CN102608410A - 一种脉冲发生电路、电压测量电路及其测量方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种脉冲发生电路、电压测量电路及其测量方法，其中脉冲发生电路包括整流模块，用于将输入电压信号由交流电转化为直流电；储能与保护模块，用于存储电能并输出直流电；脉冲发生与限流模块，用于将直流电转化为脉冲信号，并对直流电进行限流；控制模块，用于产生控制MOS管导通、关断的控制信号；和脉冲输出模块，用于产生输出脉冲信号。该脉冲发生电路具有结构简单，低成本等优点；此外，直接在该脉冲发生电路后加入一电压测量模块即可形成一电压测量电路，该电压测量电路及其测量方法可以应用于电压幅值在几十伏至上百伏范围的电压信号测量，具有测量范围广，简单可靠，操作使用方便等优点。

Description

一种脉冲发生电路、电压测量电路及其测量方法

技术领域

本发明属于电学中的电压测量领域，具体涉及一种脉冲发生电路、以及包含该脉冲发生电路的电压测量电路及其测量方法。

背景技术

在电学领域中，测量电压的电路有很多种。常用的电压测量电路有以下几种：

1.利用运算放大器电路进行电压测量，如图1所示。这种电路利用运算放大器虚短、虚断的原理测量待测电压，通过A/D采样的形式得到具体电压值。这种电路的缺点是结构复杂，耗能大，所产生的噪声更是不容忽视，为降低噪声，工程师往往需要设计一系列的噪声抑制电路，这就自然增加了产品的设计与生产成本，也降低了可靠性。

2.利用精密电阻分压法测量待测电压。根据电阻分压原理，通过测量电阻上的分压电压值反推待测电压值，这种测量电压的电路对分压用的电阻的阻值精度要求很高，只有在分压电阻阻值精度极高的情况下待测电压值才能被准确地测量，同时此电路也需要A/D转换芯片来采集电压值，增加了电路成本。

3.由555定时器和电阻器、电容器组成的无稳态多谐振荡器及衰减电阻等组成，作为电压-频率转换器，通过测量输出的脉冲频率达到测量输入电压的目的。可测量0～5V的直流电压。此电路可测量的电压范围太小，难以满足大电压测量的要求，且成本较高。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的目的之一在于提出一种具有测量精度高，结构简单，低功耗，低成本等优点的脉冲发生电路。

一种脉冲发生电路，该电路包括：

整流模块，用于将所获得的交流电转化为直流电；

储能与保护模块，用于存储电能并将直流电输出至脉冲发生与限流模块；

脉冲发生与限流模块，用于将直流电转化为脉冲信号，同时对直流电进行限流；

控制模块，用于产生控制MOS管导通、关断的控制信号，以中断三极管的二次击穿；和

脉冲输出模块，用于产生输出脉冲信号。

进一步地，经过所述脉冲输出模块输出的脉冲信号先经过光耦隔离，再产生脉冲信号输出。

进一步地，所述整流模块采用整流桥，通过电容器C将交流电施加于整流桥上，并通过整流桥将该交流电转化为直流电。

进一步地，所述储能与保护模块采用电容器C1，对电容器C1进行充电，并将该电容器上的电压直接作用于MOS管的漏极上，当三极管Q1发生二次击穿时，电容器C1电压迅速降低以保护三极管Q1。

进一步地，所述脉冲发生与限流模块包括：

MOS管，用于将直流电转化为脉冲信号；和

电阻器R3，用于对直流电进行限流。

进一步地，所述控制模块包括：

电压检测子模块，用于接收施加在三极管集电极上的电压VC作为该子模块的输入电压，对该输入电压进行检测并输出延时启动信号；

延时子模块，用于根据所接收的延时信号来进行延时处理，并使控制信号输出子模块启动；和

控制信号输出子模块，用于输出控制信号来中断三极管的二次击穿。

进一步地，所述电压检测子模块中预存有三极管的二次击穿电压，当检测到电压检测子模块的输入电压达到三极管的二次击穿电压时，便输出延时信号。

进一步地，所述脉冲输出模块包括三极管、与三极管的基极相连接的电阻器R1和与三极管的发射极相连的支路，该支路包括相互串联的电阻器R2和稳压管。

本发明的另一目的在于提出一种防止三极管在二次击穿过程中损坏的控制电路，该电路包括：

电压检测子模块，用于接收施加在三极管集电极上的电压作为该子模块的输入电压，对该输入电压进行检测并输出延时启动子模块信号；

延时子模块，用于根据所接收的延时信号来进行延时处理，并使控制信号输出子模块启动；和

控制信号输出子模块，用于输出控制信号来中断三极管的二次击穿。

进一步地，所述电压检测子模块中预置三极管的二次击穿电压值，当检测到电压检测子模块的输入电压达到三极管的二次击穿电压时，便启动延时子模块并通过控制信号输出子模块输出控制信号来中断三极管的二次击穿。

本发明的再一目的在于提出一种电压测量电路，该电路包括上面所述的脉冲发生电路和电压测量模块，所述电压测量模块与脉冲发生电路的输出级相连，通过脉冲发生电路的输出脉冲信号来获得输入电压信号的电压值。

进一步地，所述电压测量模块采用中央处理器，其中预存有输出脉冲信号与输入电压信号的对应关系，为：U＝K*t，

其中，U为脉冲间隔时间t所对应的电压值；K为斜率；t为脉冲间隔时间；

设定t位于两个脉冲间隔时间T_i和T_i+1之间，两个脉冲间隔时间所对应的电压值为V_i和V_i+1，K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)。

本发明的再一目的在于提出一种电压测量方法，该方法包括如下步骤：

步骤一，通过电容器C输入待测交流电压；

步骤二，将交流电压通过整流转化成直流电；

步骤三，对直流电进行电能存储，输出直流电；

步骤四，根据所产生的控制信号，将直流电转化成脉冲信号，并将三极管上的二次击穿电压控制在发生二次击穿但可逆的范围内；

步骤五，产生输出脉冲信号；

步骤六，通过输出脉冲信号的脉冲间隔时间获得待测电压的电压值。

进一步地，所述步骤三具体包括：

对电容器C1进行充电，将电容器C1上直流电压输出并作用于MOS管的漏极上。

进一步地，所述步骤四具体包括：

当电容器C1持续充电，将电容器C1两端的电压与预置的三极管二次击穿电压相比较，当电容器C1两端的电压达到二次击穿电压时，进行延时处理，延时后立即控制MOS管的控制信号为高电平，断开MOS管，使三极管的二次击穿中断，即将三极管的二次击穿电压控制在可逆范围内。

进一步地，所述步骤四中，测量预置的三极管二次击穿电压的方法包括：

向电容器C1缓慢充电，并测量三极管集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该三极管发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为三极管的二次击穿电压。

进一步地，所述步骤五中，先将产生的脉冲信号通过光耦隔离后，再对脉冲信号进行输出。

进一步地，所述步骤六中采用多点校准法进行测量，具体步骤包括：

将一组等间距升序电压值V₀、V₁、……V_i、V_i+1……V_n以及与其对应的一组降序脉冲间隔时间T₀、T₁、……T_i、T_i+1……T_n存入中央处理器；

当输入某一待测电压的电压值时，中央处理器便捕获该电压值所对应的脉冲间隔时间，记为t；

通过与t最接近的两个脉冲间隔时间之差T_i-T_i+1和对应的两个电压值之差V_i+1-V_i，利用下式K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)，求得电压值与脉冲间隔时间之间的斜率K；

通过斜率K与脉冲间隔时间t乘积，得到脉冲间隔时间t所对应的电压值U，即获得待测电压的电压值。

本发明的又一目的在于提出一种测量三极管二次击穿电压的方法，该方法包括如下步骤：

将如上所述脉冲发生电路中的三极管替换成需要测量二次击穿电压的待测三极管；

向电容器C1缓慢充电，并测量待测三极管集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该待测三极管发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为待测三极管的二次击穿电压。

