CN102418149A - 低温快速热处理的温度监控方法 - Google Patents
低温快速热处理的温度监控方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102418149A CN102418149A CN2010102993504A CN201010299350A CN102418149A CN 102418149 A CN102418149 A CN 102418149A CN 2010102993504 A CN2010102993504 A CN 2010102993504A CN 201010299350 A CN201010299350 A CN 201010299350A CN 102418149 A CN102418149 A CN 102418149A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- reaction
- monitoring method
- rapid thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 61
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 41
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- -1 phosphonium ion Chemical class 0.000 claims description 4
- VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N arsonium Chemical compound [AsH4+] VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 15
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 11
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。本发明基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地，本发明涉及低温快速热处理的温度监控方法。
背景技术
在半导体芯片制造过程中，为了提高器件的性能，需要减少半导体衬底的导电区域与金属互连材料的接触电阻。例如，对于金属氧化物半导体(MOS)晶体管而言，其源极、漏极以及栅极往往会采用具备较低电阻率的金属硅化物来降低接触电阻。
在MOS晶体管的制作工艺中，通常采用自对准方式形成的金属硅化物。为了形成所述金属硅化物，首先在包含有源区、漏区以及栅极的半导体衬底上形成介电层，之后，将需要形成自对准的金属硅化物区域的介电层刻蚀去除，露出用来形成金属硅化物的区域；随后，在半导体衬底上继续沉积金属材料(例如钛、钴等)及氮化钛，所述氮化钛作为后续退火处理中防止金属材料氧化的的保护层；接着，通过快速热处理的方式将所述金属材料与半导体衬底中的硅熔合，以形成金属硅化物。
在以往的MOS制作工艺中，用于形成所述金属硅化物的金属材料通常采用钛、钴等。随着工艺要求的提高，例如更小线宽的MOS晶体管要求所述金属硅化物需要具有更低的接触电阻，现有技术的MOS晶体管中越来越多的采用硅化镍(NiSi)作为金属接触的材料。
与硅化钴或硅化钛不同，硅化镍的形成温度较低，仅需200至500摄氏度的加热处理即可使得硅与镍反应生成硅化镍。然而，在所述热低温处理过程中，镍原子很容易沿着半导体衬底的晶格缺陷扩散至半导体衬底中，从而引起MOS晶体管的性能下降。因此，所述半导体衬底的低温快速热处理工艺需要准确监控，以避免镍原子不必要扩散所引起的缺陷。
现有技术低温快速热处理的温度监控方法中，通常基于金属硅化物在热处理下的相变过程中的方块电阻变化来监控实际反应温度，包括：提供辅助硅片；在所述辅助硅片上沉积金属材料；对所述辅助硅片进行快速热处理，所述快速热处理应与需要进行工艺处理的硅片采用相同的工艺条件；检测所述辅助硅片衬底表面金属硅化物的方块电阻。由于不同的热处理温度对应于不同的方块电阻，所述金属硅化物的方块电阻值即可确定实际的热处理温度。美国专利US6204484还公开了更多关于快速热处理温度监控方法的内容。
图1示出了硅化镍方块电阻与快速热处理温度的对应关系。其中，横坐标为快速热处理的反应温度，而纵坐标为硅化镍方块电阻的阻值。可以看出，在270至340摄氏度的温度范围内，硅化镍的方块电阻随快速热处理温度的变化显著改变。然而，在其他温度范围内，所述方块电阻的变化幅度并不明显，难以准确反映快速热处理温度，从而影响温度监控效果。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种低温快速热处理的温度监控方法，提高了对低温快速热处理反应温度监测的准确性。
为解决上述问题，本发明提供了一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：
提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；
对所述半导体衬底进行离子激活处理；
对所述半导体衬底进行低温快速热处理；
检测所述半导体衬底表面的衬底参数；
基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。
附图说明
图1示出了硅化镍方块电阻与快速热处理温度的对应关系；
图2示出了本发明低温快速热处理的温度监控方法；
图3至图5示出了本发明第一实施例各阶段半导体衬底的剖面示意图；
图6至图8示出了本发明第二实施例各阶段半导体衬底的剖面示意图；
