶取向层，将像素区域隔离。垂直液晶取向层形成的依据是根据Kelvin公式F＝P·ΔE，其中P是材料的极性，ΔE是电场强度。由于液晶分子的介电常数远大于UV光活性聚合物分子的介电常数，因此在方波电场的作用下两者产生相分离。

然后，对液晶面板使用UV光进行照射。

对于光聚合材料，通常选用313nm或365nm的光源，对于本实施例给出的UV光活性聚合物，采用的能量为50-500mJ/cm2，采用313nm或365nm的光源。

经过电场的作用和UV光照射之后，UV光活性聚合物形成网格状的取向层，其网格对应于每个像素区域，或每两个像素区域，将对应的像素区域分隔开。

以上是以水平电场模式的液晶盒为例进行说明。

实施例二

如图3所示，为本发明实施例的液晶面板的结构示意图，该液晶面板包括：对盒的彩膜基板和阵列基板，其中彩膜基板包括透明基板1，形成于透明基板1上的黑矩阵7和像素区域，形成于像素区域的彩色滤光层9，在彩色滤光层9上形成的平坦保护层8，在平坦保护层8上形成的隔垫物10；阵列基板包括另一透明基板1’，在该透明基板1’上形成的公共电极2，在该透明基板1’和公共电极2上形成的绝缘层3，在绝缘层3上形成的像素电极4，彩膜基板和阵列基板通过涂在阵列基板上的封框胶对盒在一起的。在彩膜基板的隔垫物10和阵列基板的像素电极4之间还具有取向层11，该取向层11为网格状结构，每个网格对应至少一个像素，其厚度与液晶盒厚相同，取向层11由UV光活性聚合物制成。

由以上实施例可以看出，本发明实施例通过采用液晶分子和UV光活性聚合物材料混合注入，并最终由UV光活性聚合物材料来形成取向层，提高了液晶面板的透过率，且减少了液晶盒厚。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、制备彩膜基板；

步骤S2、制备阵列基板；

步骤S3、将液晶和UV光活性聚合物混合成混合材料；

步骤S4、采用封框胶将彩膜基板和阵列基板对盒成液晶面板，并在其中注入步骤S3制备的混合材料；

步骤S5、对步骤S4得到的液晶面板进行取向处理，所述UV光活性聚合物形成取向层。

2.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中液晶和UV光活性聚合物按照质量百分浓度为99.5％∶0.5％～90％∶10％的比例范围进行混合。

3.如权利要求2所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中液晶和UV光活性聚合物按照质量百分浓度为92.5％∶7.5％。

4.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：

在所述液晶面板上方盖上网状遮光板，然后对所述液晶面板施加一个方波电场；当所述液晶和UV光活性聚合物分离后，对所述液晶面板进行UV光照射。

5.如权利要求4所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述方波电场的电场强度为1V/um-5V/um，波电场的变化周期为0.5KHz-1.5KHz。

6.如权利要求5所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述方波电场的电场强度为3V/um，波电场的变化周期为1KHz。

7.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述取向层为网格状，每个网格对应一个或多个像素，所述取向层的厚度与液晶面板的盒厚相同。

8.如权利要求1-7任一项所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述彩膜基板包括透明基板，形成于所述透明基板上的黑矩阵和像素区域，在所述像素区域形成的彩色滤光层，在所述彩色滤光层上形成的平坦保护层，在所述平坦保护层上形成的隔垫物。

9.如权利要求1-7任一项所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括透明基板，在所述透明基板上形成的公共电极，在所述透明基板和公共电极上形成的绝缘层，在所述绝缘层上形成像素电极。

10.如权利要求1-7任一项所述的方法制作的液晶面板，包括对盒的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述阵列基板和彩膜基板之间具有取向层，所述取向层由UV光活性聚合物制成。

11.如权利要求10所述的液晶面板，其特征在于，所述取向层为网格状结构，每个网格对应一个或多个像素，所述取向层的厚度与液晶面板的盒厚相同。

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