CN102478991B - 触摸屏触摸点的检测方法 - Google Patents

Abstract

一种触摸屏触摸点的检测方法，该触摸屏包括：一具有阻抗异向性的导电膜；及沿导电膜低阻抗方向的一侧设置的相互间隔的多个第一驱动电极，每个第一驱动电极分别连接有一驱动电路和一感测电路，该触摸屏的触摸点与触摸导体构成一电容值为C的电容，其中该触摸点与该各第一驱动电极间导电膜的阻值为R_1n(n＝1，2，3，…)；该检测方法包括：由驱动电路向每个第一驱动电极输入一脉冲信号，并通过感测电路获得多个R_1nC值，模拟出由多个R_1nC值构成的第一曲线，通过第一曲线判断触摸点在导电膜高阻抗方向上的坐标；通过感测电路检测耦合电容的电容值C，并将R_1nC值与电容值C相比以滤掉电容值C，从而得到阻值R_1n，计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向的坐标。

Description

触摸屏触摸点的检测方法

技术领域

本发明涉及一种触摸屏触摸点的检测方法，尤其涉及一种基于表面电容式触摸屏触摸点的检测方法。

背景技术

近年来，伴随着移动电话与触摸导航系统等各种电子设备的高性能化和多样化的发展，在液晶等显示设备的前面安装透光性的触摸屏的电子设备逐步增加。这样的电子设备的使用者通过触摸屏，一边对位于触摸屏背面的显示设备的显示内容进行视觉确认，一边利用手指或笔等方式按压触摸屏来进行操作。由此，可以操作电子设备的各种功能。

按照触摸屏的工作原理和传输介质的不同，现有的触摸屏分为四种类型，分别为电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式。其中电容式触摸屏因准确度较高、抗干扰能力强应用较为广泛。

在现有的电容式触摸屏中，通常在一形成有透明导电层的曲面或平面玻璃基板的四个角处各设置一个电极，以形成等电位面，即电压通过该四个电极施加到所述透明导电层，从而在其上形成等电位面。当用裸指或导电装置触摸到触摸屏的表面时，触摸物与透明导电层之间形成一耦合电容，上述四个电极发出的电流便流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，因此，通过检测并计算各电极的电流比例和强弱即可算出触摸点的位置。

然而，上述电容式触摸屏的触摸点的检测方法仅由四个电极所在的四个角来检测整个触摸屏的区域，使检测触摸点的具体位置时不够精确，导致使用者容易误操作。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种可实现精确检测触摸屏触摸点的检测方法。

一种触摸屏触摸点的检测方法，该触摸屏包括：一基板；设置于该基板上的一导电膜，该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，该导电膜具有一第一侧边，该第一侧边垂直于该低阻抗方向；及设置于该导电膜的第一侧边，且沿该高阻抗方向排列的多个相互间隔的第一驱动电极，该多个第一驱动电极分别与该导电膜电连接，所述每个第一驱动电极均分别连接有一驱动电路和一感测电路，该触摸屏的触摸点的位置所对应的导电膜与一触摸导体构成一电容值为C的耦合电容，其中该触摸点与所述各个第一驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_1n(n＝1，2，3，…y，x，z…)；该检测方法包括以下步骤：由所述驱动电路向所述每个第一驱动电极输入一脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第一驱动电极所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值构成的第一曲线，通过该第一曲线判断所述触摸点在上述导电膜的高阻抗方向上的坐标；通过所述感测电路检测所述耦合电容的电容值C，并将上述各第一驱动电极所检测到的R_1nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第一驱动电极与所述触摸点之间的导电膜的电阻值R_1n，以计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向的坐标。

一种触摸屏触摸点的检测方法，该触摸屏包括：一基板；设置于该基板上的一导电膜，该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，沿该导电膜低阻抗方向的相对两侧分别为第一侧边和第二侧边；及沿该第一侧边设置的多个相互间隔的第一驱动电极，和沿该第二侧边设置的多个相互间隔的第二驱动电极，该多个第一驱动电极和多个第二驱动电极分别与该导电膜电连接，所述每个第一驱动电极和每个第二驱动电极均分别连接有一驱动电路和一感测电路，该触摸屏的触摸点的位置所对应的导电膜与一触摸导体构成的一电容值为C的耦合电容，其中该触摸点与所述各个第一驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_1n(n＝1，2，3，…)、该触摸点与所述各个第二驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_2n(n＝1，2，3…)；该检测方法包括以下步骤：由所述驱动电路向所述每个第一驱动电极输入一脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第一驱动电极所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值构成的第一曲线；由所述驱动电路向所述每个第二驱动电极输入一脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第二驱动电极所检测到的电阻值R_2n和电容值C的乘积，即R_2nC值，从而模拟出由该多个R_2nC值所构成的第二曲线；比较上述第一曲线和第二曲线中，具有相同的高阻抗方向坐标处所对应的R_1nC值和R_2nC值，当R_2nC值小于R_1nC值时，采用所述第二曲线判断所述触摸点在导电膜低阻抗方向D的坐标；通过所述感测电路检测所述耦合电容的电容值C，并将上述各第二驱动电极所检测到的R_2nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第二驱动电极与所述触摸点之间的导电膜的电阻值R_2n，以计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向D的坐标。

与现有技术比较，本发明的触摸屏触摸点的检测方法采用的导电膜具有阻抗异向性，且所述多个第一驱动电极设置于所述导电膜沿低阻抗方向的一侧，从而使得在检测触摸点时，该触摸点与其最近的第一驱动电极之间的导电膜的电阻远小于该触摸点与其他第一驱动电极之间的导电膜的电阻，从而使的相邻两个第一驱动电极所检测出的R_1nC值大小也相差很大，这一特点提高了判断各触摸点的准确度。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的触摸屏触摸点的检测方法流程图。

图2为本发明第一实施例提供的触摸屏的结构示意图。

图3为本发明第一实施例提供的触摸屏的每个驱动电极连接的驱动电路与感测电路示意图。

图4为本发明第一实施例提供的触摸屏被触摸时的简化电路图。

图5为本发明第一实施例中脉冲信号输入所述触摸屏时，触摸点处形成的耦合电容的电压变化波形图。

图6为本发明第一实施例在分别检测触摸屏上触摸点I～III时，所模拟出的三个第一曲线示意图。

图7为本发明第一实施例在检测触摸屏上触摸点IV时，所模拟出的第一曲线示意图。

图8为本发明第一实施例在检测触摸屏上触摸点V时，所模拟出的第一曲线示意图。

图9为本发明第一实施例在检测触摸屏上的两个触摸点VI和VII时，所模拟出的第一曲线示意图。

图10为本发明第二实施例提供的触摸屏的每个驱动电极连接的驱动电路与感测电路示意图。

主要元件符号说明

触摸屏                          10

基板                            102

导电膜                          104

第一驱动电极                    106

第二驱动电极                    108

透明保护膜                      110

第一侧边                        111

第二侧边                        112

耦合电容                        114

驱动电路                        120

充电电路                        122

第一开关                        124

存储电路                        1320

读取电路                        134

第二开关                        136

第一曲线                        310，320，330，340，350，360

第二曲线                        450，460

低阻抗方向                      D

高阻抗方向                      H

第一驱动电极编号                M1，M2，M3，M4，M5，M6

触摸点                          I，II，III，IV，V，VI，VII

波谷                            M，N

具体实施方式

以下将结合附图详细说明本发明实施例的触摸屏触摸点位置的检测方法。

请参阅图1至图4，本发明第一实施例提供一种用于检测触摸屏10上的触摸点位置的检测方法，其中，该触摸屏10包括一基板102；设置于该基板102上的一导电膜104，该导电膜104具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向D和一高阻抗方向H；及沿该导电膜104的一第一侧边111设置的多个相互间隔的第一驱动电极106，该多个第一驱动电极106沿该高阻抗方向H排列，且分别与该导电膜104电连接，所述每个第一驱动电极106均分别连接有一驱动电路120和一感测电路130。该触摸屏10在被一触摸导体触碰时，该触摸屏10的触摸点的位置所对应的导电膜104与该触摸导体形成电容值为C的耦合电容114，其中该触摸点与所述各个第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值分别为R₁₁，R₁₂，…R_1n(n＝1，2，3…y，x，z…)。

该触摸点位置的检测方法包括以下步骤：

步骤一：由所述驱动电路120向所述每个第一驱动电极106输入脉冲信号，并通过所述感测电路130分别读取每个第一驱动电极106所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值所构成的第一曲线，通过该第一曲线判断所述触摸点在上述导电膜104高阻抗方向H上的坐标；以及

步骤二：通过所述感测电路130检测所述耦合电容114的电容值C，并将上述各第一驱动电极106所检测到的R_1nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第一驱动电极106与所述触摸点之间的导电膜104的电阻值R_1n，从而计算出所述触摸点在导电膜104低阻抗方向的坐标。

以下首先对上述触摸屏10的结构进行详细说明。

所述基板102由透明材料组成，该透明材料可为聚乙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸二乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、石英或金刚石等。

该导电膜104为导电异向性膜。具体地，该导电膜104所述低阻抗方向D的电导率远大于其他方向的电导率，在高阻抗方向H的电导率远小于其他方向的电导率，该低阻抗方向D与高阻抗方向H垂直。本实施例中，所述导电膜104由至少一层碳纳米管膜组成，该碳纳米管膜通过拉取一碳纳米管阵列直接获得。该碳纳米管膜中的大部分碳纳米管首尾相连地沿同一个方向择优取向延伸，且为一自支撑结构，所述自支撑指碳纳米管膜不需要大面积的载体支撑，而只要相对两边提供支撑力即能整体上悬空而保持自身膜状状态。所述自支撑主要通过碳纳米管膜中存在连续的通过范德华力首尾相连延伸排列的碳纳米管而实现。由于碳纳米管沿其轴向具有好的导电性，且上述碳纳米管膜中的大部分碳纳米管沿同一方向择优取向延伸，因此，该碳纳米管膜整体具有阻抗异向性，即沿碳纳米管延伸的方向为低阻抗方向D，而垂直于该碳纳米管延伸的方向为高阻抗方向H。此外，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，且所述碳纳米管膜中也存在少数随机排列的碳纳米管，这些随机排列的碳纳米管会与相邻的其他碳纳米管相互接触，从而使得该碳纳米管膜在高阻抗方向H仍具有导电性，只是相较于其他方向该碳纳米管膜在该高阻抗方向H的电阻较大，电导率较低。另外，该导电膜104可包括多个相互层叠的碳纳米管膜，其中，相邻的碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向相同。此外，该导电膜104不限于该碳纳米管膜，也可为其他具有阻抗异向性的材料，如沿所述低阻抗方向D设置的多个相互平行排列的条带状氧化铟锡。

所述多个第一驱动电极106均由导电材料形成，可选择为金属、导电聚合物、导电浆料、导电胶、金属性碳纳米管、铟锡氧化物等。该第一驱动电极106的形状和结构不限，可选择为层状、条状、块状、棒状或其它形状。本实施例中，该第一驱动电极106均为条状印刷银电极。该相邻两个第一驱动电极106的间距应适中，若太大则可能使检测所述触摸点的位置时不精确，该间距优选为3毫米～5毫米。该每个第一驱动电极106的长度方向可为平行于所述导电膜104的高阻抗方向H，该长度不能太长，太长也容易使检测所述触摸点的位置时不精确，优选为1毫米～5毫米。该第一驱动电极106的数量不限，依据所述导电膜的面积大小确定。本实施例中，该第一驱动电极106的数量均为6个，每个第一驱动电极106的长度为1毫米，且该相邻两个第一驱动电极106的间距为3毫米。

所述驱动电路120包括一充电电路122及一用以控制充电电路122的第一开关124。所述充电电路122通过所述第一开关124与所述第一驱动电极106串联。所述充电电路122可连接至一电压源(图未示)。所述感测电路130包括一存储电路1320、一读取电路134及一用于控制存储电路1320与读取电路134的第二开关136。所述存储电路1320与所述读取电路134并联，并通过所述第二开关136与所述第一驱动电极106串联。所述驱动电路120和所述感测电路130相互并联。所述存储电路1320可进一步串联一电阻(图未示)，该存储电路1320通过该电阻接地。

进一步地，所述触摸屏10的导电膜104上可设置一透明保护膜110，该透明保护膜110可由氮化硅、氧化硅、苯丙环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂等材料形成。该透明保护膜110也可采用一层表面硬化处理、光滑防刮的塑料层，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，用于保护导电膜104，提高耐用性。该透明保护膜110还可用于提供一些其它的附加功能，如可以减少眩光或降低反射。

进一步地，为使所述导电膜104与所述基底102和所述透明保护膜110贴合的更加牢固，所述导电膜104和所述基底102之间，及所述导电膜104和所述透明保护膜110之间可设置一粘胶层(图未示)，该粘胶层的材料可以为OCA光学胶或UV胶等。

请参阅图4，当所述导体触碰所述触摸屏10时，所述触摸点与一第一驱动电极106之间的导电膜104及该耦合电容114便组成了一电路。由于所述各个第一驱动电极106的位置不同，因此所述触摸点与各个第一驱动电极106之间接入的导电膜104的电阻值R_1n也不同。此外，由于所述导电膜104具有阻抗异向性，因此，触摸点与距离该触摸点最近的第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n小于该触摸点与其他第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n。因此，可通过各第一驱动电极106检测导电膜104的R_1nC值，以判断触摸点在高阻抗方向H的坐标，并通过检测出耦合电容114的电容值C，将所述R_1nC值与该电容值C相比以计算出所述触摸点与各第一驱动电极106之间的电阻值R_1n。由于阻抗异向性导电膜104上某点到第一侧边111之间的电阻与该点的位置具有函数关系，因此根据该电阻值R_1n与触摸点在低阻抗方向D的坐标之间的一函数关系计算即可得该触摸点在触摸屏10在低阻抗方向D的坐标。

以下将对检测所述触摸屏10上触摸点位置的检测过程进行详细描述。

步骤一

模拟出由多个R_1nC值所构成的第一曲线的过程可逐一或同时通过所述多个第一驱动电极106检测，即所述脉冲信号可逐一输入或同时输入所述多个第一驱动电极106。当脉冲信号逐一输入所述多个第一驱动电极106时，其他未输入脉冲信号的第一驱动电极106被接地或连接至一固定电位。

所述脉冲信号的输入通过控制第一开关124和第二开关136而实现。具体地，该第一开关124和第二开关136会交替地一者被导通，而另一者被断开，从而形成该脉冲信号。请参阅图5，图中V代表驱动电路120输入所述导电膜104的驱动电压，V_C代表所述耦合电容114的耦合电压。其中，所述第一开关124和第二开关136被导通的时间分别为T1和T2，在时间T1中，第一开关124被导通，而第二开关136被断开，在时间T2中，第一开关124被断开，而第二开关136被导通。进一步地，时间T1可大于或等于时间T2，优选为时间T1大于时间T2。

在上述第一开关124和第二开关136交替地一者被导通，而另一者被断开时，充电电路122及存储电路1320会交替地对该耦合电容114进行充电和放电，即在上述时间T1中，充电电路122会通过所述第一驱动电极106向所述导电膜104输入一具体的电压V₀，即V＝V₀，以对该耦合电容114进行充电，而在上述时间T2中，该耦合电容114便开始放电至所述存储电路1320，相应地，该存储电路1320会被充电。

在上述时间T1中，所述耦合电容114先经过t2时间的暂态之后才逐渐被充满，从而进入稳态。即在t2时间内，所述耦合电容114的电压V_C逐渐上升，而经过t2时间之后，其电压V_C趋于恒定，所输入的电压V₀则全部在所述耦合电容114上，即此时V_C＝V₀。同理，在T2时间中，所述耦合电容114也会先经过t2时间的暂态之后才逐渐被放电完毕。在上述耦合电容114在充电或放电时处于暂态的过程中，所述存储电路1320则相应地放电或充电且也处于暂态。在暂态t2时间内的某个时间点，所述读取电路134通过检测所述存储电路1320在暂态时的电压即可换算出耦合电容114处于暂态时的R_1nC值，该换算过程所采用的公式具体为：式中t代表耦合电容114在处于暂态的过程中，耦合电容114两端的电压从零升到V_C所用的时间。因此，当脉冲信号分别输入每个第一驱动电极106时，与每个第一驱动电极106相连的读取电路134均能分别计算出上述耦合电容114充电或放电过程中暂态时的一个R_1nC值，从而可模拟出一第一曲线，即R_1nC值的变化曲线，通过该R_1nC值的变化曲线便可检测出该触摸点在导电膜104高阻抗方向H上的坐标。

以下将分别介绍该触摸屏10仅有一处或多处被触摸时，即单点触摸或多点触摸时，各触摸点的具体检测过程。

单点触摸检测

请参阅6至图8，以下将详细介绍当触摸屏10被单点触摸时，通过第一曲线，即R_1nC值的变化曲线检测不同时刻产生的不同触摸点I～V在导电膜104的高阻抗方向H上的坐标值的过程。

以便于描述，可将所述多个第一驱动电极106依次编号为M1、M2、M3、M4、M5、M6。该多个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标依次为X1、X2、X3、X4、X5、X6。以下在描述各个第一驱动电极106将分别用其各自的编号替代。且以下R_1nC值中的n＝1，2…6，且R₁₁C值通过M1检测出，R₁₂C值通过M2检测出，R₁₃C值通过M3检测出，R₁₄C值通过M4检测出，R₁₅C值通过M5检测出，R₁₆C值通过M6检测出。

所述触摸点I～III依次沿导电膜104的低阻抗方向D排列，且对准M4，其中触摸点II位于导电膜104沿低阻抗方向D的直线的中间位置，触摸点I和触摸点III相对于位置II对称；

触摸点IV位于触摸点I～III所在直线的靠近电极M5的一侧，触摸点IV与M4沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离小于触摸点IV与M5沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离；

触摸点V相对于触摸点IV更靠近M5，且触摸点V与M4沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离等于触摸点V与M5沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离相等，且触摸点V与第一侧边111的距离小于与第二侧边112的距离。

(1)对触摸点I～III的检测

请参阅图6，第一曲线310所表示的为当触摸点I被触摸时，与所述多个第一驱动电极106电连接的读取电路134所读取出的R_1nC值变化曲线。从图6中可以看出，与触摸点I相对的M4所检测到的R₁₄C值最小，处于整个第一曲线310的波谷处，而与M4相邻的M5和M3所检测到的两个R₁₅C、R₁₃C值相等且远大于M4所检测到的R₁₄C值，而其他离触摸点I的距离越远的第一驱动电极106所检测的R_1nC值越大，且随着距离的增大，波动幅度减小，同时，整个R_1nC值变化曲线的波形相对于波谷所在的沿低阻抗方向D的直线对称。这主要是因为触摸点I正对M4，因此具有最小的电阻R₁₄，因此，根据此波型可直接判断出该触摸点I在高阻抗方向H的坐标为X₄。另外，该触摸点I在高阻抗方向H的坐标，也可经过内插法计算，具体公式如下： $X_I=\frac{X_3{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C},$ $X_I=\frac{X_3{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C},$ 或 $X_I=\frac{X_1{\mathrm{\ΔR}}_{11}C+X_2{\mathrm{\ΔR}}_{12}C+X_3\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+X_4\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+X_5\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+X_6\mathrm{\Δ}{R}_{16}C}{\mathrm{\Δ}{R}_{11}C+\mathrm{\Δ}{R}_{12}C+\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+\mathrm{\Δ}{R}_{16}C},$ 优选为采用公式 $X_I=\frac{X_3\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+X_5\mathrm{\Δ}{R}_{15}C}{\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+\mathrm{\Δ}{R}_{15}C}$ 计算。

上述各公式中的ΔR_1nC＝R_1kC-R_1nC，其中n＝1，2，…6，R_1kC指上述第一驱动电极检测出的最大R_1nC值，从图6可以看出，当触摸点I被触摸时，R_1kC值为R₁₁C。

图6中第一曲线320和第一曲线330分别为触摸点II和触摸点III被触摸时，与各个第一驱动电极104电连接的读取电路134所读取出的R_1nC值变化曲线。可见该第一曲线320和第一曲线330的变化趋势相似于第一曲线310，且当触摸点II或III被触摸时，相同的第一驱动电极106所检测出的R_1nC值略大于触摸点I被触摸时所读取出的R_1nC值，这是因为触摸点II或III与各第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n大于触摸点I与各个第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n，计算该触摸点在高阻抗方向H的坐标也可通过上述公式计算。

因此，通过上述分析可知，检测第一曲线中三个最小的R_1nC值所对应的第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标，若其中有两个R_1nC值相同，且该两个相等的R_1nC值所对应的两个第一驱动电极106相对于另一个第一驱动电极106对称，则该触摸点在高阻抗方向H的坐标即等于该另一个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标，该坐标可直接读出，也可通过内插法计算获得。

(2)对触摸点IV的检测

请参阅图7，第一曲线340为触摸点IV被触摸时，与各个第一驱动电极106连接的读取电路134所读取到的R_1nC值。由于触摸点IV位于触摸点I～III所在直线靠近M5的一侧，且该触摸点IV与M4沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离小于触摸点IV与M5沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离，因此，M4所检测到的R₁₄C值小于M5所检测到的R₁₅C值，而X3所检测到的R₁₃C值则略大于M5所检测到R₁₅C值，而其他第一驱动电极106所检测到的R_1nC值则远大于该M3、M4及M5所检测到的R_1nC(n＝3，4，5)值，且变化幅度减小。因此，通过该R_1nC值变化曲线可推测该触摸点IV位于M4与M5所在沿低阻抗方向D的两直线之间，且靠近M4。为更进一步判断触摸点IV在导电膜104高阻抗方向H的坐标，可至少将M4与M5所检测到的R₁₄C和R₁₅C值与M4与M5所对应的在高阻抗方向H的坐标X₄和X₅以内插法计算获得触摸点IV在高阻抗方向H的坐标X_IV。具体的计算公式可为：

$X_{\mathrm{IV}}=\frac{X_1{\mathrm{\ΔR}}_{11}C+X_2{\mathrm{\ΔR}}_{12}C+X_3\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+X_4\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+X_5\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+X_6\mathrm{\Δ}{R}_{16}C}{\mathrm{\Δ}{R}_{11}C+\mathrm{\Δ}{R}_{12}C+\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+\mathrm{\Δ}{R}_{16}C},$

此外，由于所述M₁、M₂所检测的R₁₁C值、R₁₂C值与X6所检测出的R₁₆C值均大于其它第一驱动电极106所检测出的R_1nC值，且变化幅度很小，因此也可计算触摸点IV在高阻抗方向H的坐标通过下列公式：

$X_{\mathrm{IV}}=\frac{X_3{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{13}C+{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C},$ 或 $X_{\mathrm{IV}}=\frac{X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C},$

优选为采用公式计算。

上述各公式中的ΔR_1nC＝R_1kC-R_1nC，其中n＝1，2，…6，R_1kC指上述第一驱动电极检测出的最大R_1nC值，从图7可以看出，当触摸点I被触摸时，R_1kC值为R₁₁C。

(3)对触摸点V的检测

请参阅图8，第一曲线350为当触摸点V被触摸时，各个第一驱动电极106所检测到的R_1nC值。由于触摸点V与M4沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离，与触摸点V与M5沿低阻抗方向D所在直线的垂直距离相等，因此，通过M4所检测到的R₁₄C值与通过M5所检测到的R₁₅C值相同，而分别与M4和M5相邻的M3和M6所检测到的R₁₃C和R₁₆C值也相同，且大于X4和X5所检测到的R₁₄C值和R₁₅C值。因此，通过该R_1nC值变化曲线可判断出所述触摸点V位于M4与M5连线的中轴线上，从而可定位出触摸点V在高阻抗方向H的坐标。另外，也可通过公式计算如下：

$X_V=\frac{X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C},$ $X_V=\frac{X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C+X_6{\mathrm{\ΔR}}_{16}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C+{\mathrm{\ΔR}}_{16}C},$ $X_V=\frac{X_4{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+X_5{\mathrm{\ΔR}}_{15}C+X_3{\mathrm{\ΔR}}_{13}C}{{\mathrm{\ΔR}}_{14}C+{\mathrm{\ΔR}}_{15}C+{\mathrm{\ΔR}}_{13}C},$ 或 $X_V=\frac{X_1{\mathrm{\ΔR}}_{11}C+X_2{\mathrm{\ΔR}}_{12}C+X_3\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+X_4\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+X_5\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+X_6\mathrm{\Δ}{R}_{16}C}{\mathrm{\Δ}{R}_{11}C+\mathrm{\Δ}{R}_{12}C+\mathrm{\Δ}{R}_{13}C+\mathrm{\Δ}{R}_{14}C+\mathrm{\Δ}{R}_{15}C+\mathrm{\Δ}{R}_{16}C}.$

上述各公式中的ΔR_1nC＝R_1kC-R_1nC，其中n＝1，2，…6，R_1kC指上述第一驱动电极检测出的最大R_1nC值，从图8可以看出，当触摸点I被触摸时，R_1kC值为R₁₁C。

通过上述对触摸点I～V的检测分析可知，判断单点触摸时，若无法通过第一曲线直接判断出所述触摸点在高阻抗方向H的坐标，可通过以下次步骤：S31，检测出该第一曲线，即不同第一驱动电极106所检测出的R_1nC值变化曲线；S32，找到该第一曲线中的波谷位置，至少检测出该波谷位置的R_1nC值(最小R_1xC值)及与该最小R_1xC值相邻的次小R_1yC值，将最小R_1xC值与次小R_1yC值所对应的两个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标与该R_1xC值与R_1yC值通过内插法计算获得所述触摸点在高阻抗方向H的坐标。该内插法的计算通式为：该公式中，ΔR_1xC＝R_1kC-R_1xC，ΔR_1yC＝R_1kC-R_1yC，X_X代表检测出R_1xC值的第一驱动电极106的坐标，X_Y代表检测出R_1yC值的第一驱动电极的坐标。

此外，通过上述第一曲线可直接检测出的所述触摸点在高阻抗方向H的坐标也可通过内插法计算。具体为，当该第一曲线中的最小R_1xC值和次小R_1yC值相等时，则可通过该最小R_1xC值和次小R_1yC值与检测出该最小R_1xC值和次小R_1yC值的两个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标通过内插法计算以得到所述触摸点的坐标，公式为当该第一曲线中的最小R_1xC值和次小R_1yC值不相等时，则要检测出该第一曲线中的次次小的R_1zC值，若该次次小R_1zC值和次小R_1yC值相等，则将该至少次次小R_1zC值和次小R_1yC值与检测出该次次小R_1zC值和次小R_1yC值的两个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标通过内插法计算以获得触摸点在高阻抗方向H的坐标。该两种触摸点高阻抗方向H的坐标通过内插法计算的公式具体可为：其中，此时R_1zC值与R_1yC值相等，式中ΔR_1zC＝R_1kC-R_1zC。

此外，当单点触摸时该第一曲线只有一个波谷，上述几种类型的触摸点在高阻抗方向H的坐标均可仅检测出三个最小的R_1nC值，并直接将该三个最小的R_1nC值与所对应的三个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标通过内插法计算获得所述触摸点在高阻抗方向H的坐标，具体公式为：其中，R_1ZC值代表各第一驱动电极106所检测出的次次小R_1nC值，X_Z代表检测出该次次小R_1nC值的第一驱动电极106的坐标，其中R_1xC值与R_1yC值可相同或不同；或者直接将第一曲线中的所述多个第一驱动电极106所检测出的R_1nC值与该多个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标通过内插法计算获得所述触摸点在高阻抗方向H的坐标。该内插法的计算公式为式中E为第一驱动电极106的电极总数。

多点触摸检测

请参阅图9，当如图所示的触摸点VI和VII同时被触摸时，通过所述驱动电路120依次或同时向所述多个第一驱动电极106输入脉冲信号，所述各个感测电路130便可读取出多个R_1nC值，从而便形成如图9所示的第一曲线360，即R_1nC值变化曲线。可以发现，该第一曲线360不同于上述单点触摸时所模拟出的R_1nC值变化曲线，该第一曲线360中出现两个波谷M、N，即两个最小R_1MC及R_1NC值，而除该两个最小R_1MC及R_1NC值之外，其他第一驱动电极106所检测出的R_1nC值均很大，且变化幅度减小。因此，与上述检测单个触摸点的沿高阻抗方向H的坐标相同，分别检测该R_1MC值及R_1NC值所对应的相邻两个第一驱动电极106所检测到的R_1(M+1)C值，R_1(M-1)C值，R_1(N+1)C值，及R_1(N-1)C值，如图9中波谷M所对应的M1、M2和M3所检测出的R₁₁C值、R₁₂C值和R₁₃C，波谷N所对应的M4、M5和M6所检测出的R₁₄C值、R₁₅C值和R₁₆C值，之后再将该每个波谷处所对应的三个最小的R_1nC值与检测出该三个最小的R_1nC值的三个第一驱动电极106在高阻抗方向H上的坐标通过内插法计算出该触摸点VI和VII在高阻抗方向H上的具体坐标，该具体的公式与上述检测单点触摸时的方法相同，在此不再赘述。

通过上述对触摸点VI和VII的检测分析可知，若所述多个触摸点不能直接检测出，则要判断多点触摸时触摸点在导电膜104的高阻抗方向H的坐标，可包括以下次步骤：S31，检测出该第一曲线，即不同第一驱动电极106所检测出的R_1nC值变化曲线；S32，找到该第一曲线中的多个波谷位置，至少检测出该多个波谷位置的R_1nC值(最小R_1x1C，R_1x2C，…R_1xmC值)及与该多个最小R_1x1C，R_1x2C，…R_1xmC值相邻的次小R_1y1C，R_1y2，…R_1ym值，分别将R_1xmC值与R_1ymC值所对应的两个第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标与该R_1xmC值与R_1ymC值通过内插法计算获得所述多个触摸点在高阻抗方向H的坐标。

可见，由于所述导电膜104具有阻抗异向性，且所述多个第一驱动电极106设置于所述导电膜104沿低阻抗方向D的一侧，从而使得在检测触摸点时，该触摸点与其最近的第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n远小于该触摸点与其他第一驱动电极106之间的导电膜104的电阻值R_1n，从而使的相邻两个第一驱动电极106所检测出的R_1nC值大小也相差很大，这一特点不仅提高了判断各触摸点的准确度，也使得当该触摸屏10被多点触摸时，该多个触摸点互相之间的检测干扰很小，易于定位。

步骤二

该低阻抗方向D的坐标可根据触摸点在导电膜104高阻抗方向H的坐标已知时，电阻R_1n与触摸点在导电膜104低阻抗方向D上的坐标之间的一函数关系计算。当所述耦合电容114处于稳态时，所述读取电路134通过检测所述电容1320处于稳态时的电压值即可换算出所述耦合电容114的电容值C。之后将上述步骤一中各个第一驱动电极106所检测出的R_1nC值与该电容值C相比，从而可滤掉该电容值C以计算出所述触摸点到各个第一驱动电极106之间的电阻值R_1n。

对于不同的阻抗异向性导电膜，所述函数关系可能不同。所述函数关系可预先通过统计法计算出，该函数关系具体为，触摸点在高阻抗方向H的坐标与各第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标差值、触摸点在低阻抗方向D的坐标、及各第一驱动电极106与所述触摸点之间的导电膜104的电阻值R_1n三者之间的函数关系。由于通过上述步骤一已确定出所述触摸点在高阻抗方向H的坐标，且通过该步骤将R_1nC值与电容值C相比可计算出各第一驱动电极106与触摸点之间的导电膜104的电阻值R_1n，将该已知的电阻值R_1n与上述触摸点在高阻抗方向H的坐标值代入所述函数关系中，即可计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向D的坐标。例如，当该导电膜104为单层的从碳纳米管阵列中拉取获得的碳米管膜时，该函数关系为其中A为导电膜104在低阻抗方向D的总长度，R_A为导电膜104在低阻抗方向D的总电阻，Δx为触摸点在高阻抗方向H的坐标与各第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标差值，y代表触摸点在低阻抗方向D的坐标。

上述触摸点I～V的沿低阻抗方向D的坐标，均可通过该步骤二获得，在此不再一一赘述。同理，上述触摸点VI和VII的沿低阻抗方向D的坐标也可通过上述函数关系计算出。

上述步骤一和步骤二的检测过程可同时进行，也可分别进行。可见，通过上述方法可测得单个触摸点或多个触摸点在导电膜104低阻抗方向D的坐标和高阻抗方向H的坐标，从而可获得该触摸点的具体位置。

从上述步骤中可以看出，所述触摸点高阻抗方向H的坐标可仅通过该多个第一驱动电极106所读取的R_1nC值判断。该触摸点的低阻抗方向D的坐标则要通过计算出该触摸点与各个第一驱动电极106之间的电阻值R_1n，并将该电阻值R_1n、检测出该电阻值R_1n的第一驱动电极106在高阻抗方向H的坐标与该触摸点在高阻抗方向H的坐标之差值代入所述预先通过统计法拟合出的函数关系中，从而计算出该触摸点在低阻抗方向D的坐标。

请参阅图10，本发明第二实施例提供一种触摸屏触摸点的检测方法，相较于上述第一实施例，该触摸屏10进一步包括多个相互间隔设置的第二驱动电极108，该多个第二驱动电极108设置于沿低阻抗方向D的与第一侧边111相对的一第二侧边112上。所述多个第一驱动电极106与该多个第二驱动电极108一一相对设置，或者相互交错设置，即每个第一驱动电极106与其中的一个第二驱动电极108的连线与所述导电膜106的低阻抗方向D平行，或每个第一驱动电极106与其中的任一个第二驱动电极108的连线均与所述导电膜106的低阻抗方向D相交而不平行。所述各个第二驱动电极108与所述触摸点之间的导电膜104的电阻值为R_2n(n＝1，2，3…)。所述每个第二驱动电极108均分别连接有一驱动电路120和一感测电路130。

所述多个第二驱动电极108与所述多个第一驱动电极106一一相对设置。此外，本实施例的多个第二驱动电极108的材料、形状及设置方式均与上述第一实施例描述的第一驱动电极106的材料、形状及设置方式相同，再次不再重复。

该实施例的检测方法包括以下步骤：

步骤一：由所述驱动电路120向所述每个第一驱动电极106输入一脉冲信号，并通过所述感测电路130分别读取每个第一驱动电极106所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值所构成的第一曲线；

步骤二：由所述驱动电路120向所述每个第二驱动电极108输入一脉冲信号，并通过所述感测电路130分别读取每个第二驱动电极108所检测到的电阻值R_2n和电容值C的乘积，即R_2nC值，从而模拟出由该多个R_2nC值所构成的第二曲线；

步骤三：比较上述第一曲线和第二曲线中具有相同的高阻抗方向坐标处所对应的R_1nC值和R_2nC值，当R_2nC值小于R_1nC值时，采用所述第二曲线判断所述触摸点在导电膜104低阻抗方向D的坐标；

步骤四：通过所述感测电路检测所述耦合电容114的电容值C，并将上述各第二驱动电极108所检测到的R_2nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第二驱动电极108与所述触摸点之间的导电膜104的电阻值R_2n，从而计算出所述触摸点在导电膜104低阻抗方向D的坐标。

上述模拟出由多个R_1nC值所构成的第一曲线的过程可逐一通过所述多个第一驱动电极106检测，或同时通过所述多个第一驱动电极106检测，即所述脉冲信号可逐一输入或同时输入所述多个第一驱动电极106。当脉冲信号逐一输入所述多个第一驱动电极106时，其他未输入脉冲信号的第一驱动电极106被接地或连接至一固定电位。此外，在脉冲信号逐一或同时输入所述多个第一驱动电极106时，所述多个第二驱动电极108可全部被接地或连接至一固定电位，或者也逐一或同时被输入脉冲信号。

本实施例的触摸点的检测过程与上述第一实施例基本相同，其区别在于，本实施例的步骤二进一步向多个第二驱动电极108输入脉冲信号，并模拟出了一由该多个第二驱动电极108所检测到的R_2nC值构成的第二曲线；通过步骤三比较该第一曲线和第二曲线中的R_1nC值和R_2nC值的大小以确定通过更靠近触摸点一侧的驱动电极来检测触摸点在低阻抗方向D和高阻抗方向H的坐标。具体为，当所述触摸屏10的面积较大时，若该触摸点更靠近所述多个第二驱动电极108，则所述多个第二驱动电极108所检测到的R_2nC值的变化趋势较第一驱动电极106所检测到的R_1nC值的变化趋势更明显，从而根据该第二曲线可更准确地判断所述触摸点在低阻抗方向D和高阻抗方向H的坐标，该具体的检测过程与上述第一实施例相同，在此不再赘述。

本发明所述的触摸屏触摸点的检测方法所应用的触摸屏为仅具有一层导电膜的电容式触摸屏，结构比现有的电容式触摸屏更简单，且可以使得触摸屏具有更薄厚度，而且也能实现单点、多点触控的功能，有利于触摸屏的轻薄化发展，适应未来发展需求。

另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (15)

1.一种触摸屏触摸点的检测方法，该触摸屏包括：

一基板；

设置于该基板表面的一导电膜，该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，该导电膜具有一第一侧边，该第一侧边垂直于该低阻抗方向；及

设置于该导电膜的第一侧边，且沿该高阻抗方向排列的多个相互间隔的第一驱动电极，该多个第一驱动电极分别与该导电膜电连接，所述每个第一驱动电极均分别连接有一驱动电路和一感测电路，该触摸屏的触摸点的位置所对应的导电膜与一触摸导体构成一电容值为C的耦合电容，其中该触摸点与所述各个第一驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_1n(n＝1，2，3，...y，x，z...)；

其特征在于该检测方法包括以下步骤：

由所述驱动电路向所述每个第一驱动电极输入脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第一驱动电极所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值构成的第一曲线，通过该第一曲线判断所述触摸点在上述导电膜的高阻抗方向的坐标；

通过所述感测电路检测所述耦合电容的电容值C，并将上述各第一驱动电极所检测到的R_1nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第一驱动电极与所述触摸点之间的导电膜的电阻值R_1n，以计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向的坐标，其中计算所述触摸点在低阻抗方向的坐标通过一函数关系计算，当该导电膜为单层的从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜时，该函数关系为其中A为导电膜在低阻抗方向的总长度，R_A为导电膜在低阻抗方向的总电阻，Δx为所述触摸点在高阻抗方向的坐标与所述各个第一驱动电极在高阻抗方向的坐标差值，y代表所述触摸点在低阻抗方向的坐标。

2.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，通过该第一曲线判断所述触摸点在上述导电膜的高阻抗方向的坐标进一步包括以下步骤：检测出该第一曲线中的最小R_1xC值及与其相邻的次小R_1yC值和次次小R_1zC值，及该最小R_1xC值、次小R_1yC值及次次小R_1zC值所对应的在高阻抗方向的坐标X_x，X_y，X_z，通过内插法计算所述触摸点在高阻抗方向的坐标。

3.如权利要求2所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，通过内插法计算触摸点在高阻抗方向的坐标，该内插法的公式为：式中ΔR_1xC＝R_1kC-R_1xC，ΔR_1yC＝R_1kC-R_1yC，ΔR_1zC＝R_1kC-R_1zC。

4.如权利要求2所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，当R_1yC值与R_1zC值相等时，所述内插法计算触摸点在高阻抗方向的坐标公式为：式中ΔR_1yC＝R_1kC-R_1yC，ΔR_1zC＝R_1kC-R_1zC。

5.如权利要求2所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，当R_1xC值与R_1yC值相等时，所述内插法计算触摸点在高阻抗方向的坐标公式为：式中ΔR_1xC＝R_1kC-R_1xC，ΔR_1yC＝R_1kC-R_1yC。

6.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述脉冲信号通过所述驱动电路逐一地或者同时输入所述多个第一驱动电极。

7.如权利要求6所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，当所述脉冲信号逐一地输入所述多个第一驱动电极时，其他未输入脉冲信号的第一驱动电极接地或连接至一固定电位。

8.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述脉冲信号的输入使所述耦合电容被交替地充电和放电，所述充电的时间大于放电的时间。

9.如权利要求8所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述耦合电容在充电或放电的过程中，均由暂态向稳态变化。

10.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述驱动电路包括一用以向所述耦合电容充电的充电电路和一用以控制该充电电路的第一开关；所述感测电路包括一存储电路、一读取电路及一用于控制存储电路和读取电路的第二开关，所述存储电路包括一电容，当所述耦合电容放电时，该电容被充电。

11.如权利要求10所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述第一开关和第二开关交替地一者被导通一者被断开，以向所述导电膜输入所述脉冲信号。

12.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸，所述低阻抗方向为该碳纳米管的延伸方向。

13.如权利要求12所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述导电膜包括多个相互层叠的碳纳米管膜，相邻两个碳纳米管膜中的碳纳米管延伸方向相同。

14.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法，其特征在于，所述相邻的两个第一驱动电极之间的距离为3毫米至5毫米。

15.一种触摸屏触摸点的检测方法，该触摸屏包括：

一基板；

设置于该基板上的一导电膜，该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，沿该导电膜低阻抗方向的相对两侧分别为第一侧边和第二侧边；及

沿该第一侧边设置的多个相互间隔的第一驱动电极，和沿该第二侧边设置的多个相互间隔的第二驱动电极，该多个第一驱动电极和多个第二驱动电极分别与该导电膜电连接，所述每个第一驱动电极和每个第二驱动电极均分别连接有一驱动电路和一感测电路，该触摸屏的触摸点与一触摸导体构成的一电容值为C的耦合电容，其中该触摸点与所述各个第一驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_1n(n＝1，2，3，...)、该触摸点与所述各个第二驱动电极之间的导电膜的电阻值为R_2n(n＝1，2，3...)；

其特征在于该检测方法包括以下步骤：

由所述驱动电路向所述每个第一驱动电极输入一脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第一驱动电极所检测到的电阻值R_1n和电容值C的乘积，即R_1nC值，从而模拟出由该多个R_1nC值构成的第一曲线；

由所述驱动电路向所述每个第二驱动电极输入一脉冲信号，并通过所述感测电路分别获得每个第二驱动电极所检测到的电阻值R_2n和电容值C的乘积，即R_2nC值，从而模拟出由该多个R_2nC值所构成的第二曲线；

比较上述第一曲线和第二曲线中，具有相同的高阻抗方向坐标处所对应的R_1nC值和R_2nC值，当R2_nC值小于R_1nC值时，采用所述第二曲线判断所述触摸点在导电膜低阻抗方向的坐标；

通过所述感测电路检测所述耦合电容的电容值C，并将上述各第二驱动电极所检测到的R_2nC值与该电容值C相比以滤掉该电容值C，从而得到各第二驱动电极与所述触摸点之间的导电膜的电阻值R_2n，以计算出所述触摸点在导电膜低阻抗方向的坐标，其中计算所述触摸点在低阻抗方向的坐标通过一函数关系计算，当该导电膜为单层的从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜时，该函数关系为其中A为导电膜在低阻抗方向的总长度，R_A为导电膜在低阻抗方向的总电阻，Δx为所述触摸点在高阻抗方向的坐标与所述各个第一驱动电极在高阻抗方向的坐标差值，y代表所述触摸点在低阻抗方向的坐标。