CN102486991A - 晶圆表面光阻去边的方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或/和调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行表面光阻去边。本发明使用光阑孔径大小可调节的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘光阻，使得所形成的Rainbow缺陷较小，且该方法简单、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，本发明涉及一种晶圆表面光阻去边的方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小，光刻工艺过程中产生的缺陷对器件的质量、良品率的影响也越来越严重，因此，晶圆边界的清洁和定义也变得更加重要。在光刻工艺过程中，光阻旋涂在晶圆表面上，靠近晶圆边界的光阻易在晶圆上下表面处发生堆积，这些堆积在晶圆边界的光阻在后续的蚀刻或者离子注入工艺过程中很可能与晶圆的机械操作手臂发生接触碰撞，从而导致颗粒污染的产生。所以，光刻工艺过程中通常会进行晶圆表面光阻去边以避免上述问题的产生。
现有技术中，晶圆表面光阻去边的方法主要分为：化学去边法(EBR，edgebead removal)和晶圆边缘曝光法(WEE，wafer edge exposure)。化学去边法是利用晶圆在旋涂光阻的过程中，向晶圆边缘喷洒溶剂以消除晶圆边缘光阻。该方法的缺点是去边时间长、溶剂耗材成本高且光阻切边不规整，可能导致晶圆缺陷影响制程良率。晶圆边缘曝光法是在涂光阻后且在曝光前使用WEE装置平台，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头和一个光阑，紫外曝光镜头经过光阑以产生一定大小尺寸的均匀照明光斑，然后利用旋转台的旋转来实现晶圆边缘曝光。相比化学去边法，晶圆边缘曝光法有生产效率高、装置成本低、过程易于控制且切边形状规整平滑等优点。
如图1所示，由于紫外曝光镜头中透镜存在不均匀的问题，因此透镜边缘的光经过光阑会散射到非去边区域，造成实际的去边区域大于欲去边区域，最终在残留的光阻边缘上产生一个倾斜面，使得残留的光阻的表面不平整。倾斜面在光照的情况下，会呈现彩色(Rainbow Color)，因此晶圆边缘曝光法产生的该缺陷被称为彩虹(Rainbow)缺陷。现有技术中，通常使用孔径值长度和宽度固定的光阑曝光晶圆表面光阻的欲去边区域，这里光阑的长度多为10mm、宽度为4mm，因此在残留光阻边缘上产生的倾斜面的宽度约为200um。当掩模上图案的线宽大于90nm时，所述Rainbow缺陷对半导体器性能的影响可以忽略不计。
但是，随着技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小，相应地，掩模上图案的尺寸也越来越小，当掩模上图案的线宽小于或者等于90nm时，Rainbow缺陷的影响就日益凸显出来，尤其是后续显影后的Rainbow缺陷区域存在图案时，由于此时已破坏图案所在的晶圆，Rainbow缺陷区域会使其上存在的图案变得不完整或完全消失，从而严重影响后面的刻蚀和清洗工艺，最终影响所制造的半导体器件的性能。
为了解决上述问题，现有技术提出了在光源和晶圆之间添加光路调整装置，所述光路调整装置包括：铬缝和聚光透镜组，聚光透镜组由若干聚光透镜组成，该装置中铬缝充当光阑的功能，经铬缝后的光经过聚光透镜组聚光后，光源发射的光到达晶圆时散射的光就比较少，从而Rainbow缺陷区域的宽度比较小，改善了晶圆边缘图案的质量，但是光路调整装置的成本很高，不利于实际使用。
因此，在半导体的制造过程中，需要一种能简单有效地减小Rainbow缺陷区域宽度的晶圆表面光阻去边方法。
发明内容
本发明解决的问题是：在晶圆表面光阻去边的过程中，改善晶圆边缘图案的质量，减小Rainbow缺陷区域的宽度。
为解决上述问题，本发明提供了一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：
获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；
当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径大小为第一孔径长度、第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；
当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：所述光阑孔径大小通过调整构成光阑的挡光板调节，且第一孔径长度大于第二孔径长度，第一孔径宽度大于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第一宽度，第二孔径宽度大于第二宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于第二宽度。
可选地，所述光阑孔径第一孔径长度的取值范围为5-10mm，第一孔径宽度的取值范围为2-4mm。
可选地，所述光阑孔径第二孔径长度的取值范围为1-10mm，第二孔径宽度的取值范围为0.2-2mm。
可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三宽度大于第二宽度，第三宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度，采用光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三孔径长度小于第一孔径长度，第三孔径长度大于或等于第二孔径长度，第三孔径宽度小于第一孔径宽度，第三孔径宽度大于或等于第二孔径宽度，第三孔径宽度大于第五宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第四宽度、第五宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径大小为第一孔径长度和第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一孔径宽度度大于第三宽度，第三宽度大于第二宽度，第三宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径大小为第一孔径长度和第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度，使用光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三孔径长度小于第一孔径长度，第三孔径长度大于或等于第二孔径长度，第三孔径宽度小于第一孔径宽度，第三孔径宽度大于或等于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第四宽度，第三孔径宽度大于第五宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第四宽度、第五宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
可选地，所述化学去边法采用丙二醇单甲醚或丙二醇单甲醚乙酸酯或环己酮作为化学去边剂。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：首先判断欲去边晶圆所要制造半导体器件的最小线宽，当最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，通过在最后步骤中调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边来减小晶圆表面光阻去边过程中形成的Rainbow缺陷区域，使其从200μm降至50μm，从而使得Rainbow缺陷对于线宽小于或者等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响，且该方法简单、成本低。
附图说明
图1为现有技术中产生Rainbow缺陷的示意图；
图2是实施例1中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；
图3为晶圆边缘曝光法中由挡光板构成的光阑示意图；
图4为实施例1中晶圆边缘曝光法的示意图；
图5是实施例2中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；
图6是实施例3中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；
图7是实施例4中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，晶圆表面光阻去边处理是半导体器件制造过程中不可或缺的步骤，但是随着掩模上图案线宽的不断缩小，WEE方法去除晶圆边缘所引起的Rainbow缺陷成为影响半导体器件的重要原因，因此，有必要采取简单有效的措施改善晶圆表面光阻去边过程中引起的Rainbow缺陷，使得Rainbow区域的宽度明显下降。
因此，在制造半导体器件时，为了解决上述问题，本发明提供了晶圆表面光阻去边的方法，包括：
获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；
当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径大小为第一孔径长度、第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；
当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：所述光阑孔径大小通过调整构成光阑的挡光板调节，且第一孔径长度大于第二孔径长度，第一孔径宽度大于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第一宽度，第二孔径宽度大于第二宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于第二宽度。
在上述过程中，所述光阑孔径第一孔径长度的取值范围为5-10mm，第一孔径宽度的取值范围为2-4mm，第二孔径长度的取值范围为1-10mm，第二孔径宽度的取值范围为0.2-2mm。
本发明使用光阑孔径大小可调节的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘光阻，使得形成的Rainbow缺陷较小、对半导体器件的性能没有影响，且该方法简单、成本低。
下面通过4个实施例进行详细说明，以下实施例的目的都是为了去除宽度为3mm的晶圆边缘。
第一实施例：
如图2所示，本实施例晶圆边缘光刻胶的去除方法具体包含以下步骤：
S100，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为90nm。
S101，采用化学去边法去除晶圆边缘宽度为2.5mm的光阻。
本实施例通过在给晶圆涂光阻的过程中向晶圆边缘喷洒丙二醇单甲醚(PGME)以消除晶圆边缘宽度为2.5mm的光阻。
在本发明的其他实施例中，还可以采用丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)或环己酮等作为化学去边剂。
S102，调整构成光阑的挡光板，使所形成的光阑孔径长度为10mm、宽度为1mm，使用光阑孔径长度为10mm、宽度为1mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为0.5mm的光阻。
如图3所示，由挡光板401、402、403和404构成晶圆边缘曝光法中光阑，光阑孔径的大小通过调整挡光板401、402、403和404的位置调节。在实际的调节过程中，通过调整挡光板401和403之间的距离来调节光阑孔径的长度，通过调整挡光板402和404之间的距离来调节光阑孔径的宽度，且在调整挡光板的过程中需要保证相邻挡光板垂直且接触处无缝隙。
如图4所示，利用光阑孔径长度为10mm、宽度为1mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为0.5mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置由四个挡光板构成的光阑。调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为10mm、宽度为1mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.5mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为0.5mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为0.5mm的晶圆边缘。
至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。
本实施例在得知晶圆制备的半导体器件的最小线宽等于90nm后，首先通过化学去边法去除晶圆的大部分边缘，然后通过调节晶圆边缘曝光法中构成光阑的挡光板调小光阑孔径，使用光阑孔径较小的晶圆边缘曝光法去除晶圆剩余的边缘，这样可以去除由于化学洗边导致的光阻切边的不规整型。通过比较图1和图4又可知，本实施例方法使得Rainbow缺陷区域大大减小，从而不影响半导体器件的性能。
第二实施例：
如图5所示，本实施例具体包括以下步骤：
S200，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为90nm。
S201，采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为2.7mm的光阻。
本实施例采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为2.7mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置由四个挡光板构成的光阑。调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为10mm、宽度为4mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为2.7mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为2.7mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为2.7mm的晶圆边缘。
S202，调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm，使用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为0.3mm的光阻。
在该实施例中，去除晶圆边缘宽度为0.3mm的光阻具体包括：晶圆仍通过真空吸附在原来的旋转平台上，再次调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为5mm、宽度为0.6mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.3mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为0.3mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为0.3mm的晶圆边缘。
至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。
本实施例在得知晶圆制备的半导体器件的最小线宽等于90nm后，通过调节构成光阑的挡光板先后形成一个较大的光阑孔径和一个较小的光阑孔径，利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法去除晶圆的大部分边缘，然后通过较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法去除晶圆剩余的边缘，使得Rainbow缺陷区域从200μm降至50μm，从而使得Rainbow缺陷对于线宽等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响。
第三实施例：
如图6所示，本实施例具体包括以下步骤：
S300，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为45nm。
S301，采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻。
本实施例采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置由四个挡光板构成的光阑。调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为10mm、宽度为4mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为2.4mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为2.4mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为2.4mm的晶圆边缘。
在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆放在第一个WEE装置平台上，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置第一光阑，所述第一光阑上存在一个长为10mm、宽为4mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为2.4mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为2.4mm的晶圆边缘。
S302，调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm，使用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为0.4mm的光阻。
本实施例去除晶圆边缘宽度为0.4mm的光阻，具体包括：晶圆仍通过真空吸附在原来的旋转平台上，再次调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为5mm、宽度为0.6mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.4mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为0.4mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为0.4mm的晶圆边缘。
S303，调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径长度为2mm、宽度为0.4mm，使用光阑孔径长度为2mm、宽度为0.4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为0.2mm的光阻。
本实施例中，去除晶圆边缘宽度为0.2mm的光阻具体包括：晶圆仍通过真空吸附在原来的旋转平台上，继续调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为2mm、宽度为0.4mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.2mm的边缘上。旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为0.2mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为0.2mm的晶圆边缘。
至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。
在本发明的另一个实施例中，还可以将步骤S301替换为在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻，步骤S300、S302和步骤S303不变。
本实施例与实施例2相比，因为最后一次晶圆边缘曝光法中光阑孔径的宽度比实施例2中最后一次晶圆边缘曝光法中光阑孔径的宽度更小，因此本实施例的Rainbow缺陷区域会进一步减少。
第四实施例：
如图7所示，本实施例具体包括以下步骤：
S400，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为120nm。
S401，直接采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘宽度为3mm的光阻。具体为：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置由四个挡光板构成的光阑。调节挡光板，使所形成的光阑孔径的长度为10mm、宽度为4mm，形成一个长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方。然后，利用旋转台调整晶圆的边缘位置到与透光区域中心相对的位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为3mm的边缘上。接着，旋转晶圆，使透过所述透光区域的紫外光将宽度为3mm的晶圆边缘曝光，再经过后续的显影工艺就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。
由于本实施例中晶圆所在半导体的最小线宽为120nm，因此可以直接采用现有技术中的晶圆表面光阻去边方法，且最后得到的Rainbow缺陷不会影响半导体器件的性能。需要说明的是，本实施例还可以采用其他现有技术中的晶圆表面光阻去边方法，比如：可以直接在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除3mm的晶圆边缘；或者是先在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除2mm的边缘光阻，再在晶圆涂光阻后且曝光通过调节光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法去除剩余的1mm的边缘光阻等等。
上述实施例都是首先判断欲去边晶圆所要制造半导体器件的最小线宽，当最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，通过在最后步骤中调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边来减小晶圆表面光阻去边过程中形成的Rainbow缺陷区域，使其从200μm降至50μm，从而使得Rainbow缺陷对于线宽小于或者等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响，且该方法简单、成本低。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (8)
1.一种晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，包括：
获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；
当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径大小为第一孔径长度、第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；
当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：所述光阑孔径大小通过调整构成光阑的挡光板调节，且第一孔径长度大于第二孔径长度，第一孔径宽度大于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第一宽度，第二孔径宽度大于第二宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于第二宽度。
2.如权利要求1所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，所述光阑孔径第一孔径长度的取值范围为5-10mm，第一孔径宽度的取值范围为2-4mm。
3.如权利要求1所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，所述光阑孔径第二孔径长度的取值范围为1-10mm，第二孔径宽度的取值范围为0.2-2mm。
4.如权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三宽度大于第二宽度，第三宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
5.如权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度，采用光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三孔径长度小于第一孔径长度，第三孔径长度大于或等于第二孔径长度，第三孔径宽度小于第一孔径宽度，第三孔径宽度大于或等于第二孔径宽度，第三孔径宽度大于第五宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第四宽度、第五宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
6.如权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径大小为第一孔径长度和第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一孔径宽度大于第三宽度，第三宽度大于第二宽度，第三宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
7.如权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径大小为第一孔径长度和第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度，使用光阑孔径大小为第三孔径长度和第三孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后调整构成光阑的挡光板至所形成的光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度，使用光阑孔径大小为第二孔径长度和第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三孔径长度小于第一孔径长度，第三孔径长度大于或等于第二孔径长度，第三孔径宽度小于第一孔径宽度，第三孔径宽度大于或等于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第四宽度，第三孔径宽度大于第五宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第四度、第五宽度与第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。
8.如权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，所述化学去边法采用丙二醇单甲醚或丙二醇单甲醚乙酸酯或环己酮作为化学去边剂。
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| CN201327825Y (zh) * | 2008-12-12 | 2009-10-14 | 晶能光电（江西）有限公司 | 硅衬底外延片去边装片器 |
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2010
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