CN102568412A - 多通道半导体装置和包括该装置的显示装置 - Google Patents

多通道半导体装置和包括该装置的显示装置 Download PDF

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CN102568412A CN2011103995412A CN201110399541A CN102568412A CN 102568412 A CN102568412 A CN 102568412A CN 2011103995412 A CN2011103995412 A CN 2011103995412A CN 201110399541 A CN201110399541 A CN 201110399541A CN 102568412 A CN102568412 A CN 102568412A
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安昌镐
徐基源
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Abstract

一种多通道半导体装置和包括该装置的显示装置。所述多通道半导体装置包括:多个缓冲器组,每个缓冲器组包括至少一个输出缓冲器;多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘;通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接。焊盘组中的一个在第一操作模式中输出缓冲器组中的一个的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。

Description

多通道半导体装置和包括该装置的显示装置
本申请要求2010年11月24日提交的第10-2010-0117520号韩国专利申请的优先权,该申请的主题通过引用合并于此。
技术领域
发明构思总体上涉及半导体装置和显示装置。更具体地,发明构思涉及一种多通道半导体装置和包括该多通道半导体装置的显示装置。
背景技术
显示驱动器集成电路(DDI)是将图像信号提供到显示面板的半导体装置。DDI通常使用用于并行地输出图像信号的多个输出通道(例如,720个通道),所述多个输出通道可将相对高的吞吐量提供给显示面板以用于高效的刷新率。
为了确保DDI正确运行,通常在商业部署之前对所有的输出通道执行测试。执行这些测试所需的时间和精力常常影响DDI的价格,因此以高效的时间和成本的方式执行这些测试是有益处的。
一种提高测试效率的方式是通过设计具有用于测试的单独的输出焊盘(pad)的半导体装置来进行的。在确定半导体装置是否正常运行的测试期间监测这些测试焊盘。虽然这些附加测试焊盘可提高测试性能,但是它们也具有在半导体装置上占用额外的空间的缺点。这在包括若干输出通道的半导体装置中会是一个显著的问题,这是因为包括多个输出通道的半导体装置需要大量的输出焊盘(这会占用过多的空间)。
发明内容
在一个实施例中,一种多通道半导体装置包括:多个缓冲器组,每个缓冲器组包括至少一个输出缓冲器;多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘;通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接。所述焊盘组中的一个焊盘组在第一操作模式中输出缓冲器组中的一个缓冲器组的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。
在另一实施例中,一种多通道半导体装置包括多个输出通道,其中,所述多个输出通道中的每一个输出通道包括:输出焊盘;输出缓冲器,产生输出信号;第一开关,控制输出缓冲器与输出焊盘之间的连接;第二开关,控制输出焊盘与N个公共节点中的相应的公共节点之间的连接。所述多个输出通道被划分为多个组,每个组包括至少一个输出通道,所述多个组中的一个组的输出焊盘在多通道半导体装置的测试模式下连续输出多个组的输出信号。
在另一实施例中,一种显示装置包括显示面板和显示驱动器集成电路。所述显示驱动器集成电路包括:多个缓冲器组,每个缓冲器组包括多个输出缓冲器;多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘,所述至少一个输出焊盘被配置用于将图像数据发送到显示面板;通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接。所述多个焊盘组中的一个焊盘组在第一操作模式中输出所述缓冲器组中的一个缓冲器组的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。
与传统多通道半导体装置相比,这些和其它实施例可允许对具有较少输出焊盘的多通道半导体装置执行测试操作。
附图说明
附图示出发明构思的选择的实施例。在附图中,相似的标号指示相似的特征。
图1是示出根据发明构思的实施例的包括多个输出通道的多通道半导体装置的框图。
图2是示出根据发明构思的实施例的图1中示出的通道切换部分的示例的框图。
图3是示出根据发明构思的实施例的图1中用于控制通道切换部分的控制部分的框图。
图4是示出图1的多通道半导体装置的一个示例的框图。
图5是示出根据发明构思的实施例的图4的多通道半导体装置的操作的时序图。
图6是示出根据发明构思的实施例的在图5的方法的时间段TA期间图4的多通道半导体装置的操作状态的示图。
图7是示出根据发明构思的实施例的在图5的方法的时间段TB期间图4的多通道半导体装置的操作状态的示图。
图8是示出根据发明构思的实施例的在图5的方法的时间段TC期间图4的多通道半导体装置的操作状态的示图。
图9是示出图1的多通道半导体装置的另一示例的框图。
图10是示出图1的多通道半导体装置的另一示例的框图。
图11是示出根据发明构思的另一实施例的多通道半导体装置的框图。
图12是示出根据发明构思的实施例的用于驱动显示面板的半导体装置的框图。
图13是示出根据发明构思的实施例的显示装置的框图。
具体实施方式
以下,参照附图来描述发明构思的实施例。这些实施例被表现为教导示例,并且不应被解释为限制发明构思的范围。
图1是示出根据发明构思的实施例的包括多个输出通道的多通道半导体装置100的框图。
参照图1,多通道半导体装置100包括焊盘(pad)组110_1到110_M、缓冲器组120_1到120_M和通道切换部分130。焊盘组110_1到110_M的每一个包括N个输出焊盘。因此,多通道半导体装置100输出N×M个输出信号。
多通道半导体装置100通常形成数据驱动器或源极驱动器,以通过输出通道Y11到YMN将图像信号提供到显示面板。焊盘组110_1到110_M用于与外部装置进行接口连接。缓冲器组120_1到120_M的每一个包括N个输出缓冲器,并且缓冲器组120_1到120_M中的每个输出缓冲器对输入信号进行缓冲,并输出缓冲的输入信号。
通道切换部分130响应于移位(shift)使能信号SH_EN、移位脉冲SP_2到SP_M以及输出使能信号OE1和OE2来控制缓冲器组120_1到120_M的输出缓冲器与焊盘组110_1到110_M的输出焊盘之间连接。通道切换部分130接收缓冲器组120_1到120_M的输出信号S11到SMN,并通过输出通道Y11到YMN将多个信号输出到焊盘组110_1到110_M。在通道切换部分130的控制下,缓冲器组120_1到120_M的输出信号S11到SMN被发送到相应的焊盘组的输出焊盘。
通道切换部分130通过使用两种不同操作模式来控制缓冲器组120_1到120_M的输出缓冲器与焊盘组110_1到110_M的输出焊盘之间的连接。以下对这些操作模式(称为第一操作模式和第二操作模式)的示例进行描述。
在第一操作模式中,通道切换部分130将缓冲器组120_1到120_M与相应的焊盘组110_1到110_M进行连接。例如,通道切换部分130将缓冲器组120_1连接到焊盘组110_1,将缓冲器组120_2连接到焊盘组110_2,并将缓冲器组120_M连接到焊盘组110_M。因此,例如,通道切换部分130将缓冲器组120_1的N个输出信号发送到焊盘组110_1的N个输出焊盘。结果,在第一操作模式中,多通道半导体装置100通过N×M个输出焊盘输出N×M个信号S11到SMN。第一操作模式可被称为用于通过输出通道将普通输出信号提供给负载的普通输出模式。
在第二操作模式中,通道切换部分130将焊盘组110_1到110_M中的一个连接到所有缓冲器组120_1到120_M。例如,通道切换部分130可将焊盘组110_1与所有缓冲器组120_1到120_M进行连接。在这种情况下,通道切换部分130将来自缓冲器组120_1到120_M的每一个的N个输出信号发送到焊盘组110_1的N个输出焊盘。结果,从N×M个输出缓冲器输出的信号S11到SMN被发送到焊盘组110_1的N个输出焊盘。也就是说,缓冲器组120_1到120_M的输出信号S11到SMN被发送到单个焊盘组,即,焊盘组110_1。为了完成这个,通道切换部分130经由输出通道Y11到Y1N连续地将缓冲器组120_1到120_M的输出端连接到焊盘组110_1的输出焊盘。第二操作模式可被称为用于监测从输出通道输出的信号的测试模式。
与图1的多通道半导体装置100相反,传统的半导体装置通常将N×M个探针(probe)连接到N×M个输出焊盘,或者传统的半导体装置还包括用于连接N个探针的N个测试焊盘,以监测N×M个输出信号。同时,多通道半导体装置100可在不必包括单独的测试焊盘的情况下仅通过将N个探针连接到N个输出焊盘来监测N×M个输出信号。
图2是示出根据发明构思的实施例的通道切换部分130的示例的框图。
参照图1和图2,通道切换部分130包括输出切换部分134_1到134_M以及移位切换部分132_1到132_M。输出切换部分134_1响应于输出使能信号OE1进行操作,剩余的输出切换部分134_2到134_M响应于输出使能信号OE2进行操作。输出切换部分134_1到134_M的每一个控制相应的缓冲器组的N个输出端与相应的焊盘组的N个输出焊盘之间的连接。
移位切换部分132_1响应于移位使能信号SH_EN进行操作,移位切换部分132_2到132_M响应于相应的移位脉冲SP_2到SP_M进行操作。移位使能信号SH_EN是用于激活移位寄存器(未示出)的移位操作的使能信号,移位脉冲SP_2到SP_M是从移位寄存器(未示出)连续输出的脉冲。移位切换部分132_1到132_M的每一个控制相应的缓冲器组的N个输出端与N个公共节点ND_1到ND_N之间的连接。例如,如果移位切换部分132_1接通,则移位切换部分132_1将公共节点ND_1到ND_N的信号发送到焊盘组110_1的N个输出焊盘。移位切换部分132_2到132_M将缓冲器组120_2到120_M的输出信号S21到SMN发送到公共节点ND_1到ND_N。因此,移位切换部分132_1到132_M形成缓冲器组120_2到120_M的输出信号S21到SMN经由公共节点ND_1到ND_N被发送到焊盘组110_1的输出焊盘Y11到Y1N的路径。
如果图2的输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M接通,则输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M共同将缓冲器组120_1到120_M的输出信号S11到SMN发送到焊盘组110_1的输出焊盘。在这种情况下,输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M可被设置为在不同时间接通,以防止信号之间的冲突。例如,输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M可被连续接通。
输出切换部分134_1包括N个开关,所述N个开关可以是例如传输门。输出切换部分134_1的N个开关响应于输出使能信号OE1被接通或断开。输出切换部分134_1的N个开关的每一个具有连接到相应的输出缓冲器的输出端的一端以及连接到相应的输出焊盘的另一端。因此,在输出切换部分134_1的开关接通的情况下,缓冲器组120_1的输出信号S11到S1N被发送到焊盘组110_1的输出焊盘Y11到Y1N。
切换部分134_2到134_M的每一个包括N个开关,所述N个开关可以是例如传输门。输出切换部分134_2到134_M的每一个中的N个开关响应于输出使能信号OE2被接通或断开。输出切换部分134_2到134_M的N个开关的每一个具有连接到相应的输出缓冲器的输出端的一端以及连接到相应的输出焊盘的另一端。因此,在输出切换部分134_2到134_M的开关接通的情况下,缓冲器组120_2到120_M的输出信号S21到SMN被发送到焊盘组110_1的输出焊盘Y11到Y1N。
移位切换部分132_1包括N个开关,所述N个开关可以是例如传输门。如果移位切换部分132_1接通,则移位切换部分132_1将公共节点ND_1到ND_N的信号发送到焊盘组110_1的输出焊盘Y11到Y1N。由于在缓冲器组120_1的输出信号S11到S1N被发送到焊盘组110_1的输出焊盘的情况下不使用移位切换部分132_1,故在这情况下移位切换部分132_1是接通还是断开是无关紧要的。然而,在移位切换部分132_2到132_M被连续接通的时间段,移位切换部分132_1可保持在接通状态而不需被反复接通和断开。
移位切换部分132_1包括N个开关,所述N个开关响应于移位使能信号SH_EN被接通或断开。移位切换部分132_1的每个开关具有连接到相应的输出焊盘的一端以及连接到相应的公共节点的另一端。因此,当移位切换部分132_1的开关被接通时,公共节点ND_1到ND_N的信号被发送到焊盘组110_1的输出焊盘Y11到Y1N。
移位切换部分132_2到132_M的每一个包括N个开关,所述N个开关可以是例如传输门。移位切换部分132_2到132_M的每个开关响应于移位脉冲SP2到SPM中相应的一个被接通或断开。移位切换部分132_2到132_M的每个开关具有连接到相应的输出焊盘的一端以及连接到N个公共节点ND_1到ND_N中的相应的公共节点的另一端。因此,在相应的移位切换部分被接通的情况下,缓冲器组120_2到120_M的输出信号S21到SMN被选择性地发送到公共节点ND_1到ND_N。当移位切换部分132_1的开关被接通时,公共节点ND_1到ND_N的信号被发送到焊盘组110_1的输出焊盘。
在上述示例中,焊盘组110_1具有用于在第二操作模式中连接探针的焊盘,并且在输出切换部分134_1被先前接通之后,连续接通移位切换部分132_2到132_M。然而,发明构思不限于这些示例。例如,焊盘组110_2到110_M中的一个具有连接探针的焊盘,其中,所述焊盘通过调节用于控制输出切换部分134_1到134_M和移位切换部分132_1到132_M的接通或断开的控制信号SP_2到SP_M、OE1和OE2来连接探针。此外,可通过更改接通或断开输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M的的顺序,来改变经由用于探针连接的焊盘监测的缓冲器组的输出信号的顺序。
图3是示出根据发明构思的实施例的图1的用于控制通道切换部分130的控制部分300的框图。
参照图1到图3,多通道半导体装置100还可包括控制部分300来控制输出切换部分134_1到134_M和移位切换部分132_1到132_M的接通或断开。控制部分300响应于移位使能信号SH_EN、移位开始脉冲SH_Start和输出使能信号OE2来产生输出使能信号OE1和移位脉冲SP_1到SP_M。
控制部分300包括AND门310和移位寄存器320。移位寄存器320包括M个输出端out_1到out_M,并且移位寄存器320产生通过响应于移位使能信号SH_EN和移位开始脉冲SH_Start连续地移位而输出的移位脉冲SP_1到SP_M。AND门310通过将移位脉冲SP_1与输出使能信号OE2逻辑相乘来产生输出使能信号OE1。移位脉冲SP_1到SP_M的每一个在一个时间段内具有预定宽度。移位脉冲SP_1到SP_M的脉冲宽度等于移位开始脉冲SH_Start的宽度。因此,可通过调节移位开始脉冲SH_Start的宽度来控制移位脉冲SP_1到SP_M的脉冲宽度。
可通过使用移位脉冲SP_2到SP_M来控制图2的移位切换部分132_2到132_M,所述移位脉冲SP_2到SP_M从移位寄存器320被连续输出,从而在第二操作模式中移位切换部分132_2到132_M被连续接通。通过将移位脉冲SP_1与移位寄存器320的输出信号的输出使能信号OE2逻辑相乘来产生控制输出切换部分134_1的接通或断开的输出使能信号OE1。因此,在输出使能信号OE2处于高逻辑电平的情况下,如果移位脉冲SP_1被施加于输出切换部分134_1,则输出切换部分134_1接通。
使用移位脉冲SP_1控制输出切换部分134_1的一个原因在于以这样的方式配置多通道半导体装置100:输出切换部分134_1和移位切换部分132_2到132_M一个接一个地被连续接通,并且输出切换部分134_1被首先接通。然而,如上所述,在不同实施例中可改变图1的多通道半导体装置100的配置。
图4是示出图1的多通道半导体装置100的一个示例的框图。在该示例中,N=6且M=3。
参照图4,具有18个输出通道Y1到Y18的多通道半导体装置400包括焊盘组410_1到410_3、缓冲器组420_1到420_3以及通道切换部分430,其中,焊盘组410_1到410_3的每一个包括6个输出焊盘,缓冲器组420_1到420_3的每一个包括6个输出缓冲器。通道切换部分430包括输出切换部分434_1到434_3和移位切换部分432_1到432_3。输出切换部分434_1将缓冲器组420_1的输出信号S1到S6的6个端子分别电连接到焊盘组410_1的6个输出焊盘,或分别断开缓冲器组420_1的输出信号S1到S6的6个端子到焊盘组410_1的6个输出焊盘的连接。
输出切换部分434_2将缓冲器组420_2的输出信号S7到S12的6个端子分别电连接到焊盘组410_2的6个输出焊盘,或分别断开缓冲器组420_2的输出信号S7到S12的6个端子到焊盘组410_2的6个输出焊盘的连接。输出切换部分434_3将缓冲器组420_3的输出信号S13到S18的6个端子分别电连接到焊盘组410_3的6个输出焊盘,或分别断开缓冲器组420_3的输出信号S13到S18的6个端子到焊盘组410_3的6个输出焊盘的连接。
移位切换部分432_1将焊盘组410_1的6个输出焊盘分别电连接到6个公共节点ND_1到ND_6,或分别断开焊盘组410_1的6个输出焊盘到6个公共节点ND_1到ND_6的连接。移位切换部分432_2将焊盘组410_2的6个输出焊盘分别电连接到6个公共节点ND_1到ND_6,或分别断开焊盘组410_2的6个输出焊盘到6个公共节点ND_1到ND_6的连接。移位切换部分432_3将焊盘组410_3的6个输出焊盘分别电连接到6个公共节点ND_1到ND_6,或分别断开焊盘组410_3的6个输出焊盘到6个公共节点ND_1到ND_6的连接。
输出切换部分434_1包括6个开关,每个开关被控制为响应于输出使能信号OE1而接通或断开。输出切换部分434_2和434_3的每一个包括6个开关,每个开关被控制为响应于输出使能信号OE2而接通或断开。移位切换部分432_1包括6个开关,每个开关被控制为响应于移位使能信号SH_EN而接通或断开。移位切换部分432_2包括6个开关,每个开关被控制为响应于移位脉冲SP_2而接通或断开。移位切换部分432_3包括6个开关,每个开关被控制为响应于移位脉冲SP_3而接通或断开。
以这种配置,多通道半导体装置400可在第二操作模式中通过将6个探针连接到焊盘组410_1的6个输出焊盘Y1到Y6来监测18个通道的输出信号S1到S18。多通道半导体装置400还包括可以与图3的控制部分300相同的控制部分440。
图5是示出根据发明构思的实施例的多通道半导体装置400的操作的时序图。
参照图5,在时间t1,输出使能信号OE2被激活到高逻辑电平。输出使能信号OE2以这种方式控制输出切换部分434_1到434_3:多通道半导体装置400中的输出缓冲器的输出信号S1到S18被发送到相应的输出焊盘Y1到Y18。在输出使能信号OE2处于高逻辑电平的情况下,缓冲器组420_2和420_3的输出信号分别被发送到焊盘组310_2和310_3。
在时间t2,移位使能信号SH_EN被激活到高逻辑电平。图4的多通道半导体装置400按照这样的方式被配置:通过焊盘组410_1来连续监测缓冲器组420_1到420_3的输出信号S1到S18。
控制部分440包括移位寄存器444,用于产生移位脉冲SP_1到SP_3以连续监测缓冲器组420_1到420_3的输出信号S1到S18。移位使能信号SH_EN是用于使移位寄存器444的移位操作能够进行的信号。在移位使能信号SH_EN被激活的情况下,多通道半导体装置400通过焊盘组410_1执行连续监测缓冲器组420_1到420_3的输出信号S1到S18的操作。此外,移位使能信号SH_EN控制移位切换部分432_1的接通和断开。
在第二操作模式中,如果缓冲器组420_1到420_3的输出信号S1到S18被连续发送到焊盘组410_1,则移位切换部分432_1应处于接通状态。因此,在移位寄存器444的移位操作变为可进行时,移位切换部分432_1能够进入接通状态。
在时间t3,移位开始脉冲SH_Start被施加到控制部分440。控制部分440的移位寄存器444接收移位开始脉冲SH_Start和移位脉冲SP_1到SP_3。移位脉冲SP_1在时间t4被输出,移位脉冲SP_2在时间t5被输出,移位脉冲SP_3在时间t6被输出。移位脉冲SP_1到SP_3的脉冲宽度TA、TB和TC等于移位开始脉冲SH_Start的脉冲宽度t4-t3。在第二操作模式中,移位脉冲SP_1到SP_3用于控制输出切换部分434_1、移位切换部分432_2和移位切换部分432_3的接通和断开。因此,通过移位开始脉冲SH_Start的脉冲宽度t4-t3来确定输出切换部分434_1的接通时间TA、移位切换部分432_2的接通时间TB以及移位切换部分432_3的接通时间TC。结果,通过控制移位开始脉冲SH_Start的脉冲宽度t4-t3,能够控制在焊盘组410_1中监测缓冲器组420_1到420_3的输出信号S1到S18的每一个的时间。
图6是示出根据发明构思的实施例的在图5的时间段TA期间多通道半导体装置400的操作状态的示图。
参照图5和图6,在时间段TA期间,输出使能信号OE2处于高逻辑电平,移位使能信号SH_EN处于高逻辑电平,输出使能信号OE1处于高逻辑电平,并且移位脉冲SP_2和SP_3处于低逻辑电平。因此,在该时间段期间,如图6所示,输出切换部分634_1到634_3和移位切换部分632_1处于接通状态,并且移位切换部分632_2和632_3处于断开状态。
在时间段TA期间,经由第一输出焊盘到第六输出焊盘(即,焊盘组610_1的输出通道Y1到Y6)来监测缓冲器组620_1的输出信号S1到S6。缓冲器组620_1的输出信号S1到S6经由接通的输出切换部分634_1被发送到焊盘组610_1的第一输出焊盘到第六输出焊盘。由于移位切换部分632_1的6个开关处于接通状态,移位切换部分632_2和632_3处于断开状态,故缓冲器组620_1的输出信号S1到S6与其它缓冲器组620_2和620_3的输出信号S7到S18之间不发生冲突。
图7是示出根据发明构思的实施例的在图5的时间段TB期间多通道半导体装置400的操作状态的示图。
参照图5和图7,在时间段TB期间,输出使能信号OE2处于高逻辑电平,移位使能信号SH_EN处于高逻辑电平,输出使能信号OE1处于低逻辑电平,移位脉冲SP_2处于高逻辑电平,并且移位脉冲SP_3处于低逻辑电平。因此,如图7所示,输出切换部分734_2和734_3以及移位切换部分732_1和732_2处于接通状态,并且输出切换部分734_1和移位切换部分732_3处于断开状态。
在时间段TB期间,经由第一输出焊盘到第六输出焊盘(即,焊盘组710_1的第一输出通道Y1到第六输出通道Y6)来监测缓冲器组720_2的输出信号S7到S12。
缓冲器组720_2的输出信号S7到S12经由接通的输出切换部分734_2和移位切换部分732_2被发送到6个公共节点ND_1到ND_6。发送到6个公共节点ND_1到ND_6的输出信号S7到S12经由接通的移位切换部分732_1被发送到焊盘组710_1的第一输出焊盘到第六输出焊盘。由于移位切换部分732_1的6个开关处于接通状态,输出切换部分734_1和移位切换部分732_3处于断开状态,故缓冲器组720_2的输出信号S7到S12与其它缓冲器组720_1和720_3的输出信号S1到S6和S13到S18之间不发生冲突。
图8是示出根据发明构思的实施例的在图5的时间段TC期间多通道半导体装置400的操作状态的示图。
参照图5和图8,在时间段TC期间,输出使能信号OE2处于高逻辑电平,移位使能信号SH_EN处于高逻辑电平,输出使能信号OE1处于低逻辑电平,移位脉冲SP_2处于低逻辑电平,并且移位脉冲SP_3处于高逻辑电平。因此,如图8所示,输出切换部分834_2和834_3以及移位切换部分832_1和832_3处于接通状态,输出切换部分834_1和移位切换部分832_2处于断开状态。
在时间段TC期间,经由第一输出焊盘到第六输出焊盘(即,焊盘组810_1的输出通道Y1到Y6)来监测缓冲器组820_3的输出信号S13到S18。缓冲器组820_3的输出信号S13到S18经由接通的输出切换部分834_3和移位切换部分832_3被发送到6个公共节点ND_1到ND_6。发送到6个公共节点ND_1到ND_6的输出信号S13到S18经由接通的移位切换部分832_1被发送到焊盘组810_1的第一输出焊盘到第六输出焊盘。由于移位切换部分832_1的6个开关处于接通状态,然而输出切换部分834_1和移位切换部分832_2处于断开状态,故缓冲器组820_3的输出信号S13到S18与其它缓冲器组820_1和820_2的输出信号S1到S12之间不发生冲突。
图9是示出图1的多通道半导体装置100的另一示例的框图。在该示例中,N=6且M=3。
参照图9,多通道半导体装置900包括18个输出通道Y1到Y18。输出切换部分934_1和输出切换部分934_3响应于输出使能信号OE2被接通或断开。输出切换部分934_2响应于输出使能信号OE1被接通或断开。移位切换部分932_1响应于移位脉冲SP_2被接通或断开。移位切换部分932_2响应于移位使能信号SH_EN被接通或断开。移位切换部分932_3响应于移位脉冲SP_3被接通或断开。
多通道半导体装置900与图4的多通道半导体装置400相比具有以下不同。多通道半导体装置400在第二操作模式中通过将6个探针连接到焊盘组410_1的6个输出焊盘来监测18个通道的输出信号S1到S18。此外,经由焊盘组410_1,缓冲器组420_1的输出信号S1到S6被首先监测,随后缓冲器组420_2的输出信号S7到S12被监测,并且随后缓冲器组420_3的输出信号S13到S18被监测。相反,图9的多通道半导体装置900在第二操作模式中通过将6个探针连接到焊盘组910_2的6个输出焊盘来监测18个通道的输出信号S1到S18。此外,经由焊盘组910_2,缓冲器组920_2的输出信号S7到S12被首先监测,随后缓冲器组920_1的输出信号S1到S6被监测,并且随后缓冲器组920_3的输出信号S13到S18被监测。
图10是示出多通道半导体装置100的另一示例的框图。在该示例中,N=6且M=3。
参照图10,多通道半导体装置1000包括18个输出通道Y1到Y18。输出切换部分1034_1和输出切换部分1034_2响应于输出使能信号OE2被接通或断开,输出切换部分1034_3响应于输出使能信号OE1被接通或断开。移位切换部分1032_1响应于移位脉冲SP_2被接通或断开,移位切换部分1032_2响应于移位脉冲SP_3被接通或断开,并且移位切换部分1032_3响应于移位使能信号SH_EN被接通或断开。
多通道半导体装置1000与图4的多通道半导体装置400相比具有以下不同。多通道半导体装置400在第二操作模式中通过将6个探针连接到焊盘组410_1的6个输出焊盘来监测18个通道的输出信号S1到S18。此外,经由焊盘组410_1,缓冲器组420_1的输出信号S1到S6被首先监测,随后缓冲器组420_2的输出信号S7到S12被监测,并且随后缓冲器组420_3的输出信号S13到S18被监测。相反,图10的多通道半导体装置1000在第二操作模式中通过将6个探针连接到焊盘组1010_3的6个输出焊盘来监测18个通道的输出信号S1到S18。此外,经由焊盘组1010_3,缓冲器组1020_3的输出信号S13到S18被首先监测,随后缓冲器组1020_1的输出信号S1到S6被监测,并且随后缓冲器组1020_2的输出信号S7到S12被监测。
如上所述,图1的多通道半导体装置100可如图9和图10中所示通过改变控制信号来容易地调节用于监测18个输出信号的焊盘组的顺序以及被监测的缓冲器组的顺序。
图11是示出根据发明构思的另一实施例的多通道半导体装置1100的框图。
参照图11,多通道半导体装置1100包括输出通道CH_11到CH_MN,其中,M是大于或等于2的自然数,N是自然数。输出通道CH_11到CH_MN被划分为M个组G_1到G_M,每个组包括N个输出通道。例如,组G_1包括N个输出通道CH_11到CH_1N。组G_1到G_M的每个输出通道包括输出焊盘、输出缓冲器、第一开关和第二开关。例如,输出通道CH_1N包括输出焊盘Y1N、输出缓冲器S1N、开关SW1和开关SW2。
输出通道CH_1N的开关SW1控制输出缓冲器S1N与输出焊盘Y1N之间的连接。因此,在输出通道CH_MN的开关SW1被接通的情况下,输出缓冲器SMN的输出信号(以下,称为输出信号SMN)被发送到输出焊盘YMN。组G_1的N个开关SW1响应于输出使能信号OE1进行操作,组G_2到G_M的开关SW1响应于输出使能信号OE2进行操作。
输出通道CH_1N的开关SW2控制输出焊盘Y1N与公共节点ND_N之间的连接。因此,在组G_M的输出通道CH_MN的开关SW2被接通的情况下,发送到输出焊盘的输出信号SMN被发送到公共节点ND_N。组G_2到G_M的开关SW2响应于连续提供的移位脉冲SP_2到SP_M选择性地进行操作。在组G_1的输出通道CH_1N的开关SW2被接通时,公共节点ND_N的信号被发送到输出焊盘Y1N。组G_1的N个开关SW2响应于移位使能信号SH_EN进行操作。
多通道半导体装置1100的组G_1到G_M的每一个的开关SW1和开关SW2分别相应于图2的输出切换部分132_1到132_M和移位切换部分134_1到134_M。多通道半导体装置1100的配置和操作与图1的多通道半导体装置100的配置和操作相似,因此将省略对多通道半导体装置1100的操作的进一步描述以避免冗长。
图12是示出根据发明构思的实施例的用于驱动显示面板的半导体装置1200的框图。
参照图12,半导体装置1200是包括图像信号产生部分1210和图像信号输出部分1220的显示驱动器集成电路。图像信号产生部分1210包括移位寄存器部分1212、数据锁存器部分1214、电平移位部分1216和数字-模拟转换部分1218。移位寄存器部分1212控制数字图像数据DATA被连续存储到数据锁存器部分1214的操作的时序。移位寄存器部分1212对响应于时钟信号HCLK接收的水平开始信号DIO进行移位,并输出移位的水平开始信号。从时序控制器(未示出)发送的数字图像数据DATA响应于移位的水平开始信号被存储在数据锁存器部分1214中。
数据锁存器部分1214响应于移位的水平开始信号来接收并存储数字图像数据DATA,并当完成与一条水平线相应的数字图像数据的存储时响应于输出控制信号CLK1来输出存储的数字图像数据DATA。电平移位部分1216将从数据锁存器部分1214输出的数字图像数据的电压电平移位到相对高的电压电平。数字-模拟转换部分1218接收从电平移位部分1216输出的电压电平移位的数字图像数据,并响应于输出控制信号CLK1来输出与电压电平移位的数字图像数据相应的模拟对比度(contrast)信号。
图像信号输出部分1220包括输出缓冲器部分1222、通道切换部分1224和输出焊盘部分1226。输出缓冲器部分1222对从数字-模拟转换部分1218输出的模拟对比度信号进行缓冲,并输出缓冲的模拟对比度信号。作为连接到显示驱动器IC 1200之外的显示面板(未示出)的数据线的接口的输出焊盘部分1226包括多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘。从输出缓冲器部分1222输出的已缓冲的模拟对比度信号通过相应的输出焊盘部分被施加到显示面板(未示出)的数据线。
通道切换部分1224控制输出缓冲器部分1222与输出焊盘部分1226之间的电连接。图像信号输出部分1220还包括用于控制通道切换部分1224的控制部分1228。控制部分1228响应于输出使能信号OE2、移位使能信号SH_EN和移位开始脉冲SH_Start来产生用于控制通道切换部分1224的控制信号,即,输出使能信号OE1和移位脉冲SP_2到SP_M。图像信号输出部分1220可以是例如图1中示出的多通道半导体装置100。
图13是示出根据发明构思的实施例的显示装置1300的框图。
参照图13,显示装置1300包括显示面板1310、数据驱动部分1320、扫描驱动部分1330和时序控制器1340。数据驱动部分1320包括数据驱动器IC1320_1到1320_n。扫描驱动部分1330包括扫描驱动器IC 1330_1到1330_m。显示面板1310可以是例如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)或有机发光二极管(OLED)。在以下描述中,将假设显示面板1310是LCD。
显示面板1310包括以第一方向延伸的多条扫描线SL、以与第一方向垂直的第二方向延伸的多条数据线DL以及在扫描线SL与数据线DL交叉的交叉区域中配备的像素区域1312。像素区域1312包括像素,所述像素包括薄膜晶体管TFT、液晶电容器CLC和存储电容器Cst。
薄膜晶体管TFT响应于施加到相应的扫描线SL的驱动信号进行操作,并通过将经由相应的数据线DL提供的模拟对比度信号施加到像素电极来改变液晶电容器CLC的两端之间电场。通过经由上述操作改变液晶(未示出)的排列,可调节从背光(未示出)提供的光的透射率。
时序控制器1340接收从外部图形控制器(未示出)输入的图像信号。这些图像信号通常包括像素数据和控制信号(诸如,水平同步信号Hsync和垂直同步信号Vsync、主时钟CLK和数据使能信号DE)。此外,时序控制器1340根据显示面板1310的操作状况来对R、G和B像素数据进行处理,产生用于控制扫描驱动部分1330的第一控制信号和用于控制数据驱动部分1320的第二控制信号,并将第一控制信号和第二控制信号分别发送到扫描驱动部分1330和数据驱动部分1320。
第一控制信号通常包括用于开始栅极导通电压Von的输出的垂直开始信号STV、门时钟信号GCLK以及用于控制栅极导通电压Von的持续时间的输出使能信号OE。第二控制信号通常包括用于通知关于像素数据的传输开始的水平开始信号DIO、用于控制将模拟对比度信号施加到相应的数据线DL的输出控制信号CLK1以及时钟信号HCLK。
驱动电压产生部分(未示出)通过使用从外部电源装置提供的外部电源电压来产生用于对显示面板1310进行驱动的各种驱动电压。驱动电压产生部分从外部源接收第一电源电压并产生将被提供给数据驱动部分1320的第二电源电压、将被提供给扫描驱动部分1330的栅极导通电压Gon和栅极截止电压Goff以及将被提供给显示面板1310的共电压Vcom。
扫描驱动部分1330的扫描驱动器IC 1330_1到1330_m的每一个响应于在时序控制器1340中产生的垂直开始信号STV、门时钟信号GCLK和输出使能信号OE将在驱动电压产生部分中产生的栅极导通电压Gon和栅极截止电压Goff施加到相应的扫描线1360。通过该操作,能够导通相应的薄膜晶体管TFT以将从数据驱动部分1320的数据驱动器IC 1320_1到1320_n输出的模拟对比度信号中的每一个施加到相应的像素。扫描驱动器IC 1330_1到1330_m中的至少一个可由图1的多通道半导体装置100形成。
数据驱动器IC 1320_1到1320_n响应于用于控制数据驱动部分的控制信号(所述控制信号从时序控制器1340输出)来产生与数字图像数据相应的模拟对比度信号,并可随后将模拟对比度信号施加到显示面板的数据线DL。数据驱动器IC 1320_1到1320_n中的至少一个可由图1的多通道半导体装置100形成。
上述内容是实施例的说明,且不应被解释为其限制。虽然已经描述了若干实施例,但是本领域的普通技术人员将容易地理解,在实质上不脱离这些实施例的新颖的教导和优点的情况下可在实施例中作出多种改变。因此,所有这些修改意于包括在权利要求的范围内。

Claims (20)

1.一种多通道半导体装置,包括:
多个缓冲器组,每个缓冲器组包括至少一个输出缓冲器;
多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘;以及
通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接,
其中,所述多个焊盘组中的一个焊盘组在第一操作模式中输出缓冲器组中的一个缓冲器组的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。
2.如权利要求1所述的多通道半导体装置,其中,通道切换部分包括:
多个输出切换部分,控制相应的缓冲器组的至少一个输出端与相应的焊盘组的至少一个输出焊盘之间的连接;以及
多个移位切换部分,控制相应的焊盘组的至少一个输出焊盘与多个公共节点中的至少一个公共节点之间的连接。
3.如权利要求2所述的多通道半导体装置,其中,如果在第二操作模式中接通移位切换部分中的一个移位切换部分,则移位切换部分中的所述一个移位切换部分中将来自公共节点的信号发送到相应的焊盘组的多个输出焊盘,如果以在第二操作模式中接通所述多个移位切换部分中的其它移位切换部分的每一个,则所述其它移位切换部分的每一个将相应的缓冲器组的多个输出信号发送到多个公共节点。
4.如权利要求3所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,所述多个输出切换部分中的一个输出切换部分在与所述其它移位切换部分不同的时间接通。
5.如权利要求4所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,在预定时间期间连续接通所述一个输出切换部分和所述其它移位切换部分。
6.如权利要求5所述的多通道半导体装置,其中,至少在连续接通所述其它移位切换部分的时间段期间,所述一个输出切换部分处于接通状态。
7.如权利要求6所述的多通道半导体装置,其中,所述多个输出切换部分的每一个包括多个开关,每个开关具有连接到相应的输出缓冲器的一端以及连接到相应的输出焊盘的另一端,所述多个移位切换部分的每一个包括多个开关,每个开关具有连接到相应的输出焊盘的一端以及连接到相应的公共节点的另一端。
8.如权利要求7所述的多通道半导体装置,其中,所述一个输出切换部分的开关响应于第一输出使能信号被接通或断开,其它输出切换部分的开关响应于第二输出使能信号被接通或断开,所述一个移位切换部分的开关响应于移位使能信号被接通或断开,所述其它移位切换部分的开关响应于相应的移位脉冲被接通或断开。
9.如权利要求8所述的多通道半导体装置,还包括:控制部分,响应于移位使能信号、移位开始脉冲和第二输出使能信号来产生第一输出使能信号和多个移位脉冲。
10.如权利要求9所述的多通道半导体装置,其中,控制部分包括:
移位寄存器,响应于移位使能信号和移位开始脉冲来产生多个移位脉冲;以及
AND门,通过将第二输出使能信号与多个移位脉冲中的一个逻辑相乘来产生第一输出使能信号。
11.如权利要求10所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,在预定时间期间,第二输出使能信号处于高逻辑电平,移位使能信号处于高逻辑电平,移位开始脉冲处于高逻辑电平,随后多个移位脉冲在预定时间期间连续处于高逻辑电平。
12.一种包括多个输出通道的多通道半导体装置,其中,所述多个输出通道中的每一个包括:
输出焊盘;
输出缓冲器,产生输出信号;
第一开关,控制输出缓冲器与输出焊盘之间的连接;以及
第二开关,控制输出焊盘与N个公共节点中相应的公共节点之间的连接,
其中,所述多个输出通道被划分为多个组,每个组包括至少一个输出通道,所述多个组中的一个组的输出焊盘在多通道半导体装置的测试模式下连续输出所述多个组的输出信号。
13.如权利要求12所述的多通道半导体装置,其中,在测试模式中,分别响应于连续激活的移位脉冲来连续接通所述多个组中的其它组的第二开关。
14.如权利要求13所述的多通道半导体装置,其中,至少在连续接通所述其它组的第二开关的时间段期间,所述一个组的每个第二开关处于接通状态。
15.一种显示装置,包括:
显示面板;以及
显示驱动器集成电路,所述显示驱动器集成电路包括:
多个缓冲器组,每个缓冲器组包括多个输出缓冲器;
多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘,所述至少一个输出焊盘被配置用于将图像数据发送到显示面板;以及
通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接,
其中,所述多个焊盘组中的一个焊盘组在第一操作模式中输出缓冲器组中的一个缓冲器组的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。
16.如权利要求15所述的显示装置,其中,显示面板包括液晶显示器。
17.如权利要求15所述的显示装置,其中,通道切换部分包括:
多个输出切换部分,控制相应的缓冲器组的至少一个输出端与相应的焊盘组的至少一个输出焊盘之间的连接;以及
多个移位切换部分,控制相应的焊盘组的至少一个输出焊盘与多个公共节点中的至少一个公共节点之间的连接。
18.如权利要求17所述的显示装置,其中,如果在第二操作模式中接通移位切换部分中的一个移位切换部分,则移位切换部分中的所述一个移位切换部分将来自公共节点的信号发送到相应的焊盘组的多个输出焊盘,如果在第二操作模式中接通所述多个移位切换部分中的其它移位切换部分的每一个,则所述其它移位切换部分的每一个将相应的缓冲器组的多个输出信号发送到多个公共节点。
19.如权利要求18所述的显示装置,其中,在第二操作模式中,所述多个输出切换部分中的一个输出切换部分在与所述其它移位切换部分不同的时间接通。
20.如权利要求19所述的显示装置,其中,在第二操作模式中,在预定时间期间连续接通所述一个输出切换部分和所述其它移位切换部分。
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