CN102581771A - 一种硅棒表面处理方法 - Google Patents
一种硅棒表面处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102581771A CN102581771A CN2012100422856A CN201210042285A CN102581771A CN 102581771 A CN102581771 A CN 102581771A CN 2012100422856 A CN2012100422856 A CN 2012100422856A CN 201210042285 A CN201210042285 A CN 201210042285A CN 102581771 A CN102581771 A CN 102581771A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon rod
- rod surface
- spray gun
- silicon
- air pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
一种涉及硅棒表面处理技术的硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用1.5～4.5kg压力的气压喷枪将800～1500目的微粒物质由30～75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15～45分钟；采用所述的方法即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面。
Description
【技术领域】
本发明涉及硅棒表面处理技术领域，尤其是涉及一种能够提高硅片切割良率的硅棒表面处理方法。
【背景技术】
公知的，在太阳能行业中，硅棒开方后会产生损伤层，在切片过程中或者脱胶时损伤层处的硅粒容易脱落或粘到胶层上，从而造成崩边，这不但会导致切出的硅片不能被正常应用，而且还严重到影响切片质量，给生产制造方增加了经济负担；鉴于硅棒损伤层的深浅与切出的硅片边缘质量的好坏有着密不可分的联系，因此，太阳能行业中均采用相应的硅棒表面处理技术来减少硅棒开方后所产生的损伤层，从而以尽可能多的获取合格的硅片；
目前，硅棒表面的处理办法主要分为物理法和化学法两种：物理法就是使用一定目数的磨轮，一般选用300目～750目之间的磨轮来对硅棒表面进行磨削打平；这种方法虽然能够有效去除硅棒开方后产生的线痕，获得到整体平整度在300um以内的硅棒表面，但是却容易产生深度在20um～30um之间的损伤层，且磨头在硅棒表面留下的圆弧状划痕很难彻底清除；化学法则是把硅棒放置在能够与硅反应的HF或浓H2SO4等高强酸中，使硅棒表面与酸发生反应，并利用硅棒表面损伤层硅结构和晶体硅反应速度的差异来去除损伤层；化学法虽然能够将硅棒表面的损伤层控制在10um以内，但是却易于在硅棒表面产生高低不平的腐蚀坑，使硅棒表面的整体平整度较差，从而不但不利于后续的粘棒操作，而且还导致切出的硅片边缘存在有明显的凸凹感，同时，高强酸的高腐蚀性和强酸性在一定程度上也限制了这种化学处理法在工业生产领域中的广泛应用；
综上所述，目前还没有一种即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面处理方法。
【发明内容】
为了克服背景技术中的不足，本发明公开一种硅棒表面处理方法，所述的方法即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
一种硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用1.5～4.5kg压力的气压喷枪将800～1500目的微粒物质由30～75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15～45分钟；所述微粒物质的硬度大于硅的硬度。
所述的硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用2.5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。
所述的硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用2.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。
所述的硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用3.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟。
所述的硅棒表面处理方法，所述的方法为：使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟。
所述的硅棒表面处理方法，先将需要处理的硅棒稳定的放置在一上部连通抽风装置，且在一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口对准硅棒的表面进行喷射；喷射过程中利用打开的抽风装置将喷射出的微粒物质进行收集以备再次利用。
所述的硅棒表面处理方法，所述的防护容器尺寸为300mm×120mm×100mm。
所述的硅棒表面处理方法，所述方法中使用的微粒物质为碳化硅或金刚砂。
所述的硅棒表面处理方法，所述的气压喷枪工作时是通过注入喷枪后部的气压将注入喷枪中部的微粒物质由喷枪的喷嘴喷射而出。
由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下有益效果：
本发明所述的硅棒表面处理方法不但能够有效控制硅棒表面损伤层的深度，而且还能获得平整度较高的硅棒表面，从而有效的减少了硅片崩边的现象，提高了硅片的切割良率。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切变化和改进，本发明并不局限于下面的实施例；
实施例一：使用2.5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟；
实施例二：使用2.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟；
实施例三：使用3.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟；
实施例四：使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟；
综上所述，所述的硅棒表面处理方法就是：使用1.5～4.5kg压力的气压喷枪将800～1500目的微粒物质由30～75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15～45分钟，即所述的方法是通过高速流动的微粒物质气流磨擦硅棒表面来达到使硅棒表面平整的目的，由于硅棒表面的损伤层较为疏松，其结构易于在微粒物质气流的摩擦下破碎，而硅棒本身的晶体硅结构却较为紧凑，所以很难受到微粒物质气流的磨擦影响，因此，所述的方法能够将硅棒表面的损伤层控制在10um以下，而且还不会破坏到硅棒的表面平整度；此外，在所述方法中使用的微粒物质为硬度大于硅的硬度的碳化硅或金刚砂；
根据需要，在实施所述的方法时，能够先将需要处理的硅棒稳定的放置在一个上部连通抽风装置，且在一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口以相应角度对准硅棒的表面进行喷射；为便于放置硅棒，所述的防护容器尺寸能够设为300mm×120mm×100mm；防护容器的主要目的是能够确保将喷出的微粒物质限制在容器中，且能够通过抽风装置对微粒物质进行收集后再利用；所述方法中使用的气压喷枪的工作原理是通过注入喷枪枪管后部的气压将注入喷枪枪管中部的微粒物质由喷枪枪管的喷嘴喷射而出。
经多次实验得知，切割经所述方法处理过的硅棒，能够使硅片的切割良率提高0.91～2.16%，使切割出的硅片的崩边比率下降0.51～1.8%；以年产硅片750万片计算，采用本发明所述的方法能够每年为生产企业增加盈利185万元～342万元。
本发明未详述部分为现有技术，故本发明未对其进行详述。
Claims (9)
1.一种硅棒表面处理方法，其特征是：所述的方法为：使用1.5～4.5kg压力的气压喷枪将800～1500目的微粒物质由30～75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15～45分钟；所述微粒物质的硬度大于硅的硬度。
2.根据权利要求1所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的方法为：使用2.5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。
3. 根据权利要求1所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的方法为：使用2.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。
4.根据权利要求1所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的方法为：使用3.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟。
5.根据权利要求1所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的方法为：使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟。
6.根据权利要求1～5任一所述的硅棒表面处理方法，其特征是：先将需要处理的硅棒稳定的放置在一上部连通抽吸装置，且一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口对准硅棒的表面进行喷射；喷射过程中通过打开的抽吸装置将喷射出的微粒物质进行收集以备再次利用。
7. 根据权利要求6所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的防护容器尺寸为300mm×120mm×100mm。
8.根据权利要求1或6所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述方法中使用的微粒物质为碳化硅或金刚砂。
9.根据权利要求1～5任一所述的硅棒表面处理方法，其特征是：所述的气压喷枪工作时是通过注入喷枪后部的气压将注入喷枪中部的微粒物质由喷枪的喷嘴喷射而出。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100422856A CN102581771A (zh) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 一种硅棒表面处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100422856A CN102581771A (zh) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 一种硅棒表面处理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102581771A true CN102581771A (zh) | 2012-07-18 |
Family
ID=46471295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100422856A Pending CN102581771A (zh) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 一种硅棒表面处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102581771A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113231168A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-10 | 青海亚洲硅业半导体有限公司 | 硅棒表面处理与微硅粉生产装置和方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04360767A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-12-14 | Sony Corp | 表面処理方法及びその装置 |
| US5964962A (en) * | 1995-11-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for solar cell and method for producing the same; substrate treatment apparatus; and thin film solar cell and method for producing the same |
| US20040102139A1 (en) * | 2000-09-28 | 2004-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing silicon wafer |
| JP2008041703A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Ishii Hyoki Corp | シリコンウエハの加工方法 |
| JP4256510B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2009-04-22 | 株式会社不二製作所 | サンドブラスト加工における被加工物のクリーニングユニット |
| CN101642896A (zh) * | 2008-08-07 | 2010-02-10 | 株式会社不二制作所 | 喷砂方法和装置,薄膜太阳能电池板及其加工方法 |
-
2012
- 2012-02-23 CN CN2012100422856A patent/CN102581771A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04360767A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-12-14 | Sony Corp | 表面処理方法及びその装置 |
| US5964962A (en) * | 1995-11-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for solar cell and method for producing the same; substrate treatment apparatus; and thin film solar cell and method for producing the same |
| JP4256510B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2009-04-22 | 株式会社不二製作所 | サンドブラスト加工における被加工物のクリーニングユニット |
| US20040102139A1 (en) * | 2000-09-28 | 2004-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing silicon wafer |
| JP2008041703A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Ishii Hyoki Corp | シリコンウエハの加工方法 |
| CN101642896A (zh) * | 2008-08-07 | 2010-02-10 | 株式会社不二制作所 | 喷砂方法和装置,薄膜太阳能电池板及其加工方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113231168A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-10 | 青海亚洲硅业半导体有限公司 | 硅棒表面处理与微硅粉生产装置和方法 |
| CN113231168B (zh) * | 2021-05-12 | 2022-08-26 | 青海亚洲硅业半导体有限公司 | 硅棒表面处理与微硅粉生产装置和方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6384758B2 (ja) | 付着物除去方法 | |
| CN102560304B (zh) | 非晶合金表面处理方法及采用该方法制得的非晶合金件 | |
| CN104148348A (zh) | 一种薄膜太阳能电池生产中对tco基板玻璃的预清洗工艺 | |
| CN201833280U (zh) | 气砂混合式喷砂机 | |
| CN104552044B (zh) | 异形曲面回转体磨具单层磨粒的有序排布装置和方法 | |
| CN102581771A (zh) | 一种硅棒表面处理方法 | |
| CN208867003U (zh) | 一种基于抛丸冲击的带钢除鳞装置 | |
| CN113953988B (zh) | 一种磨粒间距可控的有序排布砂轮及其制备方法 | |
| CN107775521A (zh) | 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法 | |
| CN105314885B (zh) | 触摸屏玻璃白片加工方法 | |
| CN108807595B (zh) | 一种低翘曲多晶硅太阳能电池用基板的制造方法 | |
| CN206010720U (zh) | 一种玻璃基板研磨时磨轮槽清洗装置 | |
| CN102832291A (zh) | 太阳能电池制绒方法 | |
| CN103341826A (zh) | 竹材表面处理的方法及竹地板的加工方法 | |
| CN108374557A (zh) | 一种铝模板回收利用方法 | |
| CN203030580U (zh) | 一种常压等离子体自由基清洗设备 | |
| CN105598849A (zh) | 金属材料压砂方法 | |
| CN101190434A (zh) | 一种硬化产品表面喷涂的处理工艺 | |
| CN101814550A (zh) | 一种晶硅表面的制绒方法 | |
| CN110060912B (zh) | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 | |
| CN204353149U (zh) | 一种等离子清洁装置 | |
| Che et al. | Study of abrasive water jet polishing technology | |
| CN203535955U (zh) | 一种基于冰粒射流技术去除废旧光盘功能层的装置 | |
| CN103706581B (zh) | 刮胶工具 | |
| US20140352771A1 (en) | Method for manufacturing bowl-shaped surface structures of single-crystalline silicon substrates and a single-crystalline silicon substrate with bowl-shaped surface structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120718 |