CN102544206A - 一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；含有以下步骤：清洗制绒槽：用纯水反复的清洗槽体冲洗掉槽中的杂质，如果没有清洗到中性，会极大的影响到制绒结果，影响制绒外观和电性能；确定混醇比例：确定制绒时候的混醇比例为(重量配比)：乙醇0.5；异丙醇0.8；甘油1.2；：异丁醇0.6；提高槽体内温度到75℃：制造绒面，形成金字塔；制绒25分钟：保证金字塔的生长与形成；使用QDR快排清洗方式清洗：清洗表面残液防止药液残留；经过正常的其他段工艺扩散、PECVD、丝印后观察绒面和效率。

Description

一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法
技术领域
本发明涉及一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，属于太阳电池制造技术领域。
背景技术
太阳能电池制绒段通过制造金字塔来提高光的陷光率，常规的制绒工艺使用氢氧化钠、异丙醇、硅酸钠为制绒体系，其中异丙醇有利于绒面金字塔生成的作用。但是异丙醇存在刺激气味大、挥发性强、工艺窗口过小、制绒后金字塔不均匀、陷光率低的不足，而本发明中提到的混醇工艺，它具有无明显刺激气味、可长久稳定保存、增加工艺窗口、提高电性能的优点，具体由以下几点说明：
(1)在混醇比例中有甘油加入，甘油的味道可以掩盖异丙醇和丁醇的味道，且甘油对人没有负面影响，利于生产使用；
(2)混醇的分子系数大于单纯异丙醇体系分子系数，可以更加稳定的保存不易挥发。
(3)混醇同样有表面活性剂用途，制绒过程中可以减缓气泡溢出的时间。对制绒反应本身而言，它能提供反应中所需的-OH，对制绒反应很强的促进作用，加速制绒反应(这是在短时间让绒面制成与稳定的保证)，但是制绒过程中由于气泡溢出减缓，金字塔会向深、小方面发展，更加有利光的吸收，降低反射率从而提高电性能。
传统工艺的金字塔均匀性很低，随温度的变化，深度以及个数都有不同；电性能受到很大的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法。
本发明的目的是使用混醇替代异丙醇，通过溶液配比，增加工艺窗口，提高电性能；提高金字塔的均匀性，大幅度提高金字塔的质量。
本发明的目的通过以下的技术予以实现：
一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；含有以下步骤：
(1)清洗制绒槽：用纯水反复的清洗槽体冲洗掉槽中的杂质，如果没有清洗到中性，会极大的影响到制绒结果，影响制绒外观和电性能；
(2)确定混醇比例：确定制绒时候的混醇比例为(重量配比)：
乙醇0.3-0.5；
异丙醇0.8-1.5；
甘油1.2-2.1；
异丁醇0.6-0.8；
(3)提高槽体内温度到75℃：制造绒面，形成金字塔；
(4)制绒25分钟：保证金字塔的生长与形成；
(5)使用QDR快排清洗方式清洗：清洗表面残液防止药液残留；
(6)经过正常的其他段工艺扩散、PECVD、丝印后观察绒面和效率。
本发明步骤(1)中所诉的清洗制绒槽工艺清洗次数为1-10次，直到清洗到中性。如果有残液残留，会直接影响到电池片的外观和最终电性能。
本发明步骤(2)中所诉的混醇比例为：
乙醇0.3-0.5；
异丙醇0.8-1.5；
甘油1.2-2.1；
异丁醇0.6-0.8；
如果没有在合适的配比内，电池片没有绒面，没有金字塔。
本发明步骤(3)中所诉的制绒槽温度为50-100℃。如果没有在合适的温度内，电池片绒面会不均匀，金字塔大小偏差大，影响折射率。
本发明步骤(4)中所诉的制绒时间为10-30mins。如果没有在合适的制绒时间内，不会形成金字塔，或者是金字塔过腐蚀，影响最终电性能.
本发明步骤(5)中所诉的QDR清洗次数为1-10次，时间为80-400s。混醇是弱碱性溶剂，如果没有有效的清洗去除制绒后的残液，将会对后段的生产有很大的负面影响。
与传统氢氧化钠、硅酸钠、异丙醇体系相比较，本发明金字塔深度能在1-5微米，金字塔覆盖面积95％以上，最终电性能能提高0.2％-0.25％。
具体实施方式
本发明实施例1：种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；包括以下的步骤：
(1)反复清洗制绒槽至中性；
(2)配制溶液；含有氢氧化钠1500g，硅酸钠800g-850g和按照组分重量比配制溶液：
乙醇0.5；异丙醇1.5；甘油1.2；异丁醇0.6；
(3)75℃；
(4)反应时间20mins；
(5)使用QDR(纯水)快排喷淋清洗，在6秒内排清纯水，清洗硅片表面附着物和制绒残液，喷淋清洗200s再提出；
(6)取出硅片后烘干，观察绒面以及称重检测；
(7)正常工艺扩散，PECVD，丝印后观察绒面和电性能。
本发明实施例2
本发明实施例2：一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；包括以下的步骤：
(1)反复清洗制绒槽至中性；
(2)配制溶液；
含有1500g氢氧化钠，800g硅酸钠和按照下面组分重量比配制：
乙醇0.5；异丙醇1.5；甘油1.2；异丁醇0.6；
(3)80℃；
(4)反应时间15mins；
(5)使用QDR(纯水)快排喷淋清洗，在6s内排清纯水，清洗硅片表面附着物和制绒残液，喷淋清洗150s再提出；
(6)取出硅片后烘干，观察绒面以及称重检测；
(7)正常工艺扩散，PECVD，丝印后观察绒面和电性能。
显然，本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。
如上所述，对本发明的实施例进行了详细地说明，但是只要实质上没有脱离本发明的发明点及效果可以有很多的变形，这对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，这样的变形例也全部包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；其特征在于含有以下步骤：
(1)清洗制绒槽：用纯水反复的清洗槽体冲洗掉槽中的杂质，如果没有清洗到中性，会极大的影响到制绒结果，影响制绒外观和电性能；
(2)确定混醇比例：确定制绒时候的混醇比例为(重量配比)：
乙醇0.3-0.5；
异丙醇0.8-1.5；
甘油1.2-2.1；
异丁醇0.6-0.8；
(3)提高槽体内温度到75℃：制造绒面，形成金字塔；
(4)制绒25分钟：保证金字塔的生长与形成；
(5)使用QDR快排清洗方式清洗：清洗表面残液防止药液残留；
(6)经过正常的其他段工艺扩散、PECVD、丝印后观察绒面和效率。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，其特征在于步骤(1)中清洗制绒槽反复的清洗，清洗掉槽体内的杂质以及上次制绒残留。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，其特征在于步骤(3)中所诉的制绒槽温度为50-100℃。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，其特征在于步骤(4)中所诉的制绒时间为10-30mins。
5.根据权利要求1所述的一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，其特征在于步骤(5)中所诉的QDR清洗次数为1-10次，清洗时间为80-400s。
6.根据权利要求1所述的一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法，其特征在于步骤(1)中所诉的清洗制绒槽工艺清洗次数为1-10次。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2010100185A1 (de) * 2009-03-03 2010-09-10 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, behandlungsflüssigkeit dafür und verwendung
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