CN102628805B - 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 - Google Patents
基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102628805B CN102628805B CN201210126065.1A CN201210126065A CN102628805B CN 102628805 B CN102628805 B CN 102628805B CN 201210126065 A CN201210126065 A CN 201210126065A CN 102628805 B CN102628805 B CN 102628805B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photonic crystal
- filter plate
- crystal filter
- micro
- fluidic chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000001917 fluorescence detection Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002181 crystalline organic material Substances 0.000 claims description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical group [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 2
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241000588724 Escherichia coli Species 0.000 description 1
- 101150108335 FIBL gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000001499 laser induced fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，包括集成有光子晶体滤波片的发光二极管(LED)激发光源、微流控芯片、光纤、集成有光子晶体滤波片的光电探测器等。其通过在微流控芯片荧光检测系统的LED激发光源和光电探测器的顶部集成光子晶体滤波片，取代分离的激发光滤波片和发射光滤波片，对激发光源中覆盖荧光区域的干扰光进行滤除。本发明实现了滤波片与LED激发光源和光电探测器的集成，进一步提高了检测系统的便携性和集成度。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测装置，可应用于疾病治疗诊断和生物样品(例如蛋白质、DNA以及抗体等)检测领域，
背景技术
人类对基因组的破译、解读和开发，以及对流行性疾病、血液和药物的筛查等，都需要进行大量的平行检测和分析。这些迫切要求分析科学用更低的消耗、更简便的方法和设备、更快的速度提供更准确的有关物质成分与结构的信息。20世纪90年代初由瑞士的Manz和Widmer提出的以微机电加工技术(micro electromechanical systems，M EM S)为基础的“微型全分析系统”(miniaturized total analysis system，或micro total analysis system s，μ-TAS)正是在上述的新挑战的情况下发展起来的一项分析技术。“微型全分析系统”的目的是通过化学分析设备的微型化与集成化，最大限度地把分析实验室的功能转移到便携的分析设备中，甚至集成到微型芯片上。
虽然近年来人们对微流控芯片的研究取得很大的进展，但是主要还是集中于对功能各异的微型化、集成化微流控芯片本身的研制。相比之下，与微流控芯片配套的微型集成化检测系统的研制却相对落后。这是由于芯片体积小，反应通道一般只有几十微米宽，其分析试剂进样量仅为皮纳升级，而且分析检测大多在秒级内完成，因此芯片对其检测手段和装置的要求有其特殊性。当前微流控分析中应用最广泛、最有效的检测是光谱检测方法，而共聚焦式激光诱导荧光检测是其中应用较为普遍的。然而，它虽然具有很高的灵敏度，但却远远没有达到微型化和集成化的要求。因为，由分离光、电器件构成的微流控芯片荧光检测系统，存在体积大、成本高、布局复杂、性能的稳定和可靠性差、功耗大、速率受限等缺点。
近十多年来，国外一些著名的大学、研究院所和公司，投入巨大的人力、物力和财力对微流控芯片荧光检测系统的微型化和集成化进行了广泛深入的研究，取得了一系列重要的研究成果。Joo等将一个LED、一个固态光电倍增管(SSPM)、聚电解质凝胶电极(PEGs)与玻璃微流控芯片组装在一个长、宽、高为15×10×10cm3的微系统中，这个便携式的微流控细胞计数器可以简单而快速地用电阻抗和荧光两种检测方式区分细胞和微粒子。Chabinyc等设计了一种使用微型雪崩光电二极管(μ-APD)和PDMS微流控芯片相集成的荧光探测系统，μ-APD阵列在微流通道下面，与光纤垂直。由于μ-APD探测阵列与微流通道之间距离很近，这样就可以不使用光学传输系统，从而大大减少了整个检测系统的尺寸。Kuhn等设计出小型化的完全芯片整合电光学陷阱，其激发能水平比常规光学陷阱低5个数量级，并运用荧光检测完成大肠杆菌DNA的光漂白动力学研究。上述微流控芯片检测系统虽然很大程度上降低了系统的体积，但是没有对激发光进行滤光处理，光源发出的光谱较宽，覆盖了有用的荧光信号，影响了检测的灵敏度和准确度。
为了提高荧光检测系统的灵敏度和准确度，Pais等在LED和PD两者之间设置了相互正交的偏振片，有效率掉了激发光对检测荧光的干扰，提高了检测系统的信噪比。国内清华大学罗国安教授课题组以有机发光二级管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)作为激发光源，组建了微流控芯片的微型化荧光检测系统，并利用自制的滤光片来解决OLED发射光谱较宽的问题。然而上述方法采用分离的偏振片和滤光片，使检测系统的体积较大、布局复杂、便携性也较差，因此限制了整个系统的推广和使用。
光子晶体具有滤光能力强、体积小和易集成等优点，在生物样品检测领域中有着重要的应用前景。因此，如何在微流控芯片荧光检测系统的LED激发光源和PD探测器顶部集成光子晶体滤波片，取代分离的激发光滤波片和发射光滤波片，过滤掉激发光对有用荧光信号的干扰，实现检测系统的集成滤波功能，进一步提高系统的集成化和微型化，是本发明的创研动机。
发明内容
本发明针对上述问题，提供了一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，该系统具有体积小、灵敏度高、便携性强的特点。
本发明解决问题采用的技术方案如下：
一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，该系统的荧光诱导激发光源是由光子晶体滤波片集成发光二极管(LED)构成，该系统的光电探测器是由光子晶体滤波片集成光电二极管(PD)构成。所述的光子晶体滤波片集成LED和PD结构是通过在衬底上，先生长一层2μm左右n型参杂III-V族半导体材料层，再生长一层反光层，然后生长有源层，其次生长一层200-300nm厚的p型参杂III-V族半导体材料层。在LED和PD上部即p型参杂III-V族半导体材料层，利用刻蚀工艺制备光子晶体平板滤波片，通过光子晶体的光子禁带特性，过滤掉激发光对有用荧光信号的干扰。
所述的III-V族半导体材料层可以是磷化镓(GaP)、镓铝砷(GaAlAs)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等材料，其内部结构具有单向导电性
所述的有源层结构可以是n(n＞＝4)个周期的InGaN/GaN量子阱或量子点结构。
所述的反光层可以是金属层或分布式布拉格反射镜(DBR)，金属层包括Al、Ag、Au、Cu等金属层。
所述的衬底可以采用晶体材料、有机材料，其中晶体材料包括硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、蓝宝石(Al2O3)等半导体衬底。
所述的光子晶体的图案是矩形、方形、圆形、椭圆形；光子晶体孔宽度为20纳米至10微米，高度在60纳米至10厘米。周期性孔矩阵可以通过干法或者湿法刻蚀工艺实现，如电子束曝光(E-beam lithography)、聚焦离子束曝光(FocusIon Beam lithography)和反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)等，其特点是底部平坦，空壁光滑，侧面形状不限。
光子晶体滤波片集成LED和PD的制备过程是在衬底上通过生长工艺分别制备III-V族半导体材料基LED和PD；然后在LED和PD上通过掩模和刻蚀工艺分别制备光子晶体平板滤波片。
本发明测试系统包括光子晶体谐振腔LED平板式激发光源14、微流控芯片15、光纤16、光子晶体滤波片集成PD 17、高压电源18和计算机控制系统19等组成。
本发明的有益效果是：
1、本发明采用平板光子晶体作为滤波片，代替传统的分离滤波片，使滤波片可以与激发光源LED和探测器PD集成，进一步减少了微流控芯片荧光检测系统的尺寸，提高系统便携性。
2、与现有的微流控芯片荧光检测系统中的滤波片相比，本发明利用光子晶体的光子禁带滤除激发光对有用荧光信号的干扰，进一步提高了系统的灵敏度和准确度。
附图说明
图1为光子晶体滤波片集成LED激发光源和PD探测器制作流程示意图。
图2为光子晶体滤波片集成LED激发光源和PD探测器示意图。
图3是基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统示意图。
图中：1衬底，2III-V族半导体材料n型层，3反光层，4III-V族半导体材料有源层，5III-V族半导体材料p型层，6沉积掩模，7光子晶体平板滤波片，8ITO层，9p型电极，10n型电极，11光子晶体滤波片集成LED，12玻璃基片，13玻璃盖片，14光子晶体滤波片集成LED平板式光源，15微流控芯片，16光纤，17光子晶体滤波片集成PD，18高压电源，19计算机控制系统。
具体实施方式
为使得本发明的技术方案的内容更加清晰，以下结合技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施方式。其中的薄膜生长技术包括：蒸发、溅射、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、电子束蒸发(E-beam evaporation)或液相外延(LPE)等常用技术。其中的掩模工艺包括电子束曝光(E-beamlithography，EBL)、聚焦离子束曝光(Focus Ion Beam lithography，FIBL)等常用技术。其中的刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀，如酸法刻蚀、电子束刻蚀、聚焦离子束刻蚀和反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)等常用工艺。
首先，采用MOCVD技术在衬底1上制作LED器件：先生长一层2μm左右的基于III-V族半导体材料的n型层2，再生长一层反光层3，然后生长基于III-V族半导体材料的有源层4，最后生长一层200-300nm厚的基于III-V族半导体材料的p型层5，外延片生长完成，如附图1(a)所示。然后，清洗外延片，进行沉积掩模6，其中6可以是SiO2等，如附图1(b)所示。
再根据理论计算的结果，定义满足填充因子和刻蚀图形要求的光子晶体平板滤波片，并通过扫描式离子束曝光或聚焦离子束曝光将样本转换到掩模上，如附图1(c)所示。其中，理论计算可以采用有限时域差分法、有限元法等算法。通过刻蚀工艺，在5材料上制备光子晶体平板滤波片7，如附图1(d)所示。然后，移除掩模6，去胶清洗，如附图1(e)示。再在光子晶体平板滤波片表面采用真空镀膜的方法制作一层250-300nm厚的ITO层8作为电流扩展层，如附图1(f)所示。然后，分别制备上p型电极9和下n型电极10并退火，光子晶体平板滤波片集成LED 11制备完成，如附图1(g)所示。
最后，将光子晶体平板滤波片集成LED 11置放于玻璃基片12上，用玻璃盖片13进行封装，构成光子晶体滤波片集成LED平板式光源14，如附图2所示。
其中，光子晶体滤波片集成PD 17的制作流程同上。
光源14的体积大小与微流控芯片15相近，通过调节加在p型电极9和n型电极10之间的电压，光源14发出具有一定强度的相应波长激发光，用于诱发荧光。通过改变LED有源层4的材料和参杂，可以制出具有蓝光、绿光、红光和紫外光的光源11。
如图3所示，本发明测试系统主要由光子晶体谐振腔LED平板式激发光源14、微流控芯片15、光纤16、光子晶体滤波片集成PD 17、高压电源18和计算机控制系统19等组成。光子晶体平板滤波片7可以将激发光源11发出的激发光中覆盖检测区域的杂散光滤掉，微流控芯片15上由激发光11产生的荧光信号，通过光纤16传递到另一端的光子晶体滤波片集成PD 17接受放大，其中接收端的干扰光将会被集成于PD顶部的光子晶体滤波片滤除，最后传输至计算机19，由计算机19记录并进行数据处理。微流控芯片15上的样品池和缓冲溶液池连接到高压电源上，高压电源18同时与计算机19连接，用来控制微流控芯片15上的电泳进样及分离操作。
综上所述，本发明提供的光子晶体滤波片集成LED激发光源和PD探测器可以将分离的滤波片与LED和PD集成，该方法可以显著缩小系统体积，提高微流控芯片荧光检测系统的便携性和集成性。同时，光子晶体滤波片良好的限光性，可以有效的滤除激发光对荧光信号的干扰，从而提高系统的灵敏度和准确度。
以上所述是本发明应用的技术原理和具体实例，依据本发明的构想所做的等效变换，只要其所运用的方案仍未超出说明书和附图所涵盖的精神时，均应在本发明的范围内，特此说明。
Claims (8)
1.一种基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，包括激发光源、微流控芯片、光纤、光电探测器、高压电源和计算机；其特征在于：所述激发光源采用光子晶体滤波片集成发光二极管，所述光电探测器采用光子晶体滤波片集成光电二极管，激发光源和光电探测器结构都是在衬底上先生长一层2μm的基于III-V族半导体材料的n型层，再生长一层反光层，然后生长一层基于III-V族半导体材料的有源层，最后生长一层200-300nm厚的基于III-V族半导体材料的p型层；最后通过刻蚀工艺，在p型层刻蚀出平板光子晶体滤波片图样。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的III-V族半导体材料层是内部结构具有单向导电性的磷化镓、镓铝砷、砷化镓或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的光子晶体的图案是方形、圆形或椭圆形；光子晶体孔宽度为20纳米至10微米，高度在60纳米至10厘米。
4.根据权利要求1所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的有源层结构是n个周期的InGaN/GaN量子阱或量子点结构，其中n不小于4。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，反光层是金属层或分布式布拉格反射镜(DBR)。
6.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的衬底采用晶体材料或有机材料。
7.根据权利要求5所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，金属层的金属是指Al、Ag、Au或Cu。
8.根据权利要求6所述的基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，晶体材料包括硅、砷化镓、磷化铟或蓝宝石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210126065.1A CN102628805B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210126065.1A CN102628805B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102628805A CN102628805A (zh) | 2012-08-08 |
| CN102628805B true CN102628805B (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=46587104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210126065.1A Active CN102628805B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102628805B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6158248B2 (ja) | 2014-05-27 | 2017-07-05 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイＴｈｅ Ｂｏａｒｄ Ｏｆ Ｔｒｕｓｔｅｅｓ Ｏｆ Ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｉｌｌｉｎｏｉｓ | ナノ構造材料の方法および素子 |
| ES2910383T3 (es) * | 2014-06-18 | 2022-05-12 | Zoetis Denmark Aps | Un sistema de detección microfluídica y un cartucho microfluídico |
| CN104330401A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-02-04 | 清华大学 | 一种微型化土壤氮磷钾检测传感器 |
| CN108474744B (zh) * | 2016-03-24 | 2019-11-05 | 伊鲁米那股份有限公司 | 在发光成像中使用的基于光子超晶格的设备和组成物及其使用方法 |
| CN107612616B (zh) * | 2017-08-24 | 2023-07-18 | 河南中云创光电科技股份有限公司 | 一种减弱强光源干扰的可见光通信装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1869662A (zh) * | 2006-05-15 | 2006-11-29 | 清华大学 | 一种多通道柱成像荧光检测器 |
| CN100535642C (zh) * | 2005-05-19 | 2009-09-02 | 清华大学 | 用于微流控芯片系统的荧光检测装置 |
| CN202103077U (zh) * | 2011-05-12 | 2012-01-04 | 昆明物理研究所 | 基于光子晶体和超晶格雪崩光电二极管的太赫兹探测器结构 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0404982D0 (en) * | 2004-03-05 | 2004-04-07 | Smart Light Devices Ireland Lt | Fluorometer |
| DE102004060932B4 (de) * | 2004-12-17 | 2009-06-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors |
| US20070131870A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | Combisep | Multiplexed CE fluorescence system |
-
2012
- 2012-04-26 CN CN201210126065.1A patent/CN102628805B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100535642C (zh) * | 2005-05-19 | 2009-09-02 | 清华大学 | 用于微流控芯片系统的荧光检测装置 |
| CN1869662A (zh) * | 2006-05-15 | 2006-11-29 | 清华大学 | 一种多通道柱成像荧光检测器 |
| CN202103077U (zh) * | 2011-05-12 | 2012-01-04 | 昆明物理研究所 | 基于光子晶体和超晶格雪崩光电二极管的太赫兹探测器结构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张雯等.微流控芯片荧光检测系统研究进展.《理化检验－化学分册》.2011,第47卷1495-1500. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102628805A (zh) | 2012-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11702691B2 (en) | Optical detection for bio-entities | |
| CN102628805B (zh) | 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统 | |
| Wasisto et al. | Beyond solid-state lighting: Miniaturization, hybrid integration, and applications of GaN nano-and micro-LEDs | |
| US9239328B2 (en) | Systems and methods for an integrated bio-entity manipulation and processing semiconductor device | |
| US9989467B2 (en) | Cointegration of optical waveguides, microfluidics, and electronics on sapphire substrates | |
| US9254485B2 (en) | Systems and methods for an integrated bio-entity manipulation and processing device | |
| US8582108B2 (en) | Integrated plasmonic sensing device and apparatus | |
| US9254487B2 (en) | Systems and methods for an integrated bio-entity manipulation and processing semiconductor device | |
| CN102565057B (zh) | 一种基于左手材料的光镊 | |
| JP2010521671A (ja) | 光学流体顕微鏡装置 | |
| CN101657717A (zh) | 流体分离结构以及制造流体分离结构的方法 | |
| CN102636471A (zh) | 基于光子晶体谐振腔led激发光源的微流控芯片荧光检测系统 | |
| US7604981B1 (en) | Excitable target marker detection | |
| KR20170041911A (ko) | 자가-잠금식 광전자 집게 및 그것의 제조 | |
| US20180042511A1 (en) | Ultraviolet biosensor | |
| CN110437975B (zh) | 具有隔离围栏的微流体装置及用它测试生物微目标的方法 | |
| JP2012177686A (ja) | 細胞解析装置及び細胞解析方法 | |
| Lefaucher et al. | Purcell enhancement of silicon W centers in circular Bragg grating cavities | |
| EP4336170A1 (en) | Method for accumulating minute object, and method for detecting minute object using same | |
| TWI835602B (zh) | 生物感測器及細胞的操作方法 | |
| Kim et al. | Self-assembled heterogeneous integrated fluorescence detection system | |
| Tutkus et al. | Aggregation-related quenching of LHCII in liposomes revealed by single-molecule spectroscopy | |
| TW202422155A (zh) | 生物感測器及細胞的操作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |