CN102453864A - 混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用 - Google Patents

Abstract

本发明的名称为混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用，一般提供在衬底12上溅射硫化镉层18的方法。硫化镉层18能够从包括镉、硫和氧的混合靶64在衬底12上溅射。硫化镉层18能够在形成碲化镉薄膜光伏装置10的方法中使用。还一般提供包括硫化镉和氧化镉的混合靶64。

Description

混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用

技术领域

一般来说，本文所公开的主题涉及硫化镉薄膜层及其沉积方法。更具体来说，本文所公开的主题涉及供碲化镉薄膜光伏装置中使用的硫化镉层及其制造方法。

背景技术

基于与硫化镉(CdS)组对的碲化镉(CdTe)作为光活性成分的薄膜光伏(PV)模块(又称作“太阳能电池板”)在工业中正得到广泛认同和关注。CdTe是具有特别适合于将太阳能转换成电力的特性的半导体材料。例如，CdTe具有大约1.45eV的能带隙，与历史上用于太阳能电池应用的较低带隙半导体材料(例如对于硅大约为1.1eV)相比，这使它能够转换来自太阳光谱的更多能量。另外，与较低带隙材料相比，CdTe转换较低或散射光条件下的辐射能，且因此与其它常规材料相比，在一天的过程中或者在多云条件下具有较长有效转换时间。n型层和p型层的结点一般负责当CdTe PV模块暴露于光能、诸如太阳光时生成电位和电流。具体来说，碲化镉(CdTe)层和硫化镉(CdS)形成p-n异质结，其中CdTe层充当p型层(即，正受电子层)，而CdS层充当n型层(即，负供电子层)。

硫化镉层是光伏装置中的“窗口层”，因为光能经过它进入碲化镉层。但是，从硫化镉靶溅射硫化镉层是高成本过程，并且一般低效地使用源材料。

需要一种以更节省成本的方式来溅射硫化镉层并且产生基本上均匀硫化镉层的方法。特别是在碲化镉薄膜光伏装置的商业规模制造过程中。

发明内容

本发明的方面和优点将部分地在以下说明书中提出，或者从说明书可以是显而易见的，或者可通过实施本发明来了解。

一般提供在衬底上溅射硫化镉层的方法。硫化镉层能够从包括镉、硫和氧的混合靶在衬底上溅射。硫化镉层能够在形成碲化镉薄膜光伏装置的方法中使用。

还一般提供包括硫化镉和氧化镉的混合靶。

参照以下说明书和所附权利要求，将会更好地理解本发明的这些及其它特征、方面和优点。结合在本说明书中并构成其组成部分的附图示出本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

附图说明

针对本领域的技术人员的本发明的全面和能够实现的公开、包括其最佳模式在说明书中提出，其中参照附图，附图包括：

图1示出按照本发明的一个实施例的示范碲化镉薄膜光伏装置的截面图的一般示意图；

图2示出按照本发明的一个实施例的示范DC溅射室的截面图的一般示意图；以及

图3示出制造包括碲化镉薄膜光伏装置的光伏模块的示范方法的流程图。

本说明书和附图中的参考标号的重复使用旨在表示相同或相似特征或元件。

组件表

10    光伏装置

12    玻璃

14    透明导电氧化物层

16    电阻透明缓冲层

18    硫化镉层

20    碲化镉层

22    背接触层

24    封接玻璃

30    方法

32，34，36，38，40，42，44，46，48    步骤

60    室

62    DC电源

64    阴极

66    顶部支承件

67    底部支承件

68    导线

69    导线

70    等离子体场

具体实施方式

现在详细参照本发明的实施例，在附图中示出它们的一个或多个示例。各示例作为本发明的说明而不是对本发明的限制来提供。实际上，本领域的技术人员清楚地知道，能够在没有背离本发明的范围或精神的情况下在本发明中进行各种修改和变更。例如，作为一个实施例的部分示出或描述的特征能够与另一个实施例配合使用，以便产生又一个实施例。因此，本发明意在包含落入所附权利要求书及其等效物的范围之内的这类修改和变更。

在本公开中，当将层描述为在另一层或衬底“上”或“之上”时，大家要理解，这些层能够相互直接接触或者在这些层之间具有另一个层或部件(feature)。因此，这些术语只是描述这些层相互之间的相对位置，而不一定表示“在...顶上”，因为上方或下方的相对位置取决于对观看者而言装置的取向。另外，虽然本发明并不局限于任何特定膜厚度，但是描述光伏装置的任何膜层的术语“薄”一般指的是厚度小于大约10微米(“μm”)的膜层。

要理解，本文所述的范围和界限包括位于规定界限之内的所有范围(即，子范围)。例如，从大约100至大约200的范围还包括从110至150、170至190、153至162以及145.3至149.6的范围。此外，一直到大约7的界限还包括一直到大约5、一直到3和一直到大约4.5的界限以及在该界限之内的范围，例如从大约1至大约5以及从大约3.2至大约6.5。

一般来说，公开用于将硫化镉层、特别是碲化镉基薄膜光伏装置中包含的那些硫化镉层从包含硫化镉和氧化镉的混合靶溅射到衬底上的方法。这些溅射方法能够以节省成本方式在衬底上产生基本上均匀的硫化镉层。

用于溅射薄膜层的混合靶一般包括镉、硫和氧。具体来说，混合靶能够包括硫化镉(CdS)和氧化镉(CdO)的掺混物。例如，能够通过掺混粉状硫化镉和粉状氧化镉并且将掺混粉末压入靶中，来形成混合靶。在一个实施例中，能够加热掺混粉末以使硫化镉和氧化镉发生反应成三元化合物(例如CdS_1-xO_x，其中x是层中的氧的预期摩尔百分比，例如大约0.005至大约0.25，下面进行论述)。

靶中包含氧能够将氧加入硫化镉层，这能够使光带隙位移以包括较高能量辐射(例如蓝色和紫外辐射)。因此，包含氧的硫化镉层能够允许更多光进入碲化镉层以便转换成电流，从而产生更有效的光伏装置。在混合靶中包含氧而不是依靠在溅射气氛中包含氧能够提供对沉积的硫化镉层中的氧的更好的化学计量控制。另外，混合靶能够在整个制造过程(例如从靶到靶)形成包含氧的基本上均匀硫化镉层，而无需依靠复杂气体混合方案。

混合靶能够包括大约0.5摩尔％至大约25摩尔％的氧化镉，例如大约1摩尔％至大约20摩尔％的氧化镉，或者大约5摩尔％至大约15摩尔％。相反，混合靶能够包括大约75摩尔％至大约99.5摩尔％的硫化镉，例如大约80摩尔％至大约99摩尔％的硫化镉，或者大约85摩尔％至大约95摩尔％。

在一个实施例中，混合靶能够基本上没有其它材料(即，基本上由镉、硫和氧组成)。本文所使用的术语“基本上没有”表示存在不超过可忽略痕量，并且包含完全没有(例如0摩尔％直到0.0001摩尔％)。

溅射气氛能够包含惰性气体(例如氩)。由于氧是从混合靶提供的，所以溅射气氛能够基本上没有氧(除了在溅射的同时从混合靶所喷出的氧化镉之外)。

在一个具体实施例中，包含氧的硫化镉层能够在冷溅射过程(例如在大约10℃至大约100℃的溅射温度下)期间从混合靶溅射，而没有后续退火。这个冷溅射过程能够优于硫化镉的从硫化镉靶的常规热溅射。但是，如果需要，则可通过加热到大约250℃至大约500℃的退火温度，来执行退火。

溅射沉积一般涉及从作为材料源的靶喷射材料，并且将所喷射材料沉积到衬底上，以便形成膜。DC溅射一般涉及在溅射室内将直流施加到定位在衬底(即，阳极)附近的金属靶(即，阴极)，以便形成直流放电。溅射室能够具有在金属靶与衬底之间形成等离子体场的活性气氛(例如除了氧、氮等之外还包括硫)。还可存在其它惰性气体(例如氩等)。活性气氛的压力能够是在大约1mTorr与大约20mTorr之间以便进行磁控溅射。压力对于二极管溅射能够甚至更高(例如从大约25mTorr至大约100mTorr)。

当金属原子在施加电压时从靶释放时，金属原子沉积到衬底表面上。施加到源材料的电流能够根据源材料的大小、溅射室的大小、衬底的表面积的量和其它变量来改变。在一些实施例中，所施加的电流能够从大约2安培到大约20安培。在某些实施例中，如同脉冲的DC溅射中那样，能够使所施加的电流成脉冲。

相反，RF溅射涉及通过在靶(例如陶瓷源材料)与衬底之间施加交流(AC)或射频(RF)信号来激发电容放电。溅射室能够具有压力在大约1mTorr与大约20mTorr之间、可以包含或者可以不包含活性组分(例如氧、氮等)的惰性气氛(例如氩气氛)以便进行磁控溅射。此外，压力对于二极管溅射能够甚至更高(例如从大约25mTorr至大约100mTorr)。

图2示出作为按照本发明的一个实施例的示范DC溅射室60的截面图的一般示意图。DC电源62配置成控制DC电力并且向室60提供DC电力。如图所示，DC电源将电压施加到阴极64，以便在阴极64与通过室壁所形成的阳极之间创建电压电位，使得衬底处于阴极与阳极之间。玻璃衬底12分别经由导线68和69保持在顶部支承件66与底部支承件67之间。一般来说，玻璃衬底12定位在溅射室60中，使得硫化镉层18在面向阴极64的表面上、并且一般在TCO层14和RTB层16(未示出)上形成，下面进行论述。

一旦点燃溅射气氛，则等离子体场70被创建，并且响应阴极64与充当阳极的室壁之间的电压电位而被维持。电压电位使等离子体场70中的等离子区离子朝阴极64加速，从而使来自阴极64的原子朝玻璃衬底12上的表面喷射。因此，阴极64能够称作“靶”，并且充当用于在面向阴极64的玻璃衬底12的表面上形成硫化镉层18的源材料。

虽然仅示出单个DC电源62，但是电压电位能够通过使用耦合在一起的多个电源来实现。另外，示范溅射室60示为具有垂直取向，但是能够利用任何其它配置。在退出溅射室60之后，衬底12能够进入相邻退火炉(未示出)，以便开始退火过程。

当前提供的溅射硫化镉层的方法能够在利用硫化镉层的任何膜叠层的形成中使用。例如，硫化镉层能够在利用碲化镉层的任何碲化镉装置的形成期间使用，例如在Murphy等人的标题为“Ultra-highCurrent Density Cadmium Telluride Photovoltaic Modules”的美国公布No.2009/0194165所公开的碲化镉薄膜光伏装置中。

图1表示能够按照本文所述方法来形成的示范碲化镉薄膜光伏装置10。图1的示范装置10包括用作衬底的顶部玻璃片12。在这个实施例中，玻璃12能够称作“上层衬底(superstrate)”，因为它是即使当碲化镉薄膜光伏装置10被使用时，它朝上面向辐射源(例如太阳)时其上也形成后续层的衬底。顶部玻璃片12能够是高透射玻璃(例如高透射硼硅玻璃)、超白浮法玻璃(low-iron float glass)或者其它高度透明的材料。玻璃一般厚到足以为后续膜层提供支承(例如从大约0.5mm至大约10mm厚)，并且基本上是平坦的，以便提供用于形成后续膜层的良好表面。在一个实施例中，玻璃12能够是包含少于大约0.015％的重量的铁(Fe)的超白浮法玻璃，并且可具有感兴趣谱(例如从大约300nm至大约900nm的波长)中的大约0.9或更大的透射率。在另一个实施例中，可使用硼硅玻璃，以便更好地耐受高温处理。

在图1的示范装置10的玻璃12上示出透明导电氧化物(TCO)层14。TCO层14允许光以最小吸收通过，同时还允许装置10所产生的电流横向传播到不透明金属导体(未示出)。例如，TCO层14能够具有小于大约每平方30欧姆的表面电阻，例如从大约每平方4欧姆至大约每平方20欧姆(例如从大约每平方8欧姆至大约每平方15欧姆)。在某些实施例中，TCO层14能够具有大约0.1μm至大约1μm之间的厚度，例如从大约0.1μm至大约0.5μm、诸如从大约0.25μm至大约0.35μm。

在示范碲化镉薄膜光伏装置10的TCO层14上示出电阻透明缓冲层16(RTB层)。RTB层16一般比TCO层14有更大电阻，并且能够帮助在装置10的处理期间保护装置10免于TCO层14与后续层之间的化学相互作用。例如，在某些实施例中，RTB层16能够具有大于大约每平方1000欧姆的表面电阻，例如从大约每平方10千欧姆至大约每平方1000兆欧姆。RTB层16还能够具有宽光带隙(例如大于大约2.5eV，例如从大约2.7eV至大约3.0eV)。

不希望受到特定理论限制，我们认为，TCO层14与硫化镉层18之间存在RTB层16能够通过降低创建TCO层14与碲化镉层20之间的分流的界面缺陷(即，硫化镉层18中的“针孔”)的可能性，来允许较薄硫化镉层18被包含在装置10中。因此，我们认为，RTB层16允许TCO层14与碲化镉层20之间的改进粘附和/或相互作用，由此允许较薄硫化镉层18在其上形成，而没有原本产生于直接在TCO层14上形成的这种较薄硫化镉层18的明显负面影响。

RTB层16能够包括例如氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO₂)的组合，它能够称作氧化锌锡层(“ZTO”)。在一个具体实施例中，RTB层16能够包括比氧化锌更多的氧化锡。例如，RTB层16能够具有大约0.25与大约3之间的ZnO/SnO₂的化学计量比的组成，例如按照氧化锡与氧化锌的大约一比二(1∶2)化学计量比。RTB层16能够通过溅射、化学汽相沉积、喷雾热解法或者任何其它适当沉积方法来形成。在一个具体实施例中，RTB层16能够通过在TCO层14上进行溅射(例如DC溅射或RF溅射)来形成(下面针对硫化镉层18的沉积更详细地论述)。例如，能够使用DC溅射方法，通过将DC电流施加到金属源材料(例如元素锌、元素锡或者它们的混合物)，并且在氧化气氛(例如O₂气体)存在的情况下将金属源材料溅射到TCO层14上来沉积RTB层16。当氧化气氛包括氧气(即O₂)时，该气氛能够大于大约95％纯氧，例如大于大约99％。

在某些实施例中，RTB层16能够具有大约0.075μm至大约1μm之间的厚度，例如从大约0.1μm至大约0.5μm。在具体实施例中，RTB层16能够具有大约0.08μm至大约0.2μm之间的厚度，例如从大约0.1μm至大约0.15μm。

在图1的示范装置10的RTB层16上示出硫化镉层18。硫化镉层18是n型层，如上所述，它一般包括硫化镉(CdS)和氧化镉(CdO)，但是还可包括其它材料，例如硫化锌、硫化镉锌等和/或它们的混合物以及掺杂剂和/或其它杂质。硫化镉层18能够具有宽带隙(例如从大约2.25eV至大约2.5eV，诸如大约2.4eV)，以便允许大多数辐射能(例如太阳能辐射)通过。因此，硫化镉层18被认为是装置10上的透明层。

在一个具体实施例中，能够通过在电阻透明缓冲层16上从CdS/CdO的混合靶进行溅射(例如直流(DC)溅射或射频(RF)溅射)，来形成硫化镉层18，如上所述。

由于电阻透明缓冲层16的存在，硫化镉层18的厚度能够小于大约0.1μm，例如在大约10nm与大约100nm之间，例如从大约50nm至大约80nm，其中在电阻透明缓冲层16与硫化镉层18之间存在最小的针孔。另外，厚度小于大约0.1μm的硫化镉层18降低由硫化镉层18对辐射能的任何吸收，从而有效地增加到达基础碲化镉层20的辐射能的量。

在图1的示范碲化镉薄膜光伏装置10的硫化镉层18上示出碲化镉层20。碲化镉层20是p型层，它一般包括碲化镉(CdTe)，但是还可包括其它材料。作为装置10的p型层，碲化镉层20是光伏层，它与硫化镉层18(即，n型层)相互作用，以便通过因其高吸收系数而吸收进入装置10的辐射能的大部分并且创建电子-空穴对来从辐射能的吸收产生电流。例如，碲化镉层20一般能够由碲化镉形成，并且能够具有适合吸收辐射能的带隙(例如从大约1.4eV至大约1.5eV，例如大约1.45eV)，以便创建在吸收辐射能时具有最高电位(电压)的最大数量的电子-空穴对。电子可从p型侧(即，碲化镉层20)经过结点传播到n型侧(即，硫化镉层18)，并且空穴相反地可从n型侧传递到p型侧。因此，在硫化镉层18与碲化镉层20之间形成的p-n结形成二极管，其中电荷不平衡引起创建跨越p-n结的电场。常规电流被允许仅沿一个方向流动，并且分离光诱导电子-空穴对。

碲化镉层20能够通过任何已知过程来形成，例如汽相输运沉积、化学汽相沉积(CVD)、喷雾热解法、电沉积、溅射、近空间升华(CSS)等等。在一个具体实施例中，硫化镉层18通过溅射来沉积，而碲化镉层20通过近空间升华来沉积。在具体实施例中，碲化镉层20的厚度能够是在大约0.1μm至大约10μm之间，例如从大约1μm至大约5μm。在一个具体实施例中，碲化镉层20的厚度能够是在大约2μm至大约4μm之间，例如大约3μm。

一系列形成后处理能够应用于碲化镉层20的外露表面。这些处理能够调整碲化镉层20的功能性，并且将其表面准备用于随后粘合到背接触层22。例如，碲化镉层20能够在升高的温度(例如从大约350℃至大约500℃，例如从大约375℃至大约424℃)下退火充分时间(例如从大约1分钟至大约10分钟)，以便创建碲化镉的质量p型层。不希望受到理论限制，我们认为，对碲化镉层20(和装置10)进行退火将通常的轻p型掺杂或者甚至n型掺杂碲化镉层20转换成具有较低电阻率的更强p型碲化镉层20。另外，碲化镉层20能够再结晶，并且在退火期间经过晶粒生长。

对碲化镉层20进行退火能够在氯化镉存在的情况下执行，以便采用氯离子来掺杂碲化镉层20。例如，碲化镉层20能够采用包含氯化镉的水溶液来冲洗，并且然后在升高的温度下退火。

在一个具体实施例中，在氯化镉存在的情况下对碲化镉层20进行退火之后，能够冲洗表面，以便去除表面上形成的任何氧化镉。通过从表面去除诸如CdO、CdTeO₃、CdTe₂O₅等氧化物，这种表面制备能够在碲化镉层20上留下富Te表面。例如，表面能够采用适当溶剂(例如，又称作1，2二氨基乙烷或“DAE”的乙二胺)来冲洗，以便从表面去除任何氧化镉。

另外，能够将铜添加到碲化镉层20。连同适当蚀刻，将铜添加到碲化镉层20能够在碲化镉层20上形成铜-碲化物表面，以便得到碲化镉层20(即，p型层)与一个或多个背接触层之间的低电阻电接触。具体来说，铜的添加能够在碲化镉层20与背接触层22之间创建碲化亚铜(Cu₂Te)的表面层。因此，碲化镉层20的富Te表面能够增强由装置通过碲化镉层20与背接触层22之间的较低电阻率所创建的电流的收集。

能够通过任何过程将铜施加到碲化镉层20的外露表面。例如，铜能够在具有适当溶剂的溶液中(例如，甲醇、水等等或者它们的组合)对碲化镉层20的表面喷涂或冲洗，之后跟随退火。在具体实施例中，铜可以在溶液中按照氯化铜、碘化铜或醋酸铜的形式来提供。退火温度足以允许铜离子扩散到碲化镉层20中，例如在从大约125℃至大约300℃(例如从大约150℃至大约200℃)为时大约5分钟至大约30分钟，例如从大约10至大约25分钟。

在碲化镉层20上示出背接触层22。背接触层22一般用作背电接触部，相对于相反的用作前电接触部的TCO层14。背接触层22能够在碲化镉层20上形成，并且在一个实施例中与其直接接触。背接触层22由诸如元素镍、铬、铜、锡、铝、金、银、锝或者它们的合金或混合物之类的一个或多个高导电材料适当地制成。另外，背接触层22能够是单层，或者能够是多个层。在一个具体实施例中，背接触层22能够包括石墨，例如在p层上沉积的碳层之后跟随诸如上述金属之类的金属的一层或多层。背接触层22在由一种或多种金属制成或者包括一种或多种金属时通过诸如溅射或金属蒸镀之类的技术来适当地施加。如果它由石墨和共混聚合物或者由碳膏制成，则掺混物和膏通过涂布掺混物或膏的任何适当方法、例如丝网印刷、喷涂或者通过刮片施加到半导体装置。在施加石墨掺混物或碳膏之后，能够将该装置加热，以便将掺混物或膏转换为导电背接触层。碳层在被使用时的厚度能够从大约0.1μm至大约10μm之间，例如从大约1μm至大约5μm。背接触的金属层在用于背接触层22或者作为其一部分时的厚度能够从大约0.1μm至大约1.5μm。

在图1的示范碲化镉薄膜光伏装置10中还示出封接玻璃24。

其它组件(未示出)能够包含在示范装置10中，例如汇流条、外部布线、激光蚀刻等等。例如，当装置10形成光伏模块的光伏电池时，多个光伏电池能够串联，以便例如通过电布线连接来取得预期电压。串联电池的各端能够附连到诸如导线或汇流条之类的适当导体，以便将以光伏方式生成的电流导向便利位置，从而使用所生成电力连接到装置或其它系统。用于实现这种串联的便捷方式是对装置进行激光划片，以便将装置分为通过互连件(interconnects)所连接的一系列电池。在一个具体实施例中，例如，激光器能够用于对半导体装置的沉积层进行划片，以便将该装置分为多个串联电池。

图3示出按照本发明的一个实施例、制造光伏装置的示范方法30的流程图。按照示范方法30，在32，在玻璃衬底上形成TCO层。在34，在TCO层上形成电阻透明缓冲层。在36，从包含镉、硫和氧的混合靶在电阻透明缓冲层上溅射硫化镉层。在38，在硫化镉层上形成碲化镉层。在40，碲化镉层能够在氯化镉存在的情况下经过退火，并且在42经过冲洗以去除在表面上形成的氧化物。在44，能够采用铜来对碲化镉层进行掺杂。在46，一个或多个背接触层能够施加到碲化镉层之上，并且在48，封接玻璃能够施加到背接触层之上。

本领域的技术人员应当知道，其它处理和/或加工能够包含在方法30中。例如，该方法还可包括激光划片，以便在装置中形成电绝缘光伏电池。这些电绝缘光伏电池则能够串联以形成光伏模块。另外，电线能够连接到光伏模块的正极端子和负极端子，以便提供引线从而利用由光伏模块所产生的电流。

本书面描述使用示例来公开本发明，其中包括最佳模式，并且还使本领域的技术人员能够实施本发明，包括制作和使用任何装置或系统以及执行任何结合的方法。本发明的专利范围由权利要求书来定义，并且可包括本领域的技术人员想到的其它示例。如果这类其它示例包括与权利要求书的文字语言完全相同的结构元件，或者如果它们包括具有与权利要求书的文字语言的非实质差异的等效结构元件，则它们意在落入权利要求书的范围之内。

Claims (12)

1.一种在衬底上溅射硫化镉层(18)的方法，所述方法包括：

从混合靶(64)在衬底(12)上溅射包含氧的硫化镉层(18)，其中所述混合靶(64)包括镉、硫和氧。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述靶(64)包括硫化镉和氧化镉。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述靶(64)包括大约0.5摩尔％至大约25摩尔％的氧化镉和大约75摩尔％至大约99.5摩尔％的硫化镉，优选地为大约1摩尔％至大约20摩尔％的氧化镉和大约80摩尔％至大约99摩尔％的硫化镉，以及更优选地为大约5摩尔％至大约15摩尔％和大约85摩尔％至大约95摩尔％的硫化镉。

4.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述靶(64)基本上由硫化镉和氧化镉组成。

5.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述溅射气氛包括惰性气体。

6.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述硫化镉层(18)在大约10℃至大约100℃的溅射温度下溅射。

7.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其中，在没有后续退火的情况下溅射所述硫化镉层(18)。

8.一种制造碲化镉薄膜光伏装置(10)的方法，所述方法包括：

在透明导电氧化物层(14)上沉积电阻透明缓冲层(16)，其中所述透明导电氧化物层(14)在衬底(12)上；

如以上权利要求中的任一项所述在所述电阻透明缓冲层(16)上溅射硫化镉层(18)；以及

在所述硫化镉层(18)上沉积碲化镉层(20)。

9.一种用于溅射包含氧的硫化镉层(18)的混合靶(64)，所述混合靶(64)包括：

硫化镉；以及

氧化镉，

其中所述混合靶(64)配置成经过溅射以在衬底(12)上形成包含氧的薄膜硫化镉层(18)。

10.如权利要求9所述的混合靶(64)，其中，所述靶(64)包括大约0.5摩尔％至大约25摩尔％的氧化镉和大约75摩尔％至大约99.5摩尔％的硫化镉。

11.如权利要求9所述的混合靶(64)，其中，所述靶(64)包括大约1摩尔％至大约20摩尔％的氧化镉和大约80摩尔％至大约99摩尔％的硫化镉。

12.如权利要求9至11中的任一项所述的混合靶(64)，其中，混合靶基本上由硫化镉和氧化镉组成。

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