CN102642253B - 一种硅片切边方法及其装置 - Google Patents

一种硅片切边方法及其装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102642253B
CN102642253B CN201210138192.3A CN201210138192A CN102642253B CN 102642253 B CN102642253 B CN 102642253B CN 201210138192 A CN201210138192 A CN 201210138192A CN 102642253 B CN102642253 B CN 102642253B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
trimming
arm
inductor
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210138192.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102642253A (zh
Inventor
赵开乾
程奥博
林晓瑜
何虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201210138192.3A priority Critical patent/CN102642253B/zh
Publication of CN102642253A publication Critical patent/CN102642253A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102642253B publication Critical patent/CN102642253B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提出一种硅片切边方法，包括：由传输臂上的第一感应器确定硅片V型槽口（notch）的位置；将所述硅片放置于旋转平台上，开始旋转；伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；切边手臂上设置的距离第二感应器向控制器反馈切边手臂与硅片边缘的距离；控制器接收距离第二感应器反馈切边手臂与硅片边缘的距离，并对伺服马达发出控制信号；伺服马达控制切边手臂，使切边手臂与硅片边缘保持固定距离。

Description

一种硅片切边方法及其装置
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，且特别涉及一种光刻涂胶显影设备。
背景技术
随着集成电路技术的不断发展，芯片的关键尺寸(Critical Dimension)不断缩小，对半导体制造技术领域的要求也越来越高。作为半导体制造技术中的关键技术，光刻工艺对光刻设备精度的要求也越来越高。在涂胶显影设备中，传统技术上，对已涂胶硅片进行切边时，由于硅片的旋转中心与硅片实际中心位置始终存在微小的偏差，难以重叠，导致切边的硅片存在一边偏大，另一边偏小，影响硅片后续的显影工艺，最终导致硅片的良率问题。
发明内容
为了克服已有技术中在涂胶切边时硅片切边不均匀问题，本发明提供一种具有高均匀性涂胶硅片切边方法及其装置。
为了实现上述目的，本发明提出一种硅片切边方法，包括：
由传输臂上的第一感应器确定硅片中心位置与V型槽口(notch)角度；
将所述硅片放置于旋转平台上，开始旋转；
伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；
所述切边手臂上设置的第二感应器向控制器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
所述控制器接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号；
所述伺服马达控制所述切边手臂，使所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离。
进一步地，所述硅片表面涂有光刻胶。
进一步地，所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径(或半径)的延长线上。
进一步地，将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。
进一步地，所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。
本发明还提供一种使用上述硅片切边方法的装置，包括：
第一感应器，所述第一感应器设置于传输臂上，用于确定硅片中心与V型槽口角度；
切边手臂，所述切边手臂设置于导轨上，用于对已涂胶硅片进行切边；
伺服马达，所述伺服马达控制所述切边手臂在所述导轨上移动，使所述切边手臂进行切边；
旋转平台，所述旋转平台用于放置硅片，并以一定速率进行定向时针旋转；
第二感应器，所述第二感应器设置于所述切边手臂上，反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
控制器，所述控制器接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号。
进一步地，所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径(或半径)的延长线上。
进一步地，将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。
进一步地，所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。
本发明所述的硅片切边方法的有益效果主要表现在：通过切边手臂上的第二感应器在切边时向控制器实时反馈的切边手臂与硅片边缘的距离，控制器对伺服马达发出控制信号，伺服马达控制所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离，从而弥补了硅片的旋转中心与硅片实际中心位置始终存在微小的偏差而带来的切边偏差，提高了切边均匀性，进一步提升了硅片的良率。
附图说明
图1为现有技术中涂胶硅片切边的示意图；
图2为本发明具体实施例1的一种硅片切边方法的步骤示意图；
图3为本发明具体实施例1的一种硅片切边装置结构图；
图4为本发明具体实施例2的一种硅片切边方法的步骤示意图；
图5为本发明具体实施例2的一种硅片切边装置结构图。
具体实施方式
为了更好地理解本发明相对于现有技术所作的改进，在对本发明的具体实施方式进行详细描述前，先对背景部分提到的现有技术结合附图加以说明。
图1是现有技术中涂胶硅片切边的示意图，导轨1上的切边手臂2靠近放置于旋转平台(图中未示出)上的硅片3进行切边，由于旋转平台(图中未示出)的旋转中心4与硅片3的硅片中心5存在着偏差，切边手臂2完成切边后，硅片3的切边区域6一边偏大，一边偏小，均匀性不好，影响了硅片的良率。
下面结合附图对发明的具体实施例作进一步的描述。
实施例1
图2是本发明具体实施例1的一种硅片切边方法的步骤示意图。
步骤201：由传输臂上的第一感应器确定硅片中心位置与V型槽口(notch)角度；
步骤202：将所述硅片放置于旋转平台上，开始旋转；
步骤203：伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；
步骤204：所述切边手臂上设置的第二感应器向控制器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
步骤205：所述控制器接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并与设定的固定值做比较，对所述伺服马达发出控制信号；
步骤206：所述伺服马达控制所述切边手臂，使所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离。
