CN102529460A - 存储芯片及其在间隙供电时的充电控制方法、耗材容器、成像设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种存储芯片，包括电子模块，该电子模块包括通讯部分、与通讯部分连接的集成电路部分、与集成电路部分连接的电源控制部分及与电源控制部分连接的第一蓄电单元，电源控制部分包括充电控制单元、第二蓄电单元及开关切换单元，开关切换单元用于与外部供电电源及第二蓄电单元连接；充电控制单元用于与外部供电电源及第一蓄电单元连接；电源控制部分还包括与开关切换单元连接的备用电源控制单元；本发明还提供了一种在间隙供电时的充电控制方法，设置有上述存储芯片的耗材容器及成像设备；采用本发明，能在外部间隙式供电时，保证存储芯片中存储单元的数据不被丢失。

Description

存储芯片及其在间隙供电时的充电控制方法、耗材容器、成像设备

技术领域

本发明涉及一种存储芯片及其在间隙供电时的充电控制方法，具体地说，涉及一种用于耗材容器的存储芯片及其间隙供电时的充电控制方法，本发明还涉及具有上述存储芯片的耗材容器、成像设备。

背景技术

本发明所说的成像设备是指将文字、图案等电信号转换为在纸张等介质上形成可视图像的设备，例如喷墨类或激光类的打印机、复印机、传真机及多功能一体机。

常用的两种打印机是喷墨打印机和激光打印机，喷墨打印机使用容纳有墨水的墨盒作为耗材容器向打印机提供打印用的墨水，以在纸张上形成需要打印的文字或图案；激光打印机则使用容纳有碳粉的碳粉盒作为耗材容器向打印机提供打印用的碳粉，以在介质上形成需要打印的文字或图案，复印机、传真机及多功能一体机的成像原理、使用耗材容器等与打印机基本相同。本发明所说的耗材是指墨水或碳粉。

如图1所示，耗材容器的壳体上一般都安装有存储芯片13，存储芯片13具有一块基板16，在基板16上安装有电子模块17，电子模块17用于存储与成像设备通讯所需的数据、实现与成像设备之间的通讯操作，其中包括接收成像设备信号及电能的通讯部分和集成电路部分，通讯部分一般是电触点或感应线圈，集成电路部分中包括有一个存储单元和一个控制单元，该存储单元中存储与耗材容器相关的数据和打印过程中产生的数据，包括：耗材容器厂家代码、耗材容器生产日期、耗材容器型号、总打印量、已消耗打印页数、耗材容器内耗材余量、耗材容器的初始打印时间、上一打印操作时间等，控制单元与存储单元连接，用于控制存储单元的数据存取操作。 

当耗材容器安装到成像设备上时，成像设备会读取存储芯片13存储单元中的数据并与成像设备自身存储的数据进行比较，判断该耗材容器是否适用于该台成像设备；在工作过程中，成像设备还会实时读取或写入存储芯片13中存储单元的打印相关数据，当耗材耗尽时，成像设备提示更换耗材容器，防止成像设备在缺少耗材的情形下进行打印工作。成像设备关机或在成像设备的工作过程中，均会出现对存储芯片13停止供电的情况，因此，存储芯片13必须具备在停止供电的情况下仍能继续保存数据，完成数据存储的功能，因此，大部分的存储芯片13的存储单元中都采用非易失性存储器，如EEPROM作为存储单元，然而EEPROM的写入速度较慢，必须将待写入地址擦除，然后才能进行数据写入操作。为了提高存储芯片13的写入速度，存储芯片13的存储单元常常同时包括有非易失性存储器（EEPROM）和易失性存储器（SRAM），并在存储芯片13的电子模块17中设置电源控制单元和第一蓄电单元，如图2所示，常用的蓄电单元是电容，图2中采用电容C1作为第一蓄电单元。当成像设备给存储芯片13供电时，将非易失性存储器中的数据传送到易失性存储器中，成像设备对非易失性存储器的读写操作实际转化为对易失性存储器的读写操作；当成像设备停止供电时，电源控制单元将存储芯片13的供电电源切换到电容C1，由电容C1继续给易失性存储器供电。然而，若外部的成像设备是进行间隙式供电，即：每次供电（检验）的时间在几十~几百微秒，接着在几十微秒或几十毫秒之间短时间掉电，之后又开始下一轮的数据通讯，由于电容C1容量较大以满足给存储芯片13供电的需求，且从成像设备到存储芯片13之间一般都设置有限流电阻，以防止电流过大损坏存储芯片13，因此，短时间内不能将电容C1充满电；当成像设备停止供电时，由于电容C1没有充满电，不能满足易失性存储器中将数据读写操作执行完毕的电量需求。

为了解决上述作为蓄电单元的电容C1在成像设备采用间隙式供电时不能在间隙供电期间被充满电的问题，有些存储芯片13在电源控制单元的输出端口VCC增加一个电容量较小的第二蓄电单元（电容C2）及充电控制部分作为电源控制单元的组成部分，如图3所示，设置充电控制单元控制VDD给电容C1单向充电，设置两个PMOS管Q1和Q2作为电容C1和电容C2的切换开关，利用比较器U0比较成像设备供电端VDD与电容C1端V_BAT的电压，当成像设备VDD对存储芯片13停止供电时，存储芯片13的集成电路部分由电容C2供电，上述方案虽然能在成像设备VDD采用间隙式供电时，交替采用电容C1和电容C2给存储芯片13供电，然而，当成像设备VDD掉电时，比较器U0输出高电平，此时PMOS管Q1关闭，PMOS管Q2导通，VDD短时间供电，由于电容C1未充满电，电容C2已充满，此时，电容C2经过PMOS管Q2向电容C1放电，使得VCC的电源很快下降到很低，仍然造成了存储单元中易失性存储器的数据丢失。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种在外部间隙供电时确保易失性存储器中数据不被丢失的存储芯片，以弥补上述现有技术的不足。

为实现上述目的，本发明提供的存储芯片包括电子模块，该电子模块包括通讯部分、与通讯部分连接的集成电路部分、与集成电路部分连接的电源控制部分及与电源控制部分连接的第一蓄电单元，该电源控制部分包括充电控制单元、第二蓄电单元、开关切换单元及备用电源控制单元，开关切换单元用于与外部供电电源及第二蓄电单元连接，充电控制单元用于与外部供电电源及第一蓄电单元连接，备用电源控制单元与开关切换单元连接。

由上方案可见，由于存储芯片的电子模块内设置有备用电源控制单元，当成像设备的外部供电电源对存储芯片供电时，备用电源控制单元控制关断所述第一蓄电单元和第二蓄电单元之间的通路，使得成像设备的外部供电电源对第一蓄电单元和第二蓄电单元充电，先充满电的蓄电单元不能通过二者间的通路向另一蓄电单元放电；当成像设备的外部供电电源对存储芯片掉电时，备用电源控制单元判断掉电时间是否短于第二蓄电单元维持该存储芯片供电时间的三分之一、并比较第一蓄电单元和第二蓄电单元的电压大小，若掉电时间短于第二蓄电单元供电时间的三分之一或第一蓄电单元的电压小于第二蓄电单元的电压，控制关断第一蓄电单元和第二蓄电单元之间、以及第二蓄电单元及外部供电电源的通路，使得外部供电电源短时间掉电、或第一蓄电单元的未能充满时，利用第二蓄电单元对该存储芯片进行供电，否则，控制利用第一蓄电单元对存储芯片进行供电；如此，可在成像设备的外部供电电源对存储芯片进行间隙式供电的情况下，保证给存储芯片供电的稳定性，进而确保其存储单元中的数据不被丢失。

其进一步技术方案是，备用电源控制单元包括互连的比较部分和控制部分，比较部分包括第一比较器和第二比较器，第一比较器用于与外部供电电源及第一蓄电单元连接，第二比较器与第一蓄电单元及第二蓄电单元连接，控制部分包括掉电延迟单元和逻辑门单元，掉电延迟单元用于与外部供电电源及逻辑门单元连接，逻辑门单元与比较单元连接。

由上方案可见，备用电源控制单元中采用比较部分，可以对第一蓄电单元及第二蓄电单元的电压进行比较，还可以对第一蓄电单元及外部供电电源的电压进行比较，以判断是否关断第一蓄电单元与第二蓄电单元之间的通路，控制部分能够根据比较部分的结果，作出关断或打开第一蓄电单元和第二蓄电单元之间通路的控制命令；由此，确保在成像设备间隙式供电的情况下，仍旧保证对存储芯片的稳定供电，防止存储单元中的数据丢失。

本发明的另一目的是提供了一种存储芯片在间隙供电时的充电控制方法，该存储芯片的结构如上方案所述，该控制方法是：在外部供电电源上电时：备用电源控制单元控制开关切换单元来打开外部供电电源及第二蓄电单元之间的通路、并关断第一蓄电单元与第二蓄电单元之间的通路；在外部供电电源掉电时：备用电源控制单元判断掉电时间是否短于第二蓄电单元供电时间的三分之一，并比较第一蓄电单元及第二蓄电单元的电压大小，若掉电时间短于供电时间的三分之一，或第一蓄电单元的电压小于第二蓄电单元时，备用电源控制单元控制开关切换单元关断外部供电电源及第二蓄电单元之间、以及第一蓄电单元及第二蓄电单元之间的通路；当掉电时间长于等于供电时间的三分之一且第一蓄电单元的电压大于等于第二蓄电单元时，备用电源控制单元控制开关切换单元来关断外部供电电源及第二蓄电单元之间的通路、并打开第一蓄电单元及第二蓄电单元之间的通路。

由上方案可见，通过备用电源控制单元控制开关切换单元，对第一蓄电单元和第二蓄电单元之间、以及外部供电电源及第二蓄电单元之间的通路打开或关断，使得成像设备的外部供电电源对存储芯片间隙式供电时，对第一蓄电单元和第二蓄电单元进行充电，不会发生充满电后蓄电单元向低电压位置放电的情况，当成像设备的外部供电电源短时间掉电时，采用充满电的蓄电单元对存储芯片供电，因此，保证对存储芯片的稳定供电，确保其存储单元中的数据不被丢失。

本发明的又一目的是提供一种耗材容器，包括壳体，壳体围成容纳耗材的腔体，壳体的外壁上安装有如上所述的存储芯片。

本方案所提供耗材容器由于安装有如上存储芯片，因此，可以在成像设备处于供电电源间隙式供电的情况下，仍能确保对存储芯片的稳定供电，保证存储单元中的数据不会因此而丢失。

本发明的又一目的是提供一种成像设备，包括成像单元和耗材容器，耗材容器上安装有如上所述的存储芯片。

成像设备上的耗材容器上设置有如上所述的存储芯片，成像设备对该存储芯片间隙式供电时，存储芯片中的数据不会丢失。

附图说明

图1是现有存储芯片的逻辑结构示意图。

图2是现有存储芯片中电子模块的逻辑结构示意图。

图3是现有存储芯片中电源控制单元、蓄电单元及成像设备的连接示意图。

图4是本发明存储芯片实施例的逻辑结构示意图。

图5是本发明存储芯片实施例之电子模块的逻辑结构示意图。

图6是本发明存储芯片实施例之电源控制单元与第一蓄电单元及激光打印机的连接示意图。

图7是本发明存储芯片实施例之备用电源控制单元的结构示意图。

图8是本发明碳粉盒实施例的示意图。

图9是本发明打印机实施例的示意图。

下面结合附图和实施例对本发明进一步进行说明。

具体实施方式

存储芯片实施例

本发明提供的存储芯片23用于碳粉盒，参见图4及图5，该存储芯片23包括基板26、安装于基板26上的电子模块27，电子模块27包括通讯部分、与通讯部分连接的集成电路部分、与集成电路部分连接的电源控制部分，以及与电源控制部分连接、作为第一蓄电单元的电容C1，本例中，电触点作为通讯部分用于接收激光打印机信号及电能，集成电路部分包括：控制单元和存储单元，存储单元用于存储与激光打印机进行数据通讯所需的数据，其中包括碳粉的参数信息、打印过程的使用状态信息等，上述信息可被控制单元进行读访问和写访问，从而可以实现激光打印机对碳粉盒的识别和使用过程状态的记录，控制单元与存储单元连接，控制单元是该存储芯片23与激光打印机通讯的控制核心，用于控制存储单元的读写操作，控制单元中包括和激光打印机的通讯协议、编码和解码协议，甚至密钥认证协议等，上述结构与现有存储芯片13的结构相类似，区别在于，本例中的电源控制部分包括充电控制单元、作为第二蓄电单元的电容C2、开关切换单元及备用电源控制单元，其具体结构参见图6及图7，开关切换单元用于与外部供电电源VDD及电容C2连接，充电控制单元用于与外部供电电源VDD及电容C1连接，备用电源控制单元与开关切换单元连接。

本实施例中采用PMOS管Q1和PMOS管Q2作为开关切换单元，与现有的开关切换单元结构相同，如图7所示，备用电源控制单元包括互连的比较部分和控制部分，比较部分包括第一比较器U1和第二比较器U2，第一比较器U1用于与激光打印机的外部供电电源VDD及电容C1连接，第二比较器U2与电容C1及电容C2连接，控制部分包括掉电延迟单元和逻辑门单元，掉电延迟单元用于与激光打印机的外部供电电源VDD及逻辑门单元连接，逻辑门单元与比较单元连接，本例中采用逻辑与非门U4作为逻辑门单元，掉电延迟单元包括场效应管Q3、作为第三蓄电单元的电容C3、电阻R1和斯密特反相器U3，场效应管Q3的栅极和源极相连接，且用于与激光打印机的外部供电电源VDD连接，场效应管Q3的漏极与电容C3的一端、电阻R1的一端及斯密特反相器U3的输入端连接，电容C3的另一端及电阻R1的另一端接地，斯密特反相器U3的输出端连接到逻辑与非门U4的输入端；PMOS管Q1的栅极接第一比较器U1的输出端，PMOS管Q1的源极接电容C1、存储芯片23供电端VCC及PMOS管Q2的漏极、PMOS管Q1的漏极接外部供电电源VDD，PMOS管Q2的栅极接逻辑与非门U4的输出端，PMOS管Q2的源极接电容C2的一端，第一蓄电单元C1的另一端及电容C2的另一端均接地。

        本实施例的工作原理如下：充电控制单元在激光打印机的外部供电电源VDD供电时给电容C2充电，当VDD掉电时，将PMOS管Q1关闭，防止电容C2储存的电荷经PMOS管Q1到VDD放电。比较部分是由第一比较器U1及第二比较器U2组成，当VDD上电时，VDD电压高于电容C2正端电压VCC，第一比较器U1输出低电平，PMOS管Q1导通，而逻辑与非门U4输出高电平，PMOS管Q2关断；在VDD上电后，电容C3经场效应管Q3充电，为了更快的对电容C3充满电，电路中电阻R1的阻值应取得大些，电容C3的容量小些，当电容C3的充电电压充到大于1/2 VCC电压时，斯密特反向器U3输出低电平，因此PMOS管Q2关断。当VDD掉电时，电容C3经电阻R1放电，由于斯密特反相器U3可以将低电平翻转电压做得很低，当电容C3正端电压降到0.8V左右时，斯密特反相器U3输出高电平，放电时间系数为R×C3×K，K为放电比例系数，如70%，因此通过选择恰当的电容C3容量及电阻R1的阻值，可得到从VDD掉电到斯密特反相器U3翻转所需放电时间，放电时间设为VDD间隙掉电中掉电时间最大值的2倍以上。因此当VDD掉电时间小于放电时间时，斯密特反相器U3输出低电平，则逻辑与非门U4输出高电平，PMOS管Q2不导通。当外部掉电时间超过放电时间后，斯密特反相器U3输出高电平。当外部电源VDD掉电后，当第一比较器U1及斯密特反相器U3输出均为高电平情况下，第二比较器U2还要将电容C1的正端电压V_BAT与存储芯片23供电端的电压VCC进行比较，当电容C1的电压V_BAT小于存储芯片23正端的电压VCC时，第二比较器U2输出低电平，则逻辑与非门U4输出高电平，PMOS管Q2关断，当电容C1的电压V_BAT大于存储芯片正端的电压VCC时，逻辑与非门U4输出低电平，PMOS管Q2导通，电容C1经由Q2给存储芯片23提供备用电源。

由于VDD掉电后，存储芯片23不再与激光打印机通信，存储芯片23内部逻辑电路处于静止工作状态，其静态电流非常微小，在短时间内完全由电容C2蓄电维持供电。

作为本发明存储芯片实施例的一种变换，控制单元可以采用其他控制器（如MCU），采用其软件设计实现其功能；也可采用可编程逻辑器件（如CPLD，FPGA 等）通过硬件编程来实现，上述变换均可实现本发明的目的。

作为本发明存储芯片实施例的另一种变换，控制单元中可以包括有为数据通讯提供协议或接口的接口单元，或者将接口单元设置在控制单元之外、电子模块之内，接口单元与控制单元连接，上述变换同样可以实现本发明的目的。

作为本发明存储芯片实施例的又一种变换，第一蓄电单元、第二蓄电单元及第三蓄电单元可以采用可充电电池或其它可充电的蓄电装置，电容可以是大容量钽电容、电解电容或超级电容或法拉电容，上述变换均可实现本发明的目的。

作为本发明存储芯片实施例的又一种变换，场效应管Q3可以替换为二极管或其他电子开关管，上述变换均可实现本发明的目的。

作为本发明存储芯片实施例的又一种变换，还可以用于墨盒存储芯片，此时，存储单元存放的是与墨盒相关的数据，其结构和工作原理与本实施例相似，该变换同样可以实现本发明的目的。

存储芯片在间隙供电时的充电控制方法实施例

本实施例中存储芯片23的结构如上述存储芯片实施例所述，其在间隙供电时的充电控制方法是：

在激光打印机的外部供电电源VDD上电时：备用电源控制单元的控制部分控制开关切换单元来打开外部供电电源VDD及电容C2之间的通路、并关断电容C1与电容C2之间的通路；

在激光打印机的外部供电电源VDD掉电时：备用电源控制单元的控制部分判断掉电时间是否短于电容C2供电时间的三分之一，并比较电容C1及电容C2的电压大小，

若掉电时间短于供电时间的三分之一，或电容C1的电压小于所述电容C2的电压时，备用电源控制单元的控制部分控制开关切换单元关断外部供电电源VDD及电容C2之间、以及电容C1及电容C2之间的通路；

当掉电时间长于等于供电时间的三分之一且电容C1的电压大于等于电容C2时，备用电源控制单元的控制部分控制开关切换单元来关断外部供电电源VDD及电容C2之间的通路、并打开电容C1及电容C2之间的通路。

其工作原理与上存储芯片实施例中所述类似：在激光打印机的外部供电电源VDD供电时给电容C2充电，当VDD掉电时，备用电源控制单元将PMOS管Q1关闭，防止电容C2储存的电荷经PMOS管Q1到VDD放电。当VDD上电时， 备用电源控制单元的控制部分对开关切换单元进行控制，使得其中的PMOS管Q1导通，PMOS管Q2关断；当VDD掉电且VDD掉电时间小于电容C2维持该存储芯片供电时间的三分之一时，PMOS管Q2不导通；当外部电源VDD掉电时，备用电源控制单元的比较部分还要将电容C1的正端电压V_BAT与存储芯片23供电端的电压VCC进行比较，当电容C1的电压V_BAT小于存储芯片23正端的电压VCC时， PMOS管Q2关断，当电容C1的电压V_BAT大于存储芯片23正端的电压VCC时， PMOS管Q2导通，电容C1经由Q2给存储芯片23提供备用电源。由于在外部供电电源VDD掉电时，该存储芯片23进入静态，其电流损耗非常小，此时由电容C2维持供电的时间必须大于外部供电电源VDD瞬间掉电时间的3倍，以保证其中的数据不会被丢失。

作为本发明存储芯片数据显示方法实施例的又一种变换，本发明所提供的方法还可以针对安装在喷墨打印机上墨盒芯片，其具体工作过程与上述方法实施例相同。

碳粉盒实施例

参见图8，碳粉盒包括壳体，该壳体围成容纳碳粉的腔体，壳体的外壁上安装有如上实施例所述的存储芯片23。

作为本发明碳粉盒实施例的一种变换，可以是安装有上述实施例所述存储芯片23的墨盒。

打印机实施例

激光打印机包括成像单元和碳粉盒，该碳粉盒上安装有如上所述的存储芯片23，其结构简图参见图9，图中存储芯片23未示出。

作为本发明打印机实施例的一种变换，还可以是复印机或传真机或多功能一体机等其他成像设备，上述变换同样可以实现本发明的目的。

本发明不限于上述各实施例及变换，其他基于本发明技术方案且不违背本发明目的的方法及其组合变化也应该包括在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.存储芯片，包括电子模块；

所述电子模块包括

通讯部分；

与所述通讯部分连接的集成电路部分；

与所述集成电路部分连接的电源控制部分；

与所述电源控制部分连接的第一蓄电单元；

所述电源控制部分包括

充电控制单元；

第二蓄电单元；

开关切换单元；

所述开关切换单元用于与外部供电电源及所述第二蓄电单元连接；所述充电控制单元用于与所述外部供电电源及所述第一蓄电单元连接；

其特征在于：

所述电源控制部分还包括与所述开关切换单元连接的备用电源控制单元。

2.如权利要求1所述的存储芯片，其特征在于：

所述备用电源控制单元包括互连的比较部分和控制部分；

所述比较部分包括第一比较器和第二比较器，所述第一比较器用于与所述外部供电电源及所述第一蓄电单元连接，所述第二比较器与所述第一蓄电单元及所述第二蓄电单元连接；

所述控制部分包括掉电延迟单元和逻辑门单元，所述掉电延迟单元用于与所述外部供电电源及所述逻辑门单元连接，所述逻辑门单元与所述比较单元连接。

3.如权利要求2所述的存储芯片，其特征在于：

所述掉电延迟单元包括场效应管、第三蓄电单元、电阻和反相器，所述场效应管用于与所述外部供电电源、所述第三蓄电单元的一端、所述电阻的一端及所述反相器的输入端连接，所述第三蓄电单元的另一端及所述电阻的另一端接地，所述反相器的输出端连接到所述逻辑门单元的输入端。

4.如权利要求3所述的存储芯片，其特征在于：

所述逻辑门单元是逻辑与非门。

5.如权利要求1~4中任意一项所述的存储芯片，其特征在于：

所述第一蓄电单元、所述第二蓄电单元及所述第三蓄电单元均是电容。

6.存储芯片在间隙供电时的充电控制方法，该存储芯片包括电子模块；所述电子模块包括

通讯部分；

与所述通讯部分连接的集成电路部分；

与所述集成电路部分连接的电源控制部分；

与所述电源控制部分连接的第一蓄电单元；

所述电源控制部分包括

充电控制单元；

第二蓄电单元；

开关切换单元；

备用电源控制单元；

所述开关切换单元用于与所述外部供电电源及所述第二蓄电单元连接；所述充电控制单元用于与所述外部供电电源及所述第一蓄电单元连接；所述备用电源控制单元与所述开关切换单元连接；

其特征在于：

在外部供电电源上电时：所述备用电源控制单元控制所述开关切换单元来打开所述外部供电电源及所述第二蓄电单元之间的通路、并关断所述第一蓄电单元与所述第二蓄电单元之间的通路；

在所述外部供电电源掉电时：所述备用电源控制单元判断掉电时间是否短于所述第二蓄电单元供电时间的三分之一，并比较所述第一蓄电单元及所述第二蓄电单元的电压大小，

若所述掉电时间短于所述供电时间的三分之一，或所述第一蓄电单元的电压小于所述第二蓄电单元时，所述备用电源控制单元控制所述开关切换单元关断所述外部供电电源及所述第二蓄电单元之间、以及所述第一蓄电单元及所述第二蓄电单元之间的通路；

当所述掉电时间长于等于所述供电时间的三分之一且所述第一蓄电单元的电压大于等于所述第二蓄电单元时，所述备用电源控制单元控制所述开关切换单元来关断所述外部供电电源及所述第二蓄电单元之间的通路、并打开所述第一蓄电单元及所述第二蓄电单元之间的通路。

7.如权利要求6所述存储芯片在间隙供电时的充电控制方法，其特征在于：

所述备用电源控制单元包括互连的比较部分和控制部分；

所述比较部分比较所述第一蓄电单元与所述第二蓄电单元之间的电压大小，以及比较所述第一蓄电单元与所述外部供电电源的电压大小；

所述控制部分判断外部供电电源的上电时间与掉电时间长短，根据所述判断结果及所述比较部分的比较结果，控制所述开关切换单元以打开或关断所述第一蓄电单元及所述第二蓄电单元之间的通路。

8.如权利要求6或7所述存储芯片在间隙供电时的充电控制方法，其特征在于：

所述第一蓄电单元、所述第二蓄电单元及所述第三蓄电单元均是电容。

9.耗材容器，包括壳体，所述壳体围成容纳耗材的腔体，

其特征在于：

所述壳体的外壁上安装有如权利要求1所述的存储芯片。

10.成像设备，包括成像单元和耗材容器，

其特征在于：

所述耗材容器上安装有如权利要求1所述的存储芯片。

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