CN102652286B - 辐射源、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种辐射源生成用于光刻设备的极紫外辐射，作为设置有低压氢气环境的腔。痕量的保护性化合物，例如H₂O，H₂O₂，O₂，NH₃或NO_x，被提供至所述腔，以辅助保持在腔中的金属，例如钛部件上的保护性氧化物膜。

Description

辐射源、光刻设备和器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年2月9日申请的美国临时申请No.61/302,752和于2010年3月25日申请的美国临时申请No.61/317,529的权益，通过引用将它们的全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及辐射源(尤其是用于光刻术的辐射源)、光刻设备和制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。

光刻技术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术所制造的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的IC或其他器件和/或结构的制造来说，光刻技术正变成更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

$\mathrm{CD}=k_1*\frac{\mathrm{\λ}}{\mathrm{NA}}---\left(1\right)$

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)可知，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种方式来实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有10-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内的波长的电磁辐射。还提出可以使用小于10nm波长的EUV辐射，例如在5-10nm范围内的波长，诸如6.7nm或6.8nm的波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

通过使用等离子体可以产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。可以例如通过引导激光束到燃料上，例如合适的材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽的流(例如Xe气体或Li蒸汽)，产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器进行收集。辐射收集器可以是反射镜式的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包封结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

在典型的激光产生等离子体源中，燃料(例如锡)的液滴由具有充足功率的脉冲激光束辐射，以使得它们被在氢气气体环境中转变成等离子体。氢气气体环境处于相对低的压强，例如20-30mbar，等离子体形成所在的腔以及源设备的其他部分可能变得非常热。因此，源设备的各种部件遭受显著的物理和热应力，以及化学攻击。

发明内容

期望提供激光产生等离子体源，其能够更好地在长的周期上耐受施加到其上的应力。

根据本发明的一个实施例，提供了一种辐射源装置，构造和布置成供给极紫外辐射束至光刻设备。所述辐射源装置包括：真空腔，所述真空腔包封辐射生成元件；气体供给装置，所述气体供给装置布置成供给氢气到所述真空腔；和保护装置，所述保护装置布置成供给痕量的保护性化合物至所述真空腔。

气体供给装置可以布置成供给处于小于大约25mbar的压强下的氢气。

根据本发明的另一实施例，提供了一种构造和布置成将图案化的束投影到衬底上的光刻设备。所述光刻设备包括：真空腔，所述真空腔包封包括非惰性材料的部件；气体供给装置，所述气体供给装置布置成将可以与所述非惰性材料反应的背景气体供给至所述真空腔；和保护装置，所述保护装置布置成将痕量的保护性化合物供给至所述真空腔。所述保护性化合物比所述背景气体更优先地与所述非惰性材料键合。

所述部件可以包括：液滴生成器，布置成射出燃料的液滴；和束生成装置，布置成辐射燃料的液滴。液滴生成器可以布置成生成作为燃料的液态锡的液滴。所述部件可以是反射器、致动器或任何其他部件。气体供给装置可以布置成供给在小于大约25mbar的压强下的氢气。所述保护装置可以布置成以一比率提供所述保护性化合物，使得在所述真空腔中的所述保护性化合物的分压大于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-4倍，或小于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-2倍。

根据本发明的还一实施例，提供了一种光刻设备。光刻设备包括：真空腔，所述真空腔包封辐射改性元件；气体供给装置，所述气体供给装置布置成供给氢气至所述真空腔；和保护装置，所述保护装置布置成供给痕量的保护性化合物至所述真空腔。

所述保护装置可以布置成供给保护性化合物，所述保护性化合物包括H₂O，H₂O₂，O₂，NH₃，NO_x，O₃，CO₂或LOX。辐射改性元件可以包括：液滴生成器，布置成射出燃料的液滴；和束生成装置，布置成辐射燃料的液滴。液滴生成器可以布置成生成作为燃料的液态锡的液滴。辐射改性元件可以是反射器。气体供给装置可以布置成供给在小于大约25mbar的压强下的氢气。所述保护装置可以布置成以一比率提供所述保护性化合物，使得在所述真空腔中的所述保护性化合物的分压大于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-4倍，或小于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-2倍。真空腔可以包封照射系统，所述照射系统布置成将辐射束投影到图案形成装置上；和/或真空腔可以包封投影系统，所述投影系统布置成将图案形成装置的图像投影到衬底上。

根据本发明的再一实施例，提供了一种使用光刻设备的器件制造方法。所述方法包括步骤：赋予图案到辐射束上；将所述图案化的辐射束投影到衬底上；提供氢气至被所述辐射束横穿的腔；和提供痕量的保护性化合物至所述腔。

本发明的另外的实施例、特征和优点以及本发明各实施例的结构和操作将在下文中参考附图进行详细描述。注意到，本发明不限于此处描述的具体实施例。此处提出这样的实施例仅是为了说明的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。

附图说明

此处包含的且形成了说明书的一部分的附图示出了本发明，且与所述描述一起进一步用于说明本发明的原理，和使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。

图2是图1的设备的更详细的视图。

图3是图1和2的设备中的源收集器模块SO的更详细的视图。

图4、5和6示出了根据本发明的各实施例的各光刻设备。

图7示出根据本发明的一个实施例的气体供给设备。

结合附图通过下文阐述的详细描述，将更加明白本发明的特征和优点，在附图中相同的附图标记在全文中表示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。

具体实施方式

本发明说明书公开了包含本发明的特征的一个或更多的实施例。所公开的实施例仅示例性说明本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明仅由随附的权利要求书来限定。

所描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的提及表示所述的实施例可以包括特定的特征、结构或特点，但是每个实施例不一定包括特定的特征、结构或特点。此外，这些措词不必表示同一实施例。此外，当特定特征、结构或特点被关于实施例进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，结合其他的实施例实现这些特征、结构或特点在本领域技术人员的知识范围内。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现出本发明的实施例可以被实施的示例性环境是有益的。

图1示意地示出根据本发明一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用以调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束、以便在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分中形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型和衰减型相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

如同照射系统，投影系统可以包括各种类型的光学部件。可以期望对EUV辐射使用真空，因为其它气体可能吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵对整个束路径提供真空环境。

在这一实施例中，例如，光刻设备是反射式(例如采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型，例如是具有两个或更多的掩模台的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外(EUV)辐射束。用以产生EUV辐射的方法包括但不一定局限于将材料转化为等离子体状态，其具有至少一种元素，例如氙、锂或锡，具有一个或更多个在EUV范围内的发射线。在通常用术语激光产生等离子体(“LPP”)表示的这样的一种方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束辐射例如具有所需的发射线元素的材料的液滴、流或簇团等燃料来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，包括用于提供用于激发燃料的激光的激光器(在图1中未示出)。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO₂激光器被用于提供用于燃料激发的激光束时)。

在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生的等离子体EUV生成器(通常称为DPP源)时)。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场和琢面光瞳反射镜装置。照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在已经从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

图示的光刻设备可以用于下列模式中的至少一种：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2更详细地示出光刻设备100，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得真空环境可以保持在源收集器模块SO的包封结构220内。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽(例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生，其中温度非常高的等离子体210被生成以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。温度非常高的等离子体210由例如通过放电导致至少部分离子化的等离子体而生成。例如10Pa分压的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适合的气体或蒸汽对于有效地产生辐射可能是需要的。在一实施例中，激励的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。

由高温的等离子体210发射的辐射经由可选的气体阻挡件或污染物阱230(在一些情形中也被称作为污染物阻挡件或翼片阱)从源腔211传递到收集器腔212，所述气体阻挡件或污染物阱230被定位在源腔211中的开口中或其后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。还在此处显示的污染物阱或污染物阻挡件230至少包括通道结构，如在本领域中已知的。

收集器腔211可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以被反射远离光栅光谱滤光片240，以被聚焦到虚源点IF处。虚源点IF通常被称作中间焦点，源收集器模块被布置成使得中间焦点IF定位在包封结构220中的开口221处或其附近。虚源点IF是用于发射辐射的等离子体210的像。

随后，辐射穿过照射系统IL，其可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24布置成在图案形成装置MA处提供期望的辐射束21的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度的均匀性。在辐射束21在由支撑结构MT的图案形成装置MA处反射之后，图案化的束26被形成，且图案化的束26经由反射元件28、30通过投影系统PS成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。

比图示的元件更多的元件可能通常设置在照射光学单元IL和投影系统PS中。光栅光谱滤光片240可以可选地依赖于光刻设备的类型而设置。另外，可以设置比图示的反射镜更多的反射镜，例如，在投影系统PS中可以设置比图2显示的反射元件多额外1-6个反射元件。

如图2显示的收集器光学装置CO被显示为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的例子。掠入射反射器253、254和255被围绕光学轴线O轴向对称地设置，这一类型的收集器光学装置CO与放电产生的等离子体源(通常称为DPP源)组合使用。

可替代地，源收集器模块SO可以是图3显示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA布置成沉积激光能量到燃料(诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li))中，从而生成几十eV电子温度的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激励和复合期间产生的高能辐射，被从由近正入射收集器光学装置CO收集的等离子体发射，且聚焦到包封结构220中的开口221上。

在一个例子中，在激光产生等离子体源中通常经历的升高的温度下，钛可能被在等离子体形成腔中使用的清洁氢气攻击。钛可以用在等离子体腔中，这是因为其具有耐液态锡的好的抗腐蚀性，且通常通过本身的氧化物皮层保护而免遭化学攻击。尤其是，生成液态Sn的液滴的液滴生成器和捕获液态Sn的液滴和/或等离子体碎片的液滴捕获器可以由钛制成。然而，本发明的发明人已经确定在等离子体腔的攻击性的环境中，保护性的被氧化的皮层可能蒸发、溶解或以其它方式碎裂，使得块状材料暴露至氢气和锡等离子体。所述源的部件还可以由硬化的钢制造，其会遭受类似的问题。

在一个例子中，等离子体腔的钛部件可以通过提供成痕量的少量的水分(即水H₂O)而被保护。水分可以设置成水、水蒸气或冰的形式，且还可以设置成纯氧的形式，其可能临时与存在的任何氢气反应以形成水。过氧化氢(H₂O₂)、臭氧(O₃)、二氧化碳(CO₂)和液态氧(LOX)也可以被使用。提供痕量的这样的保护性化合物还可以保护钢部件。

图4显示本发明的一个实施例，其中保护装置10连接至源模块SO。保护装置10包括容纳液态水的贮液器11、用于控制来自贮液器的水蒸气的流动的针形阀12以及能够在水蒸气不被需要时关闭供给的节流阀13。在一实施例中，针形阀包括加热器(未显示)，用于防止由于横跨针形阀的压降而可能发生的冷凝。在被连接至低压腔(例如源模块SO)时，贮液器11中的液态水蒸发，蒸气通过孔口12流动至源模块。在源模块不处于足以使液态水在室温下蒸发的低压(小于大约23mbar)的情况下，加热器可以设置在贮液器11中。

图5和6显示本发明的可替代的实施例，其中保护装置10分别连接至照射系统IL和投影系统PS，用于保护这些模块中的部件。本发明的保护装置可以保护由除钛之外的其它材料制造的部件，尤其是其它金属，其中块状材料通常由氧化性的皮层保护。当然，本发明的不同实施例可以被组合，多个保护装置可以被布置成连接至容纳需要保护的部件的那些模块。可替代地，单个保护装置可以连接至光刻设备中的多个不同的模块，用于保护其中的不同的部件。

图7显示其中保护装置10连接至气体供给线路15的可替代布置，该气体供给线路15将例如氢气的气体从气体供给装置14传送至包括将要被保护的部件的装置的模块。对于该布置，需要制造至抽真空的腔的较少的连接。在一实施例中，在包含将被保护的部件的腔中有氢气流动。在这种情形中，期望布置保护装置以将保护性化合物供给至将被保护的部件的上游。在源模块的情形中，保护装置可以布置成将保护性化合物供给至液滴生成器的附近，该液滴生成器通常在氢气源的附近。因为液滴捕获器靠近从源真空腔的流出流，所以液滴生成器和液滴捕获器可以同时被保护。