本发明可以解决现有技术中成本高、设计复杂、可靠性不高等缺点，提出一种结构简单、成本低、可靠性高的脉冲发生电路。本发明的有益效果是：该脉冲发生电路成本低，优选方案可以实现测量精度高，结构简单，可靠性高，低功耗，低成本等优点；此外，该脉冲发生电路扩展升级方便，直接在该脉冲发生电路后加入一电压测量模块即可形成一电压测量电路，该电压测量电路及其测量方法可以应用于电压幅值在几十伏至上百伏范围的电压信号测量，具有测量范围广，测量精度高，简单可靠，操作使用方便等优点。

附图说明

图1是现有技术利用运算放大器测量电压的电路原理图；

图2是本发明脉冲发生电路的结构框图；

图3是本发明脉冲发生电路的原理图；

图4是控制模块的结构原理图；

图5是电压测量电路的结构框图；

图6是待测电压输入与测量脉冲输出的波形示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的脉冲发生电路做进一步详细的说明。

与现有技术中的各种电压测量方法不同，本发明提出了一种利用三极管的二次击穿特性构造的脉冲发生电路，来实现电压输入信号向脉冲输出信号的转换，进而利用输出的脉冲来进行输入电压测量。基于上述思路构造的脉冲发生电路具有测量精度高，结构简单，低功耗，低成本等诸多优点。为便于理解本发明的技术构思，以下简要描述三极管的击穿特性。

三极管的击穿分为一次击穿和二次击穿。以NPN型三极管为例，当NPN型三极管的集电极和发射极之间的电压逐渐增大到一定数值时，集电极电流急剧上升，发生雪崩击穿。由于在整个过程中这次击穿是第一次发生的击穿，故也被称为一次击穿。随着集电极和发射极之间电压的继续增大，集电极电流增大到某一临界值时，集电极和发射极两端的电压在一次击穿时的电压的基础上急剧减小，电流急剧增大，发生二次击穿。通常认为三极管的二次击穿是不可逆的，可能会造成器件的永久性损坏。即集电极和发射极之间电压高于二次击穿电压时，集电极和发射极之间电压突然减小，集电极电流急剧增大，导致三极管的不可恢复的、永久性的损坏(以2N4922为例，集电极、发射极间电压不大于25V，电流不大于1A，二次击穿时间不超过5ms，则2N4922不会发生损坏)。在大部分情况下，二次击穿对三极管是有害的，但如果我们能够把发生二次击穿的程度控制在不使三极管失效或不对其造成损伤的水平，则它不仅是无害的，还能为我们所用。本发明正是巧妙地利用了三极管的二次击穿现象，通过对三极管的二次击穿进行适当控制，在确保不使三极管失效或损坏的前提下，利用三极管的二次击穿特性构造了一种脉冲发生电路。该电路可用来实现电压信号向脉冲信号的转换。

图2示出了本发明的脉冲发生电路的结构框图，该脉冲发生电路包括下述五个模块：

1)整流模块，其作用是将交流电压Uac整流转化成直流电；该模块可采用图3中的整流桥D1，输入的交流电压信号Uac通过电容器C施加于整流桥D1上，并通过该整流桥将交流电Uac转化为直流电。

2)储能与保护模块，其作用是存储电能及保护后级电路(即脉冲发生与限流模块)；该模块可采用图3中的电容器C1，对电容器C1进行充电，并将该电容器上的电压直接作用于MOS管的漏极上。

3)脉冲发生与限流模块，其作用是把储能与保护模块输出的直流电转化成脉冲信号，并将电流限制在适当范围内；该模块可采用MOS管Q2和电阻器R3，其中MOS管的作用是将直流电转化为脉冲信号，电阻器的作用是对直流电进行限流。

