CN102543220A - 一种开屏式高散热体及其实现方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种开屏式高散热体及其实现方法,属于散热器件领域。其实现方法包括:步骤1,在低温环境中开屏式高散热体处于闭合状态;步骤2,当环境温度升高,达到触发记忆枢向展开方向进行转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式打开;步骤3,当环境温度降低,达到触发记忆枢向闭合方向转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式闭合;步骤4,当环境变化再次改变的情况下,重复前述的步骤2或步骤3。本发明利用了高散热膜这种散热材料,并通过记忆枢实现了散热功能,增强了其散热效率。

Description

一种开屏式高散热体及其实现方法
技术领域
本发明属于散热器件领域。
技术背景
电子产品、机械、电力、通信、化工等诸多领域,在产品的加工、生产的过程中,以及使用的过程中,都会产生数量不同的热量。而且,所产生的热量如果不能得到有效散发的话,则会对产品的加工及使用,均有可能造成影响。
目前,各种各样的散热材料已经广泛使用。不同类型的散热材料,会具有不同的性能,比如说,金属材料的导热性能良好,特别是其中的一部分金属材料,如铜、铝、银等,其导热性尤其良好。利用这些金属制成的散热器,比如铜质的散热器、铝质的散热器,也得到普遍应用。
下面列举一下常用的一些散热材料的热导率性能:
铝:237W/m·K;
铜:401W/m·K;
银:420W/m·K;
金:318W/m·K。
因为价格因素,当前使用的绝大多数散热器,是采用铜质材料或者铝制材料来制造的;但有一些特殊场所,也使用银质或金质材料,来用作散热材料。散热器的形状与结构、尺寸等,根据不同的应用场合互有不同。比如,各种CUP上使用的散热器,以及电路板上使用的散热器,大多是具有波浪形散热沟槽的散热器件。虽然上述的金属作为散热材料比较常见,但是其散热性还是比较低,随着具有高散热性能的膜材料的出现,用其制造的散热器材越来越向其进行靠拢。在本发明中就应用了这种具有高散热性能的膜材料。利用碳成分所制作的高散热石墨膜,具有很高的散热能力,可以达到:1500~1750W/m·K。而目前作为研究热点的石墨烯材料,则具有更加强大的散热能力,其热导率约为5000W/m·K。如此高散热率的膜材料,为各种的产品中的散热器材,提供了新的选择。
在本发明中,应用上述的具有高散热性能的膜材料作为散热材料,并通过记忆合金控制其散热功能的实现,增强了其散热性能。
发明内容
本发明的目的,是提供一种开屏式高散热体及其实现方法。本发明利用高散热膜作为散热材料,同时利用记忆枢作为散热体的触发开关,有效的提高了散热性能。
一种开屏式高散热体包括有记忆枢,以及一端设置在记忆枢上的两个及两个以上的散热页面,所述的散热页面上设置有高散热膜,该散热页面通过记忆枢的转动方式展开。
进一步,本发明所述的一种开屏式高散热体还具有如下技术特征:
所述的高散热膜采用高散热石墨膜和石墨烯膜二者其一。
所述的高散热石墨膜的厚度在1微米~300微米之间。
所述的散热页面还包括有用于固定高散热膜的膜支架。
所述的膜支架为金属结构,其表面设置有导热陶瓷薄膜。
高散热石墨膜的固定方式为贴附在膜支架上,或者夹在膜支架上。
所述的记忆枢的结构是记忆合金结构。
所述的记忆合金为镍钛合金、金铬合金、铜锌合金中的至少其一。
靠近着记忆枢位置的散热页面部分,高散热膜延长于膜支架之外。
在散热页面的最外侧,设置有和记忆枢相连接的侧保护层。
一种开屏式高散热体的实现方法,其特征在于该方法包括如下步骤:
步骤1,在低温环境中,开屏式高散热体处于闭合状态;
步骤2,当环境温度升高,达到触发记忆枢向展开方式进行转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式打开;
步骤3,当环境温度降低,达到触发记忆枢向闭合方式转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式闭合;
步骤4,当环境变化再次改变的情况下,重复前述的步骤2或步骤3。
进一步,本发明所述的一种开屏式高散热体的实现方法还具有如下技术特征:
所述的高散热膜采用高散热石墨膜和石墨烯膜二者其一。
所述的记忆枢的结构是记忆合金结构。
所述的记忆合金结构采用镍钛合金、金铬合金、铜锌合金中的至少其一。
附图说明
图1是本发明所述的开屏式高散热体的结构示意图。
图2是本发明所述的高散热石墨膜的固定方式的示意图。
图3是本发明所述的方法的流程图。
具体实施例
针对于本发明主要功能的描述:
本发明所述的开屏式散热体通过记忆枢控制该其散热功能的实现,当环境温度发生变化时,触发记忆枢向展开或闭合方式转动,进而将设置在记忆枢上的散热页面打开或者闭合,同时设置在散热页面上的高散热膜将热量导出,实现高散热功能。
下面通过举例对本发明进行描述。
参照图1所示,这儿展示的是开屏式高散热体的结构示意图。该开屏式高散热体包括有记忆枢100和设置在记忆枢100上的三个散热页面200。其中的记忆枢100采用记忆合金,比如镍钛合金、金铬合金、铜锌合金中的至少其一;散热页面200包括高散热膜300以及用于固定高散热膜300的膜支架400,高散热膜300采用高散热石墨膜或者石墨烯膜。在本实施例中,高散热膜采用高散热石墨膜,它的重量轻,其导热系数为1500~1750W/m K,是本发明优选的高散热材料,优选的高散热石墨膜的厚度在1微米~300微米之间。
在散热页面的最外侧,设置有和记忆枢100相连接的侧保护层201,其材质可以采用金属板,比如,铁板、铜板、铝板等等;或者采用非金属板,比如陶瓷板。它是用于保护散热页面200上的膜支架400以及高散热膜300的结构。在侧保护层201的内壁上,还可以贴附有高散热膜300。
所述的膜支架400为金属结构,其材质可为铝、铜、镁、钛、锌等或者由前述金属组成的具有高导热材料制成,用于快速导热,并将热量传递到高散热膜300上。在本实施例中,膜支架采用铝金属制成的基材。膜支架400可以是上述金属材料制成的金属框,将高散热膜300贴附在金属框上,或者在膜支架400上设置开口,将高散热膜300夹在膜支架400上。在膜支架400的表面设置有导热陶瓷薄膜401,它以溅镀的方式形成于膜支架400上,进而形成一层阻隔空气的绝缘层,用以防止膜支架400氧化,同时还可以提高膜支架400的寿命。
需要说明的是,由于膜支架400采用的是金属材质,也具有强导热性,因此,可以将通过膜支架400向高散热膜300传递热量而实现散热的功能。还有一种方式,由于高散热石墨膜的导热性很高,如果直接通过高散热石墨膜与记忆合金接触,无疑也是一种实现高散热的方法。如图2所示,展示的是高散热石墨膜的固定方式的示意图。在本实施例中,将高散热膜300固定于膜支架400上时,在靠近记忆枢100的一侧,使高散热膜300的边缘比膜支架400的边缘长一些,多出一部分的膜余出量301,也就是说,将高散热膜延长到膜支架400的外侧,使得高散热膜300与记忆枢100相接触,增强高散热膜300的散热效率。如图中所示,将热源500贴着记忆枢100设置时,当热源的温度发生改变时,达到触发记忆枢100向展开或闭合方式转动的温度时,带动设置在记忆枢100上的散热页面200打开或者闭合,同时当散热页面200处于打开状态时,由热源500传递的热量通过高散热膜300导出,从而达到高散热的效果。
结合着附图,对本发明中所述的开屏式高散热体的实现方法做详细描述。
如图3所示,展示的是开屏式高散热体的实现方法的流程图。
本发明所描述的开屏式高散热体的实现方法,包括如下步骤:
步骤1,在低温环境中,开屏式高散热体处于闭合状态;
步骤2,当环境温度升高,达到触发记忆枢向展开方向进行转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式打开;
步骤3,当环境温度降低,达到触发记忆枢向闭合方向转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式闭合;
步骤4,当环境变化再次改变的情况下,重复前述的步骤2或步骤3。
在该方法中,所述的记忆枢的结构是记忆合金结构,采用镍钛合金、金铬合金、铜锌合金中的至少其一。记忆合金的记忆温度是不同的,例如,镍钛合金的记忆温度是40℃;铜锌合金的记忆温度是100℃。针对于不同的记忆枢,该开屏式散热体打开和闭合的温度条件是不同的,也就是说触发该开屏式散热体实现散热功能的条件是不同的。在低温环境中,开屏式散热体是处于闭合状态,记忆枢处于稳定状态,当温度高于记忆枢的记忆温度时,记忆枢的形态发生变化,导致散热页面处于打开状态,实现散热功能;当温度降低到记忆温度时,记忆枢变回原来的稳定状态,导致散热页面处于闭合状态。总之,在开屏式散热体的实现过程中,记忆枢相当于是触发开关,触发开屏式散热体是否实现散热的作用。
以上是对本发明的描述而非限定,基于本发明思想的其它实施例,亦均在本发明的保护范围之中。

Claims (13)

1.一种开屏式高散热体,其特征在于:该开屏式高散热体包括有记忆枢,以及一端设置在记忆枢上的两个及两个以上的散热页面,所述的散热页面上设置有高散热膜,该散热页面通过记忆枢的转动方式展开。
2.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的高散热膜采用高散热石墨膜和石墨烯膜二者其一。
3.根据权利要求2所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的高散热石墨膜的厚度在1微米~300微米之间。
4.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的散热页面还包括有用于固定高散热膜的膜支架。
5.根据权利要求4所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的膜支架为金属结构,其表面设置有导热陶瓷薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:高散热石墨膜的固定方式为贴附在膜支架上,或者夹在膜支架上。
7.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的记忆枢的结构是记忆合金结构。
8.根据权利要求7所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:所述的记忆合金采用镍钛合金、金铬合金、铜锌合金中的至少其一。
9.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:靠近着记忆枢位置的散热页面部分,高散热膜延长于膜支架之外。
10.根据权利要求1所述的一种开屏式高散热体,其特征在于:在散热页面的最外侧,设置有和记忆枢相连接的侧保护层。
11.一种开屏式高散热体的实现方法,其特征在于该方法包括如下步骤:
步骤1,在低温环境中,开屏式高散热体处于闭合状态;
步骤2,当环境温度升高,达到触发记忆枢向展开方式进行转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式打开;
步骤3,当环境温度降低,达到触发记忆枢向闭合方式转动的情况下,设置在记忆枢上的散热页面通过转动的方式闭合;
步骤4,当环境变化再次改变的情况下,重复前述的步骤2或步骤3。
12.根据权利要求11所述的一种开屏式高散热体的实现方法,其特征在于:所述的高散热膜采用高散热石墨膜和石墨烯膜二者其一。
13.根据权利要求11所述的一种开屏式高散热体的实现方法,其特征在于:所述的记忆枢的结构是记忆合金结构。
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