图9示出了方块电阻与热波值与反应温度的对应关系。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，低温快速热处理的反应温度通常为200至500摄氏度，现有技术主要通过金属硅化物相变过程中的方块电阻变化来监控反应温度的实际值。然而，对于硅化镍而言，其相变主要发生在270至350摄氏度的温度范围内。在这段温度区间内，硅化镍的方块电阻随反应温度的变化趋势较为明显，而在其他温度范围内，所述硅化镍方块电阻的变化幅度并不明显，难以准确反映实际工艺处理时的反应温度，从而影响温度监控效果。
针对上述问题，发明人提供了一种低温快速热处理的温度监控方法，基于半导体衬底中掺杂离子的失活(de-activation)效应，半导体衬底的衬底参数会随快速热处理的反应温度变化而明显变化，而这种变化关系即可以用于检测低温快速热处理过程中的温度变化。
所述失活效应是指半导体衬底中的掺杂离子被激活后，若继续对所述半导体衬底进行低温快速热处理，则所述激活的掺杂离子会重新偏离晶格位置，从而不能有效电离。这导致半导体衬底中的载流子浓度会显著下降，进而影响例如方块电阻、热波值(thermal wave)等衬底参数。
参考图2，示出了本发明低温快速热处理的温度监控方法，包括：
执行步骤S202，提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；
执行步骤S204，对所述半导体衬底进行离子激活处理；
执行步骤S206，对所述半导体衬底进行低温快速热处理；
执行步骤S208，检测所述半导体衬底表面的衬底参数；
执行步骤S210，基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。
其中，所述衬底参数包括不限于方块电阻、热波值。
接下来，结合具体的实施例，对本发明低温快速热处理的温度监控方法进行说明。
第一实施例：
图3至图5示出了本发明第一实施例各阶段半导体衬底的剖面示意图。
如图3所示，提供半导体衬底301，在所述半导体衬底301上形成非晶区303。所述非晶区303可以提高后续注入的P型离子在半导体衬底301中分布的均匀性。
在具体实施例中，所述非晶区303可以采用离子注入的方法形成，可以注入锗离子、锑离子或其他原子序数大于硅的半导体离子，也可以以较大的注入剂量注入原子序数小于硅的离子，所述离子注入的注入剂量范围为3E14至1E16/平方厘米，注入离子的能量范围为5keV至50keV。
如图4所示，对所述半导体衬底进行P型离子注入，所述注入的P型离子掺杂在非晶区303及半导体衬底301中，形成离子掺杂区305。在具体实施例中，所述P型离子包括但不限于砷离子、磷离子或其他P型离子。所述P型离子注入的注入剂量范围为1E14至1E16/平方厘米，注入离子的能量范围为1keV至10keV。
接着，对所述半导体衬底301进行离子激活处理，使得注入的P型离子被激活。在具体实施例中，所述离子激活处理采用尖峰退火，反应温度为1100摄氏度至1300摄氏度，反应时间为0.1毫秒至5秒。在实际应用中，所述离子激活处理同时使得非晶区303部分或完全结晶。
如图5所示，在所述半导体衬底301中的掺杂离子被激活后，对所述半导体衬底301进行低温快速热处理。在所述低温快速热处理的过程中，非晶区303中的掺杂离子会发生失活，而且，在不同的反应温度下，掺杂离子发生失活的程度也不相同。所述失活使得非晶区303中掺杂的P型离子的激活率变化，进而影响该区域的方块电阻与热波值。
在具体实施例中，所述低温快速热处理可以采用浸入式(soak)低温快速热处理或尖峰(peak)低温快速热处理，即用所述两种低温快速热处理方法对半导体衬底进行退火处理：对于所述浸入式低温快速热处理，其反应时间为10秒至60秒；对于所述尖峰低温快速热处理，其反应时间为1毫秒至5秒。其中，所述反应时间是指低温快速热处理保持温度峰值的时间。所述低温快速热处理的反应温度为300摄氏度至500摄氏度。
在实际应用中，本发明用于监控低温快速热处理的反应温度，其采用的半导体衬底301为辅助测试片，因此，对所述辅助测试片进行的低温快速热处理应采用与待监控的低温快速热处理相同的反应条件。例如，所述待监控的低温快速热处理用于在晶片上形成金属硅化物，则所述半导体衬底301应与形成金属硅化物的晶片采用相同的反应条件进行处理。
在所述低温快速热处理之后，检测所述半导体衬底301的衬底参数，例如方块电阻或热波值。接着，基于预先确定的衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。
所述衬底参数与反应温度的对应关系可以采用下列方式获得：在多个不同的低温快速热处理的反应温度下，采用可以准确确定反应温度的快速热处理设备对作为辅助测试片的半导体衬底进行与本发明温度监控方法相同的处理流程处理，并测得对应于不同反应温度的衬底参数；之后，基于所述衬底参数与反应温度的对应关系制作变化曲线，并以所述变化曲线作为步骤S210衬底参数与反应温度对应关系的参考。在实际应用中，对于不同的低温快速热处理方式(即尖峰低温快速热处理或浸入式低温快速热处理)，所述衬底参数与反应温度的对应关系也有所不同，因此，优选的实施例中，需要基于不同的低温快速热处理反应条件预先确定衬底参数与反应温度的对应关系，以提高所述温度监控方法的准确性。
第二实施例：
图6至图8示出了本发明第二实施例各阶段半导体衬底的剖面示意图。
如图6所示，提供半导体衬底601，对所述半导体衬底601进行P型离子注入，使得所述半导体衬底601中形成掺杂有P型杂质离子的离子掺杂区605。
如图7所示，对所述半导体衬底601进行非晶化处理，在半导体衬底601的表面形成非晶区603。在具体实施例中，所述非晶区603是由离子注入方法形成的，可以注入锗离子、锑离子或其他原子序数大于硅的半导体离子，也可以以较大的注入剂量注入原子序数小于硅的离子，所述离子注入的注入剂量范围为3E14至1E16/平方厘米，注入离子的能量范围为5keV至50keV。
接着，对所述半导体衬底601进行离子激活处理。使得注入的P型离子被激活。在具体实施例中，所述离子激活处理采用尖峰退火，反应温度为1100摄氏度至1300摄氏度，反应时间为0.1毫秒至5秒。在实际应用中，所述离子激活处理同时使得非晶区603部分或完全结晶。
在所述掺杂离子激活之后，检测所述半导体衬底601表面的初始衬底参数，例如初始方块电阻或初始热波值。之所以检测所述初始衬底参数，是因为对于不同的半导体衬底601而言，其固有参数(例如掺杂浓度，衬底材料)并不相同。因此，对于不同的半导体衬底601，其衬底参数与低温快速热处理的反应温度对应关系有所不同。而基于所述初始衬底参数即可确定半导体衬底601的固有参数，进而更有针对性的选取适合于具体半导体衬底601的衬底参数与反应温度的对应关系。
如图8所示，对所述半导体衬底601进行低温快速热处理。在具体实施例中，所述低温快速热处理可以采用浸入式低温快速热处理或尖峰低温快速热处理：对于所述浸入式低温快速热处理，其反应时间为10秒至60秒；对于所述尖峰低温快速热处理，其反应时间为1毫秒至5秒。
在所述低温快速热处理之后，再次检测所述半导体衬底601的衬底参数，例如方块电阻或热波值。接着，基于预先确定的方块电阻或热波值与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度，其中，所述对应关系应基于前述初始衬底参数进行选择。这样，即可得到需要监控的快速低温热处理的实际反应温度。
参考图9，示出了方块电阻与热波值与反应温度的对应关系。其中，横坐标为低温快速热处理的反应温度，而纵坐标分别为方块电阻与热波值。曲线901示出了方块电阻随反应温度变化的拟合曲线，曲线903示出了热波值随反应温度变化的拟合曲线。所述拟合曲线的端点是实验测试值，所述实验测试仅为示例，不应限制其范围。具体的，当反应温度为390摄氏度时，热波值为496.4，方块电阻为282.1ohm/sq；当反应温度为430摄氏度时，热波值为517.6，方块电阻为291.5ohm/sq。例如，当低温快速热处理后检测到方块电阻为282.1ohm/sq，就可得到需要监控的快速低温热处理的实际反应温度为390摄氏度。
可以看出，在390摄氏度至430摄氏度的实验温度范围内，方块电阻、热波值随低温快速热处理反应温度的变化而显著改变。而对于图中未示出的反应温度为300摄氏度至500摄氏度范围其他区域的情况，发明人实验后仍得到了类似的结果，所述衬底参数变化显著。因此，这种对应关系可以使得低温快速热处理的反应温度可以由衬底参数有效监控。对于形成硅化镍的热处理过程中，所述反应温度的准确监控可以避免镍原子不必要扩散所引起的衬底缺陷，从而提高了工艺良率。当然，所述低温快速热处理可以用于多种应用场合，并不仅局限于监控硅化镍的形成过程。
应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。
Claims (13)
1.一种低温快速热处理的温度监控方法，其特征在于，包括：
提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；
对所述半导体衬底进行离子激活处理；
对所述半导体衬底进行低温快速热处理；
检测所述半导体衬底表面的衬底参数；
基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。
2.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，所述非晶区采用离子注入的方法形成。
3.如权利要求2所述的温度监控方法，其特征在于，所述非晶区离子注入的注入剂量范围为3E14至1E16/平方厘米，注入离子的能量范围为5keV至50keV。
4.如权利要求2所述的温度监控方法，其特征在于，在所述非晶区离子注入之前或之后，对所述半导体衬底进行P型离子注入以形成P型掺杂的半导体衬底。
5.如权利要求4所述的温度监控方法，其特征在于，所述P型离子注入的注入离子包括砷离子或磷离子，注入剂量范围为1E14至1E16/平方厘米，注入离子的能量范围为1keV至10keV。
6.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，采用尖峰退火的方法实现对半导体衬底的离子激活处理，所述尖峰退火的反应温度为1100摄氏度至1300摄氏度，反应时间为0.1毫秒至5秒。
7.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，采用与被监控的低温快速热处理相同的反应条件对所述半导体衬底进行低温快速热处理。
8.如权利要求7所述的温度监控方法，其特征在于，所述低温快速热处理的反应温度为300摄氏度至500摄氏度。
9.如权利要求8所述的温度监控方法，其特征在于，所述低温快速热处理采用浸入式低温快速热处理，反应时间为10秒至60秒。
10.如权利要求8所述的温度监控方法，其特征在于，所述低温快速热处理采用尖峰低温快速热处理，反应时间为1毫秒至5秒。
11.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，所述衬底参数包括方块电阻或热波值。
12.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，所述衬底参数与反应温度的对应关系通过下述方式确定：
在多个不同的低温快速热处理的反应温度下，采用可以准确确定反应温度的快速热处理设备对作为辅助测试片的半导体衬底进行处理，并测得对应于不同反应温度的衬底参数；
基于所述衬底参数与反应温度的对应关系制作变化曲线，并以所述变化曲线作为衬底参数与反应温度的对应关系。
13.如权利要求1所述的温度监控方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行离子激活处理之后，还包括：检测所述半导体衬底表面的初始衬底参数，并基于所述初始衬底参数选择衬底参数与反应温度的对应关系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010299350.4A CN102418149B (zh) | 2010-09-25 | 2010-09-25 | 低温快速热处理的温度监控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010299350.4A CN102418149B (zh) | 2010-09-25 | 2010-09-25 | 低温快速热处理的温度监控方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102418149A true CN102418149A (zh) | 2012-04-18 |
| CN102418149B CN102418149B (zh) | 2016-05-25 |
Family
ID=45942787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010299350.4A Active CN102418149B (zh) | 2010-09-25 | 2010-09-25 | 低温快速热处理的温度监控方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102418149B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103745947A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-23 | 上海华力微电子有限公司 | 用于激光退火机的监控方法 |
| CN108878274A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 快速热退火工艺能力的监控方法 |
| CN110137112A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 监控退火设备控温性能的方法 |
| CN111883452A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-11-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种热处理机台实际工作温度的确定方法 |
| CN115692236A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-02-03 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 检测Silicide工艺中RTA温度的方法 |
| CN118231380A (zh) * | 2024-03-15 | 2024-06-21 | 深圳平湖实验室 | 用于监控rta设备温度的结构及rta设备温度的监控方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1624884A (zh) * | 2003-12-05 | 2005-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺 |
| CN101399163A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 校正外延反应腔温度的方法 |
-
2010
- 2010-09-25 CN CN201010299350.4A patent/CN102418149B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1624884A (zh) * | 2003-12-05 | 2005-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺 |
| CN101399163A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 校正外延反应腔温度的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 徐立等: "瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究", 《半导体学报》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103745947A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-23 | 上海华力微电子有限公司 | 用于激光退火机的监控方法 |
| CN108878274A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 快速热退火工艺能力的监控方法 |
| CN108878274B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-12-04 | 上海华力微电子有限公司 | 快速热退火工艺能力的监控方法 |
| CN110137112A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 监控退火设备控温性能的方法 |
| CN110137112B (zh) * | 2019-05-23 | 2021-05-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 监控退火设备控温性能的方法 |
| CN111883452A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-11-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种热处理机台实际工作温度的确定方法 |
| CN111883452B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-04-27 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种热处理机台实际工作温度的确定方法 |
| CN115692236A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-02-03 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 检测Silicide工艺中RTA温度的方法 |
| CN118231380A (zh) * | 2024-03-15 | 2024-06-21 | 深圳平湖实验室 | 用于监控rta设备温度的结构及rta设备温度的监控方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102418149B (zh) | 2016-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7812401B2 (en) | MOS device and process having low resistance silicide interface using additional source/drain implant | |
| CN102418149A (zh) | 低温快速热处理的温度监控方法 | |
| US7553763B2 (en) | Salicide process utilizing a cluster ion implantation process | |
| US20120068180A1 (en) | Methods of forming low interface resistance contacts and structures formed thereby | |
| US7786025B1 (en) | Activating dopants using multiple consecutive millisecond-range anneals | |
| CN103021849B (zh) | 一种采用应力记忆技术的nmos器件制作方法 | |
| CN101789384B (zh) | 退火的检测方法 | |
| US9905673B2 (en) | Stress memorization and defect suppression techniques for NMOS transistor devices | |
| US20170194417A1 (en) | Methods for producing polysilicon resistors | |
| US7259027B2 (en) | Low energy dose monitoring of implanter using implanted wafers | |
| CN102044443B (zh) | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | |
| CN112885716B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| US11177172B2 (en) | Semiconductor structure | |
| TWI492285B (zh) | 金屬半導體化合物形成方法 | |
| CN112928016A (zh) | 用于晶圆的快速退火工艺 | |
| CN102543701B (zh) | 制作金属硅化物的方法 | |
| Alzanki et al. | Nanotechnology investigation of ultra-shallow junctions of antimony (Sb) implants in conventional Silicon (Si) | |
| CN101770950B (zh) | 轻掺杂漏极的形成方法 | |
| CN103035533B (zh) | 超浅结半导体场效应晶体管的制备方法 | |
| KR100985880B1 (ko) | 플라즈마 도핑 장비의 모니터링 방법 | |
| EP2513959A1 (en) | Method for making a semiconductor device by laser irradiation | |
| US6844208B2 (en) | Method and system for monitoring implantation of ions into semiconductor substrates | |
| CN103337452A (zh) | 在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法 | |
| Latif | Characterisation of sheet resistivity and contact resistivity for source/drain of n-MOSFET device | |
| Kuo et al. | n‐LDD Ultra‐Shallow Extension Formation Using Cold and Carbon Ion Implantation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING (BEIJING) INTERNATIONA Effective date: 20121101 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121101 Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Applicant before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |