CN102364696A - 晶体硅太阳能电池的钝化方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池钝化实现方法技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的钝化方法。该方法为：在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。本发明的有益效果是：在太阳能电池的表面多增加一层本发明所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的叠层钝化的钝化，效率可以提升0.2％以上，电压可以提高5-8mV，电流也有50-100mA的提升。

Description

晶体硅太阳能电池的钝化方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池钝化实现方法技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的钝化方法。
背景技术
太阳能电池的钝化是提高电池效率一个主要的途径。现有的钝化技术有PECVD沉积的SiNx、热氧化法生长的SiO2、SiNx和SiO2两种薄膜的叠层，其它的一些钝化膜例如MgF2、Al2O3等也都被用在钝化表面上。商业上比较常用的是SiNx薄膜，高效电池上用的比较多的是热氧化生长的SiO2，可以降低表面的复合速率到10cm/s以下，效率可以达到20％以上。
SiO2钝化膜虽然在高效电池上的应用很广泛，但是热氧化所需要的温度都在1000℃，对于高效电池所用的FZ的硅片来说，在氧化过程中少子寿命不会受到影响，而商业化生产所用的CZ硅片一般少子寿命较低，杂质含量比较高，因此在高温氧化过程中硅片的少子寿命会大幅度降低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，克服传统热氧化生长二氧化硅的缺陷，在降低了生产的成本的同时提高电池的效率。
本发明解决其技术问题所采用的方案是：一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。
进一步地，二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。
再进一步地，另外再沉积的一层钝化层为SiNx、SiOx或者Al2O3钝化膜。
本发明的有益效果是：在太阳能电池的表面多增加一层本发明所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的叠层钝化的钝化，效率可以提升0.2％以上，电压可以提高5-8mV，电流也有50-100mA的提升。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明的结构示意图；
图中，1.二氧化硅薄膜，2.SiNx。
具体实施方式
如图1所示，在SE电池的基础上加上低温下热氧化生长的二氧化硅薄膜1作为叠层钝化膜的一层。电池的制作工艺流程如下：
1、碱制绒；
2、掩膜生长；
3、选择性扩散结的形成；
4、后清洗及边缘刻蚀；
5、在低温下用热氧化的方法在硅片表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜(1)，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min；
6、PECVD法沉积SiNx2；
7、正面和背面浆料的印刷和烧结，测试。
测试结果显示，相对于单层SiNx2或高温下生长的二氧化硅薄膜1的叠层钝化，Voc开路电压有5-8mV的提升，电流有50-100mA的提升，效率有0.2％以上的提升。具体的电性能数据如下：
Figure BDA0000072478470000031

Claims (3)

1.一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征是：在低温下用热氧化的方法在硅片表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜(1)，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征是：所述的二氧化硅薄膜(1)作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征是：所述的另外再沉积的一层钝化层为SiNx(2)、SiOx或者Al2O3钝化膜。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751337A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 英利集团有限公司 N型晶硅太阳能电池及其制作方法
CN103066163A (zh) * 2013-01-24 2013-04-24 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池扩散方法
CN103199153A (zh) * 2013-03-14 2013-07-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳电池的制备方法
CN105374899A (zh) * 2015-10-14 2016-03-02 横店集团东磁股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5627081A (en) * 1994-11-29 1997-05-06 Midwest Research Institute Method for processing silicon solar cells
WO2008043827A2 (de) * 2006-10-12 2008-04-17 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur passivierung von solarzellen
CN101414552A (zh) * 2008-10-23 2009-04-22 中国科学院微电子研究所 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法
CN101447528A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法
CN101447532A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法
CN101728459A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5627081A (en) * 1994-11-29 1997-05-06 Midwest Research Institute Method for processing silicon solar cells
WO2008043827A2 (de) * 2006-10-12 2008-04-17 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur passivierung von solarzellen
WO2008043827A3 (de) * 2006-10-12 2008-08-14 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur passivierung von solarzellen
CN101414552A (zh) * 2008-10-23 2009-04-22 中国科学院微电子研究所 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法
CN101447528A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法
CN101447532A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法
CN101728459A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751337A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 英利集团有限公司 N型晶硅太阳能电池及其制作方法
CN102751337B (zh) * 2012-07-31 2015-08-12 英利集团有限公司 N型晶硅太阳能电池及其制作方法
CN103066163A (zh) * 2013-01-24 2013-04-24 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池扩散方法
CN103199153A (zh) * 2013-03-14 2013-07-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳电池的制备方法
CN103199153B (zh) * 2013-03-14 2016-04-13 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳电池的制备方法
CN105374899A (zh) * 2015-10-14 2016-03-02 横店集团东磁股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺

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