CN102404834B - 一种非线性功放系统发射功率校准方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及移动通信领域，特别涉及一种非线性功放系统发射功率校准方法，将预定义发射功率范围等间隔分为M个测量点P(m)，测量各个测量点P(m)对应的DAC值DAC(m)，由预定义发射功率P(m)计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)，计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数，对发射功率进行校准；本发明基于发射功率与DAC之间、功率放大器PA的等效电压与DAC之间以及功率放大器PA的控制电压与DAC之间的分段直线拟合，从而大大降低了拟合算法复杂度；发射功率进行校正过程中，对发射功率P和DAC插值均使用等间隔插值方法，可进一步降低计算复杂度。

Description

一种非线性功放系统发射功率校准方法

技术领域

本发明涉及移动通信领域，特别涉及一种非线性功放系统发射功率校准方法。

背景技术

在移动通信系统中，通常为确保基站或/和终端发射功率谱的使用效率并减少终端之间的相互干扰，需要对基站或/和终端发射功率进行校准，以符合通信协议要求。采用高斯滤波最小移频键控(Gaussian Minimum Shift Keying，简称GMSK)调制方式系统，典型的如全球移动通信(Global System for Mobilecommunications，简称GSM)系统，其基站或/和终端射频前端主要包括射频芯片(Radio Frequency-Integrated Circuit，简称RF-IC)、功率放大器(PowerAmplifier，简称PA)、负载阻抗以及天线组成，如图1所示。采用GMSK调制方式系统的功率校准目的是通过修正数模转换值(Digital/Analog Converter，简称DAC)，从而改变PA的控制电压Vr，最终在天线处得到期望发射功率值P。由于各射频前端部件性能可能存在差异，每一个基站或/和终端在出厂前均需要进行发射功率校准，即首先通过测量并记录若干组DAC值对应基站或/和终端射频发射功率P值，建立DAC与P在有效功率范围内的对应关系(即建立DAC值与发射功率P之间模型)，然后利用该模型对基站或/和终端发射功率进行校准。建立DAC值与发射功率模型的传统方法是在DAC值的有效范围内，按特定间隔进行分割，再依次将对应的发射功率记录下来，即可制成DAC值与终端发射功率P之间的曲线图，例如图2所示。但该方法的计算过程过于复杂。通常DAC值与发射功率P之间为非线性关系，因此包含DAC值及对应发射功率P的测量点需要选择一定密度。

深圳富泰宏精密工业有限公司2008年12月29日公开的专利申请《手机射频发射功率校正系统及方法》(专利申请号：200810306611.3)公开了手机射频发射功率校正系统及方法，该方法包括步骤：

1)采集手机射频发射功率的频谱信号，并获取该频谱信号上的量测点；

2)根据获取的量测点产生多个训练样本；

3)利用产生的训练样本计算出所需构建的类神经网络内各个神经元的权重值，并根据各个神经元的权重值构建出该类神经网络；

4)利用构建的类神经网络对采集的手机射频发射功率进行校正，并产生相应的校正结果；

5)根据校正结果产生并输出手机射频发射功率频谱。

该方法可以达到手机射频功率校准目的，但如果选择的量测点太少，所得的曲线不够准确；如果选择的太多，虽可保证所得的曲线足够准确，但建立该模型过于复杂度，使每部终端或基站的发射功率校准时间过长。

发明内容

为解决准确地获得基站或/和终端发射功率校准模型，并使发射功率校准复杂度较小的问题，本发明提供一种非线性功放系统发射功率校准方法。

本发明的一种非线性功放系统发射功率校准方法，包括：

将预定义发射功率范围等间隔分为M个测量点，表示为P(m)，测量各个测量点P(m)对应的DAC值，表示为DAC(m)，m＝1，2，...，M；

由预定义发射功率P(m)计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)；

计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数；

对发射功率进行校准。

优选的，所述由预定义发射功率P(m)计算PA的等效电压Vp(m)为：

$\mathrm{Vp}\left(m\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(m\right)}{10}-c)}}$