在一个例子中，如果在钛部件的环境中O₂的分压加H₂O的分压的一半大于在该环境中H的分压的大约10^-4倍，那么充分大的保护作用可以被获得。氧气和水的所需要的分压可能随着温度和根据将被保护的材料而变化。来自水蒸气的氧气在不同的温度下键合至钛的比率可以在下文的表1中看到，该表1列出对于反应Ti+H₂O(g)＝H₂(g)+TiO的各种热动力学参数。

表1

在该表中，deltaH是焓的变化，deltaS是可以被计算出的熵的变化，deltaG是吉布斯自由能的变化。这使得能够计算针对于所述反应的平衡常数K。平衡常数是平衡时H₂的分压与H₂O的分压的比，以大约40个数量级表示存在的氧气优先地键合至钛而不是氢气。在光刻设备中，源模块中的压强可以是大约1mbar，照射系统和投影系统中的压强可以是大约0.3mbar。因此，非常小量的保护性化合物足以实现本发明。

发明人还确定了在通常在等离子体腔中出现的温度下，氧化锡(SnO)与锡(Sn)相比较不稳定，使得氧气或H₂O的出现不会不利于形成等离子体。此外，在钛部件上的稳定的氧层可以增强它们对液态锡的抗腐蚀性。

在本发明的实施例中，被保护的部件是磁体，例如由钐钴或钕制成的磁体。这些材料还被氢附着，且可以被氧化层保护，其被通过使用本发明的保护装置保持。磁体可以是致动器(诸如电动机)或传感器的一部分。

在本发明的实施例中，被保护的部件包括硅，其可以与氢气反应以形成硅烷(SiH₄)。这通过设置氧气或水而被防止，所述氧气或水由本发明的保护装置提供。包括硅的部件包括诸如反射镜等多层反射器或掩模，其可以具有Si:Mo多层涂层(例如所分布的布拉格反射器)。在被应用于保护收集器光学装置CO时，本发明是尤其有利的，该收集器光学装置通常不具有保护性封盖层。

在本发明的实施例中，氧气或水分传感器可以设置在包括将被保护的部件的腔中，用于控制水分和/或氧气的水平。

在本发明的实施例中，注入痕量的NH₃和/或NO_x，而不是水。这样的实施例对于保持在块状材料(尤其是金属)上的氮化物保护性层是有利的。

在EUV光刻设备中，源模块、照射系统和投影系统以及任何其他的被投影束穿过的部件通常设置有低压的氢气环境，这是因为氢气对于EUV辐射具有低的吸收系数且还帮助从该设备的部件上清除掉任何碳和薄的沉积物。然而，诸如氦气等其它气体可以被替代地使用，在该情形中，可替代的保护性化合物可能是适合的。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电光学部件。

应当理解，具体实施方式部分，而不是发明内容和摘要部分，用于诠释权利要求书。发明内容和摘要部分可能阐述了如发明人设想的本发明的一个或更多的示例性实施例，而不是全部所有的示例性实施例，因此不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求书。

在功能性构建块的帮助下在上文描述了本发明，该功能性构建块示出其特定功能和关系的实施方式。这些功能性构建块的边界为了便于描述在此处被任意限定。可以限定可替代的边界，只要其特定的功能和关系被适当地执行即可。

特定的实施例的上述描述如此全面地揭露了本发明的一般属性，使得其他人通过应用本技术领域内的知识容易地在没有过多的实验的情况下针对于这样的具体实施例修改和/或适应各种应用，而不背离本发明的总体构思。因此，基于此处呈现出的教导和指导，这样的适应和修改是要处于所公开的实施例的等价物的含义和范围内。可以理解的是，此处的措词或术语是用于描述的目的，而不是限制性的目的，使得本说明书中的术语或措词将被技术人员根据教导和指导进行解释。

