CN102597791B - 用于测量电气设备的损耗因子的仪器和方法 - Google Patents

Abstract

一种用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备(2)尤其是中压电缆的损耗因子的仪器(1)，包括：至少第一传感器和第二传感器(3A、3B)，该第一传感器和第二传感器(3A、3B)可分别连接到设备(2)的沿着设备(2)轴向地隔开预先确定的量的第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)，且被设计为测量由轴向地流过设备的负载电流在设备(2)外生成的磁场的相应值；处理单元(5)，该处理单元(5)被设计为接收由传感器(3A、3B)测量的磁场值且被编程为从它们导出作为在所测量的磁场值之差的函数的负载损耗值。

Description

用于测量电气设备的损耗因子的仪器和方法

技术领域

本发明涉及用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备的损耗因子的仪器和方法。

更具体地，本发明涉及用于测量电缆(electric cable)尤其是电力电缆(electrical cable)中的损耗因子的仪器和方法。

背景技术

损耗因子——也称为损耗角或tan δ——是实际电容器的电性能相对于理想系统的电性能的偏差的度量。

实际上，流过对其施加了交流电压(可以由矢量在平面中表示)的理想电容器的电流相对于电压正交，即是说，它对应于偏移电压矢量90度的矢量。

另一方面，在包括非理想介电材料(且因而其电导率不为0)的实际电容器中，电压和电流以小于90度的角偏移，且在90度和真实偏移角之间的差是由δ指示的角。

损耗因子(或tan δ)是角δ的正切。

关于用于测量tan δ的技术(尤其是在电缆上)，存在两种已知的解决方案。

第一种解决方案涉及检测表示流过电缆绝缘体的传导电流的漏电流，以便估计其相对于施加到电缆的电压的偏移(实践中，意味着使用桥方法测量阻抗)。

这种技术具有相对不可靠和不精确的缺点，这是因为漏电流通常具有非常低的强度，因而对用来检测它的传感器造成了灵敏度问题。另一缺点是这种技术不能用在正在使用(即正在工作)的设备上，而是仅用在不使用的设备上(离线测量)。

第二种解决方案涉及检测电场以便导出流过电缆绝缘体的传导电流。

这种解决方案具有两个缺陷。

首先，它不是非常可靠，这是由于场测量受到电缆外的噪声的影响。进一步，这种技术不适用于在线，即是说，不适用于在电缆正在工作时。

已知专利文件US2005/0212524描述了用于确定线的当前条件的电源线在线诊断方法。

该方法包括分别测量线的两端(即在第一端和在第二端)的负载电流之间的相位角差异的步骤。

通过在第一端和在第二端直接地测量电流，获得相位角差异。

根据US2005/0212524的教导，相位角差异根据由图定义的经验关系与损耗因子(或tan δ)相关。

然而，在电缆的两端处的电流的相位之间，电缆中流动的负载电流的相移仅间接地且部分地与电缆中的损耗因子(tan δ)的值相关。

因此，US2005/0212524的教导不允许精确地计算电缆中的损耗因子(tan δ)的值，而是最多提供关于所述值的模糊指示。

此外，从专利文件WO2007/068221可以知道用于测量电缆中流动的电流的值的设备。

所述设备包括两个磁传感器，一个与电缆弱磁耦合且另一个与电缆强磁耦合，用于测量电缆的相同部分中的磁场。

然而，WO2007/068221不提供用于测量损耗因子的任何教导。

此外，从专利文件EP 1 892 534可以知道促进沿着电源电缆的绝缘体缺陷的标识和定位的诊断系统。

所述方法包括以下步骤：i)连接交流电压源并在电缆的送电端将电压源施加到电缆，ii)以第一频率将电压施加到电缆，以建立沿着电缆的行波，该行波在电缆接收端被反射，iii)在电缆的送电端测量总的复功率损耗，iv)基于在电缆的接收端处连接的负载阻抗和电缆的特性阻抗，在电缆的任何点/部位测量驻波电压。

根据该方法，为了测量耗散系数(tan δ)，该方法包括改变许多参数(例如负载阻抗、电压源的频率等等)的步骤。

然而，上面所描述的方法非常复杂，这是因为它需要将多个设备/装置(例如可变频率发生器)连接到电源电缆的各端。

本发明的目的是提供用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备的损耗因子且克服上面所提到的先前技术的缺点的仪器和方法。

更具体地，本发明的目的是提供用于以高度可靠和精确的方式测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备的损耗因子且也可以用于正在使用的设备的仪器和方法。

本发明的进一步目的是提供用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备的损耗因子且也适用于带屏蔽电缆(不必移除屏蔽)的仪器和方法。

本发明的公开内容

由根据在所附权利要求中表征的本发明的仪器和方法来完全实现这些目的。

更具体地，根据本发明的仪器包括：

-至少第一传感器和第二传感器，第一传感器和第二传感器分别可连接到设备的沿着设备轴向隔开按预先确定的量的第一测量部位和第二测量部位，且被设计为在所述第一测量部位和第二测量部位处测量由轴向地流过设备的负载电流在设备外生成的磁场信号的相应值，所述各值表示所述磁场信号的振幅；

-处理单元，该处理单元被设计为接收由传感器测量的磁场值，且被编程为从它们导出作为所测量的磁场值之差的函数的负载损耗值，所述差表示在所述测量部位处所述磁场信号的振幅之差。

根据本发明的方法包括下列步骤：

-分别将至少第一传感器和第二传感器耦合到设备的沿着设备轴向隔开已知的量的第一测量部位和第二测量部位；

-在所述第一测量部位和第二测量部位处分别通过第一传感器和第二传感器至少测量由轴向地流过设备的负载电流在设备外生成的磁场信号的第一值和第二值值，所述各值表示所述磁场信号的振幅；

-导出作为第一测量磁场值和第二测量磁场值之差的函数的损耗因子值，所述差表示在所述第一测量部位和第二测量部位处所述磁场信号的振幅之差。

因而，通过在设备的两个分离的部位处测量两个磁场信号，以便然后导出由两个信号之差给定的信号、将傅立叶变换应用到它并且直接地计算作为所获得的数据的函数的损耗因子的值，本发明使得以优良的精确度和以高度可靠的方式计算损耗因子成为可能。

这种测量tan δ的技术有利地允许将设备的电气性能的积分处理扩展到在两个测量部位之间的整体部分。实际上，tan δ被定义为表示绝缘体的整体性能而非绝缘体的一部分的局部性能的量。

另一方面，当前使用的技术使用与绝缘体的有限部分相关的量的局部测量。因此，这些技术固有地是不可靠的，这是因为它们基于局部测量，然后将局部测量指派到整个设备。

为了获得所要求的结果，申请人实施了深入的研究和分析，这得到了用于从差分磁场测量计算损耗因子的方法的开发。

应注意，所考虑的磁场不是与漏电流相关联的磁场而是由轴向地流过设备的负载电流生成的磁场。因而，用于测量的传感器尤其有效，这是因为它们不引起与它们的灵敏度有关的任何问题。

此外，本发明包括用于使得免受在设备外的噪声的影响的合适的设备。

这些设备涉及使用在设备周围(在测量部位中)等距隔开的多个传感器。进一步，传感器与设备隔开，以便保护它们免受由可能的电流浪涌引起的磁场峰值的风险。此外，传感器被封闭在由低磁阻材料做成的屏蔽层中。还应注意，做成屏蔽层的材料优选地是软磁材料(其磁滞回线界定非常小的面积)。

本发明也需要使用绝对时间参考系统来同步两个测量部位的传感器的测量。

这使得获得可与在任何其他设备上获得的值比较的损耗因子值(即是说，具有绝对值)成为可能。

附图简述

参考附图，将从本发明的优选的非限制性实施例的下列描述更明显地看出本发明的这些和其他特征，附图中：

-图1图示地阐释根据本发明的仪器；

-图2以局部透明的侧视图详细阐释图1的仪器的一部分；

-图3以剖视图示出图2的细节；

-图4示出根据另一实施例的图3的细节；

-图5示出根据另一实施例的图2的细节。

本发明的优选实施例的详细描述(PCT)

各图中的数字1指示用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备2的损耗因子的仪器。

更具体地，设备2是电力电缆(用于输送电力)。

根据本发明，仪器1至少包括可分别连接到设备2的第一测量部位4A和第二测量部位4B的第一传感器3A和第二传感器3B。

第一测量部位4A和第二测量部位4B沿着设备2轴向地隔开预先确定的量(该量可以是任何量但必须是已知的；换句话说，各传感器可以被放置为相互离开任何距离，只要该距离是已知的即可)。

第一传感器3A和第二传感器3B被配置为测量由轴向地流过设备2的负载电流在设备2外生成的磁场的相应值。

应注意，负载电流意味着流过在用于输送电力的设备2的绝缘体中的导线21的任何电流。

传感器优选地是磁/阻传感器(本身已知的类型)。替代地，可以使用霍尔探头或其他已知的传感器，只要它们具有高的灵敏度。

仪器1进一步包括被设计为接收由传感器3A和传感器3B测量的磁场值并被编程为从它们导出作为所测量的磁场值之差的函数的损耗因子的值(即，也记为tan delta的tan δ的值)的处理单元5。

处理单元5包括，例如，连接到处理器的软件驱动的示波器，或者更简单地包括连接到可编程处理器(本身已知的类型)的采集卡(也是本身已知的类型)。

应注意，根据本发明，传感器3A和传感器3B中的每一个测量表示切向磁场的值的信号，即该切向磁场由轴向地流过设备2负载电流生成。

处理单元5被配置为执行信号的采样以便生成信号的数字表示。

进一步，由传感器测量的这些磁场信号被变换成傅立叶级数以便获得它们在频域的表示。

优选地，处理单元5被编程为根据下面的等式1导出作为在所测量的磁场值之间的差异的函数的损耗因子的tanδ值。

$\frac{R}{d}\·\frac{\mathrm{Re}(H_{\mathrm{\τ}}(z_2,\mathrm{\ω})-H_{\mathrm{\τ}}(z_1,\mathrm{\ω}))}{\frac{\mathrm{\ω}\·E}{c\·2\·\sqrt{2\mathrm{\π}}}\·{\mathrm{\ϵ}}_0\·(z_2-z_1)}=\frac{1}{(z_2-z_1)}\·{\∫}_{z_1}^{z_2}\tan \mathrm{\δ}\left(z\right)\mathrm{dz}---\left(1\right)$

在上面所述的等式1中，z是表示沿着设备2的位置的变量，R传感器3离开设备2的中心(即，离开设备2的轴)的(辐向测量)距离，d是设备2的直径(如果其几何形状是圆柱形，或者在任何情况中，它是表示设备2的大小的量)，H_τ是磁场的切向分量，z₁和z₂分别是第一传感器和第二传感器的位置，ω是被施加到设备的电压的角频率，E是设备2的绝缘体经受的电场，c是光速，且Re是跟在括号后的量的实部。

由申请人在深入研究本主题之后开发的以上所述的等式1，使得沿着设备2的磁场变化的傅立叶变换与tan δ的平均值直接相关。

由于tan δ本身是平均积分值，这尤其有益，且与实际要求一致。

据此，应注意，这种方法有利地使得将仅两个传感器3应用到设备2成为可能，得益于处理单元5被编程为通过在由各传感器测量的值之间的差异的“积分”处理导出tan δ值的事实，传感器产生覆盖设备2的在传感器3之间的整个跨距的传感器效果。

待检测的磁场值必须表示磁场的振幅，注意到这一点是重要的。

这意味着，如果磁场按正弦定律变化(这是最常见的情况)，所述各值可以例如是磁场信号的有效值或峰值。

应注意，将磁场信号变换成傅立叶级数(以便获得它们在频域中的表示)对本发明来说不是必要的；事实上，磁场的傅立叶级数是执行本发明的优选方式。

就此而论，根据其他实施例，处理单元5不被配置为将磁场信号变换成傅立叶级数。

因此，处理单元5被配置为导出在第一部位4A和第二部位4B处的磁信号的有效值。

因此，处理单元5被编程为从第一部位4A和第二部位4B处的磁信号的有效值(或等效于其的任何其他值，例如峰值)计算负载损耗值(tan δ)。

优选地，提供同步装置，用于同步两个传感器3A和3B，即用于同步在两个测量部位处的磁场值的检测。

在这种情况中，检测磁场的瞬时振幅值也是可能的(事实上，这样的同步使得有效值等的检测或计算不是必需的)。

在后一种情况中，在相同时间从第一传感器3A和第二传感器3B采集磁场的值(即，以向每一所测量的磁场值指派与绝对的时间参考相关的各自的测量时刻的方式来同步所测量的值)。

从公式(1)中观察到，导出另一简化公式是可能的，该简化公式在下面报告为公式(100)。

所述公式还可以用于从所测量的磁场值计算tanδ值。

尤其，优选地，处理单元5被编程为根据下面的等式100导出损耗因子的tanδ值。

在以上所述的等式100中，I₁是在第一部位4A处的电流(或负载电流)的值，I₂是在第二部位4B处的电流的值，是功率因数(AC电源系统的功率因数定义为流到负载的有效功率与表观功率的比，且是在0和1之间的无量纲数)，是在电缆中流动的电流和施加到电缆的电压之间的相位或角。

优选地(且如果电缆在工作中即通电，则必须)不直接测量值I₁和I₂；事实上，仪器1被配置为在第一部位4A处测量磁场(与电流I₁相关)和在第二部位4B处测量磁场(与电流I₂相关)。

直接从等式(1)导出等式(100)(应用已知的数学规则)；就此而论，有利地，应注意，等式(100)非常简单。

仪器1也包括第一数据接收和传送模块6A和第二数据接收和传送模块6B，其例如由无线电或GSM模块(本身已知的类型)或其他传输线组成(包括现有传输线，如果有的话)。

第一数据接收和传送模块6A连接到第一传感器3A，用于接收后者测量的数据，同时第二数据接收和传送模块6B连接到第二传感器3B，用于接收后者测量的数据。

而且，两个数据接收和传送模块6A和6B被配置为相互传送数据。

这有利地允许同步由两个传感器3执行的测量。

因而，数据接收和传送模块6A和6B构成连接到处理单元5的同步装置，以便向每一所测量的磁场值指派与绝对的时间参考相关的各自的测量时刻。

据此，在本发明的仪器1中，传感器3优选地耦合到至少一个适用于提供绝对的时间参考的GPS 7或其他系统(应注意，可以使用两个GPS或类似系统来与各个传感器交互)。

数据接收和传送模块6A和6B的存在的另一优点是避免了处理单元5直接连接到传感器3两者。

在所阐释的示例中，仅第一传感器3A直接连接到处理单元5。第二传感器3B仍然通过数据接收和传送模块6A和6B间接连接到处理单元5。

优选地，对于传感器3中的每一个，仪器1包括形成传感器3的屏蔽的壳8。

更具体地，壳8包括屏蔽层(例如由μ金属或具有相似性质的其他已知合金制成；优选地由形成超顺磁体的材料制成)，该屏蔽层以包围设备2和被耦合到它的传感器3的相应部分的方式连接到设备2的相应测量部位4，因而形成传感器3的磁屏蔽。

更具体地，屏蔽层是由低磁阻材料制成。进一步，屏蔽层优选地由软磁材料制成，即对应于低矫顽力磁场(即，界定具有非常小的面积的磁滞回线)的材料。

这有利地允许仪器1高度敏感且免受在设备2外的噪声的影响。

对于传感器3中的每一个，仪器1进一步至少包括放置在设备2和被耦合到它的传感器3之间的第一间隔元件9。间隔元件9被设计为避免对传感器3的过多负荷，以便在设备2上万一发生电压浪涌时防止意外故障。

仪器1还包括被放置在传感器3和被耦合到它的屏蔽(即，壳)8之间的第二间隔元件10。

应注意，间隔元件由磁惰性材料(例如塑料或特氟隆)制成。

优选地，壳8即低磁阻层被设计为应用到设备2以便与后者一起形成包含传感器3的封闭容积。

例如，其形状为类似圆柱体的壁。优选地，壳8也包括适于轴向地封闭在壳8中所形成的容积的侧壁8A(形状上基本为环形)(如图4中作为示例所阐释的)。

这有利地允许以尤其有效的方式减少噪声。实际上，形成包含传感器3的封闭的容积的屏蔽层形成零高斯室。

形成包含传感器3的封闭的容积的壳8的另一优点是它限制了传感器3所处区域中的磁场的值，由此使得使用非常敏感的传感器而没有损坏它们对其或过度施加负荷的风险成为可能。

据此，本发明预期还使用被插入在壳8和电缆2中不存在传感器3的测量部位4的区域之间的间隔元件11，以便为由传感器和被连接到它的壳8构成的结构提供更高的稳定性和强度。

优选地，传感器3A和传感器3B以相对于设备2的相应角位置(即，以相同角位置)安装在各自的测量部位4中。

在替代的实施例(在图5中阐释)中，仪器1包括分别耦合到设备2的第一测量部位4A和第二测量部位4B中的第一多个传感器3A和第二多个传感器3B。

第一和第二多个传感器3被设计为测量由轴向地流过设备2的负载电流在设备2外生成的磁场的相应的值。

第一多个传感器和第二多个传感器分别辐向隔开，以便固定在设备周围(优选地角度均匀的方式)。

例如，它们借助于间隔元件10以是沿着圆柱壳8的内表面的角度范围均匀地分布的方式与该表面相关联。

据此，处理单元5被设计为接收由多个传感器3测量的磁场值并针对所接收的每组多个值获得用来导出损耗因子值的平均值。

这允许高度稳健和精确的测量。

此外，具有被安装在相同的部位4的沿着设备的角度圆周隔开的多个传感器3配置有利地允许测量导线21相对于传感器3的位置。

据此，处理单元5被设置为计算作为由传感器测量的磁场值的函数的导线21相对于传感器3的位置。

这使得考虑导线21在设备2中的可能不正确的定位成为可能。

本发明也提供用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备2的损耗因子(tan δ或tanδ)的方法。设备2是电力电缆。

根据本发明，该方法包括下列步骤：

-分别将至少第一传感器和第二传感器3A和3B耦合到设备2的沿着设备2轴向地隔开已知的量的第一测量部位4A和第二测量部位4B；

-分别通过第一传感器3A和第二传感器3B测量由轴向地流过设备2的负载电流在设备2外生成的磁场的第一值和第二值；

-导出作为在第一测量磁场值和第二测量磁场值之间的差异的函数的损耗因子值。

应注意，根据本发明，传感器3A和传感器3B中的每一个测量表示切向磁场(即由轴向地流过设备2的负载电流生成的磁场)的值的信号。

处理单元5被配置为执行信号的采样，以生成信号的数字表示。

进一步，由传感器测量的这些磁场信号被变换成傅立叶级数，以便获得它们在频域中的表示。

优选地，通过应用以上结合仪器1所描述的等式1来导出损耗因子值。

该方法也包括以向每一所测量的磁场值指派与绝对的时间参考7相关的各自的测量时刻的方式同步由第一传感器3A和第二传感器3B进行的测量的步骤。

本发明具有下列优点。

本发明提供用于以高度可靠和精确的方式测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备的损耗因子的仪器和方法。

进一步，本发明允许在工作的电缆上测量tan δ(在线执行测量而无需使得电缆不工作)，而不会负面影响测量效率或精度。

此外，根据本发明的tan δ测量是高度稳健和精确的，这是由于通过tan δ的有效积分处理在预先确定的长度的设备的跨距中获得该测量(更具体地，在两个传感器3A和3B之间的跨距)，而不是在设备的单个部位上执行点测量。

Claims (13)

1.一种用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备(2)的损耗因子的仪器(1)，包括：

至少第一传感器和第二传感器(3A、3B)，所述第一传感器和第二传感器(3A、3B)分别可连接到所述设备(2)的沿着所述设备(2)轴向地隔开预先确定的量的第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)，且被设计为测量在所述第一测量部位和第二测量部位处(4A、4B)由轴向地流过所述设备的负载电流在所述设备(2)外生成的磁场信号的相应的值，所述值表示所述磁场信号的振幅；

其特征在于，

所述仪器(1)包括处理单元(5)，所述处理单元(5)被设计为接收由所述传感器(3A、3B)测量的磁场值，且被编程为从它们导出作为所测量的磁场值之差的函数的负载损耗值，所述差表示在所述测量部位(4A、4B)处所述磁场信号的振幅之差，

其中所述处理单元(5)被编程为根据下列等式导出所述负载损耗值：

$\frac{R}{d}\·\frac{\mathrm{Re}(H_{\mathrm{\τ}}(z_2,\mathrm{\ω})-H_{\mathrm{\τ}}(z_1,\mathrm{\ω}))}{\frac{\mathrm{\ω}\·E}{c\·2\·\sqrt{2\mathrm{\π}}}\·{\mathrm{\ϵ}}_0\·(z_2-z_1)}=\frac{1}{(z_2-z_1)}\·{\∫}_{z_1}^{z_2}\tan \mathrm{\δ}\left(z\right)\mathrm{dz},$

其中z是表示沿着所述设备(2)的位置的变量，R是所述传感器(3)离开所述设备(2)的轴的辐向测量的距离，d是所述设备(2)的直径或者是表示所述设备(2)的大小的量，H_τ是磁场的切向分量，z₁和z₂分别是所述第一传感器和所述第二传感器的位置，ω是被施加到所述设备的电压的角频率，E是所述设备(2)的绝缘体经受的电场，c是光速。

2.如权利要求1所述的仪器，其特征在于，所述处理单元(5)被编程为用于导出在所述第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)处测量的磁场信号的傅立叶变换。

3.如权利要求1-2中的任一项所述的仪器，其特征在于，所述处理单元(5)被编程用于导出在所述第一测量部位和第二测量部位处(4A、4B)所测量的磁场信号的有效值或峰值。

4.如权利要求1所述的仪器，其特征在于，包括被连接到所述处理单元(5)同步装置(6)以便向每一所测量的磁场值指派与绝对的时间参考(7)相关的各自的测量时刻。

5.如权利要求1所述的仪器，其特征在于，对于所述传感器(3)中的每一个，包括低磁阻层(8)，所述低磁阻层(8)能以包围所述设备(2)的相应部分和被耦合到它的所述传感器(3)的方式耦合到所述设备(2)的相应测量部位(4)，从而形成所述传感器(3)的磁屏蔽。

6.如权利要求5所述的仪器，其特征在于，对于所述传感器(3A、3B)中的每一个，至少包括放置在所述设备(2)和被耦合到它的所述传感器(3)之间的第一间隔元件(9)以及放置在所述传感器(3)和被耦合到它的所述磁屏蔽之间的第二间隔元件(10)。

7.如权利要求5或6所述的仪器，其特征在于，所述低磁阻层(8)被设计为应用于所述设备(2)以便与后者一起形成包含所述传感器(3)的封闭容积。

8.如权利要求1所述的仪器，其特征在于，包括第一和第二多个传感器(3)，所述第一和第二多个传感器(3)分别耦合到所述设备的第一和第二测量部位(4A，4B)，且被设计为测量由轴向地流过所述设备(2)的所述负载电流在所述设备(2)，所述第一和第二多个所述传感器(3)分别辐向隔开以便围绕所述设备(2)固定，

所述处理单元(5)被设计为接收由所述多个传感器(3)测量的磁场值并针对所接收的每组多个值获得用来计算所述损耗因子的所导出的值。

9.如权利要求1所述的仪器，其特征在于，包括第一和第二多个传感器(3)，所述第一和第二多个传感器(3)分别耦合到所述设备的所述第一和第二测量部位(4A、4B)，且被设计为测量由轴向地流过所述设备(2)的所述负载电流在所述设备(2)外生成的所述磁场的相应的值，所述第一和第二多个所述传感器(3)分别辐向隔开以便围绕所述设备(2)固定，

所述处理单元(5)被设计为接收由所述多个传感器(3)测量的磁场值，并针对所接收的每组多个值获得所述负载电流流过的导线(21)相对于所述传感器(3)的位置。

10.一种用于具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备(2)的损耗因子的方法，包括下列步骤：

分别将至少第一传感器和第二传感器(3A、3B)耦合到所述设备的沿着所述设备(2)轴向地隔开已知的量的第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)；

分别通过所述第一传感器和第二传感器(3A、3B)至少在所述第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)处测量由轴向地流过所述设备(2)的负载电流在所述设备(2)外生成的第一磁场信号值和第二磁场信号值，所述值表示所述磁场信号的振幅；

导出作为所述第一测量磁场值和第二测量磁场值之差的函数的损耗因子值，所述差表示在所述第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)处所述磁场信号的振幅之差，

其特征在于，

所述损耗因子值是根据下列等式导出的：

$\frac{R}{d}\·\frac{\mathrm{Re}(H_{\mathrm{\τ}}(z_2,\mathrm{\ω})-H_{\mathrm{\τ}}(z_1,\mathrm{\ω}))}{\frac{\mathrm{\ω}\·E}{c\·2\·\sqrt{2\mathrm{\π}}}\·{\mathrm{\ϵ}}_0\·(z_2-z_1)}=\frac{1}{(z_2-z_1)}\·{\∫}_{z_1}^{z_2}\tan \mathrm{\δ}\left(z\right)\mathrm{dz},$

其中z是表示沿着所述设备(2)的位置的变量，R是所述传感器(3)离开所述设备(2)的轴的辐向测量的距离，d是所述设备(2)的直径或者是表示所述设备(2)的大小的量，H_τ是磁场的切向分量，z₁和z₂分别是所述第一传感器和所述第二传感器的位置，ω是被施加到所述设备的电压的角频率，E是所述设备(2)的绝缘体经受的电场，c是光速。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，其包括导出在所述第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)处测量的磁场信号的傅立叶变换的步骤。

12.如权利要求10-11中的任一项所述的方法，其特征在于，所述磁场值是在所述第一测量部位和第二测量部位(4A、4B)处测量的磁场信号的有效值或峰值。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，包括以向每一所测量的磁场值指派与绝对的时间参考(7)相关的各自的测量时刻的方式同步由所述第一传感器和第二传感器(3A、3B)进行的所述测量的步骤。