CN102484352B - 集成光电二极管波长监视器 - Google Patents

Abstract

一种集成于晶片和/或光学设备上并且耦合到其光学部件的光学波长监视器光电二极管提供波长测量。光学波长监视器包括被配置成输出信号的光电二极管，该信号代表光的波长。可以在光学波长监视器中包括附加光电二极管，每个光电二极管在操作特性上不同于其它光电二极管。可以在以晶片形式之时并且当已经以条级从晶片切分光学设备时测试光学设备时使用监视器。可以例如在使用期间执行光学设备的测试/监视以控制激光器（比如可调激光器）的波长。

Description

集成光电二极管波长监视器

相关申请数据

本申请要求于2009年7月13日提交的美国临时专利申请号61/224,933的优先权，通过整体引用将其结合于此。

技术领域

本发明主要地涉及光学设备波长监视，并且具体地涉及用于监视其上产生的光源的波长的一个或者多个光电二极管的设备上和晶片上集成。

背景技术

现在商业实践中建立各种光学部件在光学设备上的集成。这些集成部件向光学设备提供通常旨在与光学设备的既定使用结合利用的功能。例如波长可调激光器可以与相位或者幅度调制器（诸如Mach-Zehnder干涉仪调制器）集成于光学设备上。这样的激光器也频繁地与半导体光学放大器（SOA）集成于光学设备上。包括这些集成部件的光学设备与电信应用结合特别有用。

这些光学设备的制造大部分由于与之关联的测试的显著成本而颇为昂贵。例如在测试具有集成波长可调激光器的光学设备期间测量的一个参数是波长。在现有技术中。通常通过向适当波长测量系统中光学耦合从设备面（facet）之一发射的光来执行波长测量，并且因此不能晶片上执行波长测量。有可能在设备仍然是晶片的部分之时使用光栅出耦合器（out-coupler）从设备（竖直）提取光，但是这需要仔细光学对准以收集发射的光。有时也需要例如在使用光学设备期间执行波长测量以维持波长可调激光器的设置传输波长。

从激光器输出的波长常规地由诸如设备外波长计量仪、波分复用器（WDM）耦合器或者标准具型（etalon-type）波长锁定器这样的设备测量。通常不能在晶片级执行这些方法，其中尚未借助将晶片分成光学设备形成于其上的芯片并且涂覆光学波导的暴露端来形成设备面。光栅出耦合器确实使光能够在设备仍然是晶片的部分之时从设备竖直地发射，但是实际波长测量同样需要设备外波长计量仪。另外，诸如波长计量器这样的仪器慢并且昂贵。尽管使用WDM耦合器相对更快并且较不昂贵，但是测试结果不太准确并且仍然需要使用笨重的设备，而且用于在晶片形式时测试芯片的目前已知方法是困难的并且不实际。另外，标准具型波长锁定器仅能够在窄波长范围内检测波长改变，并且未以绝对波长的形式提供测试结果。标准具型波长锁定器安装于生产线上的很晚阶段（即在封装以内组装设备期间），该阶段太晚而无法成本有效地用来区分提供所需波长覆盖的良好设备与未提供所需波长覆盖的设备。

发明内容

本发明提供一种用于监视光源的波长的便利、廉价和可靠集成的波长监视器。该波长监视器占用很小用地并且允许在从晶片切分光学设备之前执行光源测试而无需设备面。本发明提供一种用于基于来自芯片的电输出的波长测量的简单和可靠方法，可以在芯片仍然是晶片或者条形式之时访问这些输出。波长监视器可以用来在制造期间和/或在光学设备的既定操作期间测试光学设备。因而波长监视器设备可以在测试之后保留于设备上或者可以在光学设备的既定使用之前从设备完全或者部分去除（切分）波长监视器。

本发明的特征允许在设备制作期间的早期阶段获取基本设备参数，从而最大化成品率。例如可以在设备分成如下芯片之前仍然是晶片的部分之时获取光学设备的参数，光学设备在这些芯片上形成、被涂覆、划线（scribe）、组装到载体上并且构建到模块中。

本公开内容描述如何借助测量由集成光电二极管波长监视器生成的电信号并且以这一方式克服对用于形成光学面、执行光学对准并且使用外部装置测量波长的需要来从单片集成设备获得波长信息。

根据本发明一个方面，一种晶片包括：通过切分可分离的多个光学设备，每个光学设备包括光源，光源包括波导，并且每个光源被配置成输出光；以及包括光电二极管的至少一个光学波长监视器，光学波长监视器被配置成输出信号，该信号代表在晶片上包括的至少一个光学设备的光源输出的光的波长。

根据一个实施例，光学波长监视器的至少部分在晶片上布置成在切分之后保留于至少一个光学设备上。根据另一实施例，光学波长监视器的至少部分在晶片上布置成在切分之后保留于相邻光学设备或者晶片的可丢弃部分中的至少一个上。

根据本发明的另一方面，一种具有集成波长监视器的光学设备包括：包括波导的光源，光源被配置成输出光；以及包括光电二极管的光学波长监视器，光学波长监视器被配置成输出代表光的波长的信号。

根据一个实施例，光电二极管包括具有比通过波导输出的光的波长短的带隙（band-gap）波长的半导体材料。根据另一实施例，光电二极管被配置成吸收从光源输出的光的一部分，吸收依赖于波长。

根据另一实施例，波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管，附加信号代表光的波长，其中光电二极管的输出不同地响应于波长。根据另一实施例，波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管，附加信号代表光的总光学功率。

根据另一实施例，光电二极管和附加光电二极管沿着波导串联布置。根据另一实施例，光电二极管布置于光源内，并且附加光电二极管耦合到光源。

根据另一实施例，集成波长监视器包括分路器；并且光电二极管和附加光电二极管沿着波导并联布置。

根据另一实施例，以条形式在多个光学设备之中包括光学设备。

根据本发明的另一方面，一种在晶片上制造和测试多个光学设备中的光学设备的方法包括：在晶片上形成多个光学设备，每个光学设备包括光源，光源包括波导，并且每个光源被配置成输出光；形成包括光电二极管的至少一个光学波长监视器，光学波长监视器被配置成输出信号，信号代表在晶片上包括的至少一个光学设备的光源输出的光的波长；在光学波长监视器处监视从光源输出的光；并且从光学波长监视器输出代表光的波长的信号。

根据一个实施例，在波长范围内执行监视。

根据另一实施例，该方法还包括从晶片切分光学设备。根据另一实施例，在从晶片切分光学设备之前执行监视。根据另一实施例，在从晶片切分光学设备之后执行监视。根据另一实施例，当已经在条级从晶片切分光学设备时执行监视。

下文参照附图更详细地描述本发明的前述和其他特征。

附图说明

图1a是根据本发明的具有集成光电二极管波长监视器的示例性光学设备的示意图。

图1b是根据本发明的具有集成光电二极管波长监视器的示例性光学设备的示意图。

图2a是根据本发明的具有集成光电二极管波长监视器的示例性光学设备的示意图。

图2b是根据本发明的具有集成光电二极管波长监视器的示例性光学设备的示意图。

图3是根据本发明的示例性光学设备的示意图，该光学设备具有在激光器腔内包括的集成光电二极管波长监视器。

图4是根据本发明的包括多个光学设备的示例性晶片的示意图，每个光学设备具有集成光电二极管波长监视器。

图5是根据本发明的两个光学设备的示意图，这两个光学设备属于晶片上的两个相邻列并且具有在晶片上包括的牺牲型（sacrificial）集成光电二极管波长监视器。

图6是根据本发明的两个光学设备的示意图，这两个光学设备属于晶片上的两个相邻列并且具有在晶片上包括的牺牲型集成光电二极管波长监视器。

具体实施方式

在下文描述中已经向相似部件给予相同标号而无论是否在不同实施例中示出它们。为了以清除和简明方式举例说明本发明的（一个或多个）实施例，附图可能未必按比例，并且可以用有些示意的形式示出某些特征。关于一个实施例描述和/或图示的特征可以在一个或者多个其他实施例中以相同方式或者以相似方式使用和/或与其他实施例的特征组合或者替代这些特征来使用。