图3是本发明具体实施例1的一种硅片切边装置结构图。由传输臂(图中未示出)上的第一感应器(图中未示出)确定硅片中心位置309与V型槽口311角度后，将硅片307放置于旋转平台(图中未示出)。控制器301对伺服马达302发出控制信号，伺服马达302控制切边手臂304经导轨303移动至硅片307边缘上方，开始切边。切边的过程中，设置于切边手臂304上的第二感应器305对控制器301实时反馈切边手臂304与硅片307边缘的距离，控制器301将接收到实时切边手臂304与硅片307边缘的距离，与设定的固定切边值做比较，对伺服马达302发出控制信号，伺服马达302控制切边手臂304，实时保持切边手臂304与硅片307边缘的距离为设定的固定切边值。
本实施例中的硅片切边方法与硅片切边装置，即使硅片中心309与实际旋转中心310存在着一定偏差，由于实时的切边补偿，最后切边完成后的硅片307上的切边区域308保持良好均匀性。
但是，由于硅片307上V型槽口311的存在，在运用上述实施例1所述的硅片切边方法时，遇到V型槽口311时，第二感应器305向控制器301实时反馈所述切边手臂304与所述硅片307边缘的距离时，同样会存在与V型槽口311对应的V型切边311’。
实施例2
考虑到上述提到的硅片存在V型槽口(notch)，在运用上述实施例1所述的硅片切边方法时，遇到V型槽口(notch)时，第二感应器向控制器实时反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离时，同样会存在与V型槽口对应的V型切边。基于本发明的上述实施例1的硅片切边方法做进一步改进。
图4是本发明具体实施例2的一种硅片切边方法步骤示意图。
步骤401：第一感应器确定硅片中心位置与V型槽口角度；
步骤402：将所述硅片放置于旋转平台上,所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度,开始旋转；
步骤403：伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；
步骤404：所述切边手臂上设置的距离第二感应器向控制器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
步骤405：所述控制器接收所述距离第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并与设定的固定值做比较，对所述伺服马达发出控制信号；
步骤406：所述伺服马达控制所述切边手臂，使所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离；
步骤407：所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。
图5是本发明具体实施例2的一种硅片切边装置结构图。由传输臂(图中未示出)上的第一感应器(图中未示出)确定硅片中心位置509与V型槽口511角度后，将硅片507放置于旋转平台(图中未示出)；由于切边手臂504在硅片507的旋转中心510旋转圆的直径(或半径)延长线506上，第二感应器505向控制器501反馈切边手臂504与V型槽口511临近一端512之间的初始弧度513，旋转平台(图中未示出)开始旋转；控制器501对伺服马达502发出控制信号，伺服马达502控制切边手臂504经导轨503移动至硅片507边缘上方，开始切边。切边的过程中，设置于切边手臂504上的第二感应器505对控制器501实时反馈切边手臂504与硅片507边缘的距离，控制器501将接收到实时切边手臂504与硅片507边缘的距离，与设定的固定切边值做比较，对伺服马达502发出控制信号，伺服马达502控制切边手臂504，实时保持切边手臂504与硅片507边缘的距离为设定的固定切边值；当切边手臂504完成初始弧度513的切边时，控制器501对伺服马达502发出控制信号，伺服马达502控制切边手臂504，取消对于V型槽口511的固定弧度514的切边距离修正；当硅片507旋转过V型槽口511的固定弧度514时，控制器501对伺服电机502发出控制信号，伺服马达502控制切边手臂504继续进行实时的切边距离补偿。
在本实施例提供的硅片切边装置下，即使硅片中心509与实际旋转中心510存在着一定偏差，由于控制器501控制伺服马达502对切边手臂504进行除V型槽口511的固定弧度514外的部分实时切边补偿，因此可使得切边完成后的硅片507上的切边区域508保持良好均匀性。
综上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种硅片切边方法，包括：
由传输臂上的第一感应器确定硅片V型槽口的位置；
将所述硅片放置于旋转平台上，开始旋转；
伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；
其特征在于，还包括：
所述切边手臂上设置的第二感应器向控制器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
所述控制器接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号；
所述伺服马达接收所述控制信号，控制所述切边手臂，使所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离。
2.如权利要求1所述的硅片切边方法，其特征在于：所述硅片表面涂有光刻胶。
3.如权利要求1所述的硅片切边方法，其特征在于：所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径(或半径)的延长线上。
4.如权利要求3所述的硅片切边方法，其特征在于：
将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。
5.如权利要求4所述的硅片切边方法，其特征在于：
所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。
6.一种使用权利要求1至5任意一项所述的硅片切边方法的硅片切边装置，包括：
第一感应器，所述第一感应器设置于传输臂上，用于确定硅片V型槽口角度；
切边手臂，所述切边手臂设置于导轨上，用于对已涂胶硅片进行切边；
伺服马达，所述伺服马达控制所述切边手臂在所述导轨上移动，使所述切边手臂进行切边；
旋转平台，所述旋转平台用于放置硅片，并以一定速率进行定向时针旋转；
其特征在于，还包括：
第二感应器，所述第二感应器设置于所述切边手臂上，反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；
控制器，所述控制器电连接所述第二感应器以接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号。
7.如权利要求6所述的硅片切边装置，其特征在于：
所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径(或半径)的延长线上。
8.如权利要求7所述的硅片切边装置，其特征在于：
将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。
9.如权利要求8所述的硅片切边装置，其特征在于：
所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。
CN201210138192.3A 2012-05-04 2012-05-04 一种硅片切边方法及其装置 Active CN102642253B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210138192.3A CN102642253B (zh) 2012-05-04 2012-05-04 一种硅片切边方法及其装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210138192.3A CN102642253B (zh) 2012-05-04 2012-05-04 一种硅片切边方法及其装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102642253A CN102642253A (zh) 2012-08-22
CN102642253B true CN102642253B (zh) 2014-12-10

Family

ID=46655448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210138192.3A Active CN102642253B (zh) 2012-05-04 2012-05-04 一种硅片切边方法及其装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102642253B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104526493A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 天津中环领先材料技术有限公司 一种单晶硅晶圆片边缘抛光工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1103511A (zh) * 1993-07-29 1995-06-07 瓦克化学电子工业原料有限公司 精磨半导体晶片的边沿的方法
CN1937202A (zh) * 2006-10-13 2007-03-28 大连理工大学 一种硅片预对准装置
CN101217127A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种光电开关动态调整硅片偏差的方法及装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE821459A (nl) * 1974-10-25 1975-02-17 Metode en apparatuur voor het automatisch snijden van briljanten.
KR100927029B1 (ko) * 2007-12-04 2009-11-17 세메스 주식회사 트랜스듀서 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JP2010284747A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Sony Corp 半導体装置の製造方法、研磨方法、半導体製造装置及び研磨テープ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1103511A (zh) * 1993-07-29 1995-06-07 瓦克化学电子工业原料有限公司 精磨半导体晶片的边沿的方法
CN1937202A (zh) * 2006-10-13 2007-03-28 大连理工大学 一种硅片预对准装置
CN101217127A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种光电开关动态调整硅片偏差的方法及装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特開2010-284747A 2010.12.24 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102642253A (zh) 2012-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150352587A1 (en) Liquid coating method, liquid coating apparatus, and computer-readable storage medium
US10782615B2 (en) Silicon wafer processing device and method
CN1669892A (zh) 高速载入器相对于基片传送系统的校准
CN204088274U (zh) 探针台的晶圆芯粒自动对准装置
CN102642253B (zh) 一种硅片切边方法及其装置
CN102956436B (zh) 机台调机时机械手臂存取晶片相对位置的监测装置及其监测方法
CN103077915A (zh) 一种芯片分选设备的可调节双摆臂系统三心对位方法
CN107064852A (zh) 一种单相智能电能表计量精度的调校方法
CN208189562U (zh) 一种校正晶圆盘的校准系统
CN205374982U (zh) 一种光束调节装置
CN108598033A (zh) 一种校正晶圆盘的校准系统
KR20070097239A (ko) 반도체 패키지 제조장비의 스트립 로케이션 장치 및 방법
CN106516696B (zh) 一种取膜设备
CN106610264A (zh) 预对准机坐标系的标定方法
CN210805728U (zh) 一种用于曝光机小缺口晶圆定位校准装置
CN108073050A (zh) 曝光装置、曝光方法和存储介质
CN103972139A (zh) 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法
US11083121B2 (en) Component mounting apparatus
CN106197527A (zh) 装配产品检测系统
CN108356421A (zh) 一种在线全自动打标方法及系统
CN205940603U (zh) 装配产品检测系统
CN106154753A (zh) 一种工件台干涉仪切换偏差校准方法
CN103579058B (zh) 一种多批次连续运行的方法
JP2002313887A (ja) ウェハの載置姿勢検出方法、ウェハのプリアライメント方法及びウェハのプリアライメント装置
CN100584184C (zh) 基板识别方法及元件安装系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant