CN102543210B - 闪存错误检查及纠正修复方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的闪存错误检查及纠正修复方法包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域；在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效。当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤。当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤。当第四判断步骤中判断冗余扇区失效时利用冗余扇区来进行修复。

Description

闪存错误检查及纠正修复方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种闪存错误检查及纠正修复方法。
背景技术
半导体存储器件(例如闪存)不断地朝着高集成度和高容量存储单元的方向发展。在闪存设计中，通常采用各种错误检查及纠正修复方法来提高闪存芯片的成品率。
在现有的闪存错误检查及纠正修复方法中，有时候仅仅能够进行错误检查，而不能及时地进行错误纠正修复；或者，虽然有些方法能够进行错误纠正修复，但是其错误检查能力有限，而错误纠正修复只能纠正那些有限的能够检查出来的错误，从而也造成了闪存的成品率的下降。
从而，现有的闪存错误检查及纠正修复方法很难使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。
因此，希望能够提供一种系统性的有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种系统性的能够有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法。
根据本发明，提供了一种闪存错误检查及纠正修复方法，其包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；
应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；
第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；
其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域。
优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效。
优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤。
优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤。
优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第四判断步骤中判断冗余扇区未失效时利用冗余扇区来进行修复。
优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：在利用冗余扇区来进行修复之后还进行读取检测。
根据本发明的闪存错误检查及纠正修复方法是一种系统性的能够有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法，其可使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示出了根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法的流程图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示出了根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法的流程图。
如图1所示，根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法可包括如下步骤：
在步骤S1(晶圆级测试步骤)中，对闪存进行晶圆级测试，并使之通过晶圆级测试；并且还对闪存进行晶圆级测试，并使之通过判断闪存是否通过封装级测试，例如可对闪存进行扇区修复以使闪存通过封装级测试。
在步骤S2(应用步骤)中，将闪存应用至特定应用领域。例如，可将闪存应用至汽车电子等高质量、高可靠性领域，可将闪存作为嵌入式闪存，例如汽车电子系统中的的嵌入式闪存。
在步骤S2之后，在步骤S3(第一判断步骤)中判断是否有擦除动作。具体地说，对闪存芯片，闪存块，闪存扇区均进行这种判断。
如果步骤S3的判断是肯定的，则在步骤S4必须读取整个擦除区域。
随后，在步骤S5(第二判断步骤)中判断行是否有读取失效。
当步骤S5的判定结果是肯定的时候(即，当步骤S4的判定结果为“有读取失效”)，在步骤S6(第三判断步骤)中判断是否有行失效；具体地说，作为示例，例如可以在同一行的失效字节数量大于10时确定有行失效。
如果步骤S6的判断是肯定的，则在步骤S7(第四判断步骤)中判断检测冗余扇区是否失效。
如果步骤S7的判断是否定的，则在步骤S8中利用冗余电路(具体地说，可以是冗余扇区)来进行修复，并优选地进行读取检测。随后在步骤S9中执行下一步正常操作。冗余电路(例如冗余扇区)具有将闪存中的缺陷存储单元替换为备用存储单元阵列内的冗余存储单元的功能。具体地说，当某个扇区中的某个存储单元存在缺陷时，该扇区将被冗余电路中的一个冗余单元整体替换。
如图1所示，其中利用虚线框出的上述步骤S3至步骤S9示出了本发明的有利特征，根据这些特征，可使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。
另一方面，当步骤S3的判定结果是否定的时候，在步骤S10中判断是否有读取失效。如果没有读取失效，则在步骤S13中执行下一步正常操作。如果存在读取失效，则在步骤S11中判断是否能使用校验和纠错码进行修复。
如果步骤S11中的判断结果是否定的，则在步骤S12中系统给出报错信息并使系统进入安全模式运行。
如果步骤S11中的判断结果是肯定的，则在步骤S14中使用校验和纠错码进行修复，并进行检测。随后流程进入步骤S13以执行下一步正常操作。
上述闪存错误检查及纠正修复方法是一种系统性的能够有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法，其可使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。
上述根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法尤其适用于嵌入式闪存，尤其是满足汽车电子质量和要求的嵌入式闪存。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (2)

1.一种闪存错误检查及纠正修复方法，其特征在于包括：
初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；
应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；
第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；
其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域；
在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效；
当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤；
当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤；
当第四判断步骤中判断冗余扇区未失效时利用冗余扇区来进行修复。
2.根据权利要求1所述的闪存错误检查及纠正修复方法，其特征在于，其中在利用冗余扇区来进行修复之后还进行读取检测。
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