现在详细参照附图并且先参照图1a和1b，在10一般性地示出了具有集成光电二极管波长监视器的个别光学设备的示意图。

光学设备10的衬底12（以及可以用来形成光学设备的晶片）可以由磷化铟构造。这里使用磷化铟作为示例性材料，因为它是允许容易构造并且在衬底上集成诸如激光器、光电二极管、耦合器、调制器等光学设备范围的半导体材料。但是晶片和衬底12也可以由诸如例如砷化镓、硅等任何其他适当衬底材料构造。

光学设备10包括光源。在这一示例性实施例中，光源是波长可调激光器14，该激光器的结构是数字超模分布式布拉格反射器（DSDBR）激光器（诸如在美国专利号7,145,923号中公开的激光器）。尽管将主要在DSDBR波长可调激光器14的背景中图示和描述光源14，但是将理解光源可以是任何适当光源。光学设备10上的光源的特定设计在本发明的最广泛意义上并未与本发明密切相关。DSDBR激光器14一般包括后光栅16、相位控制段18、增益段20、前光栅22和波导24。为求简洁，将不详细描述DSDBR激光器14的每个部件的具体结构和功能。

除了包含于光源中之外，波导24还可以集成于光学设备10上用于传送从激光器14输出的光。如这里使用的那样，波导24是用于引导波（在这一情况下为光波（信号））的结构。可以使用本领域公知的任何方法在光学设备10上形成用于相应激光器14的波导24。例如可以通过各种的外延生长和半导体蚀刻方法制作波导24。波导24可以将激光器14耦合到光学设备上的其他部件并且也允许这样的光传向一个或者多个芯片外设备。如图中所示波导24可以是弯曲的，以便波导24以一角度满足光学设备10的输出面26，使得减少反向反射。在其他实施例中，波导24可以是线性的。

光学设备10可以包括的耦合到激光器14用于放大从激光器14输出的光的一个或者多个SOA 28。如例如图1a中所示，SOA 28可以耦合到DSDBR激光器14的前光栅22。附加SOA 28也可以耦合到激光器14的附加输出。如图1b中所示，附加SOA 28可以耦合到DSDBR激光器14的后光栅16。附加SOA 28可以放大从激光器向波长监视器32输出的光。

光学设备10也可以包括耦合到光源用于监视光源输出的光的波长的光学波长监视器32（波长监视器）。如图1a中所示，波长监视器32可以耦合到激光器14的后光栅16。在这样的实施例中，激光器14产生的光的部分将穿过后光栅16去往波长监视器32。在其他实施例（诸如图1b中所示实施例）中，波长监视器段32可以耦合到附加SOA 28，该SOA 28又耦合到激光器14。在这样的情况下，激光器14产生的光的部分将穿过后光栅16去往附加SOA 28、由SOA 28放大并且向波长监视器32输入。另外，在其他实施例中，可以在激光器与波长监视器之间在设备上存在无源段或者其他功能段（未图示）。

波长监视器段32包括一个或者多个光电二极管34和36。光电二极管34可以由任何适当材料构造，使得光电二极管34对于从激光器14输出的光而言未完全不透明并且向光电二极管36透射光的一部分。由于吸收依赖于波长，所以透射的光的部分也将是波长的函数。但是光电二极管34在波长监视器将操作的所有波长处透射至少一些光。在一个实施例中，光电二极管34可以透射入射光的大部分（在所有所需波长内大于90%）。在另一实施例中，光电二极管34可以透射入射光的大多数（在所有所需波长内大于50%）。在又一实施例中，光电二极管34可以透射入射光的仅小部分（在所有所需波长内大于1%）。可以通过使用对一种或者多种如下半导体合金的适当选择来实现这一透明度，该一种或多种半导体合金对于光电二极管了34的（一个或多个）有源层而言具有比光源（例如可调激光器）被配置成操作的波长范围短的带隙波长。光电二极管34可以由具有如下带隙波长的感光半导体材料制成，该带隙波长比光源输出的波长范围短约100-200nm，但是用来制成光电二极管34的半导体材料可以具有范围例如从比光源输出的波长范围短约50nm至250nm的带隙波长。在一个示例性实施例中，光电二极管34可以由与DSDBR激光器14的激光调谐材料相同的材料构造。这提供制造简单性，其中例如光电二极管34将集成于半导体晶片上的相同或者相邻光学设备上。光电二极管34响应于入射光并且通常在反偏置模式中操作。光电二极管34响应于光使得光电二极管34形成的电流随着该光的波长变化。通常，电流将随着光波长减少单调增加。因此，光电二极管34依赖于波长（或者对波长敏感）。此外可以变化向光电二极管34施加的偏置以调节波长响应，以便例如如果已知入射光的波长在给定的范围内则调节光电二极管34的灵敏度。例如如果已知波长落在1525nm与1550nm之间，则施加的偏置可能不同于如果已知波长落在1550nm与1575nm之间则施加的偏置。显然可以使用其他更复杂的波长范围标准。

与光电二极管34光学串联的附加光电二极管36可以可选地包括于波长监视器32中并且可以至少部分地用来增强波长监视器32的准确度。在一个实施例中，可以构造附加光电二极管36，使得入射光的吸收的波长依赖性不同于光电二极管34的波长依赖性。光学波长监视器32的光电二极管36输出的附加信号代表光的波长。在这一实施例中，光电二极管36的适当透明度和带隙波长可以与上文关于光电二极管34描述的范围相似，只要一个光电二极管的波长依赖性不同于另一光电二极管的波长依赖性。作为例子，可选光电二极管36可以由与DSDBR激光器14的增益段20的材料相同的材料构造。激光器14的增益段20的材料拥有可以在光电二极管34中利用与DSDBR激光器14的激光调谐材料不同的频带边缘能量，并且因此可选光电二极管36如与光电二极管34相比不同地响应于波长。换而言之，对光吸收波长的电输出响应的代表曲线对于两个光电二极管34和36而言不同。

在另一实施例中，配置附加光电二极管36使得它在波长监视器将操作的所有波长处吸收从激光器14向波长监视器32输出的多数或者所有入射光。因而，可选光电二极管36可以由对于从激光器14输出的光而言相对不透明的任何适当材料构造。在一个实施例中，光电二极管36可以在所有操作波长内对于光而言多于约99%不透明。在另一实施例中，光电二极管36可以在所有操作波长内对于光而言多于约95%不透明。在又一实施例中，光电二极管36可以在所有操作波长内对于光而言多于约90%不透明。附加光电二极管36可以具有对波长的平坦响应，使得附加光电二极管36对光的吸收独立于波长。这一实施例中的光电二极管36输出的附加信号可以代表光的总光学功率。来自附加光电二极管36的信号可以用来按照总测量光学功率归一化来自光电二极管34的信号。因此可以独立于激光器14的输出功率进行波长测量。

当在反偏置之下操作光电二极管34和36时，光电二极管34产生以恒定光学功率随着波长减少而增加的光电流信号（I₁）。在一个实施例中，附加光电二极管36产生也以恒定光学功率随着波长减少而增加的光电流信号（I₂）。在另一实施例中，附加光电二极管36吸收多数或者所有入射光以产生信号（I₂）。可以测量光电流信号（I₁）和（I₂）为跨光电二极管的输出电极的电压或者光电二极管产生的电流。可以同时（例如通过使用两个光电二极管34和36监视波长的范围来执行激光映射）或者依次（例如先通过使用光电二极管34监视波长范围来执行激光映射，接着通过使用光电二极管36监视该波长范围来执行激光映射）测量所述信号。当从波长监视器段32输出两个信号时，可以按照两个信号之间的比（或者另一数学函数）导出波长。通过使用比（或者另一数学函数）导出波长提供对由于激光器所致的功率变化的归一化。用来导出波长的具体等式可以根据诸如光电二极管的性质（例如带隙）和波长监视器段32的拓扑这样的因素变化。例如在图1a和1b的实施例中，等式I₁/(I₁ + I₂)产生独立于功率的波长测量。虽然其他适当示例性等式（诸如(I₁-I₂)/(I₁-I₂)）可以用来测量波长。多个数学表达式可以适用于这样的目的，并且可以使用对在波长与生成的光电流信号之间的关系最好地进行描述的数学表达式。

可以在监视期间记录来自光电二极管波长监视器的输出（即从光电二极管输出的一个或者多个信号）并且分析该输出以评估激光器在设备10将操作的波长范围内的性能。来自光电二极管波长监视器的输出可以在电子电路中用来控制激光器14的波长。例如可以向用于控制激光器14的控制电路（未图示）输出信号和/或波长测量。

图1a和1b图示了光电二极管34和36为串联布置。然而将理解光电二极管34和36并不限于这样的布置并且可以提供任何适当布置。例如图2a和2b图示了其中并联布置光电二极管34和附加光电二极管36的实施例。在图2a和2b的实施例中，波长监视器段包括在光电二极管34与附加光电二极管36之间按所需比划分光的分路器38。光学分路器38划分光的比可以是均匀的（例如50/50）或者偏移。另外，光学分路器38可以独立于波长，但是设想使用依赖于波长的分路器以便实现例如更大程度的波长鉴别和测量灵敏度。另外，光电二极管34未必在这一并联布置中相对透明，光电二极管34的波长响应应当保持与附加光电二极管36的波长响应充分不同。

在图2a和2b的实施例中，对来自光电二极管的信号的处理将与来自图1a和1b中举例说明的光电二极管串联布置相同。当从波长监视器段32输出两个信号时，可以按照两个信号之间的比（或者另一数学函数）导出波长。而且，用来导出波长的具体等式可以根据诸如光电二极管的性质（例如带隙）和波长监视器段32的拓扑这样的因素变化。例如等式I₁/I₂产生独立于功率的波长测量，其中分路器具有50：50分路比。当光学分路比不同于50：50时，可以引入简单补偿因子。

在其他实施例中，光电二极管34和36可以布置于任何适当布置中，以便实现更精确的波长监视。例如尽管图示了光电二极管34和36为布置于与光源相同的波导上，但是如本领域公知的那样，光可以代之以借助一个或者多个有向耦合器从波导24耦合到光电二极管。光可以从并联波导耦合到放置于一个波导上的波导监视器中。在一些实施例中，MMI分路器、y耦合器或者竖直耦合器可以用来将光从连接到光源的波导耦合到连接到（一个或者多个）光电二极管的一个或者多个波导。也设想其他如下实施例，这些实施例包括为了实现更精确波长监视而串联与并联组合布置的光电二极管。

波长监视器32可以相对于激光器位于光学设备10上的任何适当位置上。例如波长监视器32可以定位成使得它在前光栅22的近侧耦合到激光器。另外如图3中所示，波长监视器32的部分可以位于激光器14内。这里，依赖于波长的光电二极管是34并且独立于波长的光电二极管是36。当激光器结构的部分也适合于用作光电二极管34和36之一时，其中波长监视器32的部分位于激光器14内的布置可以是适合的。

本发明的波长监视器32可以用来在使用光学设备10之前和/或期间测试光学设备。这样，波长监视器32可以监视光学设备的光源，该光学设备是晶片形式、条形式和/或个别形式。在一个实施例中，波长监视器32可以监视光源在特定波长或者在波长范围内的性能。例如可以在设备10将操作的波长范围内在映射波长对调谐电流中利用从波长监视器段32分别输出的一个或者多个信号。在另一实施例中，波长监视器32可以在设备操作期间监视波长漂移。

当仅在使用光学设备10之前的测试中使用时，可以在测试过程之后从光学设备10分割波长监视器32。如图1a、1b、2a和2b的示例性实施例中所示，可以沿着线a-a’切分光学设备10、由此从光学设备的其余部分分割波长监视段。在其他实施例中，可能希望从光学设备10仅切分波长监视器的部分。如图3中所示，可以在光学设备10使用于它的既定应用中之前沿着a-a’切分独立于波长的光电二极管36。

参照图4，可以在包括多个个别光学设备的晶片40上形成并且从该晶片40切分个别光学设备10。如图所示，波长监视器可以与每个个别设备关联，这允许在从晶片40切分之前测试个别光学设备（例如激光器）的结构。晶片上的单个波长监视器当然可以耦合到用于单独或者同时测试耦合的光学设备的多个光学设备。另外，尽管图示了晶片40为包括与图1a中所示光学设备相似的多个个别光学设备，但是晶片40的个别光学芯片可以是任何适当设计，诸如图中所示的那些设计。

晶片40可以包括布置成列（条）和行的多个光学设备，其中成列（条）和成行光学设备形成于由相交竖直切分线y-y’和水平切分线x-x’限定的芯片上。根据本发明的晶片40可以包括任何列（条）和行数的光学设备。给定的晶片40的列（条）可以错开给定的偏移，诸如图5和图6中所示的偏移。

通过引用结合于此的PCT国际申请号PCT/IB2010/000716详细记载了各种晶片布置。也可以根据PCT国际申请号PCT/IB2010/000716执行从晶片40切分光学设备。具体而言，可以沿着竖直切分线和水平切分线切分晶片40，从而将光学设备与晶片40分离。在一个实施例中，可以沿着竖直切分线y-y’和水平切分线x-x’从晶片切分光学设备，使得波长监视器段在从晶片切分光学设备10之后保留于光学设备上。

如这里使用的那样，术语切分包括沿着一个或者多个切分线从晶片分离一个或者多个光学芯片。因而切分包括从晶片一起分离多个光学设备（例如作为条）。例如可以通过沿着竖直切分线y-y’从晶片切分成条光学设备。也可以在条级执行光学设备的测试。随后可以从条切分个别光学芯片。

根据光学设备的所需使用，波长监视器32的至少部分可以在从晶片切分之后保留于光学设备上。因此可以在从晶片切分之后测试光学设备（例如在条形式之时在使用光学设备期间作为个别光学设备）。可以在各种时间执行测试。例如也可以以个别形式（在使用之前或者在使用期间）测试在晶片上之时或者在按照条级从晶片切分之时测试的光学设备。当然可以在更晚的时间从光学设备（例如沿着切分线a-a’）切分波长监视器32。在从光学设备切分波长监视器32的实施例中，波长监视器32可以被视为牺牲型波长监视器。这样，牺牲型波长监视器32可以在从光学设备切分之后无进一步使用。

在另一实施例中，可以从晶片（例如沿着竖直切分线a-a’）切分光学设备，使得波长监视器的全部或者部分保留于晶片上。包括波长监视器的晶片的部分（例如在竖直切分线y-y’与a-a’之间的部分）可以被视为晶片40的可丢弃部分。

在一个替代实施例中，在晶片上之时的光学设备的波长监视器的至少部分可以位于相邻光学设备的一部分上。图5示出了如下示例性，其中波长监视器32为两个光电二极管的类型并且构造于与在晶片上之时待测试的光学设备相邻的光学设备上。在测试过程之后，可以沿着竖直切分线a-a’从晶片切分光学设备，并且给定的光学设备的波长监视器32将保留于相邻光学设备上。当然，在波长监视器经由SOA 28耦合到激光器14的实施例中，SOA 28也可以构造于相邻光学设备上并且SOA 28可以在切分之后保留于相邻光学设备上。

如上文讨论的那样，波长监视器32的至少部分可以位于光学设备10上的任何适当位置。图6图示了波长监视器32在前光栅22的近侧耦合到激光器14的一个示例性实施例。在这一例子中，波长监视器32从激光器的前光栅接收光并且在测量之前由SOA 28放大。可以在晶片上测试并且然后切分给定的光学设备10。在这一布置中，给定的光学设备的波长监视器32在SOA 28在切分之后保留就位之时保留于相邻光学列（条）上。SOA 28在光学设备的操作中功能。

因而，根据本发明的形成于晶片上的光学设备可以由也形成于晶片上的关联波长监视器测试。本发明的特征允许在设备制作期间的早期阶段获取光学设备参数。另外根据波长监视器在晶片上的布置，波长监视器可以在从晶片切分光学设备之后保留于光学设备上，或者波长监视器可以在切分之后保留于相邻光学设备或者晶片的可丢弃部分中的至少一个上。

虽然已经关于某个实施例或者某些实施例示出和描述本发明，但是清楚的是本领域技术人员将在阅读和理解本说明书和附图时想到等效变更和修改。具体关于上文描述的单元（部件、组件、设备、组成等）执行的各种功能，用来描述这样的单元的术语（包括对“装置”的引用）除非另有明示则旨在于对应于任何如下单元，该单元即使未结构上与执行本发明的这里所示一个或多个示例性实施例中的功能的公开结构等效，但是执行描述的单元的指定功能（即也就是功能上等效）。此外，尽管上文已经关于若干所示实施例中的一个或者多个描述本发明的特定特征，但是这样的特征可以如对于任何给定或者特定应用而言可以希望和有利的那样与其他实施例的一个或者多个其他特征组合。

Claims (15)

1.一种晶片，包括：

通过切分可分离的多个光学设备，每个光学设备包括光源，所述光源包括波导，并且每个光源被配置成输出光；以及

包括光电二极管的至少一个光学波长监视器，所述光学波长监视器被配置成输出信号，所述信号代表在所述晶片上包括的至少一个光学设备的所述光源输出的光的波长，

其中所述光学波长监视器相对于所述光源位于光学设备上的任何适当位置上；以及

所述光学波长监视器的至少部分在所述晶片上布置成在切分之后保留于相邻光学设备或者所述晶片的可丢弃部分中的至少一个上。

2.根据权利要求1所述的晶片，其中所述光电二极管包括具有比通过所述波导输出的光的波长短的带隙波长的半导体材料。

3.根据权利要求1-2中的任一权利要求所述的晶片，其中所述光电二极管被配置成吸收从所述光源输出的光的一部分，所述吸收依赖于波长。

4.根据权利要求1-2中的任一权利要求所述的晶片，其中所述波长监视器包括倍配置成输出附加信号的附加光电二极管，所述附加信号代表所述光的波长，其中所述光电二极管的输出不同地响应于波长。

5.根据权利要求1-2中的任一权利要求所述的晶片，其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管，所述附加信号代表所述光的总光学功率。

6.根据权利要求4所述的晶片，其中所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导串联布置。

7.根据权利要求5所述的晶片，其中所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导串联布置。

8.根据权利要求6所述的晶片，其中所述光电二极管布置于所述光源内，并且所述附加光电二极管耦合到所述光源。

9.根据权利要求4所述的晶片，其中：

集成波长监视器包括分路器；并且

所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导并联布置。

10.根据权利要求5所述的晶片，其中：

集成波长监视器包括分路器；并且

所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导并联布置。

11.一种在晶片上制造和测试多个光学设备之中的光学设备的方法，所述方法包括：

在所述晶片上形成多个光学设备，每个光学设备包括光源，所述光源包括波导，并且每个光源被配置成输出光；

形成包括光电二极管的至少一个光学波长监视器，所述光学波长监视器被配置成输出信号，所述信号代表在所述晶片上包括的至少一个光学设备的光源输出的光的波长；

在所述光学波长监视器处监视从所述光源输出的光；

从所述光学波长监视器输出代表所述光的波长的信号；并且然后

从所述晶片切分所述光学设备，

其中所述光学波长监视器相对于所述光源位于光学设备上的任何适当位置上；以及

所述光学波长监视器的至少部分在所述晶片上布置成在切分之后保留于相邻光学设备或者所述晶片的可丢弃部分中的至少一个上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述光电二极管被配置成吸收从所述光源输出的光的一部分，所述吸收依赖于波长。

13.根据权利要求11或者12中的任一权利要求所述的方法，其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管，所述附加信号代表所述光的波长，其中所述光电二极管的输出不同地响应于波长。

14.根据权利要求11或者12中的任一权利要求所述的方法，其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管，所述附加信号代表所述光的总光学功率。

15.根据权利要求11-12中的任一权利要求所述的方法，其中在波长范围内执行监视。