本发明的宽度和范围不应当由上述的任何示例性实施例来限制，而是应当仅根据随附的权利要求书和它们的等同物来限定。

在目前的申请中的权利要求书不同任何相关的申请中的权利要求书。因此，申请人取消在与当前申请有关的申请中所作出的权利要求的范围中的任何放弃。因此，提醒审查员，任何这样的之前放弃的范围和没有被采用的被引用的对比文献可能需要被重新考虑。此外，还提醒审查员在当前申请中作出的任何放弃的范围不应当对母案申请产生影响。

Claims (13)

1.一种辐射源装置，构造和布置成供给极紫外辐射束至光刻设备，所述辐射源装置包括：

真空腔，包封辐射生成元件；

气体供给装置，布置成供给氢气到所述真空腔；和

保护装置，布置成供给痕量的保护性化合物至所述真空腔。

2.根据权利要求1所述的辐射源，其中所述保护装置布置成供给保护性化合物，所述保护性化合物从由H₂O,H₂O₂,O₂,NH₃,NO_x,O₃,CO₂和LOX构成的组中选出。

3.根据权利要求1所述的辐射源，其中所述辐射生成元件包括布置成射出燃料的液滴的液滴生成器和布置成辐射所述燃料的液滴的束生成装置。

4.根据权利要求3所述的辐射源，其中所述液滴生成器布置成生成作为燃料的液态锡的液滴。

5.根据前述权利要求1-4中任一项所述的辐射源，其中所述保护装置布置成以一比率提供所述保护性化合物，使得在所述真空腔中的所述保护性化合物的分压大于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-4倍。

6.根据前述权利要求1-4中任一项所述的辐射源，其中所述保护装置布置成以一比率供给所述保护性化合物，使得所述真空腔中的保护性化合物的分压小于所述真空腔中的氢气的分压的大约10^-2倍。

7.一种布置成将图案形成装置的图像投影到衬底上的光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求1-6中任一项所述的辐射源，所述辐射源布置成用所述辐射束照射所述图案形成装置。

8.一种构造和布置成将图案化的束投影到衬底上的光刻设备，所述光刻设备包括：

真空腔，包封包括非惰性材料的部件；

气体供给装置，布置成将能够与所述非惰性材料反应的背景气体供给至所述真空腔；和

保护装置，布置成将痕量的保护性化合物供给至所述真空腔，其中，所述保护性化合物比所述背景气体更优先地与所述非惰性材料键合。

9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述气体供给装置布置成供给氢气，所述保护装置布置成供给保护性化合物，所述保护性化合物从由H₂O,H₂O₂,O₂,NH₃,NO_x,O₃,CO₂和LOX构成的组中选出。

10.根据权利要求8-9中任一项所述的光刻设备，其中所述非惰性材料被从由钛、钢、钐-钴、钕和硅构成的组中选出。

11.根据权利要求8-9中任一项所述的光刻设备，其中所述真空腔包封照射系统，所述照射系统布置成将辐射束投影到图案形成装置上。

12.根据权利要求8-9中任一项所述的光刻设备，其中所述真空腔包封投影系统，所述投影系统布置成将图案形成装置的图像投影到衬底上。

13.一种使用光刻设备的器件制造方法，所述方法包括步骤：

生成辐射束；

使用图案形成装置赋予图案到所述辐射束上；

将所述图案化的辐射束投影到衬底上；

提供氢气至被所述辐射束穿过的所述光刻设备的腔，所述腔具有包括非惰性材料的部件；和

提供痕量的保护性化合物至所述腔，其中光刻设备用于投影图案化的束到衬底上，所述光刻设备包括：

真空腔，包封包括非惰性材料的部件；

气体供给装置，布置成将能够与所述非惰性材料反应的背景气体供给至所述真空腔；和

保护装置，布置成将痕量的保护性化合物供给至所述真空腔，其中，所述保护性化合物比所述背景气体更优先地与所述非惰性材料键合。