4)控制模块，其作用是产生控制三极管导通、关断的控制信号，达到保护三极管在二次击穿过程中不受到损坏的目的。该控制模块包括电压检测子模块、延时子模块和控制信号输出子模块三个部分。

5)脉冲输出模块，其作用是输出脉冲信号；该模块可包括三极管Q1、与三极管Q1的基极相连接的电阻器R1和与三极管Q1的发射极相连的由电阻器R2和稳压管构成的串联支路。优选地，该脉冲输出模块输出的脉冲信号先通过光耦U1进行光耦隔离后，再产生一个脉冲信号输出。

图3示出了根据图2的结构框图构造的脉冲发生电路的一个实施例。需注意的是，该图中未体现具体的控制模块的电路原理，控制模块的具体实现将在图4中作进一步阐述。该脉冲发生电路的原理为：待测电压信号通过电容器C施加在整流桥D1上，经整流桥D1整流后，对电容器C1进行充电，电容器C1上的电压直接作用于MOS管Q2的漏极。此时，控制信号CON为低电平，MOS管Q2处于导通状态，当电容器C1持续充电，电压值达到Q1的一次击穿电压时，Q1发生一次击穿，电容器C1继续充电，电压值达到Q1的二次击穿电压时，Q1发生二次击穿，控制模块延时一定时间后立即控制CON信号为高电平，断开Q2，使Q1二次击穿中断(由图4的控制模块实现)，此时一个脉冲输出完成。一定时间后电容器C1上电荷基本泄放为0，所以C1两端电压急剧下降至基本为0伏(只要电路各器件参数选取合适，C1两端的电压完全可以基本下降至0伏)。Q2断开之后，CON信号为低电平，Q2导通，电容器C1继续充电，直至Q1再次发生一次和二次击穿，如此往复。施加在电容器C上的不同电压值，对应不同频率脉冲的输出，从而达到测量电压的目的。

图3中各部件的连接关系为：电容器C将交流电直接施加在整流桥D1上，整流桥D1的一端与电容器C1相连、另一端接地。MOS管具有漏极、源极和栅极：其漏极与电容器C1的一端连接、电容器C1的另一端接地；其源极与三极管Q1的集电极相连；其栅极与用于对直流电进行限流的电阻器R3的一端连接、电阻器R3另一端连接控制信号输出子模块的输出端(CON)。三极管具有集电极、基极和发射极：其集电极上的电压VC作为控制模块的输入电压且该集电极与MOS管的源极相连；其基极与偏置电阻器R1的一端连接、偏置电阻器R1的另一端接地；其发射极与依次与电阻器R2和稳压管D3进行串联、稳压管的另一端接地，稳压管D3两端输出的脉冲信号先经过光耦U1进行光耦隔离之后，再产生一个脉冲信号输出。

图4示出了控制模块的结构原理图。下面对控制模块作进一步详细的说明，如图4所示，控制模块可由电压检测子模块、延时子模块和控制信号输出子模块三个部分组成，电压检测子模块可以由精密分压电阻构成，延时子模块可以由定时器构成，输出信号输出子模块可以由控制逻辑电路组成，该控制模块不但可以采用上述各器件实现，还可通过其他软件或硬件方式实施，只要功能与各子模块相同，均在本发明的保护范围内。该控制模块可以单独作为一种用于防止三极管在二次击穿过程中损坏的控制电路进行应用。其工作原理为：电压检测子模块接收加在图3三极管Q1集电极上的电压VC作为其输入电压VC，并对其进行检测，当检测到输入电压达到预先存储的三极管Q1的二次击穿电压时，输出使延时子模块延时一定时间的信号，延时子模块接收到该信号后，延时一定时间后启动控制信号输出子模块，通过该模块输出控制MOS管Q2的控制信号CON，从而断开Q2，中断Q1的二次击穿，以防止Q1烧毁。其中，图4中电压检测子模块预先存储有三极管的二次击穿电压，当检测到电压检测子模块的输入电压VC达到三极管Q1的二次击穿电压时，便输出延时信号。

具有上述结构的控制模块可单独作为一种防止三极管在二次击穿过程中损坏的控制电路进行应用，该控制电路是控制三极管二次击穿的控制、保护核心电路。

本发明还提供了一种特殊的测量三极管二次击穿特性的方法。具体步骤是：将待测三极管代替图3中的Q1；通过电流源向电容器C1缓慢充电，用示波器测量VC的电压，当发生电压急剧减小并最终恢复的现象时，可以认为发生二次击穿；记录击穿前的电压，便可得到二次击穿电压。二次击穿电压可预先存储在电压检测子模块中，用于检测三极管Q1是否达到二次击穿。

图5示出了一种根据本发明的脉冲发生电路进一步构造而成的电压测量电路，其具体结构是在具有上述结构的脉冲发生电路(如图2所示)加入预先存储有输出脉冲信号与输入电压信号对应关系的电压测量模块。脉冲发生电路包括整流模块、储能与保护模块、脉冲发生与限流模块、控制模块和脉冲输出模块；该电压测量电路通过控制模块控制三极管Q1的二次击穿程度，保证三极管Q1不会因为二次击穿损坏；电压测量模块与脉冲输出模块的输出级相连，电压测量模块获得脉冲发生电路输出的脉冲信号，通过计算，即可获得待测电压的电压值，从而实现电压测量。

该电压测量模块可采用中央处理器，中央处理器中预存有输出脉冲信号与输入电压信号的对应关系U＝K*t，其中，U为脉冲间隔时间t所对应的电压值；K为斜率；t为脉冲间隔时间；设定t位于两个脉冲间隔时间T_i和T_i+1之间，两个脉冲间隔时间所对应的电压值为V_i和V_i+1则K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)。

本发明还提出了一种电压测量方法，该方法包括如下步骤：

步骤一，通过电容器C输入待测交流电压；

步骤二，通过整流模块，将交流电压Uac整流转化成直流电；

步骤三，通过储能与保护模块，对直流电进行电能存储并输出直流电；

步骤四，通过控制模块，产生控制MOS管导通、关断的控制信号，从而控制脉冲发生与限流模块将直流电转化成脉冲信号，并将三极管上的二次击穿电压控制在发生二次击穿但可逆的范围内；

步骤五，通过脉冲输出模块，产生输出脉冲信号；

步骤六，通过电压测量模块，利用多点校准法对待测电压进行测量。

其中，以下为对各步骤的优选说明：

例如：步骤三中，对电容器C1进行充电，将电容器C1上直流电压输出并作用于MOS管的漏极上。

步骤四中，当电容器C1持续充电，将电容器C1两端的电压与预先存储的三极管Q1二次击穿电压相比较，当电容器C1两端的电压达到二次击穿电压时，进行延时处理，控制模块控制延时一定时间后立即控制MOS管Q2的控制信号CON为高电平，断开MOS管Q2，使三极管Q1的二次击穿中断，即将三极管Q1的二次击穿电压控制在可逆范围内。

步骤四中，测量预先存储的三极管Q1二次击穿电压的方法可以包括：

向电容器C1缓慢充电，并测量三极管Q1集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该三极管Q1发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为三极管Q1的二次击穿电压。

步骤五中，可先将产生的脉冲信号通过光耦隔离后，再对脉冲信号进行输出。

不同的待测电压输入对应不同时间间隔的脉冲输出。输出脉冲频率与待测电压输入呈一定的线性关系，该线性关系要预先根据严格的测量得到。

步骤六中，为了提高电压的测量范围及测量精度，可以运用分段测量的多点校准法实现对电压的测量。具体步骤如下：

6-1)逐级升高受测电压，记录对应每一级电压的脉冲时间间隔，当受测电压为升序时，相对应的脉冲时间间隔为降序；执行多次测量后，通过计算平均值得到一组电压值和对应的一组脉冲间隔时间；去掉其它误差较大的记录值，只保留两组数据中线性区间所对应的记录值，最后得到一组等间距升序电压值(V₀、V₁、......V_i、V_i+1......V_n)和对应的一组降序脉冲间隔时间(T₀、T₁、......T_i、T_i+1......T_n)，将两组数据存入中央处理器(即电压测量模块)中；

6-2)当输入某一电压时，中央处理器便捕获该电压值所对应的脉冲间隔时间，记为t；

6-3)判断脉冲间隔时间t所处的位置，为了便于说明，本例设定t处于T_i和T_i+1之间；

6-4)将降序脉冲间隔时间与升序电压值之间的关系视为线性关系，求出斜率K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)；

6-5)通过公式U＝K*t计算，得到脉冲间隔时间t所对应的电压值U，即获得待测电压的电压值。

通过预先获得的电压输入与输出脉冲的间隔时间的关系，对应不同的待测电压输入，可输出间隔时间不同的一列脉冲，从而可以进行电压测量。图6示意性的显示出图1中电路的待测电压输入分别为U1，U2时对应的两个测量脉冲输出。

本发明还提出了一种特殊的测量三极管二次击穿电压的方法，具体步骤为，

将上面所述的脉冲发生电路中的三极管替换成需要测量二次击穿电压的待测三极管；

向电容器C1缓慢充电，并测量待测三极管集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该待测三极管发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为待测三极管的二次击穿电压。

最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (19)

1.一种脉冲发生电路，其特征在于，该电路包括：

整流模块，用于将所获得的交流电转化为直流电；

储能与保护模块，用于存储电能并将直流电输出至脉冲发生与限流模块；

脉冲发生与限流模块，用于将直流电转化为脉冲信号，同时对直流电进行限流；

控制模块，用于产生控制MOS管导通、关断的控制信号，以中断三极管的二次击穿；和

脉冲输出模块，用于产生脉冲信号输出。

2.如权利要求1所述的脉冲发生电路，其特征在于：经过所述脉冲输出模块输出的脉冲信号先经过光耦隔离，再产生脉冲信号输出。

3.如权利要求1或2所述的脉冲发生电路，其特征在于：所述整流模块采用整流桥，通过电容器C将交流电施加于整流桥上，并通过整流桥将该交流电转化为直流电。

4.如权利要求1或2所述的脉冲发生电路，其特征在于：所述储能与保护模块采用电容器C1，对电容器C1进行充电，并将该电容器上的电压直接作用于MOS管的漏极上，当三极管Q1发生二次击穿时，电容器C1电压迅速降低以保护三极管Q1。

5.如权利要求1或2所述的脉冲发生电路，其特征在于，所述脉冲发生与限流模块包括：

MOS管，用于将直流电转化为脉冲信号；和

电阻器R3，用于对直流电进行限流。

6.如权利要求1或2所述的脉冲发生电路，其特征在于，所述控制模块包括：

电压检测子模块，用于接收施加在三极管集电极上的电压VC作为该子模块的输入电压，对该输入电压进行检测并输出延时启动信号；

延时子模块，用于根据所接收的延时启动信号来进行延时处理，并使控制信号输出子模块启动；和

控制信号输出子模块，用于输出控制信号来中断三极管的二次击穿。

7.如权利要求6所述的脉冲发生电路，其特征在于：所述电压检测子模块中预存有三极管的二次击穿电压，当检测到电压检测子模块的输入电压达到三极管的二次击穿电压时，便输出延时信号。

8.如权利要求1或2所述的脉冲发生电路，其特征在于：所述脉冲输出模块包括三极管、与三极管的基极相连接的电阻器R1和与三极管的发射极相连的支路，该支路包括相互串联的电阻器R2和稳压管。

9.一种防止三极管在二次击穿过程中损坏的控制电路，其特征在于，该电路包括：

电压检测子模块，用于接收施加在三极管集电极上的电压作为该子模块的输入电压，对该输入电压进行检测并输出延时启动信号；

延时子模块，用于根据所接收的延时启动信号来进行延时处理，并使控制信号输出子模块启动；和

控制信号输出子模块，用于输出控制信号来中断三极管的二次击穿。

10.如权利要求9所述的控制电路，其特征在于，所述电压检测子模块中预存有三极管的二次击穿电压，当检测到电压检测子模块的输入电压达到三极管的二次击穿电压时，便输出延时信号。

11.一种电压测量电路，其特征在于：包括如权利要求1-8任一所述的脉冲发生电路和电压测量模块，所述电压测量模块与脉冲发生电路的输出级相连，通过脉冲发生电路的输出脉冲信号来获得输入电压信号的电压值。

12.如权利要求11所述的电压测量电路，其特征在于：所述电压测量模块包括中央处理器，其中预存有输出脉冲信号与输入电压信号的对应关系，为：U＝K*t，

其中，U为脉冲间隔时间t所对应的电压值；K为斜率；t为脉冲间隔时间；

设定t位于两个脉冲间隔时间T_i和T_i+1之间，两个脉冲间隔时间所对应的电压值

为V_i和V_i+1，K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)。

13.一种电压测量方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤一，通过电容器C输入待测交流电压；

步骤二，将交流电压通过整流转化成直流电；

步骤三，对直流电进行电能存储，输出直流电；

步骤四，根据所产生的控制信号，将直流电转化成脉冲信号，并将三极管上的二次击穿电压控制在发生二次击穿但可逆的范围内；

步骤五，产生输出脉冲信号；

步骤六，通过输出脉冲信号的脉冲间隔时间获得待测电压的电压值。

14.如权利要求13所述的电压测量方法，其特征在于，所述步骤三具体包括：

对电容器C1进行充电，将电容器C1上直流电压输出并作用于MOS管的漏极上。

15.如权利要求13所述的电压测量方法，其特征在于，所述步骤四具体包括：

当电容器C1持续充电，将电容器C1两端的电压与预置的三极管二次击穿电压相比较，当电容器C1两端的电压达到二次击穿电压时，进行延时处理，延时后立即控制MOS管的控制信号为高电平，断开MOS管，使三极管的二次击穿中断，即将三极管的二次击穿电压控制在可逆范围内。

16.如权利要求15所述的电压测量方法，其特征在于，所述步骤四中，测量预置的三极管二次击穿电压的测量方法包括：

向电容器C1缓慢充电，并测量三极管集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该三极管发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为三极管的二次击穿电压。

17.如权利要求13所述的电压测量方法，其特征在于，所述步骤五中，先将产生的脉冲信号通过光耦隔离后，再对脉冲信号进行输出。

18.如权利要求13所述的电压测量方法，其特征在于，所述步骤六中采用多点校准法获得输出脉冲信号的脉冲间隔时间与输入待测电压的线性关系，具体步骤包括：

将一组等间距升序电压值V₀、V₁、……V_i、V_i+1……V_n以及与其对应的一组降序脉冲间隔时间T₀、T₁、……T_i、T_i+1……T_n存入中央处理器；

当输入某一待测电压的电压值时，中央处理器便捕获该电压值所对应的脉冲间隔时间，记为t；

通过与t最接近的两个脉冲间隔时间之差T_i-T_i+1和对应的两个电压值之差V_i+1-V_i，利用下式K＝(V_i+1-V_i)/(T_i-T_i+1)，求得电压值与脉冲间隔时间之间的斜率K；

通过斜率K与脉冲间隔时间t乘积，得到脉冲间隔时间t所对应的电压值U，即获得输入待测电压的电压值。

19.一种测量三极管二次击穿电压的方法，其特征在于，

将如权利要求1中所述脉冲发生电路中的三极管替换成需要测量二次击穿电压的待测三极管；

向电容器C1缓慢充电，并测量待测三极管集电极上的电压VC，当发生电压VC急剧减小并最终恢复的现象时，则认为该待测三极管发生二次击穿；

记录击穿前的电压值，该电压值即为待测三极管的二次击穿电压。

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