其中，R为负载阻抗值，c为常数。

作为一种优选实施方式，所述计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数为：

1)根据DAC值DAC(m)计算PA的控制电压Vr(m)；

$\mathrm{Vr}\left(m\right)=\mathrm{Vr}\left(1\right)+|\frac{\mathrm{Vr}\left(M\right)-\mathrm{Vr}\left(1\right)}{(2^N-1)}\×\mathrm{DAC}\left(m\right)|$

其中，Vr(1)表示PA的控制电压Vr的最小值，Vr(M)表示PA的控制电压Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算；

2)拟合PA的等效电压Vp(m)与控制电压Vr(m)之间分段直线，拟合直线可表示为：

Vp(m)＝A(m)×Vr(m)+B(m)

其中，B(m)＝Vp(m)-A(m)×Vr(m)，m＝1，2，...，M-1。

作为另一种优选实施方式，所述计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数为：

1)确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，其中，Vr_min和Vr_max分别为Vr的预设最小值和预设最大值，ε表示满足射频精度要求的电压范围。

2)拟合PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数；

Vp(m)＝A’(m)×DAC(m)+B’(m)

其中，B’(m)＝Vp(m)-A’(m)×DAC(m)，m＝1，2，...，M-1。

优选的，所述确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内为，若实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值未在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值未在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，则将实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值调整到Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，将实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值调整到Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内。

作为一种优选实施方式，所述对发射功率进行校准，包括：

1)确定基站或/和终端理想发射功率值，记为P(j)，j＝1，2，...，J，其中J的取值由终端或基站能力等级决定；

2)根据终端理想发射功率P(j)计算PA的等效电压Vp(j)；

$\mathrm{Vp}\left(j\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(j\right)}{10}-c)}}$

其中，R为负载阻抗值，c为常数；

3)根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值。

作为一种优选实施方式，所述根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值为：

1)利用PA的等效电压Vp(j)与控制电压Vr(j)之间分段拟合直线参数，计算PA的控制电压Vr(j)，

2)根据PA的控制电压Vr(j)计算对应DAC(j)值，

其中，Vr(1)表示Vr的最小值，Vr(M)表示Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算。

作为另一种优选实施方式，所述根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值为：

首先确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，其中，Vr_min和Vr_max分别为Vr的预设最小值和预设最大值，ε表示满足射频精度要求的电压范围；

然后由PA的等效电压Vp(j)计算对应DAC(j)值，

优选的，所述确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内为，若实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值未在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值未在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，则将实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值调整到Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，将实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值调整到Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内。

作为另一种优选实施方式，所述对发射功率进行校准，包括：

1)判断理想发射功率P(j)所在功率段m，即P(m)≤P(j)≤P(m+1)；

2)对由P(m)、P(m+1)组成的第m功率段上等间隔插值，插值个数为K-1，计算最小功率步长Sp，

3)计算功率值P(j)在第m功率段上所占功率步长Sp个数k，其中，|·|表示取整运算；

4)对由DAC(m)、DAC(m+1)组成的第m段上等间隔插值，插值个数为K-1，计算最小步长Sd， $\mathrm{Sd}=\frac{\mathrm{DAC}(m+1)-\mathrm{DAC}\left(m\right)}{K};$

5)计算与基站或/和终端发送功率值P(j)对应DAC(j)值：

DAC(j)＝DAC(m)+κ×Sd。

本发明不是基于发射功率与DAC之间的曲线拟合方法，而是基于发射功率与DAC之间、功率放大器PA的等效电压与DAC之间以及功率放大器PA的控制电压与DAC之间的分段直线拟合，从而大大降低了拟合算法复杂度；发射功率进行校正过程中，对发射功率P和DAC插值均使用等间隔插值方法，可进一步降低计算复杂度。

附图说明

图1是现有技术射频前端结构示意图；

图2是现有技术GMSK调制方式下DAC和发射功率P之间理论曲线；

图3是本发明一种非线形功放的发射功率校准方法示意图；

图4是本发明GMSK调制方式下PA控制电压Vr与PA等效电压Vp之间拟合示意图；

图5是本发明发射功率理论值与校准功率误差示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明作进一步详细说明。

本发明的一种非线性功放系统发射功校准方法，如图3所示，包括：

101、将发射功率范围等间隔分为多个测量点，表示为P(m)，测量各个测量点P(m)对应的DAC值，表示为DAC(m)；

不同能力等级通信基站或/和终端所支持的预定义发射功率范围是固定的。将预定义发射功率范围等间隔划分为M个测量点，按照从小到大进行排序，表示为P(m)，m＝1∶M，即P(1)＜P(2)＜...＜P(M)，对每个功率点P(m)测量其对应的DAC值，记为DAC(m)，m＝1，2，...，M。

102、由预定义发射功率P(m)计算PA的等效电压Vp(m)

$\mathrm{Vp}\left(m\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(m\right)}{10}-c)}}---\left(1\right)$

其中R为负载阻抗值，单位Ω，c为常数。DAC值与基站或/和终端发射功率值之间理论曲线如图2所示。利用公式(1)计算PA在当前负载阻抗下的M个等效电压Vp值，记为Vp(m)，m＝1，2，...，M。

103、计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数。

作为一种可实现方式，所述计算PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数为：

103A-1、根据DAC值DAC(m)计算PA的控制电压Vr(m)：

$\mathrm{Vr}\left(m\right)=\mathrm{Vr}\left(1\right)+|\frac{\mathrm{Vr}\left(M\right)-\mathrm{Vr}\left(1\right)}{(2^N-1)}\×\mathrm{DAC}\left(m\right)|---\left(2\right)$

其中，Vr(1)表示Vr的最小值，Vr(M)表示Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算。利用公式(2)可由DAC值计算PA的M个控制电压Vr值，记为Vr(m)，m＝1，2，...，M。

103A-2、拟合PA的等效电压Vp(m)与PA(m)的控制电压Vr(m)之间分段直线，拟合直线可表示为：

Vp(m)＝A(m)×Vr(m)+B(m)                (3)

则分段直线拟合参数A(m)，B(m)可表示为：

$A\left(m\right)=\frac{\mathrm{Vp}(m+1)-\mathrm{Vp}\left(m\right)}{\mathrm{Vr}(m+1)-\mathrm{Vr}\left(m\right)}---\left(3a\right)$

B(m)＝Vp(m)-A(m)×Vr(m)                (3b)

利用公式(3a)(3b)可计算所有分段直线参数A(m)，B(m)，其中，m＝1，2，...，M-1，如图4所示，其中横轴表示PA的控制电压，单位毫伏(mV)，纵轴表示PA的等效电压，单位毫伏(mV)，可以看出两者之间虽是近些直线关系，但不是等间隔分布的。

作为另一种优选可实现方式，所述计算PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数为：

103B-1、确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，进而可保证PA的控制电压Vr与DAC之间关系的唯一性。

其中，Vr的预设最小值和预设最大值，分别记为Vr_min和Vr_max，通常也为固定值。但对于每块射频板来说，实际测量得到的PA的控制电压Vr的最小值和最大值，可能与Vr_min和Vr_max相差较大，此时需要将Vr的最小值和最大值分别调整至Vr_min-ε与Vr_min+ε以及Vr_max-ε与Vr_max+ε范围之内，其中ε表示满足射频精度要求的电压范围。

103B-2、拟合PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数。

拟合直线可表示为：

Vp(m)＝A’(m)×DAC(m)+B’(m)        (3’)

则分段直线拟合参数A’(m)，B’(m)可表示为：

$A^{,}\left(m\right)=\frac{\mathrm{Vp}(m+1)-\mathrm{Vp}\left(m\right)}{\mathrm{DAC}(m+1)-\mathrm{DAC}\left(m\right)}---\left(3a^{,}\right)$

B’(m)＝Vp(m)-A’(m)×DAC(m)        (3b’)

利用公式(3a’)(3b’)可计算所有分段直线系数A’(m)，B’(m)，其中，m＝1，2，...，M-1。

通过以上两种方式，都可以得到M-1根分段直线，保存各分段直线的参数A、B或A’、B’，从而建立起发射功率P、PA的等效电压Vp以及DAC值之间一一对应关系。

104、对发射功率进行校准。

受终端或基站发射功率校准时间限制，步骤101中M值一般不会太大。对于未测量的发射功率值P，可利用步骤101、102、103建立的射频功率P与PA的等效电压Vp以及DAC值之间关系进行校准。

104-A作为一种可选实施方式，所述对发射功率进行校准过程为：

1)确定理想发射功率值，记为P(j)，j＝1∶J，其中J的取值范围与终端或基站支持能力有关。

2)根据理想发射功率P(j)计算PA的等效电压Vp(j)，j＝1，2，...，J。

$\mathrm{Vp}\left(j\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(j\right)}{10}-c)}}---\left(1^{,}\right)$

其中R为负载阻抗值，单位Ω，c为常数。DAC值与发射功率值P之间理论曲线如图2所示。

3)根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值。

作为一种可选实施方式，所述根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值包括：

首先利用PA的等效电压Vp与控制电压Vr之间分段拟合直线关系，计算PA的控制电压Vr(j)，j＝1，2，...，J。

$\mathrm{Vr}\left(j\right)=\frac{\mathrm{Vp}\left(j\right)-B\left(m\right)}{A\left(m\right)}---\left(3^{,,}\right)$

其中m＝1，2，...，M，表示第j个PA控制电压值所对应电压分段。

然后根据PA的控制电压Vr(j)计算对应DAC(j)值，j＝1，2，...，J。

$\mathrm{DAC}\left(j\right)=\left|\frac{(2^N-1)\×(\mathrm{Vr}\left(j\right)-\mathrm{Vr}\left(1\right))}{\mathrm{Vr}\left(M\right)-\mathrm{Vr}\left(1\right)}\right|---\left(2^{,}\right)$

其中，Vr(1)表示Vr的最小值，Vr(M)表示Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算。

作为另一种可选实施方式，所述根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值包括：

首先确保Vr的最小值和最大值是否在其预定义范围内。因为只要确定PA的控制电压Vr的最小值和最大值以及N是否为预设值，即可保证PA的控制电压Vr与DAC之间关系的唯一性。

其中N的预设值为固定整数。Vr的预设最小值和最大值，分别记为Vr_min和Vr_max，通常也为固定值。但对于每块射频板来说，实际测量得到的PA的控制电压Vr的最小值和最大值，可能与Vr_min和Vr_max相差较大，此时需要将Vr的最小值和最大值分别调整至Vr_min-ε与Vr_min+ε以及Vr_max-ε与Vr_max+ε范围之内，其中ε表示满足射频精度要求的电压范围。

由PA的等效电压Vp(j)计算对应DAC(j)值，j＝1，2，...，J。

$\mathrm{DAC}\left(j\right)=\left|\frac{\mathrm{Vp}\left(j\right)-B^{,}\left(j\right)}{A^{,}\left(j\right)}\right|---\left(4\right)$

通过以上两种方式，都可以由PA的控制电压Vp(j)计算对应DAC(j)，j＝1，2，...，J。

104-B作为另一种优选实施方式，所述对发射功率进行校准过程为：

从步骤101，102，103可以看出，发射功率P与DAC(即PA的等效电压Vp与DAC)之间关系，是非等间隔的。为了使发射功率过程更简便，可以基于以下事实对发射功率进行校准：在发射功率P和DAC的分段内，当前发射功率P(j)与DAC(j)在各自分段内所占的比例应该是对应的。由此，发射功率校准过程为：

1)判断功率P(j)所在功率段。不妨假设P(j)所在功率段为m，使其满足条件：

P(m)≤P(j)≤P(m+1)            (5)

其中j＝1，2，...，J。

2)对第m功率段进行插值，计算最小功率步长Sp。

对由P(m)，P(m+1)组成的第m功率段上等间隔插值，插值个数为K-1(不包含两端的功率点)，则得到功率步长Sp表示为：

$\mathrm{Sp}=\frac{P(m+1)-P\left(m\right)}{K}---\left(6\right)$

其中m＝1，2，...，M-1。

3)计算功率值P(j)在第m功率段上所占功率步长Sp个数k：

$k=\left|\frac{P\left(j\right)-P\left(m\right)}{\mathrm{Sp}}\right|---\left(7\right)$

其中j＝1，2，...，J，|·|表示取整运算。

4)对DAC第m段进行插值，计算最小步长Sd。

对由DAC(m)，DAC(m+1)组成的第m段上等间隔插值，插值个数为K-1(不包含最小最大两个端点)，则得到步长Sd表示为：

$\mathrm{Sd}=\frac{\mathrm{DAC}(m+1)-\mathrm{DAC}\left(m\right)}{K}---\left(6^{,}\right)$

其中m＝1，2，...，M-1。

5)计算与发送功率值P(j)对应DAC(j)值。

DAC(j)＝DAC(m)+κ×Sd        (8)

其中m＝1，2，...，M-1，j＝1，2，...，J。

通过以上方式，都可以由理想发射功率P(j)，j＝1，2，...，J，计算得到对应的DAC(j)值，j＝1，2，...，J。也就是说，通过对RF-IC配置DAC(j)值，在射频前端可得到对应的理想发射功率P(j)，即完成发射功率校准过程。

利用上述一种非线性功放的发送功率校准方法，在GSM终端预定义发射功率范围为5-33dBm，在M取8，c取3，N取10，R取50Ω，Sp取0.001时，可以将发射功率误差控制在0.16dBm之内，如图5所示，其中横轴表示需要校准的理想功率(power，单位dBm)值。纵轴表示采用本发明方法得到的理想功率与校准后功率之间功率误差值，单位dBm。

本领域技术人员显然清楚并且理解，本发明方法所举的实施例仅用于说明本发明，而并不用于限制本发明。虽然通过实施例有效描述了本发明，本领域技术人员知道，本发明存在许多变化而不脱离本发明的精神。在不背离本发明精神及其实质情况下，本领域技术人员当根据本发明做出相应的改变或变形，但这些相应的改变或变形均属于本发明的权利要求保护范围。

Claims (8)

1.一种非线性功放系统发射功率校准方法，其特征在于，包括：

将预定义发射功率范围等间隔分为M个测量点，表示为P(m)，测量各个测量点P(m)对应的DAC值，表示为DAC(m)，m＝1，2，…，M；

由预定义发射功率P(m)计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)；

计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数；

对发射功率进行校准；

所述计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数包括：

1)根据DAC值DAC(m)计算PA的控制电压Vr(m)；

$\mathrm{Vr}\left(m\right)=\mathrm{Vr}\left(1\right)+|\frac{\mathrm{Vr}\left(M\right)-\mathrm{Vr}\left(1\right)}{(2^N-1)}\×\mathrm{DAC}\left(m\right)|$

其中，Vr(1)表示PA的控制电压Vr的最小值，Vr(M)表示PA的控制电压Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算；

2)拟合PA的等效电压Vp(m)与控制电压Vr(m)之间分段直线，拟合直线可表示为：

Vp(m)＝A(m)×Vr(m)+B(m)

其中，B(m)＝Vp(m)-A(m)×Vr(m)， $A\left(m\right)=\frac{\mathrm{Vp}(m+1)-\mathrm{Vp}\left(m\right)}{\mathrm{Vr}(m+1)-\mathrm{Vr}\left(m\right)},$ m＝1，2，…，M-1；

或者

所述计算功率放大器PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数包括：

1)确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，其中，Vr_min和Vr_max分别为Vr的预设最小值和预设最大值，ε表示满足射频精度要求的电压范围；

2)拟合PA的等效电压Vp(m)与DAC(m)之间的分段直线参数；

Vp(m)＝A’(m)×DAC(m)+B’(m)

其中，B’(m)＝Vp(m)-A’(m)×DAC(m)， $A^{\′}\left(m\right)=\frac{\mathrm{Vp}(m+1)-\mathrm{Vp}\left(m\right)}{\mathrm{DAC}(m+1)-\mathrm{DAC}\left(m\right)},$ m＝1，2，…，M-1。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述由预定义发射功率P(m)计算PA的等效电压Vp(m)为：

$\mathrm{Vp}\left(m\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(m\right)}{10}-c)}}$

其中，R为负载阻抗值，c为常数。

3.根据权利要求1述方法，其特征在于，所述确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内为，若实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值未在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值未在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，则将实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值调整到Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，将实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值调整到Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内。

4.根据权利要求1述方法，其特征在于，所述对发射功率进行校准为：

1)确定终端理想发射功率值P(j)，j＝1，2，…，J，其中J的取值由终端或基站能力等级决定；

2)根据终端理想发射功率P(j)计算PA的等效电压Vp(j)；

$\mathrm{Vp}\left(j\right)=\sqrt{R\×{10}^{(\frac{P\left(j\right)}{10}-c)}}$

其中，R为负载阻抗值，c为常数；

3)根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述根据PA的等效电压值Vp(j)计算对应DAC(j)值为：

1)利用PA的等效电压Vp(j)与控制电压Vr(j)之间分段拟合直线参数，计算PA的控制电压Vr(j)， $\mathrm{Vr}\left(j\right)=\frac{\mathrm{Vp}\left(j\right)-B\left(m\right)}{A\left(m\right)};$

2)根据PA的控制电压Vr(j)计算对应DAC(j)值，

其中，Vr(1)表示Vr的最小值，Vr(M)表示Vr的最大值，N为表示DAC值的比特数，|·|表示取整运算。

6.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述根据PA的等效电压值Vp(j)

计算对应DAC(j)值为：

首先确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，其中，Vr_min和Vr_max分别为Vr的预设最小值和预设最大值，ε表示满足射频精度要求的电压范围；

然后由PA的等效电压Vp(j)计算对应DAC(j)值，

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述确保实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内为，若实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值未在Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值未在Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内，则将实际测量得到的PA控制电压Vr的最小值调整到Vr_min-ε到Vr_min+ε范围内，将实际测量得到的PA控制电压Vr的最大值调整到Vr_max-ε至Vr_max+ε范围内。

8.根据权利要求1述方法，其特征在于，所述对发射功率进行校准为：

1)判断理想发射功率P(j)所在功率段m，即P(m)≤P(j)≤P(m+1)；

2)对由P(m)、P(m+1)组成的第m功率段上等间隔插值，插值个数为K－1，计算最小功率步长Sp， $\mathrm{Sp}=\frac{P(m+1)-P\left(m\right)}{K};$

3)计算功率值P(j)在第m功率段上所占功率步长Sp个数k，其中，|·|表示取整运算；

4)对由DAC(m)、DAC(m+1)组成的第m段上等间隔插值，插值个数为K-1，计算最小步长Sd， $\mathrm{Sd}=\frac{\mathrm{DAC}(m+1)-\mathrm{DAC}\left(m\right)}{K};$

5)计算与终端发送功率值P(j)对应DAC(j)值：

DAC(j)＝DAC(m)+K×Sd。