CN102570980A - 功率放大器的检波电路 - Google Patents

功率放大器的检波电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102570980A
CN102570980A CN2012100414031A CN201210041403A CN102570980A CN 102570980 A CN102570980 A CN 102570980A CN 2012100414031 A CN2012100414031 A CN 2012100414031A CN 201210041403 A CN201210041403 A CN 201210041403A CN 102570980 A CN102570980 A CN 102570980A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power amplifier
circuit
detecting circuit
transistor
detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100414031A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102570980B (zh
Inventor
刘轶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chizhou Richsemi Electronics Co ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201210041403.1A priority Critical patent/CN102570980B/zh
Publication of CN102570980A publication Critical patent/CN102570980A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102570980B publication Critical patent/CN102570980B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明提供一种功率放大器的检波电路，至少包括：取样电路，连接于该功率放大器，以将射频能量取样至检波模块进行检波；以及检波模块，连接于该取样电路，以对该取样电路取样获得的取样信号进行检波输出，通过本发明，不仅可以对功率放大器的取样输出进行有效的检波，提高检波效率，改善检波线性度。

Description

功率放大器的检波电路
技术领域
本发明涉及一种检波电路，特别是涉及一种HBT功率放大器的检波电路。
背景技术
检波(detection)，广义的检波通常称为解调，是调制的逆过程，即从已调波提取调制信号的过程。对调幅波来说是从它的振幅变化提取调制信号的过程；对调频波，是从它的频率变化提取调制信号的过程，对调相波，是从它的相位变化提取调制信号的过程。
一般来说，由于在移动通讯终端中，必须根据来自基带电路或微处理机等控制电路的发送请求电平来控制功率放大器的输出功率率，所以一般要检测功率放大器或天线的输出功率，这往往需要采用检波电路。
二极管检波器为现有技术中最常利用的一种检波电路，图1为现有技术中二极管检波器的电路示意图。如图1所示，该二极管检波器包括检波二极管VD1、高频滤波电容C1、隔直电容C2以及负载电阻R1，工作频率较低时，VD1使用低阈值锗二极管实现，工作频率较高时，VD1一般使用低阈值肖特基二极管，在GaAs HBT功放中无法实现低阈值二极管，而从功率放大抽取的取样信号一般又比较小，如-10～0dBm，无法使高阈值的PN结导通。
综上所述，可知先前技术中检波电路存在无法应用于功率放大器的问题，因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
发明内容
为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种功率放大器的检波电路，其不仅可以对功率放大器的输出进行有效的检波，提高检波效率，改善检波线性度。
为达上述及其它目的，本发明提供一种功率放大器的检波电路，至少包括：
取样电路，连接于该功率放大器，以将射频能量取样至检波模块进行检波；以及
检波模块，连接于该取样电路，以对该取样电路取样获得的取样信号进行检波输出。
进一步地，该取样电容包含一取样电容，该取样电容连接于该功率放大器的晶体管的集电极，以对射频能量进行取样。
进一步地，该检波模块包括第一晶体管及第一电阻，该第一晶体管基极通过该第一电阻连接至该取样电容，发射极输出检波结果。
进一步地，该检波模块通过第二电阻连接至该功率放大器的偏置电路以获得偏置电压，使该第一晶体管处于弱导通或将要导通状态。
进一步地，该第二电阻为大电阻。
进一步地，该检波电路还包括一调整电路，该调整电路连接于该检波模块与该取样电路，用于调整检波结果。
进一步地，该调整电路包括第二晶体管，该第二晶体管基极连接于该取样电容，集电极与该第一晶体管之集电极相连。
进一步地，该第一晶体管发射极还连接一ESD保护电路。
进一步地，该ESD保护电路包括相互串联的两个二极管。
进一步地，该第一晶体管与该第二晶体管为三极管。
与现有技术相比，本发明一种功率放大器的检波电路，其通过取样电路对射频能量进行取样并将取样获得的取样信号经过检波模块进行检波，达到了检波的目的，同时，本发明通过将检波模块与功率放大器的偏置电路连接获得偏置电压，以使检波模块处于弱导通或将要导通的状态，使得很小的取样信号也能被检波出来，提高了检波效率；另外，本发明还通过一调整电路对检波结果进行调整，避免悬空引脚引入杂散干扰检波输出，改善了检波线性度。
附图说明
图1为传统的功率放大器的偏置电路的电路结构图；
图2为本发明一种功率放大器偏置电路之较佳实施例的电路示意图；
图3为本发明较佳实施例中检波结果DET与取样信号C的关系曲线图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
图2为本发明一种功率放大器检波电路之较佳实施例的电路示意图。图2中虚线框部分为检波电路，如图2所示，本发明一种功率放大器检波电路，应用于一功率放大器之输出端(VC2/RF OUT)，其至少包括：取样电路201以及检波模块202。
取样电路201连接于功率放大器，以将射频能量取样至检波模块202进行检波，在本发明较佳实施例中，取样电路201可为一取样电容C1，其连接于功率放大器的晶体管Q4的集电极，以对射频能量进行取样；检波模块202连接于该取样电路201，以对取样电路201取样获得的取样信号进行检波输出，在本发明较佳实施例中，检波模块202包括第一晶体管Q1及第一电阻R1，第一晶体管Q1为三极管，其基极通过第一电阻R1连接至取样电路201，即第一晶体管Q1基极通过第一电阻R1连接至取样电容C1，其发射极输出检波结果DET，连接一ESD保护电路203，于本发明较佳实施例中，ESD保护电路203可包括两个串联的二极管，该ESD电路同时起到钳位作用，在此不予赘述。
较佳的，为提高检波效率，检波模块202还通过第二电阻R2连接至功率放大器的偏置电路204，在此，该第二电阻R2一般为几十千欧的大电阻，其作用是将偏置电路204产生的偏置电压送入检波模块202，以使检波模块202中的第一晶体管Q1处于弱导通或导通临界状态，这样即便取样电路201取样获得的很小的取样信号也能被检波模块202检测到，提高检波效率。
较佳的，本发明之功率放大器检波电路还包括调整电路205，该调整电路205连接于检波模块202与取样电路201，用于改善检波模块202检波线性度，在本发明之较佳实施例中，调整电路205包括第二晶体管Q2，其基极连接取样电容C1，集电极与第一晶体管Q1之集电极相连，两个BC结同时可以对取样信号进行检波，两者检波输出部分抵消，又避免了仅第一晶体管Q1的BE结作检波使用而BC结悬空所引入的不必要的干扰。具体来说，当取样信号较大时，第二晶体管Q2有较高检波电压，此电压使得第一晶体管Q1之BC结反偏，而取样信号大意味着输出功率高，此时辐射也较强，但因第一晶体管Q1之BC结反偏故不易被干扰；而当取样信号较小时，此电压使第二晶体管Q2之BC结弱反偏，此时输出功率低辐也低，故辐射干扰同样不能使第一晶体管Q1之BC结导通，从而使第一晶体管Q1之BE结更加趋于二极管特性。图3则为本发明较佳实施例中检波结果DET与取样信号C的关系曲线图，可见，当对于较小的取样信号，检波结果变化较为灵敏且线性度好，而对于较大的取样信号，检波结果变化较为迟钝趋于饱和。
综上所述，本发明一种功率放大器的检波电路，其通过取样电路对射频能量进行取样并将取样获得的取样信号经过检波模块进行检波，达到了检波的目的，同时，本发明通过将检波模块与功率放大器的偏置电路连接获得偏置电压，以使检波模块处于弱导通或将要导通的状态，使得很小的取样信号也能被检波出来，提高了检波效率；另外，本发明还通过一调整电路对检波结果进行调整，使本发明对大信号的检波较为迟钝，对小信号的检波较为灵敏，改善了检波结果。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (10)

1.一种功率放大器的检波电路，至少包括：
取样电路，连接于该功率放大器，以将射频能量取样至检波模块进行检波；以及
检波模块，连接于该取样电路，以对该取样电路取样获得的取样信号进行检波输出。
2.如权利要求1所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该取样电容包含一取样电容，该取样电容连接于该功率放大器的晶体管的集电极，以对射频能量进行取样。
3.如权利要求2所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该检波模块包括第一晶体管及第一电阻，该第一晶体管基极通过该第一电阻连接至该取样电容，发射极输出检波结果。
4.如权利要求3所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该检波模块通过第二电阻连接至该功率放大器的偏置电路以获得偏置电压，使该第一晶体管处于弱导通或将要导通状态。
5.如权利要求4所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该第二电阻为大电阻。
6.如权利要求5所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该检波电路还包括一调整电路，该调整电路连接于该检波模块与该取样电路，用于调整检波结果。
7.如权利要求6所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该调整电路包括第二晶体管，该第二晶体管基极连接于该取样电容，集电极与该第一晶体管之集电极相连。
8.如权利要求7所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该第一晶体管发射极还连接一ESD保护电路。
9.如权利要求8所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该ESD保护电路包括相互串联的两个二极管。
10.如权利要求9所述的功率放大器的检波电路，其特征在于：该第一晶体管与该第二晶体管为三极管。
CN201210041403.1A 2012-02-22 2012-02-22 功率放大器的检波电路 Active CN102570980B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210041403.1A CN102570980B (zh) 2012-02-22 2012-02-22 功率放大器的检波电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210041403.1A CN102570980B (zh) 2012-02-22 2012-02-22 功率放大器的检波电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102570980A true CN102570980A (zh) 2012-07-11
CN102570980B CN102570980B (zh) 2014-12-24

Family

ID=46415580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210041403.1A Active CN102570980B (zh) 2012-02-22 2012-02-22 功率放大器的检波电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102570980B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104852695A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 中国科学院微电子研究所 一种用于功率放大器的自偏置功率检测电路
CN114189230A (zh) * 2021-10-25 2022-03-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种可调谐的抗干扰脉冲自检检波电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702860A (zh) * 2004-05-25 2005-11-30 株式会社东芝 静电保护电路及使用它的半导体集成电路器件
US20060220739A1 (en) * 2004-04-02 2006-10-05 Moshe Ben-Ayun RF power amplifier circuit and RF transmitter and terminal including it
CN1959421A (zh) * 2005-10-31 2007-05-09 中兴通讯股份有限公司 驻波检测电路
CN102169714A (zh) * 2010-02-25 2011-08-31 复旦大学 一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060220739A1 (en) * 2004-04-02 2006-10-05 Moshe Ben-Ayun RF power amplifier circuit and RF transmitter and terminal including it
CN1702860A (zh) * 2004-05-25 2005-11-30 株式会社东芝 静电保护电路及使用它的半导体集成电路器件
CN1959421A (zh) * 2005-10-31 2007-05-09 中兴通讯股份有限公司 驻波检测电路
CN102169714A (zh) * 2010-02-25 2011-08-31 复旦大学 一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104852695A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 中国科学院微电子研究所 一种用于功率放大器的自偏置功率检测电路
CN114189230A (zh) * 2021-10-25 2022-03-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种可调谐的抗干扰脉冲自检检波电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN102570980B (zh) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102098006B (zh) 多尔蒂放大器
CN101477147B (zh) 射频功率检测电路
TWI432742B (zh) 具有斬取放大器之射頻功率感測器及與高頻脈衝射頻信號相關的射頻功率的量測方法
CN106877826B (zh) 栅偏置网络的自偏置分布式放大器的功率增强装置和方法
CN104935270B (zh) 自适应偏置电路
CN104849543A (zh) 一种射频功率检测电路
CN106405222A (zh) 一种射频功率检测电路
CN104270148A (zh) 宽带数字稳幅多制式射频信号源模块
CN102570980B (zh) 功率放大器的检波电路
Coquillat et al. High-speed room temperature terahertz detectors based on InP double heterojunction bipolar transistors
CN102655434A (zh) 射频功率放大器功率检测装置
CN103384139B (zh) 一种电压偏置的混频电路
Zhang et al. A compact V-band active SiGe power detector
CN202075340U (zh) 射频功率放大器功率检测装置
CN113131875B (zh) 一种高可靠性低噪声放大器
US20090015295A1 (en) Envelope detector having reduced harmonic interference
CN104122437A (zh) 一种硅基功率检测器
CN101262258B (zh) 微波发信机的检波装置
Zhang et al. W-band (90GHz) zero bias Schottky diode directive detector
CN103312276A (zh) 一种用于数字电视功率放大器的功率过冲保护电路
Bao et al. A High-Speed Power Detector for $ D $-Band Communication
CN203537324U (zh) 用于数字电视功率放大器的功率过冲保护电路
CN203734623U (zh) X频段低噪声放大器
Oncu et al. 60GHz-pulse detector based on CMOS nonlinear amplifier
CN204993318U (zh) 一种近场通信接收电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI ZHONGKE INSTITUTE FOR ADVANCED STUDY

Free format text: FORMER OWNER: LIU YI

Effective date: 20121026

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121026

Address after: 201210 Shanghai city Pudong New Area Hartcourt Road No. 99

Applicant after: SHANGHAI ADVANCED Research Institute CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

Address before: 201210 Shanghai city Pudong New Area Hartcourt Road No. 99 1-319

Applicant before: Liu Die

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI RAISER ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI ZHONGKE INSTITUTE FOR ADVANCED STUDY

Effective date: 20130130

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20130130

Address after: 201203 Shanghai city Pudong New Area Haike Road No. 99 Building No. 1 room 320

Applicant after: SHANGHAI RUISHE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: Shanghai City, Pudong New Area Haike Road No. 99

Applicant before: SHANGHAI ADVANCED Research Institute CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: CHIZHOU RUICHENG MICROELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI RAISER ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20150527

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200000 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 247000 CHIZHOU, ANHUI PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150527

Address after: 247000 building 5, electronic information industry zone, hi tech Industrial Development Zone, Anhui, Chizhou

Patentee after: CHIZHOU RICHSEMI ELECTRONICS CO.,LTD.

Address before: 200000 Shanghai city Pudong New Area Haike Road No. 99 Building No. 1 room 320

Patentee before: SHANGHAI RUISHE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200426

Address after: Wujiang District of Suzhou City, Jiangsu province 215000 Lili town FENHU Road No. 558

Patentee after: Suzhou Danyuan Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 247000 building 5, electronic information industry zone, hi tech Industrial Development Zone, Anhui, Chizhou

Patentee before: CHIZHOU RICHSEMI ELECTRONICS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210308

Address after: Room 5, electronic information industrial park, Chizhou hi tech Industrial Development Zone, Anhui Province 247100

Patentee after: CHIZHOU RICHSEMI ELECTRONICS Co.,Ltd.

Address before: 215000 558 FENHU Road, Wujiang District, Suzhou, Jiangsu

Patentee before: Suzhou Danyuan Microelectronics Technology Co.,Ltd.

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Detection circuit of power amplifier

Effective date of registration: 20231228

Granted publication date: 20141224

Pledgee: Agricultural Bank of China Limited by Share Ltd. Chizhou branch

Pledgor: CHIZHOU RICHSEMI ELECTRONICS CO.,LTD.

Registration number: Y2023980074541

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right