设备报警时的晶圆处理方法及晶圆处理的远程控制方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种设备报警时的晶圆处理方法,并且涉及一种采用了该设备报警时的晶圆处理方法的晶圆处理的远程控制方法。
背景技术
在晶圆清洗处理过程中,在跑货时晶圆清洗装置(mesa)以及晶圆传输装置(FABS)如发生异常状况,晶圆处理设备会发出警报并且自动停止跑货,设备工程师会根据警报信息对机器做相应处理。
但是,在设备工程师根据警报信息对机器做相应处理之前,晶圆清洗装置中的晶圆会一直呆在Meg模块中。对于掺磷氧化硅玻璃(PSG)薄膜产品的化学机械研磨(CMP),PSG层的规范十分严格。由于Meg模块中的SC1混合化学液体(由NH3OH和H2O2按一定浓度配比而成)对PSG层的刻蚀速度很快,所以晶圆呆在盛放SC1的容器(mega tank)中时间过长的话,会导致PSG层的厚度由于刻蚀而超出标准范围。
因此,希望提出一种防止在发生异常状况时由于晶圆保持在盛放SC1的容器中而导致晶圆薄膜厚度超出标准范围的风险的技术方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种防止在发生异常状况时由于晶圆保持在盛放化学溶液的容器中而导致晶圆薄膜厚度超出标准范围的风险的设备报警时的晶圆处理方法。以及采用了该设备报警时的晶圆处理方法以及晶圆处理的远程控制方法。
根据本发明的第一方面,提供了设备报警时的晶圆处理方法,其包括:设置预定时间;停止晶圆清洗装置;从晶圆清洗装置停止时开始对停止时间进行计时;比较停止时间与预定时间;当停止时间大于或者等于预定时间时打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器的阀门打开使得溶液流出。优选地,当停止时间大于或者等于预定时间时由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应阀门的开启使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器打开使得溶液流出,然后由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应去离子水阀门的开启使容器中充入去离子水。
优选地,在设备报警时的晶圆处理方法,所述溶液由NH3OH和H2O2混合而成。
优选地,在设备报警时的晶圆处理方法,所述晶圆是掺磷氧化硅玻璃薄膜产品。
优选地,所述设备报警时的晶圆处理方法还包括在使得溶液流出之后在容器中注入去离子水。
优选地,在设备报警时的晶圆处理方法,由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应阀门的开启在容器中注入去离子水。
通过采用根据本发明第一方面所述的设备报警时的晶圆处理方法,当从晶圆清洗装置停止时开始的停止时间大于或者等于预定时间时,可以由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应阀门的开启打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器阀门使得溶液流出(从而使得刻蚀停止),从而有效地防止了在发生异常状况时由于晶圆保持在盛放化学溶液的容器中而产生的超出标准范围的风险。
根据本发明的第二方面,提供了一种采用了根据本发明第一方面所述的设备报警时的晶圆处理方法的晶圆处理的远程控制方法。
可以理解的是,由于采用了根据本发明第一方面所述的设备报警时的晶圆处理方法,因此,本领域技术人员可以理解的是,根据本发明第二方面的晶圆处理的远程控制方法同样能够实现根据本发明的第一方面的设备报警时的晶圆处理方法所能实现的有益技术效果。即,当从晶圆清洗装置停止时开始的停止时间大于或者等于预定时间时,可以由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应阀门的开启打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器打开使得溶液流出(从而使得刻蚀停止),从而有效地防止了在发生异常状况时由于晶圆保持在盛放溶液的容器中而导致晶圆薄膜厚度超出标准范围的风险。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据本发明实施例的设备报警时的晶圆处理方法的流程图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
针对晶圆清洗装置(mesa)以及晶圆传输装置(FABS)发生故障时发出的报警将使得晶圆清洗装置中的晶圆保持较长时间的问题,本发明实施例可自动触发晶圆清洗装置中控制液体进出的阀门,以释放溶液(例如SC1溶液),随后根据远程控制程序中的软件地址(机器跑货时,内部的每一个参数在软件中都有一个相应的软件地址,可由EAP根据相应地址来抓取相应的参数,“EAP”表示由IT部门根据要求编写的一段程序可抓取机器跑货时的各种参数)控制相应阀门在容器中注入DIW(dispose ion water,超纯水,去离子水)。
更具体地说,可设置保持在盛放溶液(例如SC1溶液,其由NH3OH和H2O2按一定浓度配比而成)的容器中的安全时间(预定时间),例如针对掺磷氧化硅玻璃(PSG)晶圆设置安全时间(预定时间)。
这样,当由于任何原因使得晶圆清洗装置停止时,将计算晶圆保持在盛放有溶液的容器中的时间(如果盛放有溶液的容器中存在晶圆)。比较晶圆清洗装置停止时晶圆保持在盛放有溶液的容器中的时间以及上述设定的安全时间。如果晶圆清洗装置停止时晶圆保持在盛放有溶液的容器中的时间超过安全时间,则打开晶圆清洗装置中控制液体进出的阀门,以释放溶液,随后根据远程控制程序中的相应阀门的软件地址控制阀门开启在容器中注入去离子水,从而防止晶圆薄膜厚度超出标准范围的风险。
具体地说,图1示意性地示出了根据本发明实施例的设备报警时的晶圆处理方法的流程图,
更具体地说,图1所示的根据本发明实施例的设备报警时的晶圆处理方法包括:
设置预定时间S1;
停止晶圆清洗装置S2;
从晶圆清洗装置停止时开始对停止时间进行计时S2;
比较停止时间与预定时间S4,具体地说,例如可以利用一个比较器或定时器进行比较;
当停止时间大于或者等于预定时间时(S4的判定为肯定),打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器打开使得溶液流出S5;在图1所示的具体实施例中,在步骤S5中,由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应阀门的开启。
具体地说,例如可以利用打开阀门进行。
另一方面,如果停止时间小于预定时间时(S4的判定为否定),则计时器继续计时(计时器递增)S6,并且在递增之后继续比较停止时间与预定时间S4以后后续的步骤。
进一步地,所述设备报警时的晶圆处理方法例如还可以包括:在使得溶液流出之后在容器中注入去离子水。同样,在本发明的优选实施例中,由远程控制程序根据相应阀门在程序中的软件地址控制相应去离子水阀门的开启使容器中充入去离子水。
可以理解的